UniZambeze – U n i v e r s i d a d e Z a m b e z e Eletrônica de Potência

FCT - FCT – Faculdade de Ciências e Tecnologia Trabalho Laboratorial no 3: SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA: BJT, MOSFET e IGBT
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Trabalho Laboratorial no2: Semicondutores de potência: BJT, MOSFET e IGBT
As simulações serão realizadas com os simuladores
1.0 OBJETIVOS
Multisim (http://www.ni.com/multisim/pt/)
ou
Esta atividade de laboratório tem por objetivo exercitar o conteúdo da Psim (http://powersimtech.com/).

ficha teórica 2, especificamente sobre semicondutores de potência (BJT, MOSFET e IGBT).

Em síntese, objetiva-se:
1. Testar semicondutores de potência;
2. Implementar circuitos com transístores de potência;
3. Entender o funcionamento de transístores de potência;
4. Analisar os resultados obtidos e concluir a respeito.

2.0 MOSFETs DE POTÊNCIA

14 de março de 2023 - Curso e ano: Engenharia Electrica 3º ano 5º semestre Docente: Eng. Essitone Lote Gimo pag. 1 de 3
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