Transistor MOSFET em comparação com transistor

bipolar de junção.

Lucas Gabriel Lucena Monteiro

Ramon Ferreira de Andrade Feitosa
IFPE- Lab. Eletrônica II
lglm1@discente.ifpe.edu.br
rfaf@discente.ifpe.edu.br

Resumo - Neste relatório discorremos sobre os
transistores MOSFET, realizando uma análise
técnica sobre as principais diferenças, vantagens
e aplicações dos transistores MOSFET em
relação aos transistores bipolares de junção,
TBJ.
I. INTRODUÇÃO.
Transistor de efeito de campo-metal óxido
semicondutor, MOSFET, é um elemento
largamente empregado na construção dos mais
diversos circuitos, dos quais veremos alguns mais à
frente. Suas características permitem construir
circuitos muito mais complexos e versáteis do que
os construídos com simples transistores de junção.
II. ABORDAGEM TEÓRICA.
Na figura 01 podemos observar os três terminais:
gate (G), source (S) e dreno (D), que formam o
transistor MOSFET, formado por um canal de
material semicondutor. O terminal do GATE
contém uma camada de polisilício colocada sobre o
canal, entretanto afastada do mesmo através de uma
fina camada de de silício isolante. [1]
Quando uma tensão é aplicada entre os terminais
gate e source, o campo elétrico gerado penetra
através do óxido e cria uma inversão no canal
original abaixo dele. Logo, possibilitando a criação
de um canal através do qual a corrente elétrica
possa passar. Ao variar a tensão entre o gate e o
source, a condutividade dessa camada é modulada e
é possível controlar o fluxo de corrente entre o
dreno e o source.
Os MOSFETs estão disponíveis em dois tipos,
canal P e canal N, ambos os tipos podem estar no
modo de intensificação ou depleção. Isso significa
que, no total, existem quatro tipos diferentes de
MOSFET.
Em MOSFETs de canal p, os terminais de fonte e
dreno são feitos de semicondutor do tipo p. Da
mesma forma, em MOSFETs de canal n, os
terminais de fonte e dreno são feitos de
semicondutor do tipo n. O terminal da porta em si é
feito de metal e é separado dos terminais de fonte e
dreno usando um óxido de metal. Este nível de
isolamento origina baixo consumo de energia e é o
principal benefício desse tipo de transistor.
Frequentemente, os MOSFETs são usados ​em
dispositivos de baixa potência ou como blocos de
construção para reduzir o consumo de energia.

III. PROCEDIMENTOS E ANÁLISES

TEÓRICAS.

1. Existem muitas diferenças entre os TBJs

e os MOSFETs, podemos elencar
algumas:
● O MOSFET (voltagem controlada) é um
semicondutor de óxido metálico, enquanto
o TBJ (corrente controlada) é um
transistor de junção bipolar.
● Embora ambos tenham três terminais, eles
Fig. 01
são diferentes. O MOSFET tem uma
 fonte, dreno e porta, enquanto o TBJ tem
uma base, emissor e coletor.
● Os MOSFETs são ideais para aplicações
de alta potência, enquanto os TBJs são
mais comumente usados ​em aplicações de
baixa corrente.
● Um TBJ depende da corrente em seu
terminal de base, enquanto um MOSFET
depende da voltagem no eletrodo de porta
isolado por óxido.
● A estrutura de um MOSFET é
inerentemente mais complexa do que a
estrutura de um TBJ. [2]
2. Realizando uma análise sobre as
vantagens dos MOSFETs e dos TBJs,
como já visto, ambos têm características
únicas e seus próprios prós e contras. Não
há como definir que um é melhor do que o
outro, cada qual será ideal para alguns
tipos de aplicações e situações, devendo o
projetista se atentar às condições de
operação ao qual o dispositivo deverá
operar, sendo muitos fatores diferentes
para chegar a uma decisão. Incluindo nível
de potência, tensão do drive, eficiência,
custo e velocidade de chaveamento, entre
outras coisas.
3. Há várias aplicações para os MOSFETs,
destacando inicialmente as diferentes
aplicações para cada tipo de
encapsulamento, os transistores tipo PTH,
são muito utilizados em equipamentos
eletrônicos para amplificar sinais sendo
bastante encontrado em amplificadores de
áudio pois ele dá o retorno de um maior
potencial para reproduzir o som além de
influenciar na qualidade do áudio. Eles
também evitam distorções e contribuem
para uma melhor eficiência sonora do
aparelho.
Enquanto o MOSFET SMD é mais
utilizado na construção de chips
eletrônicos, com uma ampla variedade de
aplicações, como utilização em processos
de amplificação e produção de sinais e em
operações de chaveamento.
Analisando os tipos de circuitos que mais
utilizam esse tipo de transistor, temos
fontes de tensão ajustáveis, amplificadores
de áudio, circuitos de comutação de
potência, misturadores de frequência,
entre outros.
IV. SIMULAÇÕES E PRÁTICAS.
4. Na figura 02 temos a montagem de um
circuito no simulador online falstad, onde
realizamos uma análise de saturação do
transistor TBJ e MOSFET. Temos uma
fonte de tensão alternada de 40 Hz, com
tensão de pico a pico de 2,5V acrescida de
um offset de 2,5V, resultando em 5V na
saída, posteriormente a montagem do
emissor comum.
Fig. 02
5. Na montagem prática de circuitos,
realizamos a comparação entre TBJs e
MOSFETS, sendo eles o BC548, TIP 41C
para a análise dos TBJs e o 2N7000 e o
IRF540 para análise dos mosfets. Na
figura 03 mostramos o circuito montado
com os valores de tensão e resistências
utilizados.
Fig. 03
Inicialmente, fixamos o valor de pico a pico
da fonte de onda quadrada em 5V com offset.
Realizamos as medições dos valores de tensão
VCE, corrente do coletor, IC, potência dissipada
e a resistência total entre o dreno e a fonte,
RDSON. A tabela abaixo relaciona os valores
obtidos por meio do osciloscópio.
 devido ao atual contexto da pandemia do
TRANSISTOR BC548 2N7000 TIP41C IRF540 COVID-19 não foi possível refazer todas as
montagens e se debruçar de forma apropriada sobre
VCC 6 6 6 6
o problema.
VCE 0,028 0 0,056 0

RL 820 820 27 27 VI. BIOGRAFIAS E REFERÊNCIAS.

IC 0,00728 0,00732 0,22015 0,22222
1. CIPELLI, Antonio Marcos; Teoria e
RDSON - 0,000000 - 0,000000
desenvolvimento de Projetos de Circuitos
PDIS 0,000204 0,000000 0,012328 0,000000 Eletrônicos; São Paulo, Ed. Érica, 2007.
Tabela 01.
2. JAMES, Lucas; What 's the difference
Como pode ser visto na tabela 01, os mosfets between mosfet and bjt; disponível em :
apresentaram uma tensão VCE igual a zero, por https://www.power-and-beyond.com; acesso
ser uma tensão muito pequena, não foi possível em 24/10/2021.
observá-la por meio do osciloscópio.
3. Mouser Electronics, datasheet
6. Na próxima análise, observamos a resposta de BC546,547,548,549,550; Disponível em:
frequência de cada tipo de transistor, era esperado https://www.mouser.com/datasheet/2/149/BC5
que os mosfets apresentassem uma grande 47-190204.pdf; acesso em 31/10/2021.
tolerância de resposta, na ordem de megahertz,
entretanto, como mostrado na tabela 02, o BC548
tolerou 102 MHz antes de distorcer sua saída,
analisando o datasheet do dispositivo, o
fabricante diz que o mesmo tolera até 100 MHz, o
que coloca a medição dentro dos valores
esperados. [3]

7. O transistor mosfet 2N7000 obteve a segunda

menor resposta de frequência, segundo seu
fabricante, ele opera estável até a faixa de 1 MHz,
sua falha a níveis menores, de acordo com a
análise realizada pela equipe, se deu devido à
montagem do circuito, o que possibilitou uma
menor resposta de frequência

RESPOSTA DE FREQUÊNCIA
TRANSISTOR BC548 2N7000 TIP41C IRF540

FMÁX 102 MHz 478 KHz 44 KHz 70KHz

V. CONCLUSÕES E RESULTADOS.

Na simulação obteve-se os resultados esperados de

acordo com a teoria, bem como na montagem
prática, realizando a adaptação dos valores de
resistência para os valores disponíveis no
laboratório do campus.
Por fim, nesta montagem, não foi possível observar
uma grande diferença entre os TBJs e os mosfets
para os níveis de tensão e frequência trabalhados,