TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO

Transistores e introdução ao TBJ

DCE 14 Antônio Padilha L. Bo

 TEMA DA AULA

• Transistores
– O que é um transistor?
– Histórico
– Aplicações
– Tipos
• Transistores Bipolares de Junção (TBJ)
– Estrutura
– Regiões de operação
– Princípio de funcionamento em modo ativo
– Um modelo simples para um TBJ em modo ativo
– Exemplo de circuito

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 TRANSISTORES

• O que é um transistor?
– Dispositivo eletrônico em que uma pequena
corrente elétrica é usada para controlar uma
corrente maior em outros dois terminais
– Funções básicas
• Amplificador
• Chave
• História
– 1947: dispositivo em que uma pequena corrente
sobre uma junção PN poderia controlar a
corrente sobre um outro eletrodo. Foi o primeiro
transistor (TRANSfer resISTOR)
• Foi a invenção que permitiu a “era do
conhecimento”
– 1958: um dos primeiros circuitos integrados

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 TRANSISTORES

• Aplicações
– É o componente fundamental de uma fonte controlada, que é o elemento básico
da eletrônica analógica
– É o componente fundamental de uma chave lógica, que é o elemento básico da
eletrônica digital
• Tipos principais
– Transistores Bipolares de Junção (TBJ) e Transistores de Efeito de Campo MOS
(MOSFET)
– MOSFETs são os dispositivos mais utilizados atualmente
– MOSFET Vs. TBJ
• TBJ é um dispositivo bipolar, enquanto o MOSFET é unipolar
• O MOSFET fornece maior impedância de entrada e propicia menor
consumo de energia
• O TBJ é mais indicado para operações em alta frequência e quando altas
correntes estão envolvidas. Além disso, é muitas vezes preferido quando
são utilizados componentes discretos, tendo em vista a grande quantidade
de componentes disponíveis

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 TRANSISTORES

• Mas então por que estudar o TBJ?

– Você precisará frequentemente entender as propriedades de entrada e saída do
circuito para conectá-los a outros circuitos
– O TBJ é um ótimo recurso para interface entre CIs e outros circuitos que você
projetará
– Muitas vezes o CI que você necessita simplesmente não existe. Nesse caso,
você deverá projetar o circuito a partir de transistores discretos
– Talvez seja você quem vai projetar tais CIs

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• Estrutura
– É um dispositivo semicondutor de 3 terminais composto por 2 junções PN
– As 3 regiões que o compõem são chamadas de emissor, base e coletor
– Diferentes níveis de dopagem são aplicados nessas regiões

NPN

PNP
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• Estrutura
– Analisando as duas junções PN isoladamente, JEB e JCB, cada uma delas
representa um diodo de junção PN
– Vale lembrar nesse momento que um diodo comum possui 3 regiões distintas de
operação
• Condução: polarização direta
• Corte: polarização reversa
• Ruptura: polarização reversa
– Entre essas 3 regiões de operação, em geral transistores não são projetados
para operar na região de ruptura

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• Regiões de operação
– Ao controlar as tensões nos terminais de um TBJ, podem ser definidas 4 regiões
distintas de operação
• Ativo: transistor utilizado como amplificador
• Corte e saturação: transistor utilizado como chave
• Ativo reverso: pouca aplicação prática
– A tabela abaixo relaciona as áreas às tensões observadas nos terminais do TBJ

Modo JEB JCB Tensão aplicada (npn)

Corte Reversa Reversa VE > V B < V C
Ativo Direta Reversa VE < V B < V C
Ativo reverso Reversa Direta VE > V B > V C
Saturação Direta Direta VE < V B > V C

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• Princípio de funcionamento em modo ativo

– Aqui utilizamos um dispositivo npn
• A operação de um transistor pnp é semelhante. As diferenças são os papéis
dos elétrons e lacunas, as polaridades das tensões de polarização e os
sentidos das correntes.

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• Princípio de funcionamento em modo ativo

– Analisando calmamente..
(1) Como a junção JEB está diretamente polarizada, a região de depleção
diminui e a junção conduz
(2) Entretanto, devido às diferenças de dopagem e construção, apenas parte
dos elétrons provenientes do emissor se combinam com lacunas na base
(3) Esses poucos elétrons que se combinam na base formam a corrente que
flui pelo terminal da base, IB
(4) A maior parte dos elétrons provenientes do emissor acaba por ultrapassar
a JCB, devido à energia acumulada pela polarização de JEB e pela
distribuição dos elétrons na base. Assim, como o nome indica, o coletor
coleta os elétrons enviados pelo emissor.
(5) Ao atingir o coletor, os elétrons são atraídos pelo campo elétrico produzido
pela polarização reversa da JCB
(6) Esses elétrons formam a corrente do coletor, IC, que é bem maior que IB
(7) A base atua como região de controle do fluxo de portadores de carga do
emissor para o coletor

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• Modelo simples para um TBJ em modo ativo

– Considerando que JEB está diretamente polarizada e que JCB está
reversamente polarizada, podemos assumir o seguinte modelo simplificado
• O ganho de corrente de emissor comum, β, cujo valor normalmente varia
entre 20-200, é dado por

• A corrente do emissor, IE, é dada por

• Assim, define,se também

• em que

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• Exemplo de circuito: TBJ como chave

– Nesse circuito, a ideia é usar uma pequena
corrente para controlar uma corrente maior em
outro circuito
– Quando a chave estiver aberta, não há corrente
na base, então não há corrente no coletor
– Quando a chave estiver fechada, JEB conduz,
provocando a condução na polarização reversa
em JCB

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• Exemplo de circuito: TBJ como chave

– Com a chave fechada, a tensão na base sobe
para 0.7 V, devido a polarização direta de JEB
– Nesse cenário a queda de tensão no resistor
seria de 9.3 V, então IB = 9.3 mA
– Assim, considerando β = 100, IC = 930 mA

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• Exemplo de circuito: TBJ como chave

– Essa avaliação, entretanto, está errada.. Por
quê?
– Com uma tensão de 10 V, a corrente pela
lâmpada é de 100 mA
– Assim, para obter uma corrente maior, a tensão
no coletor deveria estar abaixo de zero
– Como isso não é possível, o transistor está em
saturação, ou seja, ambas junções estão
polarizadas diretamente

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• Algumas considerações sobre circuitos com TBJ

– Um circuito cujo desempenho depende de β não é um bom circuito
– Deve-se ter sempre cuidado com a tensão entre a base e o emissor, VBE, caso
contrário correntes muito elevadas vão fluir na base
– A corrente no coletor não é proveniente de um diodo polarizado diretamente, e
assim um aumento da tensão entre o coletor e a base não provoca aumento
considerável na corrente

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• Algumas considerações sobre circuitos com TBJ

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