Eletrônica de Potência II

Eng. Eletrônica e de Telecomunicação

Prof. Francisco Garcia
Unidade 2 – Características dos transistores de potência
2.1 – Transistor bipolar de junção (BJT)
Os dispositivos de chaveamento usados em eletrônica de potência são:
• Tiristores (SCR)
• Transistores de potência
Os tiristores apresentam características que não recomendam a sua utilização como interruptores
estáticos em em inversores e choppers trabalhando em frequência alta.
Dessa forma, são utilizados os transistores de potência, que podem ser:
• Transistor bipolar de junção
Bipolar junction transistor (BJT)
• Transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor
Metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET)
• Transistor bipolar de porta isolada
Insulated gate bipolar transistor (IGBT)
Os materiais usados para a fabricação dos
transistores são:
• Silício (Si) III IV V
• É o material mais usado
atualmente
• Carbeto de silício (SiC) (IV / IV)
• Apresenta como características
favoráveis baixas perdas e
possibilidade de suportar
tensões elevadas
• Arsenieto de Gálio (GaAs) (III / V)
• Utilizado principalmente em
rádio frequência (RF)
• Nitreto de Gálio (GaN) (III / V)
• Material novo, com poucos tipos
disponíveis no mercado.
Transistores bipolares de junção
BJT
Transistores bipolares de junção - BJT

Durante muito tempo o transistor bipolar foi o único transistor de potência disponível, tendo sido
fabricados BJTs para suportar até 1400V e 600A, aproximadamente.
Com o surgimento dos transistores MOSFET de potência e IGBT, seu uso em conversores estáticos
vem se reduzindo gradativamente.
Hoje os transistores bipolares somente competem com os MOSFETs em aplicações de baixa
potência e tensões acima de 400 ou 500V, devido ao seu menor custo.
Transistores bipolares de junção - BJT
O BJT é um dispositivo de três camadas controlado por corrente. A corrente de base é utilizada
para variar a corrente de coletor, que é a corrente principal (corrente de carga).
Existem dois tipos de BJTs:

NPN PNP
Coletor Coletor

n C p C
Base p B Base n B
n p
E E

Emissor Emissor

Devido à maior mobilidade dos elétrons (majoritários na camada n), os BJTs do tipo NPN são mais
rápidos (menores tempo de comutação) e, por isso, são os mais utilizados.
BJT NPN
Uma representação mais realista da As características elétricas de um transistor
construção de um BJT é mostrada abaixo: dependem de como a pastilha de silício é
construída (dopagens das camadas e
dimensões)
Base Emissor

Metalização
para contato
n+
p
n-
Transistor para 450V
n+

Coletor
BJT NPN
Uma representação mais realista da As características elétricas de um transistor
construção de um BJT é mostrada abaixo: dependem de como a pastilha de silício é
construída (dopagens das camadas e
dimensões)
Base Emissor

Metalização
para contato
n+
p
n-
Transistor para 850V
n+

Coletor
BJT NPN
Uma representação mais realista da As características elétricas de um transistor
construção de um BJT é mostrada abaixo: dependem de como a pastilha de silício é
construída (dopagens das camadas e
dimensões)
Base Emissor

Metalização
para contato
n+
p

n-
n+ Transistor para 1500V

Coletor
Nos transistores bipolares de potência, o As características térmicas do transistor e,
coletor muitas vezes é soldado na parte portanto, a capacidade de dissipar potência,
metálica do encapsulamento, sendo o dependem basicamente das dimensões da
emissor e a base ligados através de fios pastilha (chip) e do tipo de encapsulamento:
 Para melhorar a transferência de calor para o
ambiente, dessa forma aumentando a
capacidade de dissipação de potência, o
transistor pode ser termicamente conectado
a um dissipador de calor:
A eficiência de um dissipador de calor pode
ser aumentada com o uso de ventilação
forçada, ao invés de usar simplesmente a
convecção natural:

Convecção é um processo de transmissão de calor onde o ar, quando aquecido, torna-se menos denso, deslocando-
se naturalmente para cima e dando lugar a entrada de um ar mais frio na parte de baixo do dissipador.
Para melhor aproveitamento desse processo, as aletas do dissipador devem ficar no sentido vertical.
BJT NPN - Curvas características:

iB iC
IB = IB4 IB4 > IB3> IB2 > IB1

IB = IB3

Região de Região ativa IB = IB2

saturação
IB = IB1
Ruptura
IB = 0
0 0,5V 1V vBE Região de corte vCE

Curva de entrada Curva de saída

BJT NPN
O BJT somente é capaz de bloquear tensões
Saturação
positivas e somente pode conduzir correntes
positivas. A aplicação de uma tensão VCE Reta de carga
negativa leva à destruição do componente. iC
IB = IB4
Nos conversores estáticos, o transistor é
usado como chave. Assim, ele trabalha ou na IB = IB3
região de corte (chave desligada) ou na
região de saturação (chave ligada). VCC/RC IB = IB2

A queda de tensão direta no estado de IB = IB1

condução vCE(sat) é, tipicamente de 0,2V a 3V.
IB = 0
Para garantir a saturação, a corrente de base
VCC vCE
deve ser suficientemente grande. VCEsat
Normalmente, nessa condição, o transistor é
polarizado com um excesso de corrente de
base, maior do que seria necessária para Corte
uma operação linear.
BJT e ligação darlington
A corrente mínima de base para a saturação
depende da corrente de coletor a ser
conduzida, de acordo com a relação:
IC
IB 
hFE
onde hFE é o ganho de corrente CC do BJT. A
corrente de base deve ser mantida
continuamente para que o dispositivo
mantenha seu estado de condução. Um dos
maiores problemas do BJT de potência é que
o hFE é baixo, tipicamente de 3 a 10 nos BJTs
de maior potência, o faz com que os
circuitos de acionamento de base tenham
que fornecer correntes consideráveis,
elevando o custo e a potência dissipada do
sistema.
Por isso, às vezes é utilizada a conexão
“darlington" onde o hFE total é aumentado às
custas de uma menor velocidade de
desligamento e de uma maior queda de
tensão direta vCE(sat). Os transistores
darlington que são construídos num único
cristal semicondutor são chamados
"darlingtons monolíticos".
C
B
E
O diodo mostrado na figura é normalmente
utilizado para permitir a circulação da
corrente negativa na junção base-emissor do
transistor principal durante o desligamento.
BJT e ligação darlington
A corrente mínima de base para a saturação
depende da corrente de coletor a ser
conduzida, de acordo com a relação:
IC
IB 
hFE
onde hFE é o ganho de corrente CC do BJT. A
corrente de base deve ser mantida
continuamente para que o dispositivo
mantenha seu estado de condução. Um dos
maiores problemas do BJT de potência é que
o hFE é baixo, tipicamente de 3 a 10 nos BJTs
de maior potência, o faz com que os
circuitos de acionamento de base tenham
que fornecer correntes consideráveis,
elevando o custo e a potência dissipada do
sistema.
Por isso, às vezes é utilizada a conexão
“darlington" onde o hFE total é aumentado às
custas de uma menor velocidade de
desligamento e de uma maior queda de
tensão direta vCE(sat). Os transistores
darlington que são construídos num único
cristal semicondutor são chamados
"darlingtons monolíticos".
C
B
E
O diodo mostrado na figura é normalmente
utilizado para permitir a circulação da
corrente negativa na junção base-emissor do
transistor principal durante o desligamento.
BJT NPN
O desligamento do BJT é realizado forçando-se uma vB
corrente negativa na base (através da aplicação de
tensão negativa). VB1

A corrente negativa na base é essencial para garantir t

um desligamento rápido. Se a corrente de base fosse
apenas anulada, o tempo de desligamento seria
VB2
excessivamente elevado. Além disso, mantendo
tensão negativa na junção base–emissor, a
iB
capacidade de bloqueio de tensão coletor–emissor é
aumentada.
IB1
Entretanto, uma corrente negativa excessiva pode
provocar o aparecimento de uma "cauda" na forma t
de onda da corrente no processo de desligamento, o IB2
que eleva consideravelmente as perdas por
chaveamento.
BJT - Ligação em paralelo – efeito da temperatura
iC C
Quando é necessária uma corrente de trabalho maior
que um transistor pode suportar, é usual a conexão de B
transistores em paralelo. Assim, cada transistor conduz
uma fração da corrente total.
vBE
E

iC
100C 25C

A curva iC versus vBE de um transistor bipolar é

dependente da temperatura, de tal maneira que, para
IC(100C)
uma tensão vBE constante, quanto maior a
temperatura, maior a corrente de coletor.
IC(25C)

0 0,5V 1V vBE
BJT - Ligação em paralelo – efeito da temperatura
Em uma ligação de transistores em paralelo como a C
mostrada na página anterior, todos os transistores tem a
mesma vBE. Se, por algum motivo, algum transistor estiver
B
mais quente do que os outros, sua corrente de coletor será
maior. Isso fará com que a potência dissipada nesse
transistor seja maior, levando a um aumento de sua
temperatura. Essa elevação de temperatura fará o
transistor aumentar mais ainda sua corrente, o que fará
aumentar sua temperatura, e assim por diante, em um E
ciclo vicioso que poderá fazer com que o transistor conduza
uma corrente muito maior do que os demais, podendo
levar a sua destruição.
Uma regra prática para determinar
Uma forma de prevenir esse efeito é usar resistores de o valor dos resistores de emissor é
equalização de corrente no emissor de cada transistor. Se fazer com que a queda de tensão
um transistor tender a conduzir mais do que os outros, a neles seja aproximadamente
500mV com a corrente máxima
queda de tensão no resistor de emissor aumenta, fazendo
esperada em cada transistor
diminuir a vBE do transistor, forçando a corrente a diminuir.
BJT - SOA
As curvas de operação segura (SOA – safe
operating area) de um transistor indicam os
limites IC x VCE que devem ser observados
para um funcionamento confiável, isto é, o
transistor não deve ser submetido a
condições de IC e VCE que extrapolem o limite
imposto pelas curvas SOA.
Para transistores bipolares normalmente são
especificadas duas SOAs: a FBSOA – forward
bias SOA ou área de operação segura no
ligamento, e a RBSOA – reverse bias SOA, ou
área de operação segura no desligamento.
As especificações de operação segura vêm
em forma de um gráfico IC x VCE contendo
diversas curvas, cada uma válida para dada
duração do pulso
BJT – SOA Corrente Potência
máxima máxima Segunda
A região de operação segura dos BJTs é ruptura
(15A) (150W)
limitada pelas curvas de corrente máxima de
coletor, potência máxima dissipada, tensão
de ruptura e ruptura secundária - (second
breakdown), que é inferior ao valor da
tensão de ruptura primária.
O fenômeno de segunda ruptura é típico dos
BJTs, e ocorre devido a pontos
sobreaquecidos causados pelo rápido
crescimento da corrente de coletor sob
condições de elevadas tensões, e esses
pontos causam a falha do dispositivo.

Tensão
máxima
(220V)
BJT
Para fins ilustrativos a tabela abaixo traz os dados de alguns transistores de potência:

Tipo Código VCEV /VCEX IC hFE VCE(sat) ts tf

NPN BUV48A 1000V 15A 8 (min) 1,5V 3s 0,13s

NPN BUL45F 700V 5A 14 - 34 0.25V 1,7s 0,15s
NPN Darlington MJ10023 600V 40A 60 - 600 2,2V 2,5s 1,1s

Obs. 1) O valor de VCE(sat) depende da corrente IC

Obs. 2) Os valores de ts e tf dependem do tipo de carga (R ou RL) e da corrente de base aplicada.
Fim