CURSO DE ELETRÔNICA ANALÓGICA II 1

Prof. Avanir Lessa

ELETRÔNICA ANALÓGICA II

PROFESSOR: AVANIR CARLOS LESSA

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Capítulo 3 Transistores de Efeito de Campo – FET

3.1 Introdução

O transistor bipolar é o mais utilizado nas aplicações lineares. O seu funcionamento se baseia em
dois tipos de cargas: elétrons e lacunas. Por este motivo ele é chamado de bipolar (como sabem, o prefixo
bi significa dois). Entretanto, há algumas aplicações nas quais um transistor unipolar se adapta melhor. O
funcionamento de um transistor unipolar depende apenas de um tipo de carga, de elétrons ou lacunas. Por
isso é chamado unipolar.

O transistor de efeito de campo, também conhecidos como FET (Field Effect Transistor) ou JFET
(Junction Field Effect Transistor) é um exemplo de um transistor unipolar. O transistor de efeito de campo
são dispositivos controlados por tensão. Desta forma o transistor de efeito de campo é um
dispositivo controlado por tensão ao contrário do transistor tradicional (Transistor Bipolar de Junção ou
TBJ, ou do inglês BJT – Bipolar Junction Transistor).

O transistor de efeito de campo (FET) tem o princípio de funcionamento diferente do transistor

bipolar. É um dispositivo sensível à tensão, com impedância de entrada elevada, e impedância de saída
relativamente alta. A grande vantagem do FET sobre o transistor bipolar (controlado por corrente) é a
altíssima impedância de entrada (dezenas a centenas de MΩ), além de ter um comportamento de baixo
ruído.

Esta alta impedância de entrada permite seu uso como adaptador de impedâncias podendo substituir
transformadores em determinadas situações, além disso são utilizados para ampliar frequências altas com
ganho superior aos dos transistores bipolares. A seguir algumas imagens dos JFETs:

Os transistores de efeito de junção (JFET) apesar de serem dispositivos de baixas potência,

encontram uma infinidade de aplicações práticas na indústria, telecomunicações, eletrônica de consumo,
informática e eletrônica embarcada.
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Os FETs de Junção ou JFETs como também são conhecidos, são dispositivos semicondutores
extremamente versáteis, apresentando características de altíssima impedância de entrada e excelente ganho
(transcondutância), o que os torna úteis em circuitos amplificadores lineares, osciladores e circuitos de
chaveamento.

O JFET foi previsto por Julius Lilienfeld em 1925 e em meados da década de 1930 a sua teoria da
operação foi suficientemente conhecida para justificar uma patente. No entanto, não foi possível por muitos
anos para fazer cristais dopados com precisão suficiente para mostrar o efeito. Em 1947, pesquisadores John
Bardeen, Walter Houser Brattain e William Shockley estavam tentando fazer um JFET quando
descobriram a transistor ponto de contato. Em 1960 John Atalla desenvolveu o MOSFET baseado nas
teorias de William Shockley sobre o efeito de campo.

A primeira prática JFETs foram feitos muitos anos mais tarde, a despeito de sua concepção muito
antes do transistor de junção. Até certo ponto, ela pode ser tratada como um híbrido de
um MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) e um BJT embora um IGBT assemelha-
se mais das características híbridas. O princípio de funcionamento de um transistor efeito de campo está
baseado na modulação da largura de um canal, portanto sua capacidade de corrente, por uma tensão
aplicada.

Existem basicamente dois tipos de transistor efeito de campo: MOSFET (Metal-Oxide-

Semicondutor FET) também chamados de IGMOS (Insulated Gate MOS – Transistor) e o JFET (Junction
Field Effect Ttansistor) sendo que os primeiros são mais usados, principalmente em circuitos integrados e
ultimamente como dispositivos de potência.

3.2 Características do Gerais do JFET

O FET de Junçã,o também conhecido como JFET, é um dispositivo unipolar, o que significa que
apenas um tipo de portador, elétron ou lacuna é responsável pela corrente controlada. A Figura a seguir
apresenta de forma simplificada, a estrutura física de um transistor efeito de campo de junção canal N.
Os JFETs podem ser compostos
por germânio ou silício combinados à pequenas quantidades
de fósforo e boro, que são substâncias "dopantes" (isto é, que
alteram as características elétricas).

Os transistores de silício são os mais utilizados

atualmente, sendo que transistores de germânio são usados
somente para o controle de grandes potências.

.
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O FET (Field Effect Transistor) ou transistor de efeito de campo é um dispositivo unipolar (um tipo
de portador - elétron ou lacuna), constituído a partir de uma barra de material do tipo "P" ou "N"
denominado "Canal", nas extremidades da barra contatos metálicos formando um terminal chamado dreno
ou "drain" e outro denominado fonte, supridouro ou "source", entre os contatos dreno-fonte existem ainda
duas regiões "P" ou duas regiões "N", interligadas, difundidas no interior da barra chamadas de porta ou
"gate".

Sua operação parte do princípio em que um campo elétrico perpendicular a um fluxo de corrente
controla a resistência de um canal constituído por portadores do tipo "P" ou portadores do tipo "N" os
quais constituem, respectivamente, FET de canal P e FET de canal N.

a) Transistor de efeito de campo de junção b) Analogia do fluxo de água para o

JFET mecanismo de controle do JFET.

O FET pode ser dividido em duas categorias: JFETS e MOSFETs. Por sua vez, os MOSFETs se
dividem em duas categorias:
 MOSFET tipo Intensificação.
 MOSFET tipo Depleção.
Os termos depleção e intensificação definem o seu modo básico de operação, enquanto o nome
MOSFET designa o transistor Metal Óxido Semicondutor.
Existem muitas diferenças entre os transistores efeito de campo e o tradicional sendo que as três
principais são:
 Tipo de controle da corrente (polarização): no FET é por tensão no tradicional por
corrente.
 A impedância de entrada: no FET é muito alta (>1M) e no tradicional é baixa (devido
à junção PN polarizada diretamente).
 O tipo de portador: No FET é um tipo (elétron livre ou lacuna) no tradicional são
elétron e lacuna.
 Ganho de tensão: No FET é menor do que no BJT.
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Assim como o TBJ já apresentado, o FET é encontrado em 2 tipos básicos, canal N e canal P. Cada
tipo pode ser encontrado com duas polaridades: canal N e canal P.

O dispositivo tem três terminais: O dreno (D) a fonte (S – Source em inglês ) e a porta (G – Gate
em inglês). A dopagem da região da porta é muito maior do que a do canal, desta forma a região de depleção
(região de carga espacial) será muito maior do lado do canal.

Observar na simbologia que a seta no meio, ou mesmo a estrutura, pode sugerir que se possa trocar
o dreno pela fonte, o que é verdade em alguns dispositivos, mas não em todos, por isso mesmo a simbologia
onde a seta está mais próxima da fonte.

Na literatura sobre o tema é possível encontrar as duas. O sentido da seta mostra o sentido de
condução como em um diodo comum da junção gate (P) - canal (N).

(b) simbologia JFET canal N (c) simbologia JFET canal P

(a)
(a) Estrutura física JFET canal
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O JFET é formado por três terminais:

 Fonte (source), por onde os elétrons são fornecidos.

 Dreno (Drain), por onde os elétrons entram.
 Porta (Gate), que faz o controle dos elétrons.

3.3 Comparação Entre o JFET e o BJT

O transistor bipolar de junção (TBJ) é dispositivo operado por corrente e o FET ou JFET é operado
por tensão. Como informado, os transistores bipolares têm seu funcionamento baseado em elétrons e
lacunas, por isso o termo “Bi”, enquanto os FET´s tem seu funcionamento baseado em elétrons ou lacunas,
por isso, são chamados também de Transistores Unipolares.

A seguir uma tabela com os comparativos:

TBJ JFET
Emissor Source
Base Gate
Coletor Dreno
Baixa impedância de entrada Alta impedância de entrada
Ganhos de tensão CA dos amplificadores são maiores Menores ganhos de tensão em CA.
Menores fisicamente, o que particularmente os
Maiores fisicamente. torna úteis na construção de chips de circuitos
integrados (Cis).
Menos estáveis em termos de temperatura. Mais estáveis em termos de temperatura.
.
3.4 Princípio de Funcionamento

O FET de junção ou JFET consiste em uma camada de material tipo n ou tipo p com dois contatos
ôhmicos, a fonte (S) e o dreno (D), e dois contatos retificadores interligados denominados portas (G).
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Os elétrons livres entram na fonte e saem pelo dreno (Canal N). O FET de junção ou JFET consiste
em uma camada de material tipo n ou do tipo p com dois contatos. A camada condutora entre a fonte e o
dreno é chamada de canal. O JFET pode ser do tipo n, no qual o canal é do tipo n e as portas do tipo p, ou
do tipo p, sendo o canal do tipo p e as portas tipo n.

Para explicar o funcionamento considere o JFET canal N, para o outro se invertem os sentidos da
corrente e da tensão. Considere inicialmente VDS = 0 e seja aplicado uma tensão VGS com a polaridade
indicada na Figura a seguir e que polariza reversamente a junção PN. Inicialmente o canal estará todo aberto
e entre e dreno e fonte existira um canal com uma determinada resistência. Como a tensão aplicada na
resistência é zero a corrente resultante será zero (ID=0).

Se a tensão de porta for aumentada, aumenta a polarização reversa o que faz a região de carga
espacial avançar mais no canal até fechá-lo totalmente, Figura b abaixo. Observe que a região de depleção
avança mais no canal do que no lado da porta, isso porque a dopagem da porta é maior.

(a) (b)
Figura: ( a ) polarizando a porta com tensão negativa ( b ) fechando totalmente o canal
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A tensão de porta que provoca o fechamento total do canal é chamada de tensão de pinçamento
(pinch-off em inglês), VP, sendo uma quantidade negativa no caso de canal N e positiva para o canal P, ou
seja:
O valor de VGS que resulta em 𝐼 = 0 mA é definido por V = V , sendo V uma tensão negativa para
dispositivos de canal n e uma tensão positiva para JFETs de canal p.

Agora considere VGS = 0 e aplique uma tensão entre dreno e fonte com a polaridade indicada na
Figura (a) a seguir. O que acontece com a corrente quando VDS varia?

Inicialmente com o VDS pequeno o canal praticamente não se altera e dentro de certos limites o
dispositivo se comporta como uma resistência.

À medida que VDS aumenta, a corrente de dreno aumenta provocando uma queda de tensão ao longo
do canal que faz com que o estreitamento não seja uniforme.

Na Figura b abaixo a corrente de dreno provoca entre o ponto A e a fonte uma tensão VA e entre o
ponto B e a fonte uma tensão VB estando claro que VA>VB.

Estas tensões são aplicadas na junção de forma reversa e no ponto onde a tensão reversa é maior a
região de carga espacial avança mais no canal, isto é, o estreitamento é maior próximo do dreno.

(a) (b)
Figura: ( a ) Polarizando o dreno com uma tensão pequena (0,1V) ( b ) o pinçamento é atingido (VP)
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O estreitamento é máximo quando a tensão de dreno for igual à tensão de pinçamento em
modulo. Se a tensão de dreno aumentar mais ainda, as regiões de carga espacial não se tocam, ao invés
disso o estreitamento aumenta ao longo do canal conforme Figura a seguir a corrente de dreno se
mantém aproximadamente constante em IDSS, isto é, o dispositivo passa a se comportar como uma
fonte de corrente constante.

Na pratica existe um pequeno aumento em ID quando VDS aumenta além de VP.

Figura: Aspecto do canal quando a tensão de dreno aumenta alem de VP

Se a tensão de dreno aumentar mais ainda, eventualmente será atingida uma tensão que provocará a
ruptura da junção, destruindo o dispositivo. Esta tensão é designada por BVDSS.

3.5 Corrente no JFET

Seja o circuito a seguir:
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A porta (G) de um JFET tem sempre polarização reversa para impedir corrente de porta e também
para criar camadas de depleção em volta das regiões P (canal N), possibilitando o estreitamento do canal
condutor e, consequentemente, a diminuição da corrente entre a fonte e o dreno.

A corrente de dreno (𝐼 ) é controlada pela tensão de 𝑉 . Como existe o canal, mesmo que a tensão
𝑉 seja igual a zero, haverá corrente percorrendo o elemento. O aumento da polarização reversa (𝑉 ),
diminui a largura do canal N, o que provoca uma diminuição da correte do dreno (𝐼 ).

3.6 Corrente de Dreno Máxima

A corrente de dreno máxima de saída de

+ 𝑽𝑮𝑺
um JFET ocorre quando a tensão 𝑉 = 0
V (Figura ao lado e abaixo).

Na figura ao lado, vê-se a tensão ca porta

substituída por um curto-circuito, o qual
garante 𝑉 = 0.
+ 𝑽𝑮𝑺
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Na condição de 𝑉 = 0, significa que a porta em curto-circuito. A corrente de dreno (𝐼 ) se nivela
e torna-se praticamente horizontal. O JFET se comporta como uma fonte de corrente.

𝑉 : Tensão de constrição.
𝐼 : Corrente de dreno para fonte com a porta em curto-circuito.

Quando a tensão da porta for suficientemente negativa, as camadas de depleção tocam-se e o canal
condutor desaparece, 𝐼 = 0.

A corrente máxima é definida por 𝐼 e ocorre quando 𝑉 =0e𝑉 ≥ |𝑉 | como apresentado na

figura a seguir:

+
+ 𝑽𝑮𝑺
𝑽𝑫𝑫 ≥ |𝑽𝑷 |
𝑽𝑮𝑺 = 0 V 𝑰𝑫 = 𝑰𝑫𝑺𝑺
__
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Para tensões 𝑉 entre a porta e fonte menores do que (mais negativa do que) o valor de pinch-off
(𝑉 ) a corrente de dreno é 0 A (𝐼 = 0), como aparece na figura a seguir.

𝑽𝑮𝑺 = − 𝑽𝑮𝑮

+ 𝑽𝑮𝑺

𝑰𝑫 = 0 A
_

|𝑽𝑮𝑮 | ≥ |𝑽𝑷 |

Para todos os valores de 𝑉 entre 0 V e o valor de pich-off, a corrente 𝐼 variará entre 𝐼 e 0 A,

respectivamente, como indica a figura a seguir:

|𝑽𝑷 | ≥ |𝑽𝑮𝑮 | ≥ 0 V 0 mA ≤ 𝑰𝑫 < 𝑰𝑫𝑺𝑺

-_ _-_

+ 𝑽𝑮𝑺

𝑰𝑫
_

3.7 Curva de Dreno

A Figura a seguir mostra um JFET com tensões de polarização normais. Nesse circuito, a tensão
porta fonte 𝑉 é igual à tensão de alimentação 𝑉 e a tensão dreno-fonte 𝑉 é igual à tensão de
alimentação 𝑉 .
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3.8 Curva do JFET

O JFET apresenta uma região inicial de polarização das junções, seguida de um patamar estável ou
de saturação e a região de ruptura.

Parâmetros importantes na modelagem de um FET observados sob essas condições:

 𝐼 : corrente de saturação, 𝐼 com Gate em curto:

(Valor máximo que o JFET pode gerar = limite)

 𝑉 : tensão entre gate e fonte:

(Quanto maior, menor é a 𝐼 ) → 𝑉 = −𝑉

 𝑉 : tensão de constrição ou de “pinch off”

É a tensão associada ao “estreitamento” do canal de condução, localizada no “joelho” da

curva.

Observação: 𝑉 é um valor de 𝑉 para nivelar 𝐼 com 𝑉 = 0 V.

A Figura a seguir mostra um conjunto de curvas para um JFET com um 𝐼 de 10 mA. A curva
superior é para uma tensão 𝑉 = 0. A tensão de constrição é de 4 V e a tensão de ruptura é de 30 V.

Pode-se observar que, quanto mais negativa é a tensão porta-fonte, menor é a corrente de dreno.
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3.9 A Curva de Transcondutância

A curva de transcondutância mostra a variação de 𝐼 em função da tensão 𝑉 aplicada à porta.

Esta curva é um trecho de parábola definido pela Equação de Schockley:

𝐼 =𝐼 · 1−
( )

Fazendo k = 1 − , tem-se:
( )

𝐼 = k·𝐼 ; 𝑉 ( ) = −𝑉 ; 𝑉 =𝑅 ·𝐼 .

Onde:
 𝑉 ( ): Tensão de desligamento do JFET (V);
 𝑅 : Resistência entre dreno e Fonte (Ω);
 𝐼 : Corrente de dreno (A);
 𝐼 : Corrente de dreno máxima que o JFET pode produzir, ou seja, é
igual a corrente de dreno com a porta curto-circuitada à fonte
(𝑉 = 0);
 𝑉: Tensão de estrangulamento do JFET (V);
 𝑉 ( Á ) : Tensão de ruptura do JFET (V).

Com a equação acima, pode-se calcular a corrente de dreno dada, a corrente de dreno máxima, a
tensão de corte porta-fonte e a tensão da porta. Essa é a forma de algébrica para determinar a corrente de
dreno. Por outro lado, algumas folhas de dados incluem gráficos.
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Seja o gráfico da figura a seguir de um determinado JFET. Neste caso, pode-se utilizar o gráfico e
determinar diretamente a corrente de dreno (𝐼 ).

Ponto de operação ou
ponto de trabalho do
JFET, também chamado
ponto quiescente,

Portanto, têm-se as seguintes condições operacionais:

 A curva de transferência definida pela equação de Shockley não é afetada pelo circuito
no qual o dispositivo é empregado.
 Quando 𝑉 = 0, 𝐼 = 𝐼 .
 Quando 𝑉 = 𝑉 = − 4 V, a corrente de dreno é 0 mA, definindo outro ponto da curva
de transferência, isto é, quando 𝑉 = 𝑉 , 𝐼 = 0.

3.10 Equação Entre As Tensões 𝑽𝑮𝑮 e 𝑽𝑮𝑺

Seja a figura a seguir de um JFET de canal n (figura a) ou canal p (figura b). Nota-se que neste
circuito o JFET é alimentado por duas fontes de tensão, uma aplicada no circuito da porta (gate) e a outra
no circuito de dreno:

Considere a malha do circuito de gate e aplicando a 2ª Lei de Kirchhoff para o canal n, tem-se:

+𝑉 +𝑉 =0 → 𝑽𝑮𝑮 = − 𝑽𝑮𝑺
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3.11 Resistor Controlado por Tensão

A região a esquerda da linha de pinch-off, na figura a seguir, é chamada de região ôhmica ou região
de resistência controlada por tensão. Nessa região, o JFET realmente pode ser empregado como um resistor
variável (possivelmente um sistema automático de ganho), cuja resistência é controlada pela tensão de
porta-fonte aplicada.

A figura a seguir apresenta um JFET de canal n com 𝐼 = 8 mA e 𝑉 = − 4 V.

Lugar geométrico de pinch-off

Região Região de
ôhmica saturação

Observe que na figura acima que a inclinação de cada curva e, portanto, a resistência do dispositivo
entre dreno e fonte para 𝑉 < que 𝑉 é função da tensão 𝑉 aplicada. Conforme 𝑉 se torna mais negativo
a inclinação da curva se torna mais horizontal, correspondendo a um aumento do valor da resistência.

A equação a seguir fornece uma boa aproximação do valor de resistência em termos da tensão 𝑉
aplicada:
𝑟 =

Onde 𝑟 é a resistência com 𝑉 = 0 V e 𝑟 é a resistência para um valor específico de 𝑉 .

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3.12 Exercício de Fixação Resolvidos e Propostos:

3.12.1) Com os dados informados da figura a seguir, determine os seguintes parâmetros:

a) 𝑉 .
b) 𝐼 .
c) 𝑉 .
d) 𝑉 .
e) 𝑉 .
f) 𝑉 .
𝑮 𝑫
Dados:
𝑰𝑫𝑺𝑺 = 10 mA
𝑉 = 16 V.
𝑽𝑷 = − 8 V
𝑉 = 2 V. 𝑽𝑮𝑺
𝑅 = 2 kΩ. 𝑺
𝑅 = 1 MΩ.
𝑽𝑮𝑮
Solução:

a) Cálculo de 𝑽𝑮𝑺𝑸
𝑉 = −𝑉 → 𝑽𝑮𝑺𝑸 = − 2 V.

b) Cálculo de 𝑰𝑫𝑸
𝐼 =𝐼 · 1− . Para o ponto quiescente (ponto de operação ou de trabalho do JFAT), tem-se a
( )

equação:

( )
𝐼 =𝐼 · 1− ∴ 𝐼 = (10· 10 )· 1 − ∴ 𝐼 = (10· 10 )· ∴
( ) ( )

𝐼 = (10· 10 )· ∴ 𝐼 = (10· 10 )· → 𝑰𝑫𝑸 = 5,625 mA

c) Cálculo de 𝑽𝑫𝑺

𝑉 =𝑅 𝐼 +𝑉 ∴ 16 = (2· 10 )(5,625·10 ) + 𝑉 ∴ 16 = 11,25 + 𝑉 → 𝑽𝑫𝑺 = 4,75 V

d) Cálculo de 𝑽𝑫

A queda de tensão no resistor é dada pela equação. Assim:

𝑉 − 𝑉 =𝑅 𝐼 ∴ 16 − 𝑉 = (2· 10 )(5,625·10 ) → 𝑽𝑫 = 4,75 V

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e) Cálculo de 𝑽𝑮

𝑉 =𝑉 → 𝑽𝑮 = − 2 V

f) Cálculo de 𝑽𝑺

Como o terminal de 𝑉 está aterrado, o valor de 𝑽𝑺 = 0.

3.12.2) Considere que um JFET tenha 𝐼 = 7 mA e 𝑉 ( ) = − 3 V. Calcular a corrente de dreno para

uma tensão porta-fonte de – 1 V.

Solução:
(i) Dados:
𝐼 = 7 mA = 3·10 A, 𝑉 ( ) = 𝑉 = − 3 V, 𝑉 = – 1 V, 𝐼 = ?

(ii) Equações e Cálculos:

Considerando a equação abaixo, pode-se calcular o valor de k:

( )
k= 1− = 1− = 1− = 1− = = = 0,445
( ) ( )

A corrente de dreno será:

𝐼 = k·𝐼 = 0,455·7·10 → 𝑰𝑫 = 3,12 mA.

3.12.3) Considerando o circuito ao lado, onde: 𝐼 = 6 mA, 𝑉 = 12 V, 𝑅 = 1000 Ω, determine 𝐼 , 𝑉 , 𝑉 .

Solução:
(i) Dados:
𝐼 = 6 mA = 6·10 A, 𝑉 = 12 V, 𝑅 = 1000 Ω,
𝐼 = ?, 𝑉 = ?, 𝑉 = ?

(ii) Equações e Cálculos:

a) Cálculo de 𝑽𝑮𝑺 :
Pela figura ao lado, nota-se que a tensão de fonte do JFET é
igual a 0, pois, a impedância na entrada do JFET é muito alta e
assim não tem corrente no resistor 𝑅 . Então → 𝑽𝑮𝑺 = 0

b) Cálculo de 𝑰𝑫 :

. Quando 𝑉 = 0, a corrente 𝐼 = 𝐼 .

Como 𝐼 = 6 mA → 𝑰𝑫 = 6 mA
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c) Cálculo de 𝑽𝑫𝑺 :

Para o cálculo de 𝑉 , utiliza-se a 2ª Lei de Kirchhoff. Então:

𝑉 = 𝑅 ·𝐼 + 𝑉 +𝑉 ∴ 12 = (1·10 )·(6·10 ) + 𝑉 + 0 → 𝑽𝑫𝑺 = 6 V.

3.12.4) Para a figura ao lado, qual a tensão dreno-fonte para o JFET?

Resp.: 13,8 V

Nota: A tensão 𝑉 não é

igual a zero.

3.12.5) A tensão da porta aumenta para 0 V e a tensão de alimentação do dreno aumenta para 20 V no
circuito do exercício 1.10.3. Qual a tensão dreno-fonte?

Resp.: 9 V.

3.12.6) Os valores de um JFET são 𝐼 = 5 pA com 𝑉 = 20 V, considerados à temperatura ambiente.

Qual a resistência CC de entrada da porta à temperatura ambiente?

Resp.: 4·10 Ω

3.12.7) Um JFET tem 𝐼 = 16 mA e 𝑉 = 3 V. Qual a mínima corrente de dreno? E a máxima corrente de

dreno? E a tensão de corte porta-fonte?

Resp.: 0,16 mA, – 3 V.

3.12.8) Para um JFET de canal n, com 𝑟 = 10 Ω, 𝑉 = 0 V, 𝑉 = − 6 V determine 0 valor de 𝑟 para ,

𝑉 = − 3 V.

Resp.: 40 Ω.
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3.12.9) O JFET de canal n no circuito abaixo, utiliza um dos vários métodos de polarização. Se 𝑅 = 3
kΩ, 𝑅 = 1 kΩ, 𝑉 = 15 V e 𝑉 = 7 V, calcule:

(a) 𝐼 (b) 𝑉

Resp.: − 2 mA, − 2 V

3.12.10) Projete o circuito abaixo (determinar 𝑅 e 𝑅 ), de modo que o transistor opere com 𝐼 = 0,4 mA
e 𝑉 = 1 V. O transistor NMOS tem 𝑉 = 2 V e K = 0,4 mA/V². Suponha 𝜆 = 0.

Sugestão: Utilize para o cálculo de 𝑉 a equação com a

transcondutância.

Resp.: 𝑅 = 10 kΩ, 𝑅 = 5 kΩ,

3.12.11) Para o circuito a seguir, sendo 𝐼 = 10 mA, 𝑉 = − 2,2 V e 𝑉 ( ) = − 4 V, determine 𝐼 e

𝑉 .

Solução:
(i) Dados:
𝐼 = 10 mA, 𝑉 = − 2,2 V e 𝑉 = − 4 V, 𝑉 =?
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(ii) Equações e Cálculos:

(a) Cálculo de 𝑰𝑫 :

( , )
𝐼 = k·𝐼 = 1− · 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 1 − ·(10·10 ) 𝑰𝑫 = 2,03 mA
( ) ( )

(b) Cálculo de 𝑽𝑫𝑺 :

Utilizando a malha externa:

– 10 + (3,6·10 )·(2,03·10 ) + 𝑉 =0 𝑰𝑫 = 2,69 V

3.12.12) Um transistor JFET tem os seguintes valores mínimos em sua folha de dados: 𝑉 ( ) = − 0,5 V
e𝐼 = 1 mA. Calcule o fator K para o valor de 𝑉 = − 0,3 V.

Resp.: K = 0,16.

3.12.13) Deseja-se projetar um amplificador a JFET, cujas características são apresentadas na figura a
seguir. O ponto de trabalho do circuito é 𝐼 = 2 mA e 𝑉 = 5 V. Determine:
a) O valor de 𝑉 .
b) O valor de 𝑅 e 𝑅 .
c) Os valores de 𝑅 e 𝑅 ,
Obs.: Adotar 𝑉 = 3 V, 𝐼 =𝐼 = 0,1 mA, 𝑉 = 12 V, 𝑉 = − 4 V e 𝐼 = 10 mA.

𝑅 𝑅

𝑅 𝑅
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Solução:
(i) Dados:

𝐼 = 2 mA, 𝑉 = 5 V, 𝑉 = 3 V, 𝐼 =𝐼 = 0,1 mA, 𝑉 = 12 V, 𝑉 = − 4 V e 𝐼 = 10 mA

𝑉 = ?, 𝑅 = ?, 𝑅 = ?, 𝑅 = ?, 𝑅 =?

(ii) Equações e Cálculos:

a) Cálculo de 𝑽𝑮𝑺 :

Na Equação da Transcondutância 𝐼 , substituindo os valores de 𝐼 e 𝑉 tem-se:

𝐼 =𝐼 · 1− ∴ 2·10 = 10·10 · 1− ∴·2·10 = 1− ·10·10

( ) ( ) ( )
( )
2= 1+ ·10 ∴ 2/10 = 1 + ∴ = 1/5 ∴ = 1/5 ∴

(4 + 𝑉 ) = 16/5 ∴ 4 + 𝑉 = (16/5) ∴ 4 + 𝑉 = 1,79 ∴ 𝑉 = 1,79 – 4 → 𝑽𝑮𝑺 = – 2,21 V

b) Cálculo de 𝑹𝑺 :

Considerando a tensão no nó 𝑉 , o valor de 𝐼 = 𝐼 , tem-se a equação:

𝑉 =𝑉 +𝑅 𝐼 ∴ 3 = – 2,21 + 2·10 ·𝑅 ∴ 3 + 2,21 = 2·10 ·𝑅 ∴ 5,21 = 2·10 ·𝑅 ∴

,
2·10 ·𝑅 = 5,21 ∴ 𝑅 = ∴ 𝑅 = (5,21/2) ·10 → 𝑹𝑺 = 2.605 Ω
·

c) Cálculo de 𝑹𝑫 :

Considerando a queda de tensão no resistor 𝑅 , tem-se:

𝑉 − 𝑉 =𝑅 𝐼 ∴ 12 – (– 2,21) = 2·10 ·𝑅 ∴ 12 + 2,21 = 2·10 ·𝑅 ∴ 14,21 = 2·10 ·𝑅 ∴

,
2·10 ·𝑅 = 14,21 ∴ 𝑅 = ∴ 𝑅 = (14,21/2) ·10 → 𝑹𝑫 = 7.105 Ω
·

d) Cálculo de 𝑹𝑩𝟏 :

A queda de tensão no resistor 𝑅 é dada pela equação:

𝑉 − 𝑉 =𝑅 𝐼 ∴ 12 – 3 = 0,1·10 ·𝑅 ∴ 9 = 0,1·10 ·𝑅 ∴ 14,21 = 0,1·10 ·𝑅 ∴

,
0,1·10 ·𝑅 = 14,21 ∴ 𝑅 = ∴ 𝑅 = (14,21/0,1) ·10 → 𝑹𝑫 = 142.100 Ω
, ·
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e) Cálculo de 𝑹𝑩𝟐 :

A queda de tensão no resistor 𝑅 é dada pela equação:

𝑉 − 𝑉 =𝑅 𝐼 ∴ 2,21 – 0 = 0,1·10 ·𝑅 ∴ 2,21 = 0,1·10 ·𝑅 ∴ 2,21 = 0,1·10 ·𝑅 ∴

,
0,1·10 ·𝑅 = 14,21 ∴ 𝑅 = ∴ 𝑅 = (14,21/0,1) ·10 → 𝑹𝑫 = 142.100 Ω
, ·

3.12.14) Com os dados informados da figura a seguir, determine os seguintes parâmetros:

a) 𝑉 .
b) 𝐼 .
c) 𝑉 .
d) 𝑉 .
e) 𝑉 .
f) 𝑉 .
𝑮 𝑫
Dados:
𝑰𝑫𝑺𝑺 = 10 mA
𝑉 = 14 V.
𝑽𝑷 = − 8 V
𝑉 = 1,5 V. 𝑽𝑮𝑺
𝑅 = 1,8 kΩ. 𝑺
𝑅 = 1 MΩ.
𝑽𝑮𝑮

3.12.15) Deseja-se projetar um amplificador a JFET, cujas características são apresentadas na figura
(Exercício 12). O ponto de trabalho do circuito é 𝐼 = 2 mA e 𝑉 = 5 V. Determine:
a) O valor de 𝑉 .
b) O valor de 𝑅 e 𝑅 .
c) Os valores de 𝑅 e 𝑅
Obs.: Adotar 𝑉 = 3 V, 𝐼 =𝐼 = 0,1 mA, 𝑉 = 12 V, 𝑉 = − 4 V e 𝐼 = 10 mA.

3.12.16) Dado os valores do circuito a seguir,

determine:
a) 𝐼 .
b) 𝑉 .
c) 𝑉 . =
Valores do circuito:
𝑉 = 12 V.
𝑅 = 2,2 kΩ. 𝑽𝑫 = 12 V
𝑅 = 1 MΩ.
𝑉 =6V
Resp.:
𝐼 = 2,727 mA, 𝑉 = 6 V, 𝑉 = 1,66 V
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3.12.17) Considere os valores do circuito a seguir e calcule:

a) 𝑉 .
b) 𝐼 .
c) 𝑉 .

Resp.: - 2 V, 4,5 mA, 7 V.