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Elton Benjamim Balane

Farinheira Fonseca Alfredo Sitande
IzilWildy Sansão Jalane
Vanda Djate

Transístores de efeito de campo

(Licenciatura em Engenharia Electrónica)

Universidade Rovuma
Nampula
2023
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Elton Benjamim Balane

Farinheira Fonseca Alfredo Sitande
IzilWildy Sansão Jalane
Vanda Djate

Transístores de efeito de campo

(Licenciatura em Engenharia Electrónica)

Trabalho de Eletrónica Basica,

apresentado a Faculdade de Engenharias e
Ciências Tecnológicas da Universidade
Rovuma, para fins avaliativos, sob a
Orientação do Docente:

Eng. Nelson Baptista

Universidade Rovuma
Nampula
2023
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Índice
1. Introdução........................................................................................................................... 4

1.1. Objectivos: .................................................................................................................. 4

1.1.1. Objectivo geral .................................................................................................... 4

1.1.2. Objectivos específico ........................................................................................... 4

1.2. Metodologia ................................................................................................................ 5

2. Definição ............................................................................................................................ 6

2.1. Importância na electrónica .......................................................................................... 6

Tipos de FET ............................................................................................................................. 7

2.2. Transístores de Efeito de Campo de Junção (JFET) ................................................... 7

2.2.1. Tipos comuns de JFET ...................................................................................... 11

2.3.1. Polarização e circuitos com transístores de efeito de campo MOS ................... 14

2.3.2. Na Prática .......................................................................................................... 15

3. Conclusão ......................................................................................................................... 16

Referências .............................................................................................................................. 17
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1. Introdução
Os Transistores de Efeito de Campo (FETs) são pilares inabaláveis na paisagem da eletrônica
moderna, protagonizando uma revolução silenciosa que moldou nosso mundo. Com a
habilidade única de regular o fluxo de corrente elétrica por meio de um campo elétrico, esses
dispositivos desempenham um papel crucial em inúmeras aplicações, desde amplificação de
sinais em sistemas de áudio até o processamento de dados em eletrônicos de alta performance.
Neste trabalho, embarcamos em uma jornada para explorar a profundidade e a versatilidade dos
FETs, abordando seus variados tipos, princípios de funcionamento, características distintivas e
aplicações multifacetadas. Uma compreensão sólida dos FETs é um ativo inestimável para
engenheiros e entusiastas da eletrônica, permitindo a criação de soluções inovadoras e
empolgantes que, por sua vez, redefinem o cenário tecnológico.

1.1.Objectivos:
1.1.1. Objectivo geral

O objetivo geral deste trabalho é oferecer uma análise abrangente dos Transístores de Efeito de
Campo (FETs) em eletrônica, desde seus princípios fundamentais até suas aplicações
avançadas, destacando sua importância na tecnologia moderna.

1.1.2. Objectivos específico

 Compreender os Princípios de Funcionamento dos FETs: Analisar em detalhes os

princípios que regem o funcionamento dos FETs, incluindo sua estrutura física, o
controle de corrente através de campos elétricos e os diferentes tipos de FETs, como
JFETs e MOSFETs.

 Explorar as Características e Aplicações dos FETs: Investigar as características

distintivas dos FETs, como a curva de transferência, ganho de tensão e resistência de
entrada, bem como destacar suas amplas aplicações em amplificadores de sinal,
comutação de circuitos, osciladores e eletrônica digital.

 Analisar os Avanços Tecnológicos e Tendências dos FETs: Investigar os mais

recentes avanços em tecnologia de FET, como transistores de nanofitas, dispositivos de
canal único e inovações em alta frequência, e avaliar seu impacto na eletrônica
contemporânea.
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1.2.Metodologia

A metodologia é uma parte fundamental de qualquer trabalho de pesquisa científica, pois

descreve o caminho que será percorrido para atingir os objetivos propostos. Para elaborar uma
boa metodologia, é importante considerar as orientações de pesquisadores renomados, como
Marie H. T. de Lakatos, que discute a importância de uma metodologia sólida em pesquisas
científicas.

O nosso trabalho obedecerá as seguintes etapas:

 Revisão Bibliográfica: Inicie o processo com uma revisão bibliográfica exaustiva sobre
o tema dos Transistores de Efeito de Campo (FETs). Consulte livros, artigos
acadêmicos, publicações científicas e fontes confiáveis para obter um entendimento
profundo dos princípios, tipos e aplicações dos FETs.

 Seleção de Fontes de Informação: Identifique as fontes de informação relevantes que

serão utilizadas no trabalho, assegurando-se de que sejam provenientes de fontes
acadêmicas e confiáveis. Cite adequadamente todas as fontes de acordo com as normas
de citação acadêmica.

 Definição dos Objetivos Específicos: Com base nos objetivos específicos, estabeleça
as etapas que guiarão a pesquisa, desde a compreensão dos princípios dos FETs até a
análise dos avanços tecnológicos. Certifique-se de que os objetivos sejam mensuráveis
e alcançáveis.

 Discussão e Conclusão: Na seção de discussão, interprete os resultados em relação aos

objetivos. Em seguida, conclua o trabalho, destacando as principais descobertas e
ressaltando a importância dos FETs na eletrônica moderna.

 Referências: Liste todas as fontes de informação utilizadas na pesquisa de acordo com

as normas de citação acadêmica.

Marie H. T. de Lakatos enfatiza que a pesquisa científica deve ser conduzida de forma
sistemática, rigorosa e fundamentada em evidências. Além disso, ela destaca a importância da
revisão bibliográfica como base sólida para qualquer pesquisa científica.
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2. Definição

Os transistores de efeito de campo (FET) são dispositivos semicondutores que operam com
base no controle da corrente por um campo elétrico aplicado a uma região do material
semicondutor. Eles são componentes fundamentais em eletrônica e são usados para
amplificação, comutação e controle de corrente em circuitos. A história dos transistores FET é
rica e está interligada com o desenvolvimento da eletrônica moderna.

Segundo (Braga, 2012). "Os transistores de efeito de campo, ou FETs, são dispositivos
semicondutores que operam sob o controle de uma tensão aplicada. São compostos
principalmente por uma camada de material semicondutor que controla o fluxo de corrente. O
conceito de FET remonta a meados do século XX, quando se tornou uma parte essencial da
eletrônica."

2.1.Importância na electrónica

Os transistores FET desempenham um papel fundamental na eletrônica moderna devido às suas

características distintas e aplicações versáteis. Eles são amplamente utilizados em uma
variedade de circuitos eletrônicos, desempenhando funções essenciais na amplificação de sinal,
comutação e controle de dispositivos.

(Braga, 2012) destaca também que "Os transistores de efeito de campo, ou FETs, são
dispositivos semicondutores que têm uma importância crítica na eletrônica moderna. Eles são
usados em uma ampla gama de aplicações, desde amplificação de sinal até comutação de
circuitos. Sem os FETs, a eletrônica moderna não seria possível."

Em suma, os FETs são componentes essenciais em circuitos eletrônicos de todos os tipos e

desempenham um papel central na revolução eletrônica que moldou o mundo moderno.

Figura 1. O FET: símbolo esquemático. (Magon, 2018)

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Tipos de FET
2.2.Transístores de Efeito de Campo de Junção (JFET)

O transístor de efeito de campo TEC, abreviadamente do Português, ou ainda FET da

abreviação em Inglês (Field Effect Transistor), é um dispositivo semicondutor de grande
utilidade na eletrônica, da das suas características. Encontramos os FETs em muitos pontos dos
circuitos equipa mentos eletrônicos de todos os tipos. Existem dois tipos básicos de transístores
de efeito de campo. O que vamos estudar inicialmente é o transístor de efeito de campo de
junção ou J-FET (JFET). (Braga, 2012)

Figura 2. Estrutura do JFET e seus símbolos (Braga, 2012).

Na figura acima é possível ver a estrutura básica de um transístor deste tipo, assim como seu
símbolo.

A região do canal pode ser de material P ou N, o que determina dois tipos de transistores de
efeito de campo quanto à polaridade: ca nal N ou canal P. No material que forma o canal são
ligados dois eletrodos deno minados fonte (abreviado por s de “source” em inglês) e dreno (abre
viado por d de “drain”). No meio deste material é implantada uma segunda região
semicondutora de material de carga oposta (P nos de material N e N nos de material P) que
forma uma estreita passagem para a corrente, que vai da fonte ao dreno. Esta região é a da
comporta, abreviada por g (de “gate” em inglês).
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O fluxo de cargas entre a fonte e o dreno pode ser controlado pela tensão aplicada à comporta,
responsável por cargas estáticas ca pazes de atuar com um campo nesta região.

Figura 2.1. Uma tensão em g controla a corrente entre d e s. (Braga, 2012)

Tomando então um FET de canal N, conforme mostra a figura, a corrente entre o dreno e a
fonte é máxima quando a tensão entre a comporta e a fonte é zero. Aplicando-se, a partir deste
ponto, uma tensão inversa àquela que polariza a junção do transístor, o canal para a passagem
da corrente entre o dreno e a fonte vai estreitando-se pela presença de cargas elétricas, o que
significa a redução da intensidade da corrente

Veja que não podemos aplicar uma tensão que polarize a junção diretamente, pois aí temos a
simples condução desta corrente, e não o controle da corrente entre o dreno e a fonte. Para certa
faixa de tensões entre o dreno e a fonte, a proporcionalidade entre a corrente de dreno e a tensão
de comporta é quase linear, o que possibilita usar este dispositivo como amplificador de sinais
como o transístor.

Figura 2.2. Família de curvas de um JFET (Braga, 2012)

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Na figura acima é possível observar a “família” de curvas de um transístor de efeito de campo

deste tipo de FET.

O ganho de um transístor de efeito de campo é expresso por uma grandeza chamada

transcondutância (abreviada por gm), corres podendo à relação que existe entre a variação da
corrente de dreno em relação a variação da tensão de comporta.

Assim, se o gm de um transístor de efeito de campo é 2 mA/V, isso quer dizer que uma variação
de 1 V na tensão de comporta, causa uma variação de 2 mA na corrente entre o dreno e a fonte.
Observe o leitor que corrente sobre tensão, como aparece na fórmula, ou seja, mA dividido por
volts é justamente o contrário da Lei de Ohm (que já foi estudada no volume Eletrônica Básica)
que define resistência como tensão sobre corrente.

Assim, também era costume expressar a transcondutância de um transístor de efeito de campo

numa unidade chamada “mho”, que é justamente a palavra “ohm” escrita ao contrário!
Atualmente, em lugar desta unidade, usamos outra que é o Siemens, abreviado por S e por seus
submúltiplos. Isso significa que 2 mA por volt é na realidade expresso como 2 mS (lê-se dois
mil siemens).

Para usar um transístor de efeito de campo de junção, precisa mos polarizá-lo. As configurações
também são as mesmas que pode mos obter com os transístores bipolares. As mesmas podem
ser observadas nas figuras abaixo.

Figura 2.3. Configurações dos JFETs (Braga, 2012)

Acima temos então nomeadamente as configurações de fonte comum, dreno comum e comporta
ou gate comum.
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Abaixo temos dois circuitos de polarização de um FET para a configuração de fonte comum.

Figura 2.4. Circuitos de polarização do JFET (Braga, 2012)

No primeiro, temos a chamada Auto polarização onde o resistor usado tem valores típicos entre
500 k ohms e 10 M ohms. Nota se que esta é a impedância de entrada do amplificador, que é
bem maior do que a obtida com transístores bipolares.

Esta é uma característica importante dos circuitos que usam transístores de efeito de campo, e
que os aproxima muito mais das características obtidas para as válvulas comuns, do que dos
transístores comuns.

Agora no segundo caso, temos uma polarização por fonte de corrente constante, onde se
melhora a estabilidade de funcionamento do circuito. Os transístores de efeito de campo de
junção mais comuns atualmente são transístores de baixa potência, de uso geral, mas que
também podem ser usados em circuitos de RF em frequências de até algumas centenas de
megahertz. Podemos usá-los então na amplificação de sinais, geração de sinais em PCs e
periféricos, em equipamentos de uso comum como pré-amplificadores de antena para ondas
longas, curtas e até mesmo VHF, rádios, amplificadores de som, etc.
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2.2.1. Tipos comuns de JFET

Existe uma grande quantidade de tipos de JFET em uso atualmente. Dentre os mais comuns
destacamos o BF245 e o MPF102.

Figura 2.5. JFET BF245 (Braga, 2012)

2.3.Transistores de efeito de campo MOS

O MOSFET, ou Transistor de Efeito de Campo Metal-Oxide-Semiconductor, é um tipo de

transistor que utiliza um material semicondutor para controlar o fluxo de corrente entre a fonte
e o dreno através da aplicação de uma tensão na porta. O MOSFET é amplamente utilizado na
eletrônica moderna devido à sua capacidade de operar em alta frequência, baixo consumo de
energia e como componente-chave em circuitos analógicos e digitais.

Segundo (Magon, 2018). O nome Transístor de Efeito de Campo, ou MOS-FET, vem da sua
denominação em inglês “Metal Oxide Semicondutor Field-Effect Transistor”, ou traduzindo,
transístor de efeito de campo de óxido de metal semicondutor.

Se bem que seja um transístor de efeito de campo, em sua estrutura e funcionamento básicos,
ele se diferencia bastante em alguns pontos dos transístores de efeito de campo de junção,
exigindo assim uma explicação separada.

Em todos os equipamentos eletrônicos modernos encontramos uma grande variedade de

transistores de efeito de campo MOS como, por exemplo, os tipos de potência que ocupam
posição de destaque nas fontes de alimentação, acionamento dos motores de passo drivers de
solenóides e relés e muito mais.

Para o técnico, que deseja reparar ou montar qualquer tipo de equipamento eletrônico, é muito
importante conhecer o MOS-FET, pois se trata de um componente que faz parte de circuitos
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que normalmente permitem a reparação de uma forma direta. Os MOS-FETs das fontes de
alimentação, por exemplo, podem queimar e podem ser substituídos.

Abaixo irei apresentar os símbolos que melhor representam os dois tipos de MOSFET

Figura 3. Símbolos para os MOSFETs (Magon, 2018)

A base de montagem do semicondutor é um substrato, no caso de material P que, conforme o

nome sugere, serve apenas de suporte físico para a montagem dos demais elementos. Neste
substrato são difundidas duas regiões de material semicondutor do tipo N que são interligadas
por um pedaço de material condutor, formando o “canal”.

Sobre o canal é colocada uma placa de filme metálico e, isolando-a do material condutor do
canal, existe uma finíssima camada de óxido de silício. Os elétrodos ligados ao material N
recebem os nomes de fonte (abreviada por s de “source” do inglês), e dreno (abreviada por d de
“drain”).

No material condutor, isolado pela capa de óxido de silício, temos um elétrodo que recebe o
nome de comporta (gate ou abreviadamente g do termo em inglês). Da mesma forma que num
transístor de efeito de campo de junção, podemos controlar a passagem da corrente entre a fonte
e o dreno, a partir de uma tensão aplicada à comporta.
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Para os transístores de efeito de campo MOS, é importante nunca os manusear, tocando

diretamente em seus terminais ou tocando-os com ferramentas ligadas à rede de energia, como
por exemplo: uma pistola de soldar.

Muitos transístores de efeito de campo deste tipo são dotados de um anel condutor nos seus
terminais, colocando-os em curto para permitir o manuseio e a soldagem quando, então, no
circuito com ele mentos que evitam o aparecimento de tensões perigosas, podem ser retirados.

Para o transporte, podem ser usadas esponjas condutoras ou mesmo embalagens antiestéticas,
conforme é possível notar na figura abaixo:

Figura 3.1. Protegendo o MOSFET contra descargas estáticas (Magon, 2018)

Uma maneira de proteger este componente contra estas tensões externas, que podem “furar” a
capa de óxido que isola a comporta do canal, é através de díodos na configuração que poderá
ser vista na figura abaixo.

Figura 3.2. Usando díodos de proteção (Magon, 2018)

Muitos transístores de efeito de campo já vêm de fábrica com estes díodos colocados
internamente ao componente.
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Estes são de nominados “transístores de efeito de campo de porta protegida”, que podem ser
utilizados sem a necessidade de precauções especiais, com o toque nos terminais ou a sua
sobrecarga.

No transístor de efeito de campo que ao qual fazemos o estudo, a tensão de controle age no
sentido de empobrecer o canal no que se refere aos portadores de carga, ou seja, o controle da
corrente é feito diminuindo-se a quantidade de portadores de carga do canal. Em inglês utiliza
se o termo “depletion”, para designar este tipo de transístor de efeito de campo MOS. Podemos,
entretanto, fabricar outro tipo de transístor de efeito de campo em que o controle da corrente se
faz pelo aumento ou enriquecimento dos portadores de carga, utilizando-se o termo
“enhancement” para designá-los.

Na figura abaixo é possível ver os símbolos usados para representar estes transístores.

Figura 3.3. MOSFETs de enriquecimento (Magon, 2018)

Os MOS-FETs, além de sua elevadíssima resistência de entra da, que pode chegar em alguns
casos a mais de 100 000 000 000 000 ohms (100 teraohms!), também são dispositivos de
velocidade de ope ração muito alta. Estes transístores facilmente podem amplificar ou gerar
sinais de até 500 MHz.

2.3.1. Polarização e circuitos com transístores de efeito de campo MOS

Da mesma forma que os transistores bipolares e os transistores de efeito de campo de junção,

para calcular os componentes de pola rização, nos baseamos nas suas curvas características, ou
seja, na sua família de curvas.
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Figura 3.4. Família de curvas de um MOSFET (Magon, 2018)

Nestes gráficos são dadas as curvas da corrente de dreno (id) em função da tensão de dreno
(Ed) para diversas tensões de comporta (Eg).

2.3.2. Na Prática

Os transístores de efeito de campo do tipo de junção, MOS-FET, MOS e outros não são encontra
dos somente na forma de componentes discretos (separados) nos equipa mentos eletrônicos de
uso comum. Muitos dos circuitos integrados desses aparelhos contem transis tores MOS ou
MOS-FETs que, conforme vimos são muito sensíveis a descargas estáticas. Isso significa que
o técnico terá muito cuidado no manuseio destes componentes para evitar que cargas estáticas
acumuladas no seu corpo possam causar problemas. De fato, trabalhando sobre um tapete ou
num ambiente seco, o nosso corpo pode acumular cargas de milhares de volts. Um simples
toque nos terminais de um com ponente com transístores MOS pode fazer com que a descarga
fure a capa de material isolante das comportas causando sua inutilização imediata
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3. Conclusão

Em síntese, os Transistores de Efeito de Campo (FETs) são a espinha dorsal da eletrônica

contemporânea, capacitando uma ampla gama de inovações e progressos tecnológicos. Este
trabalho forneceu um olhar aprofundado sobre os diversos tipos de FETs, suas características
distintas e suas múltiplas aplicações, desde o coração de circuitos analógicos até a base de
eletrônica digital de alta velocidade. Com os avanços tecnológicos em constante
desenvolvimento, os FETs continuam a ser uma área de foco crítico para engenheiros e
pesquisadores, prometendo abrir portas para novas descobertas e inovações eletrônicas, que por
sua vez continuam a moldar nosso mundo e nosso futuro. À medida que a eletrônica evolui, o
domínio dos FETs permanece inestimável, oferecendo uma base sólida para o progresso
tecnológico.
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Referências
Braga, N. C. (2012). Eletrônica Analógica (1 ed., Vol. 2). São Paulo, brasil.

Magon, C. J. (2018). Conceitos básicos da Eletrônica:. São Paulo.

Robert L. Boylestad, L. N. (2013). Dispositivos electrônicos e teoria de circuitos (11 edição

ed.). (S. M. Yamamoto, Trad.) São Paulo: Pearson.