27/02/2023, 14:44 SEI/UFU - 4211040 - Plano de Ensino

UNIVERSIDADE FEDERAL DE UBERLÂNDIA

Faculdade de Engenharia Elétrica
Av. João Naves de Ávila, 2121, Bloco 3N - Bairro Santa Mônica, Uberlândia-MG, CEP 38400-902
Telefone: (34) 3239-4701/4702 - www.feelt.ufu.br - feelt@ufu.br
  

PLANO DE ENSINO

1. IDENTIFICAÇÃO
Componente
EXPERIMENTAL DE ELETRÔNICA ANALÓGICA I
Curricular:
Unidade Ofertante: FACULDADE DE ENGENHARIA ELÉTRICA-FEELT
Código: FEELT31402 Período/Série: 40 PERÍODO Turma: 6
Carga Horária: Natureza:
Teórica: 00 Prática: 30 Total: 30 Obrigatória:
(x ) Optativa: ( )
Professor(A): DR. ANDRÉ LUIZ AGUIAR DA COSTA Ano/Semestre: 2022/2
Observações:  

 
2. EMENTA
Características, funcionamento, operação e aplicações à engenharia elétrica de diodos, transistores
bipolares e transistores de efeito de campo.
3. JUSTIFICATIVA
Essa componente curricular é importante para o aluno do curso de Engenharia Eletrônica e de
Telecomunicações, pois apresentam os fundamentos do funcionamento prático dos circuitos eletrônicos
baseados nos dispositivos semicondutores, tais como: diodos semicondutores, transistores bipolares e
transistores de efeito de Campo. Além do conhecimento técnico mais associado ao Experimental de
Eletrônica Analógica, o estudante deve melhorar sua capacidade de utilizar a matemática e a física para
modelagem, pesquisar por soluções tecnológicas atuais e trabalhar em equipe para a resolução de
projetos.
4. OBJETIVO
Ao final da disciplina o estudante será capaz de:
1 . Analisar a operação de circuitos que utilizam transistores bipolares e de efeito de campo;
2 . Projetar fontes de tensão transistorizadas reguladas e protegidas contra Curto-circuito;
3 . Projetar amplificadores de potência e de pequenos sinais transistorizados;
4. Analisar, projetar, montar e testar circuitos eletrônicos em laboratório, com a utilização de diversos
instrumentos.
5. PROGRAMA
1. Características dos diodos;
2. Circuitos utilizando diodos;
3. Características dos transistores;
4. Polarização dos transistores;
5. Amplificadores de pequeno sinal;
6. Transistores de efeito de campo.
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6. METODOLOGIA
(
As aulas serão ministradas de forma presencial, no laboratório de eletrônica, realizadas às terças-feiras
das 08h50min às 10h40min. Na tabela abaixo estão descrita as aula que serão ministradas no semestre.

AULA DATA CONTEÚDO

-Apresentação da disciplina com conteúdo programático, método de avaliação

01-02 e datas das provas;
28/02/2023
(1)
-Apresentação do Simulador que será utilizado na Aula;

03-04 -Levantamento da curva característica do diodo semicondutor;

07/03/2023
(2) -Atividade de Simulação;

-Diodos Limitadores de tensão;

05-06
14/03/2023 -Diodos Ceifadores;
(3)
-Atividade de Simulação;

07-08 -Circuitos retificadores de onda completa;

21/03/2023
(4) -Atividade de Simulação;

-Fonte de tensão AC~DC;

09-10
28/03/2023 -Protótipo de Fonte de tensão AC~DC;
(5)
-Atividade de Simulação;

11-12 -Diodo Zener;

04/04/2023
(6) -Atividade de Simulação;

-Configuração Emissor comum (com polarização fixa da Base);

13-14 -Reta de Carga;
11/04/2023
(7) -Lista de de Simulação;
-Relatório 1 sobre Diodos e o Relatório de simulações sobre Diodos;

-Configuração Emissor comum(polarização do Emissor);

15-16
18/04/2023 -Reta de Carga;
(8)
-Atividade de Simulação;

-Transistor como chave;

17-18
25/04/2023 -Atividade de Simulação;
(9)
- Apresentação da Fase I do projeto final (Simulação);

-Amplificador de pequenos sinais utilizando configuração emissor comum com

19-20 polarização de divisor de tensão;
02/05/2023
(10)
-Atividade de Simulação;

21-22
09/05/2023 -Amplificadores de pequenos sinais em cascata;
(11)

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-Resposta em Frequência do Amplificador de pequenos sinais utilizando

23-24 configuração emissor comum com polarização de divisor de tensão;
16/05/2023
(12) -Atividade de Simulação;
- Apresentação da Fase II do projeto final (Esquemático do Kicad);

Levantamento da curva VG x ID para o transistor de efeito de campo de Junção

(JFET) no circuito de auto polarização;
25-26
23/05/2023 -Lista de de Simulação;
(13)
-Relatório 2 sobre Transistores TBJ e Relatório de simulações sobre
Transistores TBJ;

-Transistor de efeito de campo de Junção (JFET) no circuito de auto polarização

27-28 como amplificador de pequenos sinais;
30/05/2023
(14)
-Atividade de Simulação;

-Transistor de efeito de campo de Junção (JFET) no circuito de auto polarização

29-30 como amplificador de pequenos sinais;
06/06/2023
(15)
-Atividade de Simulação;

-Apresentação do Protótipo do Projeto de Fonte AC~DC;

31-32 -Lista de de Simulação;
13/06/2023
(16) -Relatório 3 sobre Transistores JFET e Relatório de simulações sobre
Transistores JFET;

33-
20/06/2023 ​- Apresentação da Fase III do projeto final (PCB do Kicad);  
34 (17)

35-
27/06/2023 -  Entrega do Projeto final
36 (18)

O atendimento aos alunos será realizado de forma presencial na sala 312 no bloco 1n as quartas-feiras de
14:50h até 17:40 e contabilizando no máximo 100 minutos por turma.
7. AVALIAÇÃO
O aproveitamento dos discente será medido por meio de relatórios sobre os experimentos, listas de
simulações e projeto final, como mostra o quadro abaixo:

Avaliação Valor Data

11/04/2023, 23/05/2023 e
Média dos Relatório 33,33
13/06/2023

08/11/2022, 10/01/2023 e
Média das Lista de Simulações 33,33
31/01/2023

- Apresentação da Fase I do projeto final (Simulação); 11,11 11/04/2023

- Apresentação da Fase II do projeto final (Esquemático

11,11 16/05/2023
do Kicad);

-​ Apresentação da Fase III do projeto final (PCB  do 11,11 20/06/2023

Kicad);  
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Projeto Final 33,33 31/01/2023

Total 100,00 -

 
Os resultados das avaliações serão apresentadas pelos números de matrícula e nome dos alunos,
divulgados por meio der e-mails, moodle ou whatsapp.
A vista de prova será marcada com os discente, nas sextas-feiras nos horários previstos para o
atendimento discente, a partir da data de divulgação das notas, respeitando-se o prazo de 10 dias
previsto na Resolução do CONGRAD (Nº15/2011).
8. BIBLIOGRAFIA
BÁSICA
1. MALVINO, A.P. Eletrônica. São Paulo: Makron Books, 2000.
2. BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. São Paulo: Prentice Hall
do Brasil, 2004.
 3. MILLMAN, J.; HALKIAS, C. Eletrônica Dispositivos e Circuitos. São Paulo: McGraw-Hill do Brasil, 1981.
COMPLEMENTAR
1. SEDRA, A. S.; SMITH, K. C. Microeletrônica. São Paulo: Makron Books, 1995.
 2. LALOND, D. E.; ROSS, J.A. Princípios de Dispositivos e Circuitos Eletrônicos. São Paulo: Makron Books,
1999.
3. GRONNER, I. Análise de Circuitos Transistorizados. Rio de Janeiro: Livros Tecnicos e Científicos, 1973.
 4. ZUFFO, J.A. Dispositivos Eletrônicos, Física e Modelamento. São Paulo: McGraw-Hill do Brasil, 1976.
 5. Wilson, J. A. Eletrônica Básica: Teoria e Prática. São Paulo: Rideel.
9. APROVAÇÃO
Aprovado em reunião do Colegiado realizada em: ____/____/______
Coordenação do Curso de Graduação: _________________________
 

Documento assinado eletronicamente por Andre Luiz Aguiar da Costa, Professor(a) do Magistério
Superior, em 23/01/2023, às 15:34, conforme horário oficial de Brasília, com fundamento no art. 6º,
§ 1º, do Decreto nº 8.539, de 8 de outubro de 2015.

A autenticidade deste documento pode ser conferida no site

https://www.sei.ufu.br/sei/controlador_externo.php?
acao=documento_conferir&id_orgao_acesso_externo=0, informando o código verificador 4211040 e
o código CRC ED28E146.

Referência: Processo nº 23117.002527/2023-61 SEI nº 4211040

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