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PESQUISA SOBRE O MOSFETS

Os Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFETs) é um transistor


de efeito de campo semicondutor de óxido metálico, seu funcionamento é realizado através
do efeito de campo elétrico, que acontece pela junção de sua composição. Ele é um tipo
especial e mais utilizado de transistor, tanto em circuitos analógicos como em circuitos
digitais. São amplamente utilizados em circuitos integrados para realizar funções de
amplificação, amplas e armazenamento de dados. Existem duas categorias principais de
MOSFETs: Canal P e Canal N, cada uma com duas modalidades de operação - Enhancement
e Depletion.

MOSFET Canal P (Intensificação):

-Funcionamento: Quando uma tensão positiva (tensão de polarização) é aplicada ao terminal


de porta em relação ao terminal de fonte, cria-se um campo elétrico que atrai portadores de
carga negativa (elétrons) da região de esgotamento para perto da interface entre o óxido e o
semicondutor. Isso aumenta a condutividade do canal e permite que a corrente flua da fonte
para o dreno.

- Onde são usados: MOSFETs de aprimoramento de canal P são frequentemente usados ​em
aplicações de lógica CMOS, amplificadores e outros circuitos integrados.

MOSFET de Depleção do Canal P (Depleção):

-Funcionamento: Ao contrário do aprimoramento, os MOSFETs de canal P


esgotamento já possuem um canal condutor formado na ausência de uma tensão de
porta. Aplicar uma tensão negativa (tensão de polarização inversa) à porta reduz a
largura do canal, conduzindo sua condutividade.

-Onde são usados: Eles são menos comuns que os aprimoramentos, mas são usados
​em aplicações específicas, como amplificadores de radiofrequência.

MOSFET de Melhoramento do Canal N (Intensificação):


-Funcionamento: Semelhante ao MOSFET de aprimoramento do canal P, mas o canal
é composto por portadores de carga negativa (elétrons).

-Onde são usados: Amplamente utilizados em circuitos digitais, como CMOS lógicos,
e em dispositivos de potência.

MOSFET de Depleção do Canal N (Depleção):

-Funcionamento: Já possui um condutor de canal, mas a aplicação de uma tensão


inversa à porta diminui a largura do canal.

-Onde são usados: Raramente usados ​devido à disponibilidade de MOSFETs de


aprimoramento de canal N, mas podem ser encontrados em algumas aplicações
analógicas.

Diferença em relação ao Transistor Bipolar de Junção (BJT):

Modo de Operação : Os MOSFETs operam por meio de campos elétricos, enquanto os


BJTs dependem de correntes de portadores de carga.

Consumo de energia : MOSFETs geralmente consomem menos energia em


comparação com BJTs, tornando-os mais eficientes em muitas aplicações.

Velocidade de Comutação : MOSFETs têm uma resposta mais rápida em termos de


velocidade de velocidades em comparação com os BJTs.

Sensibilidade à Temperatura : Os BJTs são mais sensíveis à temperatura do que os


MOSFETs.

Tensão de Alimentação : Em geral, os MOSFETs são adequados para operações com


baixas demandas, enquanto os BJTs podem ser usados ​em aplicações de alta tensão.

REFERÊNCIA BIBLIOGRÁFICA
-Mosfet: Funcionamento, Tipos e Aplicações. Disponível em:
<https://flaviobabos.com.br/mosfet/>. Acesso em: 25 nov. 2023.
-YADAV, P. BJT vs MOSFET: Diferença e Comparação. Disponível em:
<https://askanydifference.com/pt/difference-between-bjt-and-mosfet/>.
Acesso em: 25 nov. 2023.

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