KAIO AUGUSTO

MOSFET e JFET

EAA
TURMA: 2º AUT. TARDE PROF.º: MARCOS

SÃO PAULO
2023

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 KAIO AUGUSTO

MOSFET e JFET

Trabalho apresentado no curso de

automação industrial da Etec Takashi
Morita

Orientador: Prof.º MARCOS

SÃO PAULO
2023

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Introdução
Neste artigo iremos apresentar o que são MOSFET e JFET ,suas caracteristicas e
sua diferentes aplicações .

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Basicamente, um transistor de efeito de campo ou FET consiste em uma seção de silício

cuja condutância é controlada por um campo elétrico. A seção de silício através da qual

a corrente flui é chamada de canal e consiste em um tipo de silício, tipo N ou tipo P.

Junção FET, símbolo do circuito JFET

As conexões em cada extremidade do dispositivo são conhecidas como source e

drain. O campo elétrico para controlar a corrente é aplicado a um terceiro eletrodo

conhecido como gate.

Como é apenas o campo elétrico que controla a corrente que flui no canal, diz-se que o

dispositivo é operado por tensão e possui alta impedância de entrada, geralmente muitos

mega ohms.

operação JFET

O Junction FET é um dispositivo controlado por tensão. Em outras palavras, as tensões

que aparecem no gate controlam a operação do dispositivo.

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Os dispositivos de canal N e canal P operam de maneira semelhante, embora os

portadores de carga estejam invertidos, ou seja, elétrons em um e lacunas no outro. O

caso do dispositivo de canal N será descrito, pois este é o tipo mais comumente usado.

Junção FET, JFET trabalhando abaixo da saturação

A espessura dessa camada varia de acordo com a magnitude da polarização reversa na

junção. Em outras palavras, quando há uma pequena polarização reversa, a camada de

depleção se estende apenas um pouco no canal e há uma grande área para conduzir a

corrente.

Quando um grande viés negativo é colocado na porta, a camada de depleção

aumenta, estendendo-se ainda mais no canal, reduzindo a área sobre a qual a corrente

pode ser conduzida.

Com o aumento da polarização, a camada de depleção aumentará eventualmente até o

ponto em que se estende por todo o canal, e diz-se que o canal está cortado.

Quando uma corrente flui no canal, a situação torna-se ligeiramente diferente. Sem

tensão de porta, os elétrons no canal (assumindo um canal do tipo n) serão atraídos pelo

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potencial positivo no dreno e fluirão em direção a ele, permitindo que uma corrente flua

dentro do dispositivo e, portanto, dentro do circuito externo.

A magnitude da corrente depende de vários fatores e inclui a área da seção transversal

do canal, seu comprimento e condutividade (ou seja, o número de elétrons livres no

material) e a voltagem aplicada.

A partir disso, pode-se ver que o canal atua como um resistor e haverá uma queda de

tensão ao longo de seu comprimento. Como resultado, isso significa que a junção pn

torna-se progressivamente mais polarizada inversamente à medida que o dreno se

aproxima. Consequentemente, a camada de depleção torna-se mais espessa perto do

dreno, como mostrado.

À medida que a polarização reversa na porta aumenta, chega-se a um ponto em que o

canal é quase fechado pela camada de depleção. No entanto, o canal nunca fecha

completamente. A razão para isso é que as forças eletrostáticas entre os elétrons fazem

com que eles se espalhem, dando um efeito contrário ao aumento da espessura da

camada de depleção.

Depois de um certo ponto, o campo ao redor dos elétrons que fluem no canal se opõe

com sucesso a qualquer aumento adicional na camada de depleção. A tensão na qual a

camada de depleção atinge seu máximo é chamada de tensão de pinçamento.

Aplicações do circuito JFET

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 Os JFETs são componentes eletrônicos muito úteis e, como resultado, são usados em

muitos projetos de circuitos eletrônicos. Eles oferecem uma série de vantagens distintas

que podem ser utilizadas em muitos circuitos.

• Polarização simples

• Alta impedância de entrada

• Barulho baixo

Em vista de suas características, os JFETs são vistos em muitos circuitos, desde

amplificadores a osciladores, e comutadores lógicos a filtros e muitas outras aplicações.

Estrutura e fabricação JFET

Os JFETs podem ser dispositivos de canal N ou canal P. Eles podem ser feitos de

maneiras muito semelhantes, com a principal exceção de que as áreas N e P na estrutura

abaixo são trocadas.

Frequentemente, os dispositivos são feitos dentro de um substrato maior e o próprio

FET é fabricado conforme mostrado no diagrama abaixo.

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Estrutura JFET típica

Existem várias maneiras pelas quais os FETs podem ser fabricados. Para dispositivos de

silício, um substrato fortemente dopado normalmente atua como uma segunda porta.

A região ativa do tipo n pode então ser cultivada usando epitaxia, ou pode ser formada

por difusão das impurezas no substrato ou por implantação de íons.

Onde o arsênio de gálio é usado, o substrato é formado por uma camada intrínseca

semi-isolante. Isso reduz os níveis de quaisquer capacitâncias parasitas e permite obter

um bom desempenho de alta frequência.

Qualquer que seja o material usado para o FET, a distância entre o dreno e a fonte é

importante e deve ser mínima. Isso reduz os tempos de trânsito onde o desempenho de

alta frequência é necessário e fornece uma baixa resistência que é vital quando o

dispositivo deve ser usado para aplicações de energia ou comutação.

Devido à sua popularidade, os JFETs estão disponíveis em vários pacotes. Eles estão

amplamente disponíveis como componentes eletrônicos com chumbo no popular pacote

de plástico TO92, bem como em vários outros. Então, como dispositivos de montagem

em superfície, eles estão disponíveis em pacotes incluindo SOT-23 e SOT-223. É

provavelmente como dispositivos de montagem em superfície que os JFETs são mais

amplamente usados. A maior parte da produção em grande escala é realizada usando

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 a tecnologia de montagem em superfície e os dispositivos de montagem em superfície

que a acompanham.

Características do JFET

Existem várias características diferentes que são usadas para definir o desempenho de

um JFET. As características de saída ou dreno, juntamente com as características de

transferência, são fundamentais para a operação desses componentes eletrônicos. Estes

são fundamentais para o projeto de circuitos eletrônicos e entendê-los é importante ao

usá-los.

Os vários tipos de características do JFET serão abordados separadamente.<.p>

• Característica de dreno JFET com gate em curto: há duas maneiras pelas quais a

característica de saída de um transistor de efeito de campo de junção pode ser

especificada. Um está com o gate em curto para zero volts. Isso fornece uma única

curva para o dispositivo semicondutor e mostra como ele opera nessas condições.

• Características do drain JFET com polarização externa: Também é importante

entender como a junção FET opera sob condições de diferentes níveis de

polarização. Quando isso é feito, são fornecidas curvas para as características sob

diferentes níveis de viés.

• Característica de transferência JFET: A característica de transferência para um

transistor de efeito de campo de junção mostra o efeito das variações de tensão de gate,

V GSM afeta a saída ou corrente de drain, I D .

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Embora o JFET seja menos popular que o MOSFET e menos ainda é um dispositivo

semicondutor muito útil. Oferecendo alta impedância de entrada, polarização simples,

baixo ruído e baixo custo, ele fornece um alto nível de desempenho que pode ser usado

em muitas situações.

MOSFET

Esse tipo de transistor tem em sua estrutura três terminais, sendo eles o Dreno (D), a

Fonte (F) e a Porta (P). Também é muito visto em circuitos sua denominação em inglês:

Drain (D), Source (S) e Gate (G).

Os MOSFET se dividem em duas categorias, os MOSFET de depleção e os MOSFET

de enriquecimento.A seguir a imagem do MOSFET tipo depleção, canal N e canal P, e
o MOSFET de enriquecimento também canal N e canal P.

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O sinal “+” indica que o material é dopado fortemente. A dopagem é quando alguns
outros elementos químicos são adicionados ao semicondutor puro (o silício é um
bastante comum) como objetivo de modificar a sua propriedade semicondutora. Da
dopagem obtemos os elementos tipo P e tipo N.

Os dois tipos de MOSFET, depleção e enriquecimento tem o mesmo princípio de

funcionamento, a principal diferença está na existência de um canal físico no MOSFET
tipo depleção, enquanto que no tipo enriquecimento esse canal é virtual, criado pelo
deslocamento de elétrons.

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Em linhas gerais, para se ter um MOSFET operando como chave, basta controlar a
tensão na porta para controlar a passagem de corrente entre a fonte e o dreno.

Os MOSFET podem ser usados como amplificadores,interruptores,reguladores de

tensão linear etc.

Conclusão

Dessa forma conseguimos compreender as características do jfet e mosfet suas

aplicações e tipos.

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Bibliografia
https://pt.wikipedia.org/wiki/MOSFET#:~:text=O%20transistor%20
MOSFET%20(acr%C3%B4nimo%20de,circuitos%20tanto%20digitais
%20quanto%20anal%C3%B3gicos.
https://www.newtoncbraga.com.br/index.php/como-funciona/6417-
art977
https://flaviobabos.com.br/mosfet/
https://pt.wikipedia.org/wiki/JFET
https://labseletrica.unir.br/uploads/41414141/arquivos/ARQUIVOS%20
ELETRONICA%20I/Aula_07_Transistor_JFET.pdf

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