Departamento de Electrotecnia

Curso de Licenciatura em Engenharia Eléctrica

2o ANO 3o SEMESTRE

Cadeira: Fundamentos da Electrónica.

Tema: Transístor Mosfet.

Discentes: Docente:

Adriano Cossa Msc. Engº Isac Bitone

Cisa Bia da Graça J. Manuel
Cleidirio Kivan M. Sitoe
Cremildo Marcelo Murrure
Dércio Sérgio Machango
Dilvânia Marcos

Songo, Julho de 2022

 Departamento de Electrotecnia

Curso de Licenciatura em Engenharia Eléctrica

2o ANO 3o SEMESTRE

Cadeira: Fundamentos da Electrónica.

Tema: Transístor Mosfet.

Discentes:
Trabalho elaborado e compilado pelo V
Adriano Cossa
grupo, da Turma-E21, na cadeira de
Cisa Bia da Graça J. Manuel
Fundamentos da Electrónica, no curso de
Cleidirio Kivan M. Sitoe
Engenharia Eléctrica, do Instituto Superior
Cremildo Marcelo Murrure
Politécnico de Songo no âmbito avaliativo.
Dércio Sergio Machango
Dilvânia Marcos Orientado por: Msc. Engº Isac Bitone

Songo, Julho de 2022

Índice
Lista de abreviaturas .....................................................................................................................iv
Lista de figuras ..............................................................................................................................iv
CAPÍTULO I. INTRODUÇÃO .................................................................................................... 5
1.1. Contextualização ....................................................................................................... 5
1.2. Objectivos ..................................................................................................................... 5
1.2.1. Geral ...................................................................................................................... 5
1.2.2. Específicos ............................................................................................................ 5
1.3. Metodologias ................................................................................................................. 5
CAPÍTULO II. REVISÃO DA LITERATURA ........................................................................... 6
2.1. Transístor MOSFET. ..................................................................................................... 6
2.1.1. Simbologia e estrutura. .......................................................................................... 6
2.1.2. Construção do MOSFET ....................................................................................... 7
2.1.3. Criação do canal .................................................................................................... 7
2.2. Operação do transístor ................................................................................................... 8
2.3. Curvas características .................................................................................................... 9
2.3.1. Característica ID –VDS parametrizada por VG. ....................................................... 9
2.3.2. Característica ID –VGS.......................................................................................... 10
2.4. Polarização do MOSFET. ........................................................................................... 11
3. RESOLUÇÃO DE EXERCÍCIOS DE CONSOLIDAÇÃO ............................................... 11
4. CONCLUSÃO .................................................................................................................... 13
5. REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS ................................................................................ 14
Lista de abreviaturas

MOSFET......................Transístores De Efeito De Campo Metal- Óxido- Semicondutor;

FET................................................................................... Field Effect Transístor;
PMOS..................................................................Metal- Óxido- Semicondutor do tipo P;
NMOS................................................................ Metal- Óxido- Semicondutor do tipo N;
TBJ...................................................................Transístor Bipolar de Junção;
MOS..................................................................Metal- Óxido- Semicondutor;
CIs.....................................................................Circuitos Integrados;
SiO2…………………………………………………..Dióxido de Silício.

Lista de figuras

Figura 1. Canal N (NMOS) e Canal P (PMOS) ............................................................................ 6

Figura 2. Função de MOSFET ...................................................................................................... 7
Figura 3. Construção do Mosfet. ................................................................................................... 7
Figura 4. Criação do canal............................................................................................................. 7
Figura 5. O transístor NMOS operando na saturação com o canal estrangulado. ......................... 9
Figura 6. Representação da curva característica do MOSFET. ..................................................... 9
Figura 7. Representação da tensão semelhante a tensão Early do TBJ ....................................... 10
Figura 8. Relação ID –VGS............................................................................................................ 10

iv
CAPÍTULO I. INTRODUÇÃO
1.1. Contextualização
Este trabalho versa assuntos inerentes aos transístores de efeito de campo (field effect
transístor-FET, do inglês), mais especificamente, os do tipo metal- óxido- semicondutor-
MOS que da junção das siglas inglesas, é conhecido por MOSFET.

O trabalho começa com uma descrição comparativa detalhada da construção física e das
características do MOSFET, comparando seus dois tipos: de enriquecimento e de depleção.
Em seguida apresenta circuitos que se utilizam de MOSFETs e discute suas aplicações como
amplificador. Finalmente, aborda as aplicações básicas em CIs. A aplicabilidade actual dos
MOSFETs é muito grande, já que podem ser fabricados em tamanhos diminutos, integrando
pastilhas de CIs. Como no TJB (Transístor Bipolar de Junção) o MOSFET controla a corrente
entre dois terminais variando a tensão em um terceiro terminal. No caso do MOSFET isso é
feito através da variação de um campo eléctrico, propriedade que origina seu nome.

1.2. Objectivos
1.2.1. Geral
 Compreender de forma genérica os transístores MOSFETs.
1.2.2. Específicos
 Contextualizar os transístores MOSFETs;
 Esgrimir os diferentes componentes constituintes;
 Explicar o principio de funcionamento dos MOSFETs;
 Diferenciar os tipos de MOSFET e as suas polarizações;
 Elucidar com base em alguns exercícios práticos.

1.3. Metodologias
Para a elaboração do trabalho, recorreu-se a pesquisas científicas-didácticas e em alguns
manuais/ artigos da cadeira. A mesma elaboração compreende duas fases, a primeira que
consiste na recolha do material teórico para auxiliar na compreensão dos conteúdos
abordados quando falamos de MOSFET e a segunda, consiste na síntese das pesquisas que
foram sendo feitas para o desenvolvimento do trabalho.

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CAPÍTULO II. REVISÃO DA LITERATURA
2.1. Transístor MOSFET.
Como no caso do TBJ, a tensão entre dois terminais do FET (field-effect transistor) controla a
corrente que circula pelo terceiro terminal. Correspondentemente o FET pode ser usado tanto
como amplificador quanto como uma chave. O nome do dispositivo origina-se de seu
princípio de operação. O controle é baseado no campo eléctrico estabelecido pela tensão
aplicada no terminal de controle, (Boylestad e Nashelsky, 2013).

O transístor MOSFET (acrónimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transístor, ou

transístor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico), é, de longe, o tipo mais
comum de transístores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos.

2.1.1. Simbologia e estrutura.

Em estrutura física, ambos os tipos de MOSFET são muito semelhantes: substrato formado
por substância do tipo 1 (que pode ser “n” ou “p”), com fendas simétricas preenchidas por
substância do tipo 2 (complementar ao substrato) fortemente dopada (n+ ou p+).

Acima da região do canal (espaço entre as duas fendas preenchidas) deposita-se uma camada
de material isolante (SiO2), e sobre ela, metal para o contacto. Metal também é depositado
sobre as duas fossas e a face inferior do substrato.

Os quatro terminais do MOSFET são denominados: Fonte (Source), Dreno (Drain), Porta
(Gate) e Corpo (Body).

O tipo do substrato define o tipo do MOSFET. Se o substrato é do tipo P, temos um PMOS

(MOSFET tipo P), caso tipo N, temos um NMOS (MOSFET tipo N).

Figura 1. Canal N (NMOS) e Canal P (PMOS)

Fonte: Boylestad e Nashelsky, 2013.

6
 A sua Função é de controlar a corrente eléctrica que passa por ele. ID função VGS.

D ID
G
+
S
VGS
-
Figura 2. Função de MOSFET
Fonte: Boylestad e Nashelsky, 2013.

2.1.2. Construção do MOSFET

Geralmente o terminal corpo (B) é ligado a fonte (S).
Fonte (S) Porta (G) Dreno (D)
Óxido (SiO2 2)

+ Região de +
n canal n

Corpo (B)
Figura 3. Construção do Mosfet.

2.1.3. Criação do canal

Figura 4. Criação do canal

Fonte: Alceu Alves, 2006.

A tensão VGS, em um primeiro momento, faz as lacunas livres da região do substrato sob a
porta serem repelidas, deixando uma região de depleção. A tensão positiva sob a porta atrai

7
electrões das regiões n+ da fonte e do dreno para a região do canal. Quando electrões
suficientes estiverem sob a porta, o canal estará formado ligando a fonte ao dreno. O valor
mínimo de VGS para se formar o canal é chamado de tensão de limiar (threshold) ou Vt.

2.2. Operação do transístor

De acordo com Alceu Alves (2006), a operação de um MOSFET pode ser dividida em três
diferentes regiões, dependendo das tensões aplicadas sobre seus terminais. Para o MOSFET
canal n:
 Região de Corte: quando VGS < Vt, onde VGS é a tensão entre a porta (gate) e a fonte
(source). O transístor permanece desligado, e não há condução entre o dreno e a fonte.
Enquanto a corrente entre o dreno e fonte deve idealmente ser zero devido à chave
estar desligada, há uma fraca corrente invertida.
 Região de Tríodo (ou região linear): quando VGS > Vt e Vds < VGS - Vt onde Vds é a
tensão entre dreno e fonte. O transístor é ligado, e o canal que é criado permite o fluxo
de corrente entre o dreno e fonte. O MOSFET opera como um resistor, controlado
pela tensão na porta. A corrente do dreno para a fonte é:

[ ( ) ] (eq. 1)

De lembrar que o contacto da porta e o substrato (corpo) formam um capacitor, cujo

dielétrico é óxido, com capacitância:

(eq. 2)

 Região de Saturação: quando VGS > Vt e Vds > VGS - Vt. O transístor fica ligado, e
um canal que é criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte. Como a
tensão de dreno é maior do que a tensão na porta, uma parte do canal é desligado. A
criação dessa região é chamada de “pinch-off”. A corrente de dreno é agora
relativamente independente da tensão de dreno (numa primeira aproximação) e é
controlada somente pela tensão da porta de tal forma que:
( ) (eq. 3)

Observação 1: Para o transístor PMOS as equações são idênticas, lembrando que Vt é

negativo e as inequações são inversas. Em circuitos digitais, os MOSFETs são usados
somente em modos de corte e de tríodo. O modo de saturação é usado em aplicações de
circuitos analógicos.

8
 O terminal da porta (G), por ser electricamente isolado através do óxido, possui
corrente nula ( );
 A corrente do dreno é igual a corrente da fonte, isto é, .

Figura 5. O transístor NMOS operando na saturação com o canal estrangulado.

Fonte: Alceu Alves, 2006.
2.3. Curvas características
2.3.1. Característica ID –VDS parametrizada por VG.

Figura 6. Representação da curva característica do MOSFET.

Fonte: Boylestad e Nashelsky, 2013.

9
Observação 2:

O gráfico da característica ID–VDS mostra que a corrente do dreno possui uma leve
dependência linear com VDS na região de saturação. Essa dependência pode ser considerada
analiticamente pela incorporação do factor (1+λVDS) na equação de ID, onde λ = 1/VA, como
se segue:

( ) ( λVDS) (eq. 4)

Onde λ é um parâmetro do MOSFET. VA é uma tensão positiva semelhante a tensão Early do

TBJ, como mostra seguinte figura:

Figura 7. Representação da tensão semelhante a tensão Early do TBJ

Fonte: Adel Sedra, 2004.

2.3.2. Característica ID –VGS

ID (mA)
8
7
6
5
4
3
2 Vt

1 2 3 4 5 6 7 8 9 VGS (V)
Figura 8. Relação ID –VGS.
Fonte: Adel Sedra, 2004.

10
2.4. Polarização do MOSFET.
O termo polarização significa a aplicação de tensões DC em um circuito para estabelecer
valores fixos de corrente e tensão. O Ponto de polarização (ponto quiscente) deve ser
localizado na região activa e dentro dos valores máximos permitido.

 Equações importantes no projecto do circuito de polarização:

( ) ; e (eq. 5)

 Para a polarização do MOSFET em uma sua região de saturação, as seguintes

condições devem ser satisfeitas:
e (eq.6)

Observação 3: A equação da corrente de dreno pode fornecer dois valores de VGS. Desses
valores, apenas um atenderá as condições para a polarização da região de saturação, o outro
valor não tem significado físico. Se os dois valores de VGS não atenderem as condições,
significa que o transístor não está em sua região de saturação.

3. RESOLUÇÃO DE EXERCÍCIOS DE CONSOLIDAÇÃO

• Exemplo 1:
5V
Projecte o circuito de modo que o transístor opere com ID=4
mA e VD = +1V. O transístor NMOS tem Vt = 2V e K = 0,4
.
RD mA/V2.. Suponha que λ = 0.
ID Resolução:
VD
Temos que:
IG
VDS

VGS
O que significa operação na região de saturação, portanto:
RS
( ) ( )

-5V

Essa equação do segundo grau produz dois valores de VGS, 1V e 3V. O primeiro valor não
tem significado físico, pois ele é menor que Vt. Portanto VGS = 3V. Desse modo temos que:
( ) ( )

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Exemplo 2:

Determine todas as tensões dos nós e

as correntes nas malhas. Suponha Vt
= 1V e K = 0,5 mA/V2. Suponha λ =
0.
Resolução:
Para análise DC, XC1 = XC2 ∝
Como a corrente na porta é nula,
podemos fazer o divisor de tensão
RG1 e RG2:

VG =

Com essa tensão positiva na porta, o transístor NMOS está em condução. Mas não podemos
determinar se ele opera na região de tríodo ou saturação. Podemos supor uma operação na
região de saturação e verificar a validade da suposição. A tensão na fonte é:

; Portanto, ID é dado por:

( ) ( )

( )

A equação de segundo grau produz dois valores para ID: 0,89 mA e 0,5 mA. O primeiro valor
não tem significado físico pois produz uma tensão de fonte maior que a tensão de porta.
Portanto:

ID = 0,5mA

VS = 0,5×6 = 3V

VGS = 5−3 = 2V

VD =10 − 6×0,5 = 7V

Como VDS > VGS – Vt, o transístor está realmente operando na saturação.

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4. CONCLUSÃO
Tendo assim finalizado o trabalho, concluiu – se que os transístores de efeito de campo não
são componentes novos. Na verdade, em teoria foram criados antes mesmo dos transístores
comuns bipolares. No entanto, com a possibilidade de se obter este dispositivo na versão de
alta potência, o MOSFET se tornou um componente extremamente popular que já começa a
ser o preferido em muitas aplicações.

Em suma, os transístores de efeito de campo diferentemente dos transístores bipolares

comuns são típicos amplificadores de tensão e não de corrente. Enquanto a corrente de
colector de um transístor comum é função da corrente de base, num transístor de efeito de
campo, a corrente de dreno é função da tensão de comporta.

Percebeu-se também que dependendo da polaridade dos materiais semicondutores usados

podemos ter MOSFET de canais N ou P.

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5. REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS

1. Adel Sedra and Kenneth Smith. Microelectronic Circuits. Macron Books, 2004.
2. Alceu Alves. Apostila de Electrónica II. Departamento de Engenharia Eléctrica.
Universidade Estadual Paulista, 2006.
3. Boylestad e Nashelsky. “Dispositivos Electrónicos e teoria de circuitos”, Prentice
Hall, 11 Edição, 2013;
4. Doug Gingrich. Notas de aula. http://www.phys.ualberta.ca/~gingrich/phys395/notes/
node74.html, Julho de 2022.

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