MINISTRIO DA EDUCAO Universidade Tecnolgica Federal do Paran Campus Pato Branco Curso: Engenharia Eltrica

UNIVERSIDADE TECNOLGICA FEDERAL DO PARAN

PR

Relatrio V

Acadmicos: Douglas Florio Ubeda Edegar Luis Korb Curso: Engenharia Eltrica Disciplina: Eletrnica A Professor: Carlos Marcelo de Oliveira Stein

PATO BRANCO PR

Abril de 2013

1. RESUMO A referente pratica, consiste na montagem de um circuito eletrnico relativamente simples, composto por um resistor uma fonte de tenso e um transistor FET BF245C. O objetivo da construo deste circuito determinar o ponto de saturao do circuito. Com a fonte de tenso regulvel aumenta se lentamente o valor da tenso e sempre monitorando a tenso sobre o resistor, quando o valor da tenso sobre o resistor no variar mais significativamente que foi encontrado o valor de saturao foi encontrado, recolhendo os valores de tenso sobre o resistor e V DS pode se construir o grfico IDxVDS.

2. INSTRUMENTOS E MATERIAIS Foram utilizados os seguintes materiais: Multmetro Digital ICEL MD-6510, Numero de Patrimnio: 141374; Fonte FSCC-3003D DC POWER SUPPLY, Numero de Patrimnio: 129897 Um transistor FET BF245C; Resistores diversos; Cabos para conexo; Matriz de Contatos.

3. MODELO O nome de transistor de efeito de campo origina-se de seu princpio fsico de operao, pois o mecanismo de controle baseado no estabelecimento de um campo eltrico pela tenso aplicada no terminal de controle. Outra caracterstica interessante que o FET unipolar, ou seja, a conduo de corrente acontece apenas por um tipo de portador (eltrons ou lacunas), de acordo com o tipo de FET (canal n ou canal p). Basicamente, existem dois tipos: o transistor de efeito de campo de juno (JFET Junction Field Effect Transistor) e o transistor de efeito de campo de porta isolada (MOSFET Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).

Os transistores de efeito de campo operam em trs regies: de corte; de triodo; e de saturao. A regio de saturao usada se o FET for operar como amplificador. Para operar como chave, so usadas as regies de corte e de triodo. As regies de operao so determinadas pelas tenses porta-fonte e drenofonte. 3.1. Transistores JFET Os transistores JFET consistem em uma fina camada de material tipo n ou tipo p, dependendo do canal, com dois contatos hmicos, a fonte (S) e o dreno (D), e dois contatos retificadores, denominados portas (G). A conduo de corrente em um JFET se d pela passagem de portadores de carga da fonte (S-Source) para o dreno (D-drain), atravs d o canal entre os elementos da porta (G-Gate). A polarizao de um JEFT canal n feita da seguinte forma: uma tenso positiva aplicada entre os terminais do dreno e da fonte, estabelecendo uma corrente; e um tenso negativa aplicada entre os terminais da porta e da fonte. O aumento da tenso porta-fonte cria uma camada de depleo em volta das regies p, estreitando o canal condutor. Se tentarmos aplicar uma tenso porta-fonte positiva a juno porta-canal torna-se diretamente polarizada e a porta deixa de controlar o canal. A anlise de um transistor JFET canal p feita de forma anloga.

Figura 1-Simbologia transistor JFET com canal n.

3.2. Transistores MOSFET Existem dois tipos de MOSFET: tipo intensificao (ou acumulao) e tipo depleo. O MOSFET tipo intensificao o tipo de transistor mais usado, sua estrutura bsica simplificada mostrada na Figura 2.

Figura 2 - Transistor MOSFET tipo intensificao com canal p.

A operao deste transistor consiste na aplicao de uma tenso positiva portafonte, que faz com que as lacunas livres sejam repelidas da regio do substrato sob a porta e que eltrons das regies n da fonte e do dreno sejam atrados para esta mesma regio. Quando for acumulado um nmero suficiente de eltrons uma regio n criada, conectando as regies da fonte e do dreno. A partir deste ponto, se uma tenso for aplicada entre os terminais do dreno e da fonte, uma corrente circular por essa regio induzida (canal). A tenso necessria para formar um canal de conduo denominada tenso de limiar. A anlise para o MOSFET canal p tipo intensificao anloga. A diferena bsica entre os MOSFETs tipo intensificao e depleo est no canal, pois no modo depleo o canal j est fisicamente implementado, e a tenso porta-fonte apenas controla a largura do mesmo. Entre o MOSFET e o JFET a diferena a porta isolada eletricamente do canal. E por este fato que a corrente da porta do MOSFET extremamente pequena, independendo da tenso na porta (positiva ou negativa). 4. RESULTADOS Fazendo a montagens da Figura 3, para o primeiro circuito a ser montado, com uma fonte de 15 volts e um resistor de 150 utilizando um transistor BF245C, e, tendo

como objetivo encontrar as tenses Vr e VDS, a corrente de saturao IDss e a tenso Vp=VDS, representados pelo grfico da Figura 4.

Figura 3 - Circuito 1 transistor BF245C, obteno de Vp.

Figura 4 - Grfico Idss e Vp=Vd transistor BF245C.

Logo em seguida, a montagem do circuito 2, representado pela Figura 5 para a obteno de uma configurao de polarizao fixa utilizando o transistor BF245C e

tenses da fonte iguais a 12 e 15 volts e obtendo como resultado a Tabela 1 de valores medidos.

Figura 5 - Circuito 2 transistor BF245C polarizao fixa.

Polarizao fixa Circuito 2 transistor BF245C

VDD = 12 V 2,09 0,8 0,0 2,10 0,8 1,30

VDD = 15 3,48 0,8 0,0 3,49 0,79 2,72

VD (v) VG (v) VS (v) VDS (v) VGS (v) VDG (v)

Tabela 1- Resultados medidos circuito 2 transistor BF245C

Em seguida, foi projetado o circuito da Figura 6 a fim de que o transistor apresentasse uma configurao de auto-polarizao e obter os resultados apresentados na Tabela 2 com esse tipo de configurao:

Figura 6 - Circuito 3 transistor BF245C Auto-polarizao.

Auto-Polarizao Circuito 3 transistor BF245C

VDD = 12 V 9,77 0,0 3,30 6,4 3,30 9,7

VDD = 15 12,71 0,0 3,33 9,37 3,33 12,71

VD (v) VG (v) VS (v) VDS (v) VGS (v) VDG (v)

Tabela 2 - Resultados medidos circuito 3 transistor BF245C.

Por fim, um circuito usando a propriedade de divisor de tenso na entrada gate do transistor, foi projetado conforme a Figura 7 e os resultados medidos apresentados na Tabela 3:

Figura 7 - Circuito 4 transistor BF245C divisor de tenso.

Polarizao Divisor de Tenso Circuito 4 transistor BF245C

VDD = 12 V 10,5 2,94 6,73 3,8 3,78 7,56

VDD = 15 13,48 3,7 7,45 6,03 3,73 9,44

VD (v) VG (v) VS (v) VDS (v) VGS (v) VDG (v)

Tabela 3 - Resultados medidos circuito 4 transistor BF245C.

5. ANLISE DOS RESULTADOS Para efeito de anlise, foi possvel realizar ,a partir da corrente de dreno IDSS e tenso de pinch-off (VP) do circuito 1, representado pela Figura 3, o calculo para a corrente ID e das tenses VP e VS para comparao com os resultados obtidos na prtica. Evidentemente que, o circuito da Figura 5 apresenta uma configurao com polarizao fixa, ou seja, uma tenso cc fixa aplicada da porta para a fonte para estabelecer o ponto de operao. Ainda, analisando a Tabela 1, nota-se que VDS=VD , portanto apresenta uma polarizao fixa em fonte-dreno. Para a configurao do circuito da Figura 6, nota-se que elimina-se a necessidade de duas fontes cc. A tenso de controle porta-fonte agora determinada

pela tenso atravs do resistor Rs=680 colocado no terminal da fonte de configurao, como mostrado na Figura 6. Observa-se ainda que Vgs funo da corrente de sida Id, e no mais de amplitude constante, como a que ocorria para a configurao com polarizao fixa. Ainda, para a configurao da Figura 7 por divisor de tenso pode-se pressupor que a corrente de porta 0 A para permitir um isolamento do circuito divisor de tenso da seo de sada. A tenso resultante porta-GND ser sempre positiva para um JFET de canal n e negativa para um JFET de canal p. Valores crescentes de Rs resultam em valores quiescentes de Id mais baixos e em valores mais negativos de Vgs para um JFET de canal n. 6. CONCLUSO Tomando como concluso, as configuraes das polarizaes dos JFET podem ser projetadas de maneira que representa as caractersticas do projeto, no qual pode ser utiliza-lo tanto como polarizao fixa quanto como auto-polarizao com ou sem divisor de tenso. Os clculos para a corrente Id pode ser considerado muito complexo, portanto, foi preciso a utilizao da analise grfica para a comprovao dos resultados medidos. 7. BIBLIOGRAFIA

SADIKU, Matthew N. O, ALEXANDER, Charles K. Fundamentos de Circuitos Eltricos. 3. Ed. Mc Graw Hill. BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis. Dispositivos eletrnicos e teoria de circuitos. 8. ed. So Paulo: Pearson Prentice Hall, 2004. 8. ANEXO