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mosfet
ETGDH
Introdução
O transistor MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) é um dos
dispositivos semicondutores mais utilizados na eletrônica. Ele é um tipo de transistor de
efeito de campo, que controla o fluxo de elétrons em um canal entre a fonte e o dreno,
através da aplicação de uma tensão na porta. O MOSFET pode ser encontrado em duas
configurações principais: de empobrecimento e de enriquecimento.
Estrutura de um MOSFET.
Tipos de MOSFET
Podemos identificá-los como MOSFET canal N e MOSFET canal P. Além da opção
comum também encontramos a variação SMD de MOSFETs, a qual é muito usada em
placas de circuito impresso.
MOSFET comum: é muito utilizado em equipamentos eletrônicos para amplificar
sinais sendo bastante encontrado em amplificadores de áudio pois ele dá o retorno de
um maior potencial para reproduzir o som além de influenciar na qualidade do áudio.
Ele também evita distorções e contribui para uma melhor eficiência sonora do aparelho.
MOSFET SMD: é muito utilizado na construção de chips eletrônicos, com uma ampla
variedade de aplicações, como utilização em processos de amplificação e produção de
sinais e em operações de chaveamento.
Diferença entre o MOSFET NPN e PNP:
Operação do transístor
Região de Corte: quando VGS < Vt, onde VGS é a tensão entre a porta (gate) e a fonte
(source). O transistor permanece desligado, e não há condução entre o dreno e a fonte.
Enquanto a corrente entre o dreno e fonte deve idealmente ser zero devido à chave estar
desligada, há uma fraca corrente invertida.
Região de Triodo (ou região linear): quando VGS > Vt e Vds < VGS - Vt onde Vds é
a tensão entre dreno e fonte. O transístor é ligado, e o canal que é criado permite o fluxo
de corrente entre o dreno e fonte. O MOSFET opera como um resistor, controlado pela
tensão na porta. A corrente do dreno para a fonte é:
Região de Saturação: quando VGS > Vt e Vds > VGS - Vt. O transístor fica ligado, e
um canal que é criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte. Como a
tensão de dreno é maior do que a tensão na porta, uma parte do canal é desligado. A
corrente de dreno é agora relativamente independente da tensão de dreno e é controlada
somente pela tensão da porta de tal forma que:
MOSFET de enriquecimento