Índice

1. Introdução.................................................................................................................. 2
1.1. Objectivos .......................................................................................................... 3
1.1.1. Objectivo geral ........................................................................................... 3
1.1.2. Objectivos específicos ................................................................................ 3
1.2. Metodologia do trabalho .................................................................................... 3
1.2.1. Método de pesquisa .................................................................................... 3
1.2.2. Técnicas de pesquisa .................................................................................. 3
1.2.3. Instrumentos de Pesquisa ........................................................................... 3
2. Conceitos Básicos ..................................................................................................... 4
2.1. Transístor ........................................................................................................... 4
3. MOSFET ................................................................................................................... 4
3.1. Símbolo do MOSFET ........................................................................................ 5
3.2. Estrutura do MOSFET ....................................................................................... 5
3.3. O funcionamento do MOSFET .......................................................................... 6
3.4. vantagens do MOSFET ...................................................................................... 7
3.5. Tipos de MOSFETs ........................................................................................... 7
3.6. Criação do canal do MOSFET ........................................................................... 8
3.7. Regiões de operação do MOSFET ..................................................................... 9
4. Conclusão ................................................................................................................ 13
5. ReferênciasBibliográficas ....................................................................................... 14
 1. Introdução
Os avanços com circuitos integrados usando transístores vem sendo de larga escala e tornaram
possível integrar vários milhões de transístores sobre uma única pastilha, dando um impulso ao
processamento digital de sinais. E desde a revolução industrial e a criação dos primeiros
componentes e ou instrumentos electrónicos, houve a grande necessidade de se melhorar o
funcionamento dos transístores, reduzir o tamanho de sua arquitectura e deste modo tornar os
circuitos electrónicos mais compactos ou integrados, e componentes como transístores, diodos,
resistências e outros, são acoplados em um dispositivo para facilitar a construção de
equipamentos menos robustos e, ajudando dessa forma no melhor desempenho dos dispositivos
electrónicos que funcionam através desses circuitos. No trabalho abordaremos muito mais sobre
os transístores, em especifico os MOSFET, debruçando mais sobre seu funcionamento em
função dos tipos que existem mencionaremos suas características e nos propomos a explorar as
diferentes facetas dos MOSFET, e deste modo elaboramos esta pesquisa com fins académicos e
com a ajuda de manuais que serão citados nas referencias bibliográficas, obtivemos maior parte
da matéria que foi usada para a fazer o trabalho, esperando alcançar o objectivo geral e de forma
detalhada garantir respostas aos objectivos específicos, e partilhar todo conhecimento colhido ao
longo da pesquisa.

2
1.1.Objectivos

1.1.1. Objectivo geral

 Estudar sobre o MOSFET.

1.1.2. Objectivos específicos

 Definir Transistor;
 Descrever o funcionamento do MOSFET;
 Citar algumas vantagens do MOSFET;
 Indicar tipos do MOSFET.

1.2.Metodologia do trabalho

1.2.1. Método de pesquisa

O presente trabalho é descrito por ser de um carácter qualitativo, visto que o mesmo
visa compreender os assuntos propostos, neste caso trata-se do MOSFET.

1.2.2. Técnicas de pesquisa

O presente trabalho está baseado em referência bibliográfica, documentos e páginas
da internet disponíveis na bibliografia do trabalho.

1.2.3. Instrumentos de Pesquisa

Para realização do presente trabalho tivemos como materiais de pesquisa:

 Adobe Reader;
 Google Chrome.

3
 2. Conceitos Básicos

2.1.Transístor

É um componente constituído de uma pastilha monocristalina de material semicondutor

(Germânio ou Silício) com regiões dopadas com impurezas do tipo N e do Tipo P.

Os transístores dependendo do fim a que se destina, podem funcionar como:

 Amplificador de corrente;
 Amplificador de sinal;
 Chave electrónica.

Tradicionalmente os transístores se dividem em dois(2) grupos: a saber:

 Bipolares;
 Unipolares ou de efeito de campo. [4]

3. MOSFET
Os transistores de efeito de campo diferentemente dos transistores bipolares comuns são
típicos amplificadores de tensão e não de corrente. Enquanto a corrente de coletor de
um transistor comum é função da corrente de base, num transistor de efeito de campo, a
corrente de dreno é função da tensão de comporta.

O transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou

transistor de efeito de campo metal - óxido - semicondutor - TECMOS), é o tipo mais
comum de transístores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos.

4
 3.1.Símbolo do MOSFET

Dependendo da polaridade dos materiais semicondutores usados podemos ter MOSFET

de canais N ou P, conforme mostram os símbolos.

Figura 1: (a) modo de aprimoramento de canal n; (b) modo de aprimoramento de canal

p; (c) modo de depleção de canal n; (d) modo de depleção de canal p.
Fonte:[5]

3.2.Estrutura do MOSFET

MOSFET significa Metal-Oxide Semiconductor Field Effet Transistor, ou Transistor de

Efeito de Campo de Metal-Óxido. Nele, o que temos é uma estrutura como a mostrada
na figura abaixo, em que duas regiões N são formadas sobre um substrato P. Sobre o
substrato forma-se uma finíssima película de material isolante que consiste num óxido
de metal e sobre ela apoia-se uma região condutora metálica.

O MOSFET é um dispositivo de 4 terminais, Dreno (Drain), Fonte (Source), Porta

(Gate), Substrato (Bulk) sendo que em circuitos discretos, normalmente só tem 3
terminais acessíveis, tendo o substrato ligado à fonte. A dopagem do poço é
complementar à dos terminais. [7]

5
Os parâmetros de dimensionamento mais importantes são a largura do canal, que
condiciona a passagem de corrente no transistor, sendo proporcional a esta. O é o
comprimento do canal que está relacionado com o tempo de trânsito dos electrões no
canal, restringindo assim a resposta em frequência do dispositivo.[7]

Figura 2: Estrutura do MOSFET.

Fonte:[6]

3.3.O funcionamento do MOSFET

Para um MOSFET podemos considerar a região que interliga o dreno à fonte, ou seja, o
canal, como um resistor. Quando aplicamos uma tensão ao gate, a inversão faz com que
a resistência do mesmo reduza, com a condução da corrente. No entanto, este resistor
não apresenta características lineares.

Como o MOSFET utiliza portadores majoritários na sua operação, ele não armazena
cargas e com isso pode ser muito mais rápido que os transistores bipolares. Um outro
efeito muito importante que deve ser considerado vem justamente da física dos
semicondutores. Os materiais semicondutores portadores minoritários têm um
coeficiente negativo de temperatura, ou seja, sua resistência diminui quando a
temperatura aumenta. Assim os MOSFETs são dispositivos que operam com portadores
majoritários, ficando mais rápidos quando a temperatura aumenta e também diminuindo
a corrente de modo a compensar um efeito que causaria uma deriva térmica.

Os transistores de efeito de campo diferentemente dos transistores bipolares comuns são

típicos amplificadores de tensão e não de corrente. Enquanto a corrente de colector de
um transistor comum é função da corrente de base, num transistor de efeito de campo, a
corrente de dreno é função da tensão da porta. [6]

6
 Figura 3: Estrutura do MOSFET.
Fonte:[6]

Uma fina película de óxido de metal isola a região da porta da região do canal que liga o
dreno à fonte. [8]

3.4.vantagens do MOSFET

Efeito de campo Os transistores, como o MOSFET, são usados há décadas. Eles

compreendem os transistores mais comummente usados, actualmente dominando o
mercado de circuitos integrados, com as seguintes vantagens:

 São portáteis;
 Usam pouca energia;
 Não consomem corrente e são compatíveis com a tecnologia de processamento
de silício;
 Sua falta de corrente de porta resulta em alta impedância de entrada;
 São úteis em sistemas de aquisição de dados e permitem várias entradas de
dados;
 Sua capacidade de comutação entre diferentes resistores ajuda na taxa de
atenuação, ou alterando o ganho de amplificadores operacionais;
 MOSFETs formam a base de dispositivos de memória semicondutores, como
microprocessadores. [6]

3.5.Tipos de MOSFETs

Este componente tem uma característica notável que é a capacidade que tem de se
adaptar em qualquer circuito devido a sua diversidade de tamanho e forma. Portanto, é
possível encontrarmos no mercado vários modelos e dimensões desse componente.

 Mosfet canal N;

7
  Mosfet canal P.

Figura 4: Tipos do MOSFET Comuns.

Fonte:[6]

Utilizamos muito na electrónica o mosfet canal N, que se assemelha ao Transistor NPN,

sendo a entrada do Gate positiva. Com isso o componente que utiliza o canal P vai
sendo um pouco esquecido, que é a inversão da polaridade, sendo esse parecido com o
transistor PNP.

Além da opção comum também encontramos a variação SMD de mosfets, a qual é

muito usada em placas de circuito impresso.[8]

 Mosfet SMD

É muito utilizado na construção de chips electrónicos, com uma ampla variedade de

aplicações, como utilização em processos de amplificação e produção de sinais e em
operações de chaveamento. [8]

3.6.Criação do canal do MOSFET

A tensão VGS, em um primeiro momento, faz as lacunas livres da região do substrato

sob a porta serem repelidas, deixando uma região de depleção. A tensão positiva sob a
porta atrai electrões das regiões n+ da fonte e do dreno para a região do canal. Quando
electrões suficientes estiverem sob a porta, o canal estará formado ligando a fonte ao
dreno. O valor mínimo de VGS para se formar o canal é chamado de tensão de limiar
(threshold) ou Vt. [8]

8
 Figura 5: Estrutura do MOSFET.
Fonte:[8]

3.7.Regiões de operação do MOSFET

A operação de um MOSFET pode ser dividida em três diferentes modos, dependendo

das tensões aplicadas sobre seus terminais. Para o NMOS os modos são: [8]

Gráfico 1: Curva Característica ID –VDS parametrizada por VGS.

Fonte:[7]
 Região de Corte

Quando VGS< Vt , onde VGS é a tensão entre a porta (gate) e a fonte (source). O
transistor permanece desligado, e não há condução entre o dreno e a fonte. Enquanto a
corrente entre o dreno e fonte deve idealmente ser zero devido à chave estar desligada,
há uma fraca corrente invertida. [8]

9
 Gráfico 2: região de corte.
Fonte:[7]

 Região de Tríodo (ou região linear)

Quando VGS> Vt e Vds< VGS - Vt onde Vds é a tensão entre dreno e fonte. O transístor é
ligado, e o canal que é criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e fonte. O
MOSFET opera como um resistor, controlado pela tensão na porta. A corrente do dreno
para a fonte é: [8]

Gráfico 3: região de Tríodo.

Fonte:[7]

10
Onde:

μn = mobilidade de electrões: [cm2/Vs];

Cox = capacitância/unidade de área do óxido: [F/m2];

Vt= tensão de limiar (threshold): 1 a 3 V (não confundir com VT ~ 25mV, no TBJ)

K = parâmetro de transcondutância: [μA/V2];

L = comprimento do canal: [m];

W = largura do canal: [m]. [7]

Gráfico 4: relação entre a Id e a VG.

Fonte:[7]
 Região de Saturação

Quando VGS> Vt e Vds>VGS - Vt . O transístor fica ligado, e um canal que é criado

permite o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte. Como a tensão de dreno é maior do
que a tensão na porta, uma parte do canal é desligado. A criação dessa região é chamada
de “pinch-off”. A corrente de dreno é agora relativamente independente da tensão de
dreno (numa primeira aproximação) e é controlada somente pela tensão da porta de tal
forma que: [8]

11
 Gráfico 5: Região de saturação.
Fonte:[7]

OBS: Para o transístor PMOS as equações são idênticas, lembrando que Vt é negativo e
as inequações são inversas. Em circuitos digitais, os MOSFETs são usados somente em
modos de corte e de tríodo. O modo de saturação é usado em aplicações de circuitos
analógicos. [8]

12
 4. Conclusão
Após a explanação em torno do tema do trabalho, podemos referenciar que os MOSFET
são transístores que tem a capacidade que tem de se adaptar em qualquer circuito devido
a sua diversidade de tamanho e forma. Portanto, é possível encontrarmos no mercado
vários modelos e dimensões desse componente. E concluímos que os MOSFET é
indispensáveis a sua utilização na electrónica, e tem sido de grande uso em vários
aparelhos electrónicos, com isso ainda se torna importante o seu estudo para que se
possa entender o seu funcionamento e dessa forma alcançar melhorias na projecção e
construção de equipamentos que precisem da aplicação destes circuitos.

No presente trabalho os objectivos pretendidos foram alcançados e através da

elaboração do trabalho foi adquirido muito conhecimento a cerca dos transístores,
quanto ao seu princípio de funcionamento, características e sua aplicação e com isso foi
concebido o trabalho de pesquisa.

13
 5. ReferênciasBibliográficas
[1] Comissão Central de Reforma Curricular. Normas para Produção e Publicação de
Trabalhos Científicos na Universidade Pedagógica. Maputo, Abril de 2009.

[2] CUPERTINO, Prof. Allan Fagner. Transistores de Potência - MOSFET

[3] LETRÔNICA (HTTPS:// FLAVIOBABOS.COM.BR/CATEGORIA-

ELETRONICA/) Mosfet: Funcionamento, Tipos e Aplicações

[4] MENDONCA, eng. Doglasse. materiais e componentes electrónicos 2019

dispositivos eletrónicos (transistores). ESCOLA SUPERIOR TECNICA
DEPARTAMENTO ENGENHARIAS, Curso de licenciatura em engenhariade
electrónica. 2019

[5] MUHAMMAD H. Rashid, Ph.D. power electronics handbook devices, circuits, and
applications. ThirdEdition. 2011

[6] PETRY, Prof. Clovis Antonio. Eletrônica de Potência. Instituto Federal de

Educação, Ciência e Tecnologia de Santa Catarina Departamento Acadêmico de
Eletrônica. 2015

[7] UNESP, Universidade Estadual Paulista. Transistor de Efeito de Campo – FET.

Faculdade de Engenharia de Ilha Solteira, Departamento de Engenharia Elétrica. 2021

[8] http://www.newtoncbraga.com.br/index.php/como-funciona/6417-
art977?tmpl=component&print=1&page=

14