CENTRO UNIVERSITRIO TOLEDO

Relatrio
Tiristor , Mosfets e Igbts

Abner Kaiber - 45907

Kleber de Almeida Arajo - 45404
Raphael Augusto Batista - 45391

Araatuba SP - 2017
O QUE UM TIRISTOR

Um tiristor um componente semicondutor de dois, trs ou quatro terminais que pode

ser usado como interruptor de ao rpida. A condio de um tiristor LIGA ou
DESLIGA, dependendo da tenso de entrada no elemento da porta.

Os dois tipos mais importantes de tiristores so indicados na Figura 1: o SCR (do ingls
Silicon Controlled Rectifier ou retificador controlado por silicio) veja Figura 1a e o triac
(Figura 1b). Ambos so interruptores de ao rpida. So postos em condio LIGA por
uma tenso aplicada na porta, porm no podem ser postos em condio DESLIGA
com urna tenso na porta. Para colocar estes componentes em condio DESLIGA
preciso abrir o circuito do anodo ou do catodo.

Figura 2.

A operao de um tiristor SCR est indicada na Figura 2. Aqui soc pede ser um circuito
com tiristor SCR no qual a tenso para a porta do SCR e o caminho da corrente d
anodo so controlados por chaves. A tenso aplicada E usada para alimeritar tanto o
eletrodo do anodo como o eletrode da porta, dependendo das posies das chases S1
e S. O resistor R reduz a tenso E de modo a lornecer uma tenso menor para a porta
do tiristor SCR quando a chave S est fechada.
Na Figura 2a no existe fluxo de corrente no circuito do anodo, porque a chave S1 est
aberta. No h tenso na porta porque a chave 52 est aberta, de modo que a lmpada
L no est ligada.

A Figura 2b mostra o que ocorre quando voc fechar ambas as chaves. A chave S1 do
anodo completa o circuito para o anodo atravs da lmpada. Fechando a chave S,,
permite que a tenso positiva aja sobre a porta do tiristor SCR, pondo o tiristor SCR em
condio LIGA. A lmpada est agora LIGADA.

QUAIS SO OS COMPONENTES DE TRS TERMINAIS ?

Na Figura 2c, a chave para a porta foi aberta. Agora no h tenso aplicada porta.
Porm, a lmpada permanece LIGADA. A razo para isto que a porta no tem nenhum
controle sobre a conduo do tiristor SCR, urna vez iniciada a conduo.

Como vamos desligar a lmpada uma vez tiristor SCR comeou a conduzir? Se abrirmos
a chave S1, conforme indicado na Figura 2, a corrente do anodo pra e a lmpada ser
DESI IGADA. As ilustraes para a Figura 2 mostram apenas o efeito de aplicar tenses
para os circuitos da porta e do anodo. Este no um circuito prtico.

O triac na Figura 1b realiza a mesma tarefa que um tiristor SCR. E um interruptor de

ao rpida. A nica diferena que a corrente pode fluir em qualquer sentido, atravs
do triac, enquanto num tiristor SCR a corrente pode apenas fluir num sentido (do catodo
para o anodo). Assim, os triacs so usados em circuitos onde se deseja ligar uma
corrente alternada enquanto os tiristores SCR so geralmente usados em circuitos onde
se deseja ligar uma corrente contnua. Em ambos os dispositivos um impulso positivo
de curta durao aplicado porta ir pr o dispositivo em condio LIGA.

RESUMO

1. Um tiristor um interruptor sernicondutor de ao rpida.

2. Existem dois tipos de tiristores que foram estudados neste capitulo. So eles: o
tiristor SCR e o triac.
3. Ambos os tipos de tiristores podem ser postos em condio LIGA com uma tenso
positiva de curta durao na porta.
4. Para pr um tiristor em condio DESLIGA preciso abrir o Circuito do anodo ou do
catodo. Uma vez que o tiristor est em condio LIGA, a tenso da porta no tem
mais nenhum controle sobre a conduo do tiristor

Bibliografia

https://pt.wikipedia.org/wiki/Tiristor
http://eletronicos.etc.br/o-que-e-um-tiristor/

http://www.eletronicadidatica.com.br/componentes/tiristor/tiristor.htm
MOSFETS

Introduo O transistor MOSFET (acrnimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect

Transistor) ou transistor de efeito de campo de semicondutor de xido metlico.
A palavra "metal" no nome um anacronismo vindo dos primeiros chips, onde as
comportas (gates) eram de metal. Os chips modernos usam comportas de polisilcio,
mas ainda so chamados de MOSFETs. Um MOSFET composto de um canal de
material semicondutor de tipo N ou de tipo P e chamado respectivamente de
NMOSFET ou PMOSFET. Geralmente o semicondutor escolhido o silcio, mas alguns
fabricantes, principalmente a IBM, comearam a usar uma mistura de silcio e germnio
(SiGe) nos canais dos MOSFETs. Infelizmente muitos semicondutores com melhores
propriedades eltricas do que o silcio, tais como o arsenieto de glio, no formam bons
xidos nas comportas e portanto no so adequados para os MOSFETs. O IGFET um
termo relacionado que significa Insulated-Gate Field Effect Transistor, e quase
sinnimo de MOSFET, embora ele possa se referir a um FET com comporta isolada por
um isolante no xido.

Corte transversal de um MOSFET tipo N (NMOS).

O terminal de comporta uma camada de polisilcio (silcio policristalino) colocada sobre

o canal, mas separada do canal por uma fina camada de dixido de silcio isolante.
Quando uma tenso aplicada entre os terminais comporta (gate) e fonte (source), o
campo eltrico gerado penetra atravs do xido e cria uma espcie de "canal invertido"
no canal original abaixo dele. O canal invertido do mesmo tipo P ou tipo N, como o da
fonte ou do dreno, assim, ele cria um condutor atravs do qual a corrente eltrica possa
passar. Variando-se a tenso entre a comporta e a fonte se modula a condutividade
dessa camada e torna possvel se controlar o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte.
MOSFET tipo Depleo

Ele uma parte de material tipo n com um regio p direita e uma porta isolada
esquerda.Os eltrons livres podem fluir da fonte para p dreno atravs do material n.A
regio p chamada substrato ou corpo.Os eltrons que fluem da fonte para o dreno tm
de passar atravs do estreito canal entre a porta e a regio p. Com uma tenso de porta
negativa a tenso Vdd fora os eltrons livres a fluir da fonte para o dreno.Como em um
JFET a tenso de porta controla a largura do canal.Quanto mais negativa a tenso da
porta, menor a corrente de dreno.Quando a tenso da porta suficientemente negativa,
a corrente de dreno cortada.Portanto, o funcionamento de um MOSFET similar ao
JFET quando Vgs negativa. Como a porta do MOSFET est eletricamente isolada do
canal , podemos aplicar uma tenso positiva na porta, essa tenso positiva aumenta o
nmero de eltrons livres que fluem atravs do canal.Quanto maior a tenso positiva,
maior a conduo da fonte para o dreno. A operao no modo depleo se d quando
Vgs est entre Vgs(off) e zero, quando Vgs maior que zero temos a operao no modo
intensificao.
Amplificadores com MOSFET no Modo de Depleo

Um MOSFET no modo de depleo o nico porque pode operar com tenses na porta
positiva ou negativa. Por isso, podemos estabelecer o ponto Q em Vg = 0V, no meio da
reta de carga. Quando o sinal de entrada positivo, ele aumenta a acima de . Quando
o sinal de entrada negativo, ele diminui Id abaixo de Ipss . Pelo fato de no existir a
juno pn a ser polarizada, a resistncia de entrada do MOSFET permanece muito alta.
A possibilidade de usar o valor zero para nos permite montar o circuito de polarizao
muito simples da figura abaixo. Pelo fato de Lg ser zero, Vgs = 0V, e Ip = Ipss . A tenso
do dreno :

Vgs = Vdd-Idss.Rd
Pelo fato de o MOSFET-D ser um dispositivo normalmente em conduo,
possivel tambm usar a auto polarizao adicionando-se um resistor de fonte. A
operao fica semelhante de um circuito JFET com autopolarizao. Os
amplificadores com MOSFETs-D tem um ganho de tenso relativamente baixo. Uma
das principais vantagens deste dispositivo sua resistncia de entrada extremamente
alta. Isso nos permite usar o dispositivo quando a carga para o circuito for um problema.
Alm disso, os MOSFETs tm a exelente propriedade de baixo rudo. Essa a
vantagem definitiva para qualquer estgio inicial de um sistema em que o sinal fraco;
muito comum em muitos tidos de circuitos eletrnicos de comunicao.
 Exemplo de Amplificador com MOSFET-D

MOSFET tipo Intensificao

A diferena entre o MOSFET tipo intensificao (MOSFET-E) e o MOSFET tipo
depleo (MOSFET-D) com relao ao seu substrato, nos tipo intensificao o
substrato estende-se at o dixido de silcio.

O MOSFET-E possui uma tenso mnima para seu funcionamento, chamada tenso de
limiar, isto , uma tenso que a partir dela possvel obter uma camada entre o dixido
de silcio e o substrato permitindo assim um fluxo de eltrons (corrente de dreno) entre
fonte e dreno, a partir deste momento o MOSFET-E possui uma configurao
semelhante ao MOSFET-D, vale lembrar que o controle da corrente neste dispositivo no
caso canal n realizado por uma tenso positiva porta-fonte, o que no ocorria para o
JFET de canal n e MOSFET-D de canal n, onde este controle era feito por tenses
negativas.

Outras caractersticas:

A curva de transferncia no definida pela equao de Schocley.

A corrente de dreno, cortada antes da tenso porta-fonte atingir determinado valor.

Devido a sua tenso de limiar, o MOSFET-E ideal para ser usado como um dispositivo
de chaveamento. Quando a tenso da porta maior do que a tenso de limiar, o
dispositivo conduz. Essa ao liga-desliga a base de funcionamento dos
computadores.

Importncia da tenso Porta-Fonte

Quando nos deparamos com um novo projeto usando transistores de efeito de campo
(FETs), nos exigido ateno a alguns dados na escolha de qual tipo de transistor usar.
A nvel de simplificao temos duas situaes, uma na escolha de transistores do tipo
JFET e D-MOSFET, para os dois tipos fundamental conhecer, Idss (corrente mxima)
e Vgs(off) tenso porta-fonte onde h desligamento do transistor. 7
Quando a escolhe de um transistor E-MOSFET, cabe a projetista conhecer Id(on)
(corrente inicia a operao), Vgs(th) (tenso Vgs de limiar, mnimo valor para cria a
camada de inverso tipo n) e Vgs(on) ( tenso onde inicia operao). Os MOSFETs
possuem uma camada muito final de dixido de silcio, um isolante que impede o fluxo
de corrente de porta, tanto para tenses negativas, quanto para positivas. fundamental
que esta camada seja o mais fina possvel, pois quando isso ocorre h um controle
maior sobre a corrente de dreno (Id). Como est camada muito fina, fcil destru-la
quando se aplica uma tenso porta-fonte muito alta. Por exemplo, um transistor que tem
especificao de Vgs(Max) de +-30V. Se a tenso porta-fonte for maior em mdulo que
30V, a fina camada de dixido de silcio ir ser destruda. Entretanto no s isto,
quando se retira e recoloca-se o transistor com a fonte de alimentao ligada, devido ao
efeito de cargas indutivas e outros efeitos, pode haver um excesso de Vgs(Max),
fazendo com que o transistor torne-se inutilizvel. Quando transportando os MOSFET
tambm necessrio muito cuidado, devida ao deposito de carga esttica, outro fator
que causa excesso de Vgs(Max). Para evitar excesso de Vgs(Max) pode ser colocado
um diodo Zener em paralelo com a porta e a fonte, de tenso menor que a especificao
de Vgs(Max). Assim o diodo Zener atinge a ruptura antes de haver dano na camada de
dixido de silcio. Entretanto h uma desvantagem, pois quando h diodo Zener interno
h uma reduo da resistncia de entrada. S so usados diodos internos para
aplicaes onde h fcil destruio sem o uso do Zener

Curvas de dreno MOSFET tipo Intensificao

Um MOSFET-E tem como a curva mais baixa a de VGS(th) onde a corrente de dreno
aproximadamente zero.Quando VGS for maior que VGS(th), o MOSFET entra em
conduo e a corrente de dreno controlada pela tenso na porta. Existem duas partes
no grfico de dreno, uma a regio hmica e as partes horizontais so a regio
ativa.Quando polarizado na regio hmica o MOSFET-E equivale a um resistor e
polarizado na regio ativa, ele equivalente a uma fonte de corrente.

Curva de dreno do MOSFET-E

A figura 2 define a curva de transcondutncia, enquanto VGS no for igual VGS(th)
no haver corrente no dreno. Aps atingir VGS(th) a corrente de dreno aumenta
rapidamente at atingir a corrente de saturao ID(saturao).Depois desse ponto o 8
MOSFET fica polarizado na regio hmica, mesmo aumentando VGS a corrente ID no
aumenta. Para garantir a saturao forte, usada uma tenso na porta de VGS(on) bem
acima de VGS(th).
Bibliografia

MALVINO, A P. ELETRNICA. VOLUME 1. 4 Edio. So Paulo. Pearson Makron Books

BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. DISPOSITIVOS ELETRNICOS E TEORIA DE CIRCUITOS. 6

Edio. Rio de Janeiro. Prentice-Hall do Brasil.
Como funciona o IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

Reunindo as caractersticas de comutao dos transistores bipolares de potncia alta

impedncia de entrada dos transistores de efeito de campo, o IGBT se torna cada vez
mais popular nos circuitos de controle de potncia de uso industrial e at mesmo em
eletrnica de consumo e embarcada. Veja neste artigo o que o IGBT e quais so suas
caractersticas principais.

Os transistores bipolares de potncia possuem caractersticas que permitem sua

utilizao no controle de correntes elevadas com muitas vantagens. No entanto, as suas
caractersticas de entrada, exigindo correntes elevadas, j que operam como
amplificadores de corrente, trazem certas desvantagens em algumas aplicaes.

Por outro lado, os transistores de efeito de campo MOS de potncia podem tambm
controlar potncias elevadas com muitas vantagens pelo fato de que exigem tenso
para o disparo, pois embora sejam dispositivos de alta impedncia, tm como
desvantagem uma baixa velocidade de comutao devida s capacitncias de comporta
que aumentam com a intensidade de corrente (largura do canal) que deve ser
controlada.

Juntando o que h de bom nestes dois tipos de transistores, o IGBT um componente

que se torna cada vez mais recomendado para comutao de cargas de alta corrente
em regime de alta velocidade.

A ESTRUTURA DO IGBT

Na figura 1 temos na esquerda a estrutura de um transistor de efeito de campo de

potncia (MOSFET), enquanto que ao lado temos a estrutura de um IGBT.

Conforme podemos observar, a nica diferena que existe nas duas estruturas a
presena de uma zona p no IGBT.

Pela presena desta camada, lacunas so injetadas na camada n altamente resistiva

de modo que um excesso de portadores criado.
Com o aumento de condutividade consequente da camada n, pode-se reduzir a tenso
no estado ON do IGBT.

O resultado disso que obtemos para o IGBT uma reduo considervel na tenso no
estado de mxima conduo, conforme indicam as curvas da figura 2.

Caractersticas de comparao de POWER MOSFET (a) e do IGBT (b)

Enquanto que as tenses sobem quase que linearmente com o aumento da corrente
num MOSFET de potncia comum, no IGBT a tenso sobe de maneira muito menos
acentuada com o aumento da corrente. Veja que para um aumento da corrente de 0 a
6 ampres, a tenso sobe de 0 para 5 V com alimentao de 20 V no caso do transistor
bipolar, enquanto que para um IGBT alimentado com 17 V, a tenso sobe de 0 para
apenas 4 V aproximadamente, quando a corrente vai a 24 ampres.

O que acontece que a resistncia Rdson (resistncia entre dreno e fone em conduo)
influenciada principalmente por uma regio central pouco dopada, o que essencial
para se obter uma capacidade de bloqueio da tenso.

Com a presena de uma camada p no IGBT, temos um excesso de portadores na regio

central. Em consequncia da voltagem limiar, que criada na juno pn do lado do
coletor, um transistor IGBT de 1000 V tem uma resistncia no estado ON reduzida de
um fator de 5 vezes quando comparada com a de um MOSFET de mesmas
caractersticas de bloqueio e mesma rea de pastilha.

CIRCUITO EQUIVALENTE E ESTRUTURAS

Podemos comparar um IGBT a um circuito formado por um transistor de efeito de

campo que controla a corrente de base de um transistor bipolar, veja figura abaixo.
Circuito equivalente ao IGBT.

Na mesma figura temos as capacitncias parasitas deste circuito que influem

principalmente na sua velocidade de comutao.

Uma outra forma de representar o circuito equivalente de um IGBT exemplificada na

figura abaixo.

Outra forma de representar o circuito equivalente a um IGBT

Nesta representao temos um transistor PNP excitado por MOSFET de canal N numa
configurao pseudo-Darlington. O transistor JFET foi includo no circuito equivalente
para representar a contrao no fluxo de corrente entre os poos p.

Atualmente existem duas estruturas bsicas utilizadas na construo dos IGBTs, as

quais so mostradas na figura abaixo.
Estruturas bsicas do IGBT.

A primeira denominada estrutura PT e a segunda NPT, que foi desenvolvida pela

Siemens.

A estrutura PT (Punch Through = socada atravs) tem camadas epitaxiais

caractersticas e uma regio N+ dopada (camada buffer) e uma regio N- sobre um
substrato dopado com polaridade p. O tempo de vida dos portadores de carga
minimizado pela forte difuso de metal, ou por radiao de alta energia.

O material de base da estrutura NPT (Non Punch Through) um wafer homogneo

dopado com impurezas N-. Do lado de trs, uma camada p especialmente formada
criada durante o processamento do wafer. Neste caso, no necessrio limitar o tempo
de vida dos portadores de carga.

Em ambos os casos a estrutura de clula de um IGBT tpico formada do lado frontal.

CARACTERSTICAS DE COMUTAO

OS IGBTs so componentes usados principalmente como comutadores em conversores

de frequncia, inversores, etc.

Nestas aplicaes normalmente uma carga indutiva ligada e desligada, podendo com
isso aparecer tenses inversas elevadas contras as quais o dispositivo deve ser
protegido.

Esta proteo feita com o uso de diodos.

Quando o IGBT liga novamente, o fluxo de corrente no diodo funciona inicialmente como
um curto.

A carga armazenada tem que ser removida inicialmente para que o diodo bloqueie a
tenso. Isso faz com que aparea uma corrente que se soma corrente da carga, a
qual chamada de corrente reversa de recuperao do diodo ou Irr. O mximo da
corrente Irr ocorre quando a soma das tenses instantneas sobre o IGBT e o diodo
igualam a tenso de alimentao, de acordo com exemplo no grfico da figura abaixo.

Quando o IGBT desliga, o resultado uma variao de corrente, e isso faz com que um
pico de sobretenso aparea devido variao da corrente nas indutncias parasitas,
veja a figura abaixo.

Este pico de tenso responsvel por perdas e exige um aumento no tempo morto entre
a conduo de dois dispositivos semelhantes quando usados numa configurao de
meia-ponte.

Um ponto importante que deve ser levado em considerao em todo dispositivo de

comutao o Efeito Miller.

O Efeito Miller nada mais do que a realimentao da tenso coletor-emissor (Vce)

atravs da capacitncia existente entre a comporta e o coletor do dispositivo (Cgc).
Isso quer dizer que uma variao da tenso entre coletor e emissor (Vce) tem o mesmo
efeito que uma fonte de corrente interna no circuito de polarizao, onde a intensidade
desta corrente dada pela expresso:

ig = Cgc(Vce) x dVce/dt

Infelizmente, Cgc no constante, mudando de valor com a tenso entre coletor e

emissor. As maiores variaes de Ccg ocorrem justamente com pequenas tenses entre
emissor e coletor.

Em consequncia disso temos explicaes para alguns comportamentos do IGBT:

a) Quando o IGBT liga (turn-on) - partindo de Vce alto e Vge igual a zero ou negativo -
com uma corrente constante carregando a comporta, um aumento linear da tenso de
comporta obtido. Com a queda da tenso entre coletor e emissor (Vce) a corrente de
polarizao de comporta usada para carregar Cgc, e a tenso de comporta permanece
constante.

Mais tarde, quando a tenso entre o coletor e o emissor cai, Cgc aumenta de valor de
tal forma que, uma pequena variao de Vce suficiente para levar a um aumento da
corrente de comporta. Somente quando a corrente necessria carga se reduz
novamente que a tenso de comporta aumenta. Este comportamento pode ser
observado pelo grfico da figura abaixo.

Comportamento do IGBT na comutao.

b) Quando o IGBT desliga - partindo de Vce baixa, Vge positiva ou maior que a tenso
limiar - Vth) - a tenso de comporta inicialmente decresce quase que linearmente (pela
fonte de corrente constante de descarga). A diminuio da capacitncia com o aumento
da carga aumenta a tenso. Como existe uma fonte de polarizao que est drenando
corrente da comporta, a tenso comporta-emissor mantm-se constante.

Em consequncia, Vce aumenta e a maior parte da corrente de descarga da comporta

usada para manter a tenso de comporta constante. O processo de carga termina
quando Vce alcana a tenso de operao. Na figura abaixo mostramos o que acontece
na forma de um grfico.

Comutao (desligamento) do IGBT.

devido ao Efeito Miller que a corrente de comporta durante a comutao (ligando ou

desligando) usada antes de tudo para mudar a carga de Cgc. Isto explica porque,
carregando ou descarregando, a comporta tem sua velocidade de resposta reduzida.
Deve ser mencionado que as mudanas de Cgc e Vcc regulam por si prprias de tal
forma que apenas a corrente disponvel na comporta usada. Isso esclarece porque
um resistor de grande valor ligado em srie com a comporta faz com que todos os
eventos que envolvam a comutao de um IGBT tenham seu tempo de durao
aumentado.

CONCLUSO

O projeto de circuitos que usam IGBTs exige que o engenheiro saiba levar em conta as
caractersticas diferenciadas destes componentes.

Em princpio, podemos trat-los como transistores bipolares quando analisamos o modo

como ele controla as cargas, e como POWER-FETS ao pensarmos no disparo. No
entanto, alguns elementos intermedirios entram em ao e podem ser importantes nas
aplicaes de alta velocidade.

Na Internet o leitor encontra no site da Simens (Infineon) e da International Rectifier

(Application-Note AN-983) uma boa literatura tcnica que pode complementar este
artigo. Sugerimos aos leitores que dominam o ingls e que precisam de mais
informaes sobre IGBTs que visitem estes sites.
Bibliografia

http://www.newtoncbraga.com.br/index.php/IGBT

https://pt.wikipedia.org/wiki/IGBT

https://www.gta.ufrj.br/grad/01_1/igtb/Pagina_IGBT