3 - Transistores

Eletrônica Analógica
S5
Prof. FABRICIO BATISTA

Fabricio.batista@ifce.edu.br
Eletrônica Básica
IFCE - Cedro
Ementa 2
1. Semicondutores
2. Diodos
3. Transistor Bipolar de Junção (TBJ)
4. Amplificadores Operacionais (AMP-OP)
5. Fontes de Alimentação Reguladas
Ementa 3
1. Semicondutores
2. Diodos
3. Transistor Bipolar de Junção (TBJ)
4. Amplificadores Operacionais (AMP-OP)
5. Fontes de Alimentação Reguladas
3. Transistor Bipolar de Junção 5
3.1. Principais Características do Transistor
• Construção do Transistor
– O transistor é um dispositivo semicondutor de três camadas que
consiste em duas camadas de material do tipo n e uma do tipo p
ou em duas camadas do tipo p e uma do tipo n.
– O primeiro é denominado transistor npn e o outro pnp.
npn pnp
– Os terminais são denominados: E → Emissor

B → Base
C → Coletor
• Construção do Transistor
– A polarização CC é necessária para estabelecer a região
adequada de operação para a amplificação CA.
– As camadas externas possuem larguras muito maiores do que as
camadas internas de material do tipo p ou n.
– A dopagem da camada interna também é consideravelmente
menor do que a das externas (normalmente 1:10 ou menos).
Esse nível de dopagem menor reduz a condutividade (aumenta
a resistência) desse material, limitando o número de portadores
“livres”.
npn pnp
• Operação do Transistor
– A operação básica do transistor será descrita agora por meio do
transistor pnp (OBS.: em termos práticos, a única diferença em
relação ao transistor npn é o fluxo de corrente que é invertido).
Uma junção p-n de um transistor é polarizada reversamente,

enquanto a outra é polarizada diretamente.
junção junção
base-emissor base-coletor
semelhante a um diodo semelhante a um diodo

diretamente polarizado reversamente polarizado
– Fluxo resultante de portadores majoritários e minoritários:
• A largura das regiões de depleção indicando claramente a junção
polarizada diretamente e a polarizada reversamente.
• Como indicado, muitos portadores majoritários se difundirão no
material do tipo n através da junção p-n polarizada diretamente.
• A questão é: Esses portadores contribuirão diretamente para a
corrente de base IB ou se passarão diretamente para o material do
tipo p?
• Visto que o material do tipo n interno é muito fino e tem baixa
condutividade, um número muito baixo de tais portadores seguirá
esse caminho de alta resistência para o terminal da base.
• O valor da corrente de base é da ordem de microampères,
enquanto a corrente de coletor e emissor é de miliampères.
• A maior parte desses portadores majoritários entrará através da
junção polarizada reversamente no material do tipo p conectado
ao terminal do coletor.
• Aplicando-se a Lei das Correntes de Kirchhoff ao transistor como
se fosse um único nó, obtemos:
• a corrente de coletor possui dois componentes: os portadores

majoritários e os minoritários, indicados na Figura 3.5.
• A componente de corrente de minoritários é chamada corrente de
fuga e tem o símbolo ICO.
• Para os transistores de uso geral, IC é medida em miliampères,

enquanto ICO é medida em microampères ou nanoampères.
• ICO, assim como Is para um diodo polarizado reversamente, é

sensível à temperatura e deve ser cuidadosamente analisada
quando o transistor é submetido a grandes variações de
temperatura; caso contrário, a estabilidade de um sistema pode
ser consideravelmente afetada.
• Configuração Base-Comum
– Essa terminologia deriva do fato de a base ser comum tanto na
entrada quanto na saída da configuração.
– Além disso, ela é normalmente o terminal cujo potencial está
mais próximo do potencial terra ou está efetivamente nele.
pnp npn Em ambos casos, temos:
Observe também que as polarizações

aplicadas (fontes de tensão) estabelecem
uma corrente com o sentido indicado em
cada ramo.
Isto é, compare o sentido de IE com a
polaridade de VEE para cada configuração
e o sentido de IC com a polaridade de VCC.
– Para descrever totalmente o comportamento de um dispositivo
de três terminais como os amplificadores de base-comum são
necessários dois conjuntos de curvas características:
• um para o ponto de acionamento ou parâmetros de entrada
• e outro para a saída.
– Características de Entrada
• O conjunto de parâmetros de entrada para o amplificador em
base-comum relaciona uma corrente de entrada (IE) a uma tensão
de entrada (VBE) para diversos valores de tensão de saída (VCB).
• As curvas características de entrada revelam que, para valores
fixos de tensão (VCB), à medida que a tensão base-emissor
aumenta, a corrente de emissor também aumenta, lembrando a
curva característica do diodo.
• a Figura (a).
Na verdade, valores crescentes de VCB têm um efeito

tão pequeno sobre as curvas características que,
como uma primeira aproximação, as modificações
devido à variação de VCB podem ser desprezadas e as
curvas características desenhadas, como mostra
• a Figura (a).
Se for aplicado o método de linearização da curva, o

resultado será a curva característica mostrada na
Figura (b).
• a Figura (a). Avançar um passo e ignorar a inclinação da curva e,
portanto, a resistência associada à junção polarizada
diretamente resultará na curva característica da
Figura (c).
Para as análises seguintes, o modelo equivalente da
Figura (c) será utilizado em toda a análise CC de
circuitos com transistor. Isto é, se o transistor estiver
no estado “ligado”, a tensão base-emissor será
considerada a seguinte:
– Características de Saída
• O conjunto de parâmetros de saída relaciona uma corrente de
saída (IC) com uma tensão de saída (VCB) para diversos valores de
corrente de entrada (IE).
O conjunto de características de saída ou

de coletor tem três regiões de interesse
indicadas na Figura: a ativa, a de corte e
a de saturação.
– Características de Saída: região ativa
Na região ativa, a junção base-emissor está A região ativa é aquela normalmente
polarizada diretamente, enquanto a junção empregada para amplificadores lineares
base-coletor está polarizada reversamente. (sem distorção).
Para IE = 0, a corrente de coletor IC deve-

se exclusivamente à corrente de saturação
reversa ICO.
À medida que a corrente de emissor

fica acima de zero, a corrente de coletor
aumenta até um valor essencialmente
igual àquele da corrente de emissor
– Características de Saída: região de corte
Na região de corte, ambas as junções de um Como o nome já diz, a região de corte é
transistor, base-emissor e base-coletor, definida como aquela em que a corrente
estão polarizadas reversamente. de coletor é 0 A.
IE =0 I C = I CO  0
– Características de Saída: região de saturação
Na região de saturação, as junções base- A região de saturação é definida como a
emissor e base-coletor estão polarizadas região das curvas características à
diretamente esquerda de VCB = 0 V.
VCB  0
Observe o aumento exponencial da
corrente de coletor à medida que a
tensão VCB aumenta em direção a 0 V.
• Configuração Base-Comum: Alpha (α)

• Configuração Emissor-Comum
– É configuração utilizada com maior frequência.
– Denomina-se configuração emissor-comum porque o emissor é
comum em relação aos terminais de entrada e saída (nesse
caso, comum aos terminais de coletor e base).
Em ambos casos, temos:

npn pnp
Novamente, dois conjuntos de curvas

características são necessários para
descrever totalmente o comportamento da
configuração emissor-comum: um para o
circuito de entrada, ou base-emissor, e um
para o circuito de saída, ou coletor-emissor
– Características de entrada (base)
• São representadas pelo gráfico de corrente de entrada (IB) versus a
tensão de entrada (VBE) para uma faixa de valores de tensão de
saída (VCE).
Equivalente linear
por partes
– Características de saída (coletor)
• São representadas pelo gráfico da corrente de saída (IC) versus a
tensão de saída (VCE) para uma faixa de valores de corrente de
entrada (IB).
• O valor de IB está em microampères,

comparado aos miliampères de IC.
• A tensão coletor-emissor VCE influencia o

valor da corrente de coletor IC.
– Características de saída (coletor): região ativa
• A região ativa para a configuração emissor-comum é a porção do
quadrante superior direito que tem maior linearidade, isto é, a
região em que as curvas de IB são praticamente retas e estão
igualmente espaçadas.
• Essa região está à direita da linha vertical
tracejada em VCEsat e acima da curva para IB
igual a zero.
• A região ativa da configuração emissor-
comum pode ser utilizada para amplificação
de tensão, corrente ou potência.
Na região ativa de um amplificador emissor-

comum, a junção base-coletor é polarizada
reversamente, enquanto a junção base-emissor
é polarizada diretamente
– Características de saída (coletor): região de saturação e corte
• A região à esquerda de VCEsat é chamada de região de saturação.
– Características de saída (coletor): região de corte
• A região de corte da configuração emissor-
comum não é tão bem definida quanto a
configuração base-comum.
• Observe, nas características de coletor que IC

não é igual a zero quando IB equivale a zero.
• Para a configuração base-comum, quando a

corrente de entrada IE era igual a zero, a
corrente de coletor equivalia apenas à corrente
de saturação reversa ICO, de modo que a curva
IE = 0 e o eixo das tensões eram praticamente
os mesmos.
• A razão para essa diferença nas características

de coletor pode ser justificada pela
manipulação apropriada das equações:
A região de corte para a configuração emissor-comum é definida por IC = ICEO.
• Portanto, a região abaixo de IB = 0 μA deve ser evitada para uma

amplificação linear (sinal de saída não distorcido)
• Quando empregado como chave em um circuito lógico de
computador, o transistor terá dois pontos de operação de
interesse: um na região de corte e outro na região de saturação.
• A condição de corte idealmente deveria ser IC = 0 mA para a
tensão VCE escolhida.
• Visto que o valor de ICEO geralmente é baixo para dispositivos de
silício, haverá corte para finalidade de chaveamento quando IB = 0
μA ou IC = ICEO.
• Configuração Emissor-Comum: Beta (β)

• Configuração Emissor-Comum: Beta (β)

– Exemplo: Determine β através do gráfico para VCE = 7,5 V:
Para o ponto Q, temos:

2,7 mA
βCC = VCE = 7 ,5 V
25 A
= 108
Considerando a variação de IB e IC:
( 3,2 mA − 2,2 mA)

βCA =
( 30 A − 20 A)
1 mA
= V =7 ,5 V
10 A CE
= 100
Apesar de não serem exatamente
iguais, os valores de βCA e βCC
costumam ser bem próximos.
– Relação entre Alpha (α) e Beta (β)
• Se um valor de α ou β for especificado para uma configuração em
particular do transistor, normalmente será utilizado tanto para os
cálculos de CC quanto de CA.
– Relação entre Alpha (α) e Beta (β)
– Região de Ruptura
Tal como no caso da configuração base-

comum, existe uma tensão emissor-coletor
máxima que pode ser aplicada e ainda
permanecer na região ativa estável de operação.
Na Figura ao lado, as curvas características da

foram estendidas para demonstrar o impacto
sobre as características em níveis elevados de
VCE.
Em níveis altos de corrente de base, as

correntes quase ascendem verticalmente,
• Configuração Coletor-Comum
– É utilizada principalmente para o casamento de impedâncias,
pois possui alto valor de impedância de entrada e baixo valor
de impedância de saída, isto é, o oposto daquela encontrada
para as configurações de base-comum e de emissor-comum.
• As curvas características de saída para

npn pnp a configuração coletor-comum são
iguais às curvas características da
configuração emissor-comum.
• Para a configuração coletor-comum, as

curvas características de saída são um
gráfico de IE versus VCE para uma faixa
de valores de IB.
• IE pode ser substituído por IC uma vez

que α ≅ 1.
– Limites de Operação
Para o transistor da Figura ao lado,

ICmáx foi especificado como sendo
de 50 mA, e BVCEO como 20 V.
O valor da VCEsat é normalmente

de cerca de 0,3 V, específico para
esse transistor.
O valor máximo de dissipação

de potência é determinado pela
equação:
Para o dispositivo da Figura ao
• Configuração Coletor-Comum lado, a dissipação de potência de
– Limites de Operação coletor é de 300 mW.
A questão que surge é como traçar

a curva de dissipação de potência
de coletor especificada pelo fato
de que
Em ICmáx
Em qualquer ponto das curvas
características, o produto de VCE
por IC deve ser igual a 300 mW.
Se escolhermos o valor máximo
de 50 mA para IC e o aplicarmos à
relação anterior, obteremos:
Em VCEmáx
• Configuração Coletor-Comum Como resultado, descobrimos que,
– Limites de Operação se IC = 50 mA, então VCE = 6 V na
curva de dissipação de potência,
como indicado na Figura. Se agora
escolhermos o valor máximo de
20 V para VCE, o valor de IC será
Em IC = ½ICmáx
Se agora escolhermos um valor
intermediário de IC, como 25 mA,
e calcularmos o valor resultante
de VCE, obteremos
A região de corte é definida como
aquela abaixo de IC = ICEO.
Essa região também deve ser

evitada para que o sinal de saída
tenha o mínimo de distorção.
Em algumas folhas de dados,

somente ICBO é fornecida.
Deve-se utilizar, então, a equação

ICEO = βICBO para se ter uma ideia
do nível de corte, se as curvas
características não estiverem
disponíveis.
Se as características não estiverem
disponíveis ou não constarem da
folha de dados (o que ocorre
muitas vezes), deve-se
simplesmente assegurar que IC,
VCE e seu produto VCEIC situem-se
nos intervalos mostrados na
seguinte faixa:
• Folha de Dados do Transistor

A informação fornecida na Figura é dada pela Fairchild Semiconductor Corporation.
O 2N4123 é um transistor npn de uso geral com a identificação do encapsulamento e dos
terminais aparecendo no canto superior direito da Figura.
• Observe na lista de valores máximos permitidos que VCEmáx = VCEO = 30 V com ICmáx = 200 mA.
• A dissipação máxima do coletor PCmáx = PD = 625 mW.
• O fator de redução de capacidade designa que o valor máximo de potência dissipada deve ser
reduzido 5 mW a cada 1 °C de aumento na temperatura acima de 25 °C.
• Nas características no estado “desligado”, ICBO é definida como sendo de 50

nA, e, nas características no estado “ligado”, VCEsat = 0,3 V.
• O valor de hFE varia de 50 a 150 para IC = 2 mA e VCE = 1 V e tem um valor

mínimo de 25 para um valor de corrente acima de 50 mA, na mesma tensão.
• Para pequenos sinais, o valor de hfe varia de 50 a 200 para IC = 2 mA e VCE = 10 V.

Nas características de pequenos sinais, o valor de hfe (βCA) é fornecido

juntamente com um gráfico que apresenta sua variação com a corrente
de coletor, como na Figura acima.
• Na Figura é demonstrado o efeito da temperatura e da corrente de coletor no valor de hFE(βCC).

• À 25 °C, hFE(βCC) apresenta um valor máximo de 1 em aproximadamente 8 mA.
• Conforme IC ultrapassa esse valor, hFE cai à metade para IC = 50 mA. Também cai a esse valor
se IC diminuir para 0,15 mA.
• Uma vez que se trata de uma curva normalizada, se empregarmos um transistor com hFE = 50
à 25 °C, o valor máximo para 8 mA é 50. Com IC = 50 mA, obtém-se uma queda de 0,52 e hFE
= (0,52)50 = 26.
• Em outras palavras, a normalização revela que o nível real de hFE em qualquer valor de IC foi
dividido pelo valor máximo de hFE à temperatura ambiente e IC = 8 mA.
• A Figura acima inclui os parâmetros importantes que definem a resposta de um

transistor a uma entrada que alterna do estado “desligado” para o “ligado” e vice-versa.
• Cada parâmetro será discutido em detalhe nos capítulos seguintes.
• Para a maioria das aplicações, os parâmetros mais importantes são hfe e hie.
• Quanto maior a corrente do coletor, maior o valor de hfe e menor o de hie.
• Como já dito, todos os parâmetros serão discutidos em detalhe nos próximos capítulos.
• Teste de Transistores
– Traçador de Curva
Resposta do traçador de curvas ao transistor npn 2N3904.
IC
VCE
• Teste de Transistores Determinaremos βCA em um ponto Q para IC = 7mA e VCE = 5V
– Traçador de Curva
Nessa região da tela, a distância entre as curvas de IB é

9/10 de uma divisão, como indicado na Figura acima.
Utilizando o fator especificado, concluímos que
Ou, utilizando a Equação, temos

– Testadores de Transistor
• Há uma variedade de testadores de transistor disponíveis.
• Alguns simplesmente fazem parte de um medidor digital, como o
mostrado na Figura (a), capaz de medir uma variedade de
grandezas elétricas em um circuito.
• Outros, como ilustra a Figura (b), dedicam-se a testar um número
limitado de elementos.
• Existem situações em que não se tem

acesso ao datasheet de algum transistor.
• Então, pode-se utilizar o multímetro para

descobrir qual pino é o coletor, qual é o
emissor e qual é a base.
• Adicionalmente, após o transistor estar

encaixado corretamente no equipamento,
o valor de de hFE(βCC) será mostrado no
display.
• O medidor da Figura ao lado pode ser usado

para testar transistores, diodos, SCR,
resistores, indutores e capacitores.
• O teste pode ser realizado dentro e fora do
circuito. Em todos os casos, a alimentação
deve ser primeiramente desligada no circuito
em que o elemento aparece para assegurar
que a bateria interna do dispositivo de teste
não seja danificada e para fornecer uma
leitura correta.
• Identifica os pinos do transistor e sua
configuração npn ou pnp.
• Mede o valor de hFE(βCC) e da tensão VBE.
– Ohmímetro
• Um ohmímetro, ou as escalas de resistência de um DMM
(digital multimeter - multímetro digital), pode ser utilizado
para verificar o estado de um transistor.
• Sabe-se que para um transistor na região ativa, a junção base-

emissor tem uma polarização diferente da junção base-coletor.
• A junção polarizada diretamente deve registrar um valor de

resistência mais ou menos baixo e a junção polarizada
reversamente, um valor muito mais alto de resistência.
npn pnp
– Ohmímetro
• Para um transistor npn, a junção polarizada diretamente

(polarizada pela fonte interna do ohmímetro) da base para o
emissor deve ser testada, como mostra a Figura (a), resultando
em uma leitura que geralmente está na faixa entre 100 Ω e
alguns quiloohms.
• A junção base-coletor polarizada reversamente (novamente,
(a) polarizada reversamente pela fonte interna do ohmímetro)
deve ser verificada como mostra a Figura (b), com uma leitura
maior do que 100 kΩ.
• Para um transistor pnp, os terminais devem ser invertidos para
cada junção.
• Obviamente, uma resistência pequena ou grande em ambas as
direções (invertendo-se os terminais) para cada junção de um
transistor npn ou pnp indica um dispositivo defeituoso.
(b)
– Usando o Teste do Diodo: transistor NPN BC-548
– Usando o Teste do Diodo: transistor NPN BC-548
– Identificação de terminais através do encapsulamento
• Resumo de Equações
3.2. Polarização CC
• Introdução
– Para a análise ou o projeto de um amplificador com transistor, é
necessário o conhecimento das respostas CC e CA do sistema.
– Aplicando o teorema da superposição, a análise das condições
CC pode ser totalmente separada da resposta CA.
– Durante a fase de projeto ou síntese, a escolha dos parâmetros
para os valores CC exigidos influenciará a resposta CA.
– Uma vez definidos a corrente CC e os valores de tensão
desejados, um circuito que estabeleça o ponto de operação
escolhido deve ser projetado.
– Cada projeto determinará também a estabilidade do sistema,
isto é, o quanto ele é sensível às variações de temperatura.
• Introdução
– Embora vários circuitos sejam estudados neste capítulo, há certa
semelhança entre a análise de cada configuração devido ao uso
recorrente das seguintes relações básicas importantes de um
transistor:
– Uma vez que a análise dos primeiros circuitos seja claramente

compreendida, o caminho para a solução dos circuitos seguintes
começará a se tornar bem evidente.
• Ponto de Operação
– O termo polarização se refere genericamente à aplicação de
tensões CC em um circuito para estabelecer valores fixos de
corrente e tensão.
– Para amplificadores com transistor, a corrente e a tensão CC
resultantes estabelecem um ponto de operação nas curvas
características que definem a região que será empregada para a
amplificação do sinal empregado.
– Visto que o ponto de operação é fixo na curva, também é
chamado de ponto quiescente (abreviado como ponto Q).
– Por definição, quiescente significa em repouso, imóvel, inativo.
– A Figura abaixo mostra as características de saída para um
dispositivo com quatro pontos de operação indicados (A, B, C e D).
• O circuito de polarização pode ser projetado para estabelecer
a operação do dispositivo em qualquer um desses pontos ou
em outros dentro da região ativa.
• Os valores máximos permitidos para os parâmetros
são indicados na Figura por uma linha horizontal
para a corrente máxima de coletor ICmáx e uma
linha vertical para a tensão máxima entre coletor e
emissor VCEmáx.
• A restrição de potência máxima é definida

na mesma figura pela curva PCmáx
• No extremo inferior do gráfico está

localizada a região de corte,
definida por IB ≤ 0 μA, e a região de
saturação, definida por VCE ≤ VCEsat.
– Ponto A
• Se nenhuma polarização fosse usada, o dispositivo estaria
inicialmente desligado, resultando em um ponto Q em A, isto
é, corrente nula através do dispositivo (e tensão igual a zero).
• Uma vez que é necessário polarizar um dispositivo para

que ele possa responder à faixa completa de um sinal CA
de entrada, o ponto A não seria adequado.
– Ponto B
• Para o ponto B, se um sinal for aplicado ao circuito, a
tensão e a corrente do dispositivo variarão em torno do
ponto de operação, permitindo que o dispositivo
responda tanto à excursão positiva quanto negativa do
sinal de entrada (e possivelmente as amplifique).
• Se o sinal de entrada for adequadamente

escolhido, a tensão e a corrente do dispositivo
sofrerão variação, mas não o suficiente para
levá-lo ao corte ou à saturação.
– Ponto C
• O ponto C permitiria alguma variação positiva e alguma
negativa do sinal de saída, porém, o valor de pico a pico
seria limitado pela proximidade com VCE = 0 V e IC = 0 mA.
• Operar no ponto C também suscita preocupação quanto às
não linearidades geradas pelo fato de o espaçamento entre
as curvas de IB nessa região se modificar rapidamente.
• De modo geral, é preferível operar onde o ganho do
dispositivo é razoavelmente constante (ou linear)
para garantir que a amplificação em toda a excursão
do sinal de entrada seja a mesma.
O ponto B está em uma região de

espaçamento mais linear e, portanto, de
operação mais linear, como mostra a Figura.
– Ponto D
• O ponto D coloca o ponto de operação do dispositivo próximo
dos valores máximos de tensão e potência.
• Logo, a excursão da tensão de saída no sentido positivo

será limitada caso a tensão máxima não deva ser excedida.
• Por conseguinte, o ponto B parece ser o

melhor ponto de operação em termos de
ganho linear e maior excursão possível
para tensão e corrente de saída.
• Essa costuma ser a condição desejada
para amplificadores de pequenos sinais.
– Efeito da Temperatura
• Após a seleção e a polarização do TBJ em um ponto de operação
desejado, o efeito da temperatura deve ser levado em conta.
• A temperatura acarreta mudanças em parâmetros do dispositivo,
como o ganho de corrente do transistor (βCA) e a corrente de fuga
do transistor (ICEO).
• Temperaturas mais elevadas resultam em correntes de fuga
maiores, modificando as condições de operação estabelecidas
pelo circuito de polarização.
• O resultado é que o projeto do circuito deve prever também uma
estabilidade à temperatura para que as variações não acarretem
mudanças consideráveis no ponto de operação.
• A manutenção do ponto de operação pode ser especificada por
um fator de estabilidade, S, que indica o grau de mudança do
ponto de operação decorrente da variação de temperatura.
• Circuito de Polarização Fixa

– É a configuração mais simples de polarização CC do transistor.
• Apesar de o circuito empregar um transistor npn, as equações
e os cálculos se aplicam igualmente bem a uma configuração
com transistor pnp, bastando para isso que invertamos os
sentidos de correntes e polaridades das tensões.
• Para a análise CC, o circuito pode ser isolado dos valores CA

indicados pela substituição dos capacitores por um circuito
aberto equivalente porque a reatância de um capacitor é uma
função da frequência aplicada.
• Para CC, f = 0 Hz e XC = 1/2πfC = 1/2π(0)C = ∞Ω.
• Além disso, a fonte VCC pode ser separada em duas fontes

(apenas para efeito de análise), como mostra a Figura, para
permitir uma separação dos circuitos de entrada e saída.
• A separação é certamente válida, pois podemos observar que
VCC está conectada diretamente a RB e RC.
Equivalente CC

– Malha base-emissor
• Analise primeiramente a malha base-emissor.
• Ao aplicarmos a Lei das Tensões de Kirchhoff no sentido
horário da malha, obtemos
• Resolver a equação para a corrente IB resulta no seguinte:
Como a tensão VCC da fonte e a tensão VBE entre a base e o

emissor são constantes, a escolha de um resistor de base, RB,
ajusta o valor da corrente de base para o ponto de operação.
Malha Base-Emissor

– Malha coletor-emissor
• O valor da corrente do coletor está diretamente
relacionado com IB através de
• Aplicando a Lei das Tensões de Kirchhoff no sentido

horário ao longo da malha indicada na Figura, obtemos
• É interessante observar que, como a corrente de base é

controlada pelo valor de RB e IC está relacionada com IB por
uma constante β, o valor de IC não é função da resistência RC.
• Modificar o valor de RC não afetará IB ou IC, desde que o

dispositivo seja mantido na região ativa.
• No entanto, o valor de RC determinará o valor de VCE, que é

Malha Coletor-Emissor um importante parâmetro.

Malha Coletor-Emissor


– Saturação do Transistor
• Para um transistor que opera na região de saturação, a corrente
apresenta um valor máximo para um projeto específico.
• Modificando-se o projeto, o nível correspondente de saturação
pode aumentar ou diminuir.
• Obviamente, o nível mais alto de saturação é definido pela
corrente máxima de coletor fornecida pela folha de dados.
• As condições para saturação são geralmente evitadas porque a
junção base-coletor não está mais polarizada reversamente, e o
sinal amplificado na saída estará distorcido.

Real
• Um ponto de operação na região de saturação é
representado na Figura ao lado.
• Observe que ele se encontra em uma região em que as
curvas características se agrupam, e a tensão coletor- Real
emissor tem um valor menor ou igual a VCEsat
Aproximado
• Para determinar a corrente de coletor máxima
aproximada (valor de saturação) para um projeto em
particular, basta inserir um curto-circuito equivalente
entre o coletor e o emissor do transistor e calcular a
corrente de coletor resultante.
• Em suma, estabeleça VCE = 0 V.
Aproximada

• Para a configuração com polarização fixa, o curto-circuito foi
aplicado, fazendo com que a tensão através de RC fosse a tensão
aplicada VCC.
• A corrente de saturação reversa resultante para a configuração de
polarização fixa é
Uma vez que ICsat é conhecida, temos uma ideia

da máxima corrente de coletor possível para o
projeto escolhido, e o valor deverá ficar abaixo
deste se desejarmos amplificação linear.


– Análise por Reta de Carga
• As curvas características do TBJ são
sobrepostas a um gráfico da equação de
circuito definida pelos parâmetros do circuito.
• O resistor de carga RC para a configuração de

polarização fixa determinará a inclinação da equação de
circuito e a interseção resultante entre os dois gráficos.
• Quanto menor a resistência da carga, mais acentuada a

inclinação da reta de carga do circuito.

O circuito estabelece a equação de saída que relaciona
as variáveis IC e VCE da seguinte maneira:
O método mais direto de traçar a Equação 4.12

sobre as curvas características de saída consiste em
utilizar o fato de que uma reta é determinada por
dois pontos:
• Se estabelecermos que IC é igual a 0 mA:
• Se estabelecermos que VCE é igual a 0 V:


Ligando os dois pontos definidos pelas equações

4.13 e 4.14, podemos desenhar a linha reta
estabelecida pela Equação 4.12.
A linha resultante no gráfico da Figura é chamada de

reta de carga, uma vez que é definida pelo resistor de
carga RC.
Ao solucionarmos o valor resultante de IB, o ponto Q

real pode ser estabelecido como indicado na Figura.

Se o valor de IB for modificado pela

variação do valor de RB, o ponto Q se
move sobre a reta de carga, como mostra a
Figura 4.13, para valores crescentes de IB.

Se VCC e IB forem mantidos fixos e RC

aumentado, a reta de carga se deslocará
como ilustrado na Figura 4.14.

Se RC e IB forem mantidos fixos e VCC

diminuir, a reta de carga se deslocará como
mostra a Figura 4.15.

• Configuração de Polarização do Emissor
• Contém um resistor de emissor para melhorar o nível de

estabilidade da configuração com polarização fixa.
• Quanto mais estável for uma configuração, menos sua

resposta ficará sujeita a alterações indesejáveis de
temperatura e variações de parâmetros.
• A melhoria da estabilidade será demonstrada mais adiante

nesta seção com um exemplo numérico.
Equivalente CC

• A aplicação da Lei das Tensões de Kirchhoff para tensões ao longo
da malha indicada, no sentido horário, resulta na equação:
• Lembre-se de que IE pode ser obtido por:
Malha Base-Emissor

Observe que a única diferença entre essa equação

para IB e aquela obtida para a configuração com
polarização fixa é o termo (β +1)RE.
Malha Base-Emissor

• Observe que, independentemente da tensão base-emissor
VBE, o resistor RE é refletido de volta para o circuito de
entrada por um fator (β +1).
• Em outras palavras, o resistor do emissor, que é parte da

malha coletor-emissor, “aparece como” (β +1)RE na
malha base-emissor.
• Visto que β é geralmente 50 ou mais, o resistor do

emissor aparenta ser muito maior no circuito de entrada.
• De modo geral, portanto, temos que:
Malha Base-Emissor

• A aplicação da Lei das Tensões de Kirchhoff para tensões ao longo
da malha indicada, no sentido horário, resulta na equação:
Malha
Coletor-Emissor

Malha
Coletor-Emissor



– Melhoria na estabilidade
• A adição do resistor de emissor ao circuito de polarização CC

do TBJ acarreta uma melhoria na estabilidade, isto é, as
correntes e tensões CC permanecem próximas aos valores
estabelecidos pelo circuito quando modificações nas condições
externas, como temperatura e beta do transistor, ocorrem.
• Uma comparação da melhoria atingida pode ser obtida como

mostra o Exemplo 4.5.

– Melhoria na Estabilidade

– Melhoria na Estabilidade

– Nível de Saturação
• O nível de saturação do coletor ou a corrente de coletor máxima

em um projeto de polarização podem ser determinados
utilizando-se o mesmo método aplicado à configuração com
polarização fixa: estabeleça um curto-circuito entre os terminais
de coletor e emissor (VCE = 0), como mostra a Figura ao lado, e
calcule a corrente do coletor resultante.
• Assim, temos:
• A inclusão do resistor do emissor leva o nível de saturação do

coletor para um valor abaixo do obtido com uma configuração
com polarização fixa utilizando o mesmo resistor de coletor.

– Nível de Saturação



• Configuração de Polarização por Divisor de Tensão
• Nas configurações de polarização anteriores, a corrente

ICQ e a tensão VCEQ de polarização eram uma função do
ganho de corrente β do transistor.
• No entanto, como β é sensível à temperatura,

principalmente em transistores de silício, e o valor exato
de beta geralmente não é bem definido, seria desejável
desenvolver um circuito de polarização menos
dependente, ou, na verdade, independente do beta do
transistor.
• A configuração de polarização por divisor de tensão da
Equivalente CC
Figura ao lado é um circuito como esse.

• Se analisado precisamente, observa-se que a sensibilidade
às variações de beta é bem pequena.

Equivalente CC
• Se os parâmetros do circuito forem escolhidos

apropriadamente, os níveis resultantes de ICQ e VCEQ
poderão ser quase totalmente independentes de beta.
• O valor de IBQ será modificado com a variação de beta,

mas o ponto de operação nas curvas características
definido por ICQ e VCEQ poderá permanecer fixo, se forem
empregados os parâmetros apropriados do circuito.
• A razão para a escolha dos nomes para essa configuração
se tornará óbvia na análise a seguir.

Equivalente CC
• A seção de entrada do circuito pode ser redesenhada como

mostra a Figura 4.31, para análise CC.
• O circuito equivalente de Thévenin para o circuito à
esquerda do terminal da base pode ser determinado do
seguinte modo:

Equivalente CC

Equivalente CC


– Análise Aproximada
• A seção de entrada da configuração com divisor de tensão
Equivalente CC
pode ser representada pelo circuito da Figura 4.36.

• A resistência Ri é a resistência equivalente entre a base e o
terra para o transistor com um resistor de emissor RE.
• Conforme visto anteriormente, a resistência refletida entre
a base e o emissor é definida por Ri = (β + 1)RE.
• Se Ri for muito maior do que a resistência R2, a corrente
IB será muito menor do que I2 (a corrente sempre procura
o caminho de menor resistência), e I2 será
aproximadamente igual a I1.
• Se aceitarmos a possibilidade de que IB é praticamente
zero em relação a I1 ou I2, então I1= I2, e R1 e R2 podem
ser considerados elementos em série.

• A tensão através de R2, que é, na verdade, a tensão de
Equivalente CC
base, pode ser determinada por meio da aplicação da regra

do divisor de tensão (daí o nome para a configuração).

Equivalente CC



Em resumo, portanto, a alteração de 50% de beta

resultou em uma alteração superior a 300% em
um parâmetro importante do circuito na
configuração de polarização fixa e inferior a 3%
na configuração com divisor de tensão, uma
diferença significativa.



3.3. Projeto da Polarização CC
• Introdução
– Até aqui as discussões se concentraram em circuitos
previamente estabelecidos.
– Todos os elementos estavam em ordem e tratávamos apenas de
descobrir os valores de tensão e corrente da configuração.
– Em um projeto, a corrente e/ou a tensão devem ser
especificadas, e os elementos necessários para estabelecer os
valores designados devem ser determinados.
– Uma vez estabelecidos os valores teóricos dos resistores, serão
adotados os valores comerciais mais próximos, e quaisquer
variações decorrentes da não utilização de valores exatos serão
aceitas como parte do projeto.
3.3. Projeto de Polarização CC
3.3. Projeto da Polarização CC
• Projeto Completo
– A discussão a seguir introduzirá uma técnica para o projeto de um
circuito completo que opera polarizado em um ponto específico.
– É comum que a folha de dados do fabricante forneça informações
sobre um ponto de operação sugerido (ou região de operação)
para determinado transistor.
– Na prática, talvez seja necessário levar em conta outros fatores que
podem afetar a escolha do ponto de operação desejado.
– Por exemplo, o resistor do emissor RE não pode ser demasiado
grande porque a queda de tensão sobre ele limita a faixa de
excursão da tensão do coletor para o emissor VCE.
– Assim, uma solução muito utilizada é assumir que a tensão do
emissor para o terra costuma girar em torno de um décimo da
1
tensão da fonte: 𝑉𝐸 = 𝑉𝐶𝐶
10
Esse fato e a equação do divisor de tensão fornecem

as duas relações necessárias para determinarmos os
resistores de base. Isto é,
Para que o circuito opere eficientemente, presume-

se que as correntes através de R1 e R2 devam ser
aproximadamente iguais e muito maiores do que a
corrente de base (no mínimo 10:1).

3 - Transistores

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Eletrônica Analógica

Prof. FABRICIO BATISTA

– Os terminais são denominados: E → Emissor

Uma junção p-n de um transistor é polarizada reversamente,

semelhante a um diodo semelhante a um diodo

• a corrente de coletor possui dois componentes: os portadores

• Para os transistores de uso geral, IC é medida em miliampères,

• ICO, assim como Is para um diodo polarizado reversamente, é

pnp npn Em ambos casos, temos:

Observe também que as polarizações

Na verdade, valores crescentes de VCB têm um efeito

Se for aplicado o método de linearização da curva, o

O conjunto de características de saída ou

Para IE = 0, a corrente de coletor IC deve-

À medida que a corrente de emissor

• Configuração Base-Comum: Alpha (α)

Em ambos casos, temos:

Novamente, dois conjuntos de curvas

• O valor de IB está em microampères,

• A tensão coletor-emissor VCE influencia o

Na região ativa de um amplificador emissor-

• Observe, nas características de coletor que IC

• Para a configuração base-comum, quando a

• A razão para essa diferença nas características

• Portanto, a região abaixo de IB = 0 μA deve ser evitada para uma

• Configuração Emissor-Comum: Beta (β)

• Configuração Emissor-Comum: Beta (β)

Para o ponto Q, temos:

( 3,2 mA − 2,2 mA)

Tal como no caso da configuração base-

Na Figura ao lado, as curvas características da

Em níveis altos de corrente de base, as

• As curvas características de saída para

• Para a configuração coletor-comum, as

• IE pode ser substituído por IC uma vez

Para o transistor da Figura ao lado,

O valor da VCEsat é normalmente

O valor máximo de dissipação

A questão que surge é como traçar

Essa região também deve ser

Em algumas folhas de dados,

Deve-se utilizar, então, a equação

• Folha de Dados do Transistor

• Folha de Dados do Transistor

• Nas características no estado “desligado”, ICBO é definida como sendo de 50

• O valor de hFE varia de 50 a 150 para IC = 2 mA e VCE = 1 V e tem um valor

• Folha de Dados do Transistor

• Para pequenos sinais, o valor de hfe varia de 50 a 200 para IC = 2 mA e VCE = 10 V.

• Folha de Dados do Transistor

Nas características de pequenos sinais, o valor de hfe (βCA) é fornecido

• Folha de Dados do Transistor

• Na Figura é demonstrado o efeito da temperatura e da corrente de coletor no valor de hFE(βCC).

• Folha de Dados do Transistor

• A Figura acima inclui os parâmetros importantes que definem a resposta de um

• Folha de Dados do Transistor

• Teste de Transistores Determinaremos βCA em um ponto Q para IC = 7mA e VCE = 5V

Nessa região da tela, a distância entre as curvas de IB é

Ou, utilizando a Equação, temos

• Existem situações em que não se tem

• Então, pode-se utilizar o multímetro para

• Adicionalmente, após o transistor estar

• O medidor da Figura ao lado pode ser usado

• Sabe-se que para um transistor na região ativa, a junção base-