Universidade Federal do Maranhão

Centro de Ciências Exatas e da Natureza

Departamento de Engenharia da Eletricidade

Disciplina: Laboratório de Materiais Elétricos – DEEE0081

Professor: Dr. Francisco Sávio Mendes Sinfrônio
Assunto: Circuitos – transistores

1. Objetivos

• Descrever a montagem de circuitos analógicos discretos contendo transistores de

junção bipolares (BJT);
• Observar o comportamento dos transistores BJT em sistemas de chaveamento;
• Comprovar a correspondência dos modelos teóricos estudados com a prática.

2. Introdução

O transistor de junção bipolar (BJT) é um dispositivo semicondutor composto

por três Regiões de Semicondutores dopados (Base, Colector e Emissor), separadas
por duas Junções p-n. Essas junções recebem um encapsulamento adequado,
conforme o tipo de aplicação e a ligação de três terminais para conexões externas
(Figura 1).

Figura 1: Representação esquemática de um transistor BJT.

Através de uma polarização de tensão adequada consegue-se estabelecer um

fluxo de corrente, permitindo que o transistor seja utilizado em inúmeras aplicações
como: chaves comutadoras eletrônicas, amplificadores de tensão e de potência,
osciladores, etc. Existem três configurações básicas de operação para o transistor
BJT: base-comum, coletor-comum e emissor-comum (Figura 2). Esta última
configuração é a mais utilizada para a operação do transistor como chave.

(a) (b)
 (c) (d)
Figura 2: Configurações (a) base-comum, (b) coletor-comum, (c) emissor-comum e (d) curva IV
característica de um transistor BJT do tipo NPN – regiões operacionais.

Nestes casos, as regiões de operação do transistor são chamadas de

saturação (A), corte (B) e região ativa (C). Na região de saturação, a corrente de base
IB é suficientemente grande, fazendo com que a tensão VCE seja muito baixa. Assim, o
transistor opera como chave.
Já na região de corte, o transistor está desligado ou a corrente IB não é grande
o suficiente para ligá-lo e as junções estão reversamente polarizadas.
Na região ativa, o transistor funciona como um amplificador onde IC é
amplificada pelo ganho de corrente (β) e a diminuição da queda VCE. A junção coletor-
base está reversamente polarizada e a junção base-emissor, diretamente polarizada.
Ambas as junções estão diretamente polarizadas.
Do ponto de vista técnico, os transistores fabricados em pastilhas de silício
recebem uma capa protetora com o intuito de minimizar a ação das intemperes
ambienteis. Assim, transistores de baixo sinal (pequena potência) são encapsulados
em material polimérico, ao passo que os de maior potência são encapsulados em
alumínio.
Cada transistor é identificado por um código (2N3055, 2N 39042N3866, BC 107
BC140, etc. ), dependendo de seu uso ou fabricante. Por exemplo, os fabricantes
americanos usam códigos iniciados com 2N para dispositivos transistor, ao passo
que adota códigos 1N para diodos. Já os produtores europeus adotam um código que
indica o tipo de semicondutor, silício ou germânio, e a destinação do transistor. Por
exemplo, para o BC 108, a primeira letra refere-se ao material semicondutor; A
significa germânio e B significa silício. A segunda letra indica o uso apropriado do
transistor; a letra C indica que ele pode ser usado como um amplificador de áudio
frequência. A letra S significa que o transistor é de uso apropriado como chave; e a
letra F para radio frequência.

3. Material

• 01 transformador Phywe 110/220VAC – 9 VDC;

• 01 placa protoboard PEKCarist;
• 02 LED( 20 mA);
• 01 resistências 1 MΩ (1W);
• 02 resistências 4,7 KΩ (1W);
• 02 resistências 470 kΩ (2W);
• 02 capacitores eletrolíticos 100 µF (35 V);
• 02 capacitores eletrolíticos 500 µF (35 V);
• 04 transistores BCY 58 (posição esquerda e/ou direita);
• 02 transistores 2N 3055 (posição esquerda e direita);
• 03 amperímetros analógicos;
 • 01 multímetro digital;
• 02 cabos conectores 45 cm (plug 4 mm, 32 A);
• 04 cabos conectores 20 cm (plug 4 mm, 32 A);
• 22 cabos conectores 15 cm (plug 4 mm, 32 A);

3. Avaliação do comportamento dos transistores BJT

• Com o uso do multímetro digital, identificar os terminais (base, emissor e

coletor) dos transistores NPN;
• Montar os circuitos analógicos discretos com transistores NPN nas
configurações base-comum, coletor-comum e emissor-comum.
• Medir as correntes e queda de tensão associadas a cada um dos sistemas
montados;
• Montar um sistema “detector” e avaliar o efeito da capacitância sobre a
frequência de chaveamento.
• Montar um sistema “pisca-pisca” e avaliar o efeito da capacitância sobre a
frequência de chaveamento.

5. Análise dos dados e relatório técnico

O relatório deverá conter, de maneira clara e sucinta, as seguintes informações:

• Identificação gerais do autor;
• Fundamentação teórica dos tópicos abordados (teorias, equações,
exemplos de aplicação, etc.)
• Objetivos e metas propostas para experimentação prática;
• Lista de equipamentos e dispositivos utilizados.
• Esquemas e procedimentos utilizados durante o desenvolvimento dos
ensaios;
• Dados obtidos e resultados alcançados;
• Conclusões finais;
• Bibliografia empregada.