FACULDADE DE ENGENHARIA

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELECTROTÉCNICA

Engenharia Electrónica (Laboral)

Disciplina: Electrónica Básica

Tema: Transistor MOSFET

Discentes:

Coimbra, Paulo Moreira Tomo

Neves, Ivanildo Joaquim

Tembe, Alberto José

Ussivane, Edilson Ivan Óscar

Docente: José Nelson Guambe, Engº, MSc

Maputo, 8 de Julho de 2021

Índice
Introdução....................................................................................................................................1
Transistor MOSFET.....................................................................................................................2
MOSFET TIPO DEPLEÇÃO......................................................................................................2
Simbologia dos MOSFET´s tipo DEPLEÇÃO.........................................................................3
Curvas Características – Tipo Depleção...................................................................................3
PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO.....................................................................................3
MOSFET TIPO ENRIQUECIMENTO........................................................................................4
PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO.....................................................................................5
Conclusão.....................................................................................................................................7
Referências Bibliográficas...........................................................................................................8
Introdução
O presente trabalho da cadeira de Electrónica Básica (EB), tem como objectivo,
descrever, analisar e compreender o transístor Mosfet, dando mais ênfase ao transístor
—tipo Enriquecimento e tipo depleção.
Importa referir que este transístor possui uma grande aplicabilidade na electrónica,
sendo usado em diversos circuitos.

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Transistor MOSFET

A sigla MOSFET ( Metal – Oxide – Semiconductor, Field Effect Transistor) é adotada

como padrão.

Fig1: Transistor MOSFET

Em dispositivos MOSFET, o elétrodo metálico do terminal porta é separado do canal
por uma fina camada isolante de óxido, conforme mostrado na figura acima. Forma-se
portanto uma estrutura entre porta e canal do tipo metal-óxido-semicondutor (MOS).

Os MOSFET’s podem ser dois tipos:

- MOSFET – tipo DEPLEÇÃO;
- MOSFET – tipo ENRIQUECIMENTO (NÃO – DEPLEÇÃO).

MOSFET TIPO DEPLEÇÃO

Fig2: Estrutura MOSFET tipo depleção de canal p e n.

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Simbologia dos MOSFET´s tipo DEPLEÇÃO

Fig3: MOSFET Canal n Fig4: MOSFET Canal p

Curvas Características – Tipo Depleção

PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO
O controle de corrente em MOSFET´s tipo depleção é feito pelo controle da largura do
canal, através do potencial aplicado à porta do dispositivo. Será analisado inicialmente
para o caso de um dispositivo com canal p. Se a porta for submetido ao mesmo
potencial do terminal fonte, há circulação de corrente fonte – dreno. Fig5: Porta com o
mesmo potencial da fonte.

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Com aplicação de uma tensão positiva à porta do dispositivo, o canal será estreitado,
reduzindo a corrente Id.

Fig6: Transitor com tensão positiva à porta do dispositivo

Portanto, através do controle do potencial aplicado à porta, pode-se controlar a corrente
no canal.
Em MOSFET’s tipo depleção tipo p, a aplicação de um potencial negativo à porta
provoca um aumento na corrente Id, uma vez que nessa situação a região de depleção no
interior do canal é diminuída substancialmente. Como ilustra a Fig7:

MOSFET TIPO ENRIQUECIMENTO

O MOSFET tipo enriquecimento é composto por duas regiões semicondutoras isoladas
entre si pelo material semicondutor do substrato. Sobre esse conjunto estão depositadas
uma camada de óxido isolante e uma camada metálica formadora da porta de controle.
Eles têm um papel fundamental na Eletrónica moderna, visto que são os dispositivos
predominantes nos circuitos integrados. São utilizados tanto em circuitos integrados
digitais como em analógicos e mistos.

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Fig8: Canal n

Fig9: Canal p

Curvas Características – Tipo Enriquecimento

PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO
Com o terminal porta submetido ao mesmo potencial do terminal fonte não há fluxo de
corrente. (Fig10)

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Aplicando- se um potencial negativo à porta do dispositivo, propicia a indução de
cargas positivas na região do substrato, formando um canal de condução entre fonte e
dreno, permitindo o fluxo de corrente Id(Fig11).

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Conclusão
Após a elaboração do trabalho, conclui-se que o transístor Mosfet pode ser do tipo
depleção ou do tipo enriquecimento (não-depleção).
O transístor do tipo enriquecimento é composto por duas regiões semicondutoras
isoladas entre si pelo material semicondutor do substrato. Eles tem um papel de extrema
relevância na electrónica moderna, visto que são os dispositivos predominantes nos
circuitos integrados.
São utilizados tanto em circuitos integrados digitais como em analógicos e mistos.

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Referências Bibliográficas
1. Eletrônica [recurso eletrônico] / Albert Malvino, David J. Bates ; tradução: Antonio
Pertence Jr. – 8. ed. – Porto Alegre : AMGH, 2016;

2. Dispositivos eletrónicos e teoria de circuitos, 8ª edição/Robert L Boylestad, Louis

Nashelsky;

3. CIPELLI, Antônio Marco Vicari & SANDRINI, Waldir João. Teoria e

desenvolvimento de projetos de circuitos eletrônicos, 7a . edição, Érica, São Paulo
(1983);

4. MILLMAN, Jacob & HALKIAS, Christos C. Eletrônica: dispositivos e circuitos,

Vol.2, McGraw- Hill do Brasil, São Paulo (1981) .