CURSO DE ELETRÔNICA ANALÓGICA II 1

Prof. Avanir Lessa

ELETRÔNICA ANALÓGICA II

PROFESSOR: AVANIR CARLOS LESSA

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Capítulo 5 Os MOSFETs

5.1 Introdução

Existem 03 tipos de FET: JFETs, MOSFETs e MESFETs. O MOSFET é um dispositivo largamente

empregado na construção de circuitos integrados, devido a sua característica de construção e ultimamente
como dispositivo de potência. Basicamente, os mais utilizados com o princípio de funcionamento como
transistor de efeito de campo, que estão baseados na modulação da largura de um canal por uma tensão
aplicada são os JFETs e os MOSFETs.

Os MOSFETs (Metal-Oxide-Semicondutor FET) também chamados de IGMOS (Insulated Gate

MOS – Transistor MOS) que significa "transistor de efeito de campo de metal óxido semicondutor",
pode ser encontrado com duas polaridades: Canal N e Canal P.

A seguir, a estrutura que representa o MOSFET sendo o encapsulamento, o símbolo encontrado em

circuitos eletrônicos, com as seguintes características:

 Estrutura que representa o MOSFET.

 Encapsulameto do tipo dispositivo para montagem em superficíe - SMD e outro para
montagem em placa convencional.
 Símbolo do MOSFET canal N. Para representar o canal P, é só inverter o sentido da seta
no interior do canal.
 Circuito chaveador, para controlar um motor a partir de uma porta AND, que usa a lógica
TTL.
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Os MOSFETs de potência é similar ao MOSFETS utilizado para pequenos sinais, exceto ao que se
refere aos valores nominais de tensão e de corrente. Trata-se de transistores de chaveamento rápido, tendo
como característica, bastante interessante, uma alta impedância na entrada.

Apresenta maior eficiência quando trabalhando em altas frequências. Fontes chaveadas é um bom
exemplo de sua utilização.

São encontrados MOSFETs canal N e P. Desses, o de canal N suporta correntes maiores, sendo por
isto o mais utilizado.

Símbolo:

Como foi visto, o transistor bipolar é controlado pela corrente aplicada a sua base. Já o MOSFET,
como é um dispositivo da família do FET, é um dispositivo controlado por tensão.

Isso permite usar circuitos de controle mais simples, o que tem um grande impacto no custo final
do projeto. O Mosfet também possui uma perfeita isolação entre o Gate e o circuito de dreno e fonte.

Em outras palavras, sua impedância de entrada é praticamente infinita, portanto, não há corrente
entre o gate e a fonte.
Como nos transistores, o MOSFET possui três terminais:

MOSFET Bipolar

Dreno (D) Equivalente ao Coletor (C)

Porta (G) Equivalente a Base (B)
Fonte (S) Equivalente ao Emissor (E)

O MOSFET de canal n é constituído de um substrato tipo p no qual são difundidas duas regiões tipo
n. Estas regiões formam a fonte S e o Dreno D. A porta G é formada por uma camada de dióxido de silício
(isolante), em cima d qual é depositada uma placa de metal.
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A porta é isolada do canal. O diodo PN que existe no FET de junção (JFET) foi eliminado no
MOSFET.

Para formação do canal do MOSFET, a porta G é formada por uma camada de dióxido de silício
(SiO2) na qual é depositada uma placa de metal. Quando se coloca a porta G em um potencial positivo em
relação ao substrato, haverá então acumulação de elétrons, formando o canal.

A camada de dióxido de silício (SiO2) na construção do MOSFET é a responsável pela desejável

alta impedância de entrada.

Na verdade, a impedância de entrada de um MOSFET é muitas vezes maior do que a de um JFET,

apesar de a impedância de entrada da maioria dos JFETs ser bastante alta para grande pane das aplicações.
Por causa da impedância de entrada extremamente alta, a corrente de porta 𝐼 é essencialmente igual a zero
ampere para as configurações de polarização CC.

O motivo do nome FET metal-óxido-semicondutor agora se torna óbvio: metal se refere às conexões
de dreno, fonte e porta; óxido, a camada isolante de dióxido de silício; e semicondutor, a estrutura básica
na qual as regiões do tipo p e n são difundidas. A camada isolante entre a porta e o canal resultou em outro
nome para o dispositivo: FET deporta isolada, ou IGFET, apesar de esse termo ser cada vez menos utilizado
atualmente.
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5.2 Funcionamento dos MOSFESTs

Quanto ao funcionamento, o MOSFET divide-se no modo depleção ou normalmente ligado e modo

intensificação, ou enriquecimento.

5.2.1 Modo Depleção

No modo depleção apresenta características semelhantes às dos JFETs entre corte e saturação em
𝐼 , e também possui o aspecto adicional de curvas características que se estendem até a região de
polaridade oposta de 𝑉 .

Os MOSFETs no modo depleção, também chamado normalmente ligado é porque conduz quando
𝑉 = 0. Seu funcionamento depende das regiões de depleção. A possibilidade do uso de uma tensão positiva
na porta é que distingue o MOSFET modo depleção de um JFET. O MOSFET tipo depleção tem seu aspecto
físico conforme a figura a seguir:

Este tipo de construção apresenta uma estreita camada tipo N que interliga a fonte S e que permitirá
o fluxo de corrente, mesmo quando nenhuma tensão for aplica à porta. A seguir a sua representação:
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5.2.2 Modo Intensificação

O MOSFET modo intensificação tem menor capacitância e impedância de entrada mais elevada.
Seu funcionamento depende da intensificação da condutividade do canal.

O aspecto físico do MOSFET no modo intensificação está representado a seguir:

Para este tipo de construção, a corrente 𝐼 só vai aparecer quando houver tensão 𝑉 . A figura a
seguir apresenta símbolo, modelo, curva de dreno e curva de transferência:
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5.3 Funcionamento e Gráficos

O gráfico a seguir mostra a curva característica VxI de um Mosfet. Nela, vê-se a relação que há
entre a tensão Fonte Dreno (𝑉 ) e a corrente de Dreno (𝐼 ) em relação a valores diferentes de 𝑉 .

O Mosfet passará para o estado ligado quando 𝑉 ultrapassar o valor denominado tensão de limiar
(𝑉 ), que é normalmente de 2 a 4 V. Portanto, a tensão de Porta controla a corrente de Dreno (𝐼 ).

Quanto maior a 𝑉 maior será a corrente de Dreno (𝐼 ). Dentro de um limite conhecido como região
ôhmica ou não saturada, o canal N funcionará como uma resistência constante (𝑅 ).

Quando utilizado como chave, o Mosfet tem como função controlar a corrente de Dreno através da
tensão de Porta (𝑉 ).

A corrente de Dreno (𝐼 ) é igual a zero até que 𝑉 alcance a tensão limiar. A partir daí, 𝐼 aumenta
linearmente com a tensão 𝑉 . O valor mínimo de 𝑉 para se formar o canal é chamado de tensão de
limiar (threshold) ou 𝑉 .
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5.4 Equações

As equações fornecem a tensão, potência e perdas no Mosfet.

V = 𝐼 ·𝑅

𝐼 : Corrente de dreno;
𝑅 : Resistência entre Dreno e Fonte no estado ligado.

P = 𝐼 ·𝑅

P: Potência dissipada no Mosfet.

Perdas no Mosfet:

 Perdas na condução (estado ligado)

D = 𝑇 /T (D é chamado de largura de pulso, ou ciclo de trabalho)

𝑃 = 𝐼 ·𝑅 ·D

 Perdas no estado desligado

E = 𝑇 /T
𝑃 = 𝑉 (𝑚𝑎𝑥)·𝐼 ·E

5.5 Operação do Mosfet

A operação de um Mosfet pode ser dividida em três diferentes regiões, dependendo das tensões
aplicadas sobre seus terminais. Para o Mosfet Canal N:

 Região de Corte:

Quando 𝑉 < 𝑉 , onde 𝑉 é a tensão entre a porta (gate) e a fonte (source). O transistor
permanece desligado e, não há condução de corrente entre o dreno e a fonte. Enquanto a
corrente entre o dreno e fonte deve idealmente ser zero devido à chave estar desligada, há
uma fraca corrente invertida;

 Região de Triodo (ou Região Linear):

Quando 𝑉 > 𝑉 e 𝑉 < 𝑉 − 𝑉 onde 𝑉 é a tensão entre dreno e fonte. O transistor é

ligado e o canal que é criado, permite o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte. O Mosfet
opera como um resistor, controlado pela tensão da porta.
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A corrente do dreno para a fonte é:
𝐼 = k[2·(𝑉 − 𝑉 )·𝑉 − 𝑉 ]
Onde:
K= ·𝜇 𝑐

 Região de Saturação:

Quando 𝑉 > 𝑉 e 𝑉 > 𝑉 − 𝑉 . O transistor fica ligado e, um canal que é criado permite o fluxo
de corrente entre o dreno e a fonte. Como a tensão de dreno é maior do que a tensão na porta, uma parte do
canal é desligado.

A criação dessa região é chamada de “pinch-off”. A corrente de dreno é agora relativamente

independente da tensão de dreno (numa primeira aproximação) e é controlada somente pela tensão da porte
de tal forma que:
𝐼 = k(𝑉 − 𝑉 )²

Observação: Para o transistor PMOS as equações são idênticas, lembrando que 𝑉 é negativo e as
inequações são inversas.

Em circuitos digitais, os Mosfets são utilizados somente em modos de corte e triodo. O modo de
saturação é utilizado em aplicações analógicas.

5.6 Curvas Características do Mosfet

 A curva característica 𝐼 − 𝑉 parametrizada por 𝑉 é:

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Observação:

O gráfico da característica 𝐼 − 𝑉 mostra que a corrente do dreno possui uma leve dependência
linear com 𝑉 na região de saturação.

Essa dependência pode ser considerada analiticamente pela incorporação do fator (1 + λ𝑉 ) na

equação de 𝐼 , onde λ = 1/𝑉 , como se segue:

𝐼 = K(𝑉 − 𝑉 )²·(1 + λ𝑉 )

Onde λ é um parâmetro do Mosfet. 𝑉 é uma tensão positiva semelhante a tensão Early do TBJ
(Transistor Bipolar de Junção), como mostra a seguinte figura:

 A curva característica 𝐼 − 𝑉
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5.7 Polarização do MOSFET – Modo Depleção

O termo polarização significa a aplicações de tensões CC em um circuito para estabelecer valores

fixos de corrente e tensão. O Ponto de polarização (ponto quiescente) deve ser localizado na região ativa e
dentro dos valores máximos permitido.

Considere o circuito s seguir:

Se a tensão 𝑉 for igual a zero, irá circular uma corrente 𝐼 no circuito, uma vez que existe canal
para que essa corrente possa fluir. Sendo a porta G negativa em relação à fonte S, tem-se que a camada de
metal fica negativa e polariza o isolante. Haverá estreitamento do canal N, diminuindo a corrente 𝐼 no
dispositivo.
Este estreitamento do canal é tanto maior, quanto maior for a polarização negativa da porta G. Se
for aplicado uma tensão positiva à porta G, haverá um alargamento no canal, aumentando a circulação da
corrente 𝐼 .

O mesmo princípio se aplica ao MOSFET no modo de canal P.

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5.8 Polarização do MOSFET – Modo Intensificação

Considere o circuito a seguir:

Note que no caso do MOSFET de canal N, a polarização será com a fonte 𝑉 na polaridade positiva.
Fazendo a porta G positiva em relação a fonte S e aumentando a tensão de 𝑉 , estabelece um contato entre
a fonte S e o dreno D, onde a correte 𝐼 que agora circulará entre estes dois elementos será função da tensão
positiva à porta G que controlará a largura do canal.
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 Equações importantes no projeto do circuito de polarização:

𝐼 = K(𝑉 − 𝑉 )²

𝐼 =𝐼 , 𝐼 =0

 Para a polarização do Mosfet em uma região de saturação, as seguintes condições devem ser
satisfeitas:

𝑉 >𝑉 𝑉 >𝑉 − 𝑉

Observação:

A equação da corrente de dreno pode fornecer dois valores de 𝑉 . Desses valores, apenas um
atenderá as condições para a polarização da região de saturação, o outro valor não tem significado físico.
Se os dois valores de 𝑉 não atenderem as condições, significa que o transistor não está em sua região de
saturação.

5.9 O MOSFET como Chave

Quando um Mosfet de potência é utilizado como chave e está na condição ligado, é forçado a operar
na região ôhmica. Isso garante que a queda de tensão no dispositivo seja baixa, de tal modo que a corrente
de dreno fique determinada pela carga. Assim, a perda de potência é pequena.

A condição para operação do Mosfet na região ôhmica é dada por:

𝑉 ≤𝑉 − 𝑉 e 𝑉 >0

Portanto, para uma aplicação de chaveamento, a resistência no estado ligado (𝑅 ( ) passa a ser um
parâmetro muito importante, uma vez que determina a perda de potência durante a condução, para um dado
valor de corrente de carga (dreno). Quanto mais baixo o valor de 𝑅 ( , mais alta a capacidade de corrente
do dispositivo.

A queda de tensão direta é:

𝑉 = 𝐼 ·𝑅 ( )
A dissipação de potência interna é:

P=𝑅 ( ) ·𝐼
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Quando o Mosfet está desligado, a corrente de dreno é igual a zero e a tensão 𝑉 , igual ao valor da
tensão de alimentação. Nessas condições, a resistência entre o dreno e a fonte 𝑅 é muito alta.

A condição para operação do Mosfet na região desligada é dada por:

𝑉 ≥0 e 𝑉 <𝑉

5.10 Perdas no Mosfet

Existem quatro fontes de perdas de potência no chaveamento do Mosfet:

 As perdas na condução ou no estado ligado;

 As perdas no estado desligado;
 As perdas na ligação da chave;
 As perdas que ocorrem no desligamento da chave.

5.10.1 Perdas na Condução ou Perdas no Estado Ligado

Um Mosfet tem perdas relativamente altas dadas por:

𝑃 =𝑅 ( ) ·𝐼 ·

Onde T é o período total.

5.10.2 Perdas no Estado Desligado

As perdas no período desligado são dadas por:

𝑃 =𝑉 ( ) ·𝐼 ·

Onde T é o período total.

5.10.3 Perdas na Ligação da Chave

A perda de energia no Mosfet quando a chave passa de desligado para ligado é dada por:

( )· ·
𝑊 =
Onde 𝑡 é o tempo de subida da corrente de dreno (𝐼 ).
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5.10.4 Perdas no Desligamento da Chave

A perda de energia no Mosfet quando a chave passa de ligado para desligado é dada por:

( )· ·
𝑊 =

Onde 𝑡 é o tempo de descida da corrente de dreno (𝐼 ).

5.10.5 Perdas de Potência por Chaveamento

A perda de potência por chaveamento é dada por:

𝑃 = (𝑊 +𝑊 )·f

Onde f é a frequência de chaveamento.

5.10.6 Perdas Total de Potência no Mosfet

A perda total de potência no Mosfet é dada por:

𝑃 =𝑃 +𝑃 +𝑃

É importante ressaltar que nas baixas frequências de chaveamento a perda total de potência em um
Mosfet é mais alta do que em um BJT, por causa da perda de condução maior no Mosfet.

Entretanto, a medida que a frequência cresce, as perdas por chaveamento do BJT aumentam mais
que as do Mosfet.

Portanto, para aplicações em altas frequências é desejável o uso do Mosfet.

5.11 Exercícios Resolvidos e Propostos

5.11.1) Considere o MOSFET com os seguintes dados: .𝐼 = 3 mA, 𝑉 = 10 V e 𝑉 = 3 V. Determine:

a) O valor de K na equação do MOSFET.

Solução:
a) Cálculo do valor de K:

( ) ·
K= ∴ K=
[ ]
→ K = 0,061∙ 𝟏𝟎 𝟑
A/𝐕 𝟐
( ) ( )
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5.11.2) Determine no MOSFET da figura ao lado, qual a tensão dreno-fonte?

Resp.: 7,5 V

Sugestão: utilize as equações da

transcondutância.

5.11.3) Um MOSTET tem a curva de transcondutância mostrada na figura ao lado. Qual a corrente de dreno
quando a tensão na porta for de – 2 V?
Resp.: 1,32 mA

5.11.4) Na figura ao lado, a tensão na fonte CC é de 120 V e a resistência de carga é de 10 Ω. Os parâmetros

do Mosfet são 𝑡 = 1,5 𝜇s e 𝑅 ( ) 0,1 Ω e considerando que o ciclo de trabalho é 0,6 com a frequência
de chaveamento igual a 25 kHZ, determine:

(a) A corrente da fonte (𝐼 );

(b) O período de chaveamento (T);
(c) A perda de energia no período ligado (𝑊 );
(d) A perda de potência no período ligado (𝑃 );
(e) A perda de energia durante o tempo de ligação (𝑊 );
(f) A perda de potência durante o tempo de ligação (𝑃 ).
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Solução:
(a) Cálculo da corrente da fonte:

𝐼 = ∴ 𝐼 = => 𝑰𝑫 = 11,9 A
( ) ,

(b) Cálculo do período de chaveamento:

T= ∴ T= => T = 40 𝝁s
·

(c) Cálculo da perda de energia no período ligado:

𝑡 = D·T ∴ 𝑡 = 0,6·40·10 => 𝒕𝑶𝑵 = 24 𝝁s

𝑊 =𝑅 ( ) ·𝐼 ·𝑡 ∴ 𝑊 = (0,1)·(11,9)²·(24·10 ) => 𝑾𝑶𝑵 = 345,6 𝝁J

(d) Cálculo da perda de potência no período ligado:

𝑃 = 𝑊 ·f ∴ 𝑃 = (345,6·10 )·(25·10 ) => 𝑷𝑶𝑵 = 8,64 W

(e) Cálculo da perda de energia durante o tempo de ligação:

( )· · · , · , ·
𝑊 = ∴ 𝑊 = => 𝑾𝑶𝑵 = 360 𝝁J

(e) Cálculo da perda de potência durante o tempo de ligação:

𝑃 = 𝑊 ·f ∴ 𝑃 = (360·10 )·(25·10 ) => 𝑷𝑶𝑵 = 0,9 W

5.11.5) Um Mosfet tem os seguintes parâmetros: 𝐼 = 2 mA, 𝑅 ( ) = 0,3 Ω, ciclo de trabalho D = 50%,
𝐼 = 6 A, 𝑉 = 100 V, 𝑡 = 100 ns e 𝑡 = 200 ns. Se a frequência de chaveamento for de 40 kHz, determine:

(a) O período de chaveamento (T); Resp.: 25 𝜇s.

(b) O tempo no estado ligado e desligado (𝑡 , 𝑡 ); Resp.: 12,5 𝜇s.
(c) A perda de potência durante o período de ligação (𝑃 ); Resp.: 5,4 W.
(d) A perda de potência durante o período desligado (𝑃 ); Resp.: 0,1 W.
(e) A perda de potência quando passa de desligado para ligado (𝑃 ( ) ); Resp.: 0,4 W.
(f) A perda de potência quando passa de ligado para desligado (𝑃 ( ) ); Resp.: 0,8 W.
(g) A perda total de potência por chaveamento. Resp.: 6,7 W

5.11.6) Uma chave Mosfet controla a potência para uma carga resistiva de 5 Ω. O Mosft de 𝑅 ( ) = 0,l
Ω, está submetido a uma fonte de tensão CC de 120 V. Com uma frequência de chaveamento de 25 kHz,
𝑡 = 150 ns e ciclo de trabalho igual a 0,6, determine:

(a) O período de chaveamento (T); .

(b) O tempo no estado ligado e desligado (𝑡 ,𝑡 ); .
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(c) A perda de potência durante o período de ligação (𝑃 );
(d) A perda de potência durante o período desligado (𝑃 );
(e) A perda de potência quando passa de desligado para ligado (𝑃 ( ) );
(f) A perda de potência quando passa de ligado para desligado (𝑃 ( ) );
(g) A perda total de potência por chaveamento. .