Dispositivos e Circuitos

Eletrônicos
Eletrônica I

José Hissa Ferreira

CEFET–MG

1º/2011

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Conteúdo

1 O Transistor BJT

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Conteúdo

1 O Transistor BJT

2 O Transistor MOSFET

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Conteúdo

1 O Transistor BJT

2 O Transistor MOSFET

3 Análise de Pequenos Sinais: BJT & MOSFET

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Conteúdo

1 O Transistor BJT

2 O Transistor MOSFET

3 Análise de Pequenos Sinais: BJT & MOSFET

4 Exemplos

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Conteúdo

1 O Transistor BJT

2 O Transistor MOSFET

3 Análise de Pequenos Sinais: BJT & MOSFET

4 Exemplos

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Uma Breve História
1947 A invenção do transistor de ponto de contato Bardeen e
Brattain.

1949 Invenção do transistor do tipo sandwich por Shockley.

1951 Patente concedida a Schockley, Brattain e Bardeen.

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Documento da Patente do BJT

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Estrutura e Operação

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Configurações e Modos de Operação
O Transistor Bipolar é um dispositivo de 3 terminais,
denominados de Coletor(C), Base(B) e Emissor(E):

Terminal Comum Denominação

Base Base-Comum
Emissor Emissor-Comum
Coletor Coletor-Comum

Que pode operar em 3 modos distintos:

Região Junção BE Junção BC

Corte Reversa Reversa
Ativa Direta Reversa
Saturação Direta Direta

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Operação na Região Ativa

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Operação na Região Ativa (cont.)
A operação do transistor é conceitualmente simples:
• Os elétrons emitidos no emissor, que formam a corrente
de emissor, são atraídos pelo potencial positivo que
polariza diretamente a junção BE, cruzando essa junção
em direção à base.
• Alguns elétrons que chegam à base se recombinam com
as lacunas da base, formando a corrente de base. Como a
base é estreita, os elétrons são atraídos pelo forte campo
elétrico causado pela tensão que polariza reversamente a
junção BC, cruzando essa junção em direção ao coletor.
• Os elétrons, emitidos pelo emissor, são coletados no
coletor, formando a corrente de coletor.

iC = αiE , onde α < 1

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Operação na Região Ativa (cont.)
Devido à superfície gaussiana em torno do transistor,

iE = I C + I B .

Logo,

iC + iB = iE
i
iC + iB = C
α
iC
iB = − iC
α
1−α
iB = i
α C
Chamando
α
β= ,
1−α
iC = βiB .
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Operação na Região Ativa (cont.)
Também,
β
α=
β+1
O termo α é denominado ganho de corrente em base comum,
enquanto o termo β é denominado de ganho de corrente em
emissor comum. Ambos podem ser utilizados para representar
o modelo equivalente do transistor bipolar trabalhando na
região ativa.
Devido ao fato da corrente no coletor, na região ativa, ser
função da corrente de base, seu valor depende da
concentração de elétrons que cruzam a junção base-emissor.
Uma outra interpretação é considerar que a intensidade da
corrente de coletor depende do número de elétrons e lacunas
que se recombinam na base.

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Operação na Região Ativa (cont.)
Uma vez que a junção BE está polarizada diretamente, a
concentração de elétrons é proporcional a evBE /VT e a corrente
de coletor pode ser expressa como
vBE
iC = IS e VT ,

onde IS é a corrente de saturação da junção BE. Ela depende

inversamente da largura da base e diretamente da área da
junção.
Como a relação entre a corrente de coletor e de base é dada
pelo ganho de corrente c.c., β,
  v
iC I BE
iB = ⇒ iB = S e VT
β β

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Símbolos e Polaridades
Transistor do tipo NPN: Transistor do tipo PNP:

Correntes no NPN: Correntes no PNP:

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O Transistor em Grandes Sinais
Modelos do Transistor Bipolar em Grandes Sinais:

14 / 185
Exemplo

Exemplo (Operação na Região Ativa)

Um transistor npn com Is = 10 × 10−15 A e β = 100 está
conectado da seguinte forma: o emissor está aterrado, a base
é alimentada com uma fonte de corrente constante que fornece
uma corrente cc de 10 µA. O coletor está conectado a uma
tensão cc de 5 V por meio de uma resistência RC de 3 kΩ.
Assumindo que o transistor opera em sua região ativa,
encontre VBE e VCE . Utilize esses valores para verificar a
operação em modo ativo. Substitua a fonte de corrente por
uma resistência conectada da base para a fonte cc de 5 V.
Qual valor de resistência é necessária para manter as mesmas
condições de operação?

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Exemplo (cont.)

Solução:
Se o transistor está operando na região ativa (em modo ativo),
ele pode ser representado por um dos quatro modelos de
circuito mostrados previamente. Como o emissor está
aterrado, os modelos mostrados em (c) e (d) podem ser
empregados. Uma vez que a corrente de base IB é conhecida,
o modelo da Figura (d) se mostra mais adequado.

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Exemplo (cont.)

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Exemplo (cont.)

Solução (cont.):
No modelo equivalente empregado, Figura (a), determina-se
VBE a partir da característica exponencial do diodo D2 do
modelo empregado:

IB
VBE = VT ln
IS /β
10 × 10−6
 
−3
= 25 × 10 ln
10−17
= 690 mV = 0,69 V

18 / 185
Exemplo (cont.)
Solução (cont.):
A seguir, determina-se o valor de VCE de

VCE = VCC − RC IC

onde

IC = βIB = 100 × 10 × 10−6 = 10−3 A = 1 mA.

Assim,
VCE = 5 − 3 × 1 = +2 V.
Uma vez que VC = +2 V é maior do que VB = 0,69 V, o
transistor está, de fato, operando em sua região ativa, ou em
modo ativo.

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Exemplo (cont.)
Solução (cont.):
Substituindo a fonte de corrente de 10 µA por uma resistência
RB conectada entre a base a a fonte VCC = 5 V, como
mostrado na Figura (b), o valor da resistência deve ser

VCC − VBE
RB =
IB
5 − 0,69
= = 431 kΩ
10 × 10−6

Observe que, por meio da resistência RB e da fonte VCC , é

também possível polarizar o transistor para operar em modo
ativo.

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O Transistor em c.c.

Exemplo

O transistor mostrado
na Figura (a) tem
β = 100 e apresenta
um VBE = 0,7 V
quando IC = 1 mA.
Projete o circuito de
modo que uma
corrente de 2 mA
circule pelo coletor e a
tensão no coletor seja
de +5 V.

21 / 185
O Transistor em c.c. (cont.)

Solução:
Como a corrente e a tensão de coletor foram dados, a
resistência que polariza o coletor é calculada por:

10 V
RC = = 5 kΩ.
2 mA
Uma vez que a corrente requerida no coletor e o valor do
ganho de corrente c.c. foram dados,

IC 2 mA
IB = = = 0,02 mA.
β 100

22 / 185
O Transistor em c.c. (cont.)

Como o problema forneceu o valor da tensão VBE para uma

corrente de coletor de 1 mA, deve ser determinado o novo
valor, mais exato, para essa tensão quando a corrente de
coletor for de 2 mA.
Considerando a equação do diodo equivalente da junção BE:
 
2
VBE = 0,7 + VT ln = 0,717 V.
1

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O Transistor em c.c. (cont.)

Para a corrente de emissor, IE = IC + IB , lembrando que

IC = αIE , onde α = 100/101 = 0,99. Logo:

IC 2
IE = = = 2,02 mA.
α 0,99

Como o potencial da base é 0 V, VE = −VBE = −0,717 V.

Desta forma, a resistência que polariza o emissor é:

VE − (−15) −0,717+15
RE = = = 7,07 kΩ.
IE 2,02

24 / 185
O Transistor em c.c. (cont.)

A Figura (b)
ilustra os passos
para a solução
do problema.

Os procedimentos realizados ilustram os cálculos necessários

para projetos onde se requer uma maior precisão nos
resultados. Cálculos de natureza prática, em geral, utilizam
valores aproximados para algumas grandezas, como, por
exemplo, VBE = 0,7 V.

25 / 185
O Transistor em c.c. (cont.)
Exemplo

No circuito
mostrado na
Figura, a tensão
no terminal do
emissor foi
medida como
−0,7 V. Se
β = 50, calcule
IE , IB , IC e VC .

26 / 185
O Transistor em c.c. (cont.)
Solução:
Como VB = 0 V e o valor de VE = −0,7 V, então VBE = 0,7 V.
O transistor pode estar operando ou na região ativa, ou na de
saturação. Assumindo o modo ativo, as correntes do transistor
são calculadas como:
IE :
−0,7 − (−10)
IE = = 0,93 mA
10 × 103
IC :
β 50
IC = αIE = IE = 0,93 = 0,91 mA
β+1 51
VC :
VC = 10 − 5 × 103 IC = 5,45 V

27 / 185
O Transistor em c.c. (cont.)

Observe que

VBC = VB − VC = 0 − 5,45 = −5,45 V,

o que representa uma polarização reversa para a junção

base-coletor.
Desta forma, o transistor opera em modo ativo, como
considerado.

28 / 185
O Transistor em c.c. (cont.)

Exemplo

Para o circuito
mostrado na Figura, se
VB = 1,0 V e
VE = 1,7 V, determine
os ganhos de corrente
α e β para o transistor.
Calcule também o
valor de VC .

29 / 185
O Transistor em c.c. (cont.)

Solução:
Como VEB = VE − VB = 0,7 V, o transistor será considerado
como operando em modo ativo. Logo,

VB 1,0
IB = = = 10 µA
RB 100 × 103
e
10 − 1,7
IE = = 1,66 mA.
5 × 103
Resultando em:

IC = IE − IB = 1,65 mA.

30 / 185
O Transistor em c.c. (cont.)
Os ganhos de corrente c.c., em EC e BC são:

IC 1,65 × 10−3
β= = = 165
IB 10 × 10−6

IC 1,65 × 10−3
α= = = 0,994
IE 1,66 × 10−3
Se a tensão de coletor é:

VC = −10 V + 5 × 103 IC = −1,75 V,

a tensão reversa sobre a junção coletor-base é:

VCB = VC − VB = −1,75 − 1,0 = −2,75 V

31 / 185
O Transistor em c.c. (cont.)

Exemplo

Considere o circuito
mostrado na Figura (a).
Deseja-se determinar
as correntes em cada
ramo e as tensões
nodais. Considere
β = 100.

32 / 185
O Transistor em c.c. (cont.)
Solução:
Uma vez que o
potencial da base é de
4 V e o emissor está
aterrado através da
resistência RE , a
junção base–emissor
está polarizada
diretamente.
Supondo VBE = 0,7 V:

VE = 4 − VBE = 4 − 0,7 = 3,3 V

VE 3,3
IE = = = 1 mA
RE 3,3 × 103

33 / 185
O Transistor em c.c. (cont.)

Assumindo que Q opera em modo ativo (VC > VB ),

β 100
IC = αIE = IE = IE = 0,99IE = 0,99 mA
β+1 101

Aplicando a LKT:

VC = VCC − RC IC = 10 − 4,7 × 0,99 = +5,3 V

Comprovando que VC > VB . Por fim,

IC IE 1 mA
IB = = = = 0,01 mA
β β+1 101

34 / 185
O Transistor em c.c. (cont.)

A Figura (c) resume a

sequência dos cálculos
realizados.

35 / 185
O Transistor em c.c. (cont.)

Exemplo

Considere o circuito
mostrado na Figura (a).
Deseja-se determinar
as correntes em cada
ramo e as tensões
nodais, considere
β = 50.

36 / 185
O Transistor em c.c. (cont.)
Solução
O problema é semelhante ao anterior, exceto que o potencial
da base é agora +6 V. Supondo novamente que a junção
base-emissor esteja polarizada diretamente:

VE = +6 − VBE ' 6 − 0,7 = 5,3 V

VE 5,3
IE = = = 1,6 mA
RE 3,3 × 103
VC = +10 − 4,7 × IC ' 10 − 7,52 = +2,48 V

Como a tensão do coletor é menor do que a da base, a junção

base–coletor também está polarizada diretamente com 3,52 V,
o que invalida a suposição de que o transistor opera em modo
ativo.

37 / 185
O Transistor em c.c. (cont.)
Como Q opera em modo de saturação:

VC = VE + VCE ' +5,3 + 0,2 = +5,5 V

sat
+10 − 5,5
IC = = 0,96 mA
4,7 × 103
IB = IE − IC = 1,6 − 0,96 = 0,64 mA

Com ambas as junções polarizadas diretamente, diz-se que Q

é forçado a operar em modo de saturação. Neste caso, existe
um β forçado dado por

IC 0,96
βforçado = = = 1,5
IB 0,64

Alguns autores denominam este valor como βsat .

38 / 185
O Transistor em c.c. (cont.)
A Figura (c) resume os passos necessários para encontra os
valores desejados. A tensão VCE varia, usualmente, na
sat
faixa de 0,20 V a 0,45 V. Neste caso, VBE ≈ 0,8 V.
sat

39 / 185
O Transistor em c.c. (cont.)

Exemplo

Considere o circuito
mostrado na Figura (a).
Deseja-se determinar
as correntes e tensões
em Q.

40 / 185
O Transistor em c.c. (cont.)
Solução:
Como VB = VE = 0 V,
então IE = 0 A. Como
a junção base-coletor
está polarizada
reversamente,
IC = 0 A. Com ambas
as junções polarizadas
reversamente, Q está
cortado e
VC = VCC = +10 V.
Logo, IB = 0 V.
Também, VBE = 0 V.
A Figura (b) resume a
sequência dos cálculos
realizados.
41 / 185
Análise Gráfica
Devido à característica não-linear da corrente de coletor em
um transistor bipolar, expressar o comportamento do transistor
graficamente pode ser mais intuitivo em alguns casos.
A relação iC × vBE é análoga àquela encontrada para os diodos
semicondutores, como mostrado nas Figuras a seguir,
incluindo a variação esperada com o aumento da temperatura.

42 / 185
Análise Gráfica (cont.)
Gráficos semelhantes podem ser obtidos para iE × vBE e
iB × vBE , lembrando que:
vBE
iC = IS e VT
  v
I BE
iB = S e VT
β
  v
I BE
iE = C e VT
α

Ao se variar a intensidade das tensões que polarizam as

junções do BJT determina-se uma família de curvas
parametrizadas que descrevem o comportamento do
dispositivo.

43 / 185
Análise Gráfica (cont.)

O gráfico resultante ilustra a característica iC × vCE e é

denominada de característica de saída em emissor-comum. A
tensão vBE é inicialmente ajustada e em seguida varia-se o
valor de VCE :
44 / 185
Análise Gráfica (cont.)
• Para baixos valores de VBE (< 0,5 V) o diodo
base-emissor está cortado e o transistor se encontra no
modo de C ORTE.
• Ajustando-se ambas as fontes e polarizando diretamente a
junção base-emissor e reversamente a junção
base-coletor, os elétrons emitidos pelo emissor cruzam a
junção com a base e são atraídos pelo potencial positivo
elevado do coletor. Quanto maior o valor da fonte VCE ,
maior será o valor da corrente no coletor. A relação entre
as correntes de coletor e base é β, um valor
extremamente elevado, principalmente se a largura da
base for estreita. Neste caso, existe uma amplificação de
corrente entre a entrada (base) e a saída (coletor). O
transistor se encontra no modo de A MPLIFICAÇÃO,
representado pela região ATIVA.

45 / 185
Análise Gráfica (cont.)

• À medida em que a corrente de coletor aumenta, a junção

coletor-base se polariza diretamente. O transistor deixa o
modo ativo e entra no modo de S ATURAÇÃO, resultando
em valores de vCE entre 0,2 V a 0,3 V (a tensão de coletor
está abaixo do valor da tensão de base por mais de 0,4 V).

O Transistor como Chave

Alternando entre as regiões de corte e saturação, o BJT atua
como uma chave, controlada pela tensão aplicada entre a sua
base e o emissor.

46 / 185
Efeito e Tensão e Early
A modulação da largura da base devido à polarização reversa
da junção base-coletor é conhecida como Efeito Early1 ,
causando uma variação na corrente de coletor expressa por:
vBE
 
vCE
iC = IS e VT
1+ .
VA

VA é a de Tensão de Early2 , na faixa de 10 V a 100 V, cuja

tangente no ponto Q da característica iC × vCE , permite
calcular: 
1 ∂iC  VA + VCE VA
= = ' .
ro ∂vCE Q IC IC

1
James M. Early, "Effects of space-charge layer widening in junction
transistors", Proc. IRE, vol. 40, pp. 1401-1406, 1952
2
Na literatura, 50 V < VA < 300 V.
47 / 185
Modelo c.c. completo do BJT

As Figuras (a) e (b) ilustram os modelos c.c. completos para o

BJT . Em geral, o valor da resistência de saída rO é considerada
apenas quando uma maior precisão do cálculo é necessária.

48 / 185
Região de Operação do BJT
A operação segura de um BJT deve respeitar:
1 O limite de ICMAX ;
2 O limite da hibérbole para PQMAX ;
3 O limite estabelecido para a segunda ruptura do BJT;
4 A tensão VCEMAX aplicada (ruptura da junção BC),
de acordo com as Figuras mostradas.

49 / 185
O BJT como Amplificador
Considere o circuito mostrado, no qual o sinal de entrada vI
pode excursionar entre 0 V a 1,5 V:

50 / 185
O BJT como Amplificador (cont.)
X-Y Para 0 V < vI < 0,5 V o BJT está na região de corte: a
corrente de base é nula, bem como iC . Neste momento, a
tensão de saída é:

vO = VCC − RC iC = VCC .

Y-Z Quando vI > 0,5 V uma corrente iB começa a fluir para

dentro da base, levando o BJT para a região ativa. Neste
momento (desprezando-se o efeito Early),
vI
vO = VCC − RC iC = VCC − RC IS e VT .

Z-> Quanto maior iC , menor será vO . Consequentemente, a

junção BC se polariza diretamente e o BJT entra na região
de saturação, onde vO = VCESAT (0,1 V a 0,2 V) e

VCC − VCESAT
iC =
RC
51 / 185
O BJT como Amplificador (cont.)

Polarização do BJT
Polarizar um transistor é estabelecer um ponto de operação e
um deslocamento c.c. do sinal de entrada, de maneira a
garantir uma excursão linear e simétrica máxima (pico-a-pico).

Desta forma, quando o BJT é polarizado para operar em seu

ponto quiescente (Q) e se aplica um pequeno sinal à entrada,
cuja excursão causa o deslocamento do ponto Q ao longo de
uma reta, o resultado é a obtenção de um sinal linear à saída e
invertido3 . O ganho de tensão é determinado por

∂vO 
Av =
∂vI Q

52 / 185
O BJT como Amplificador (cont.)
O ponto quiescente é caracterizado por uma tensão c.c. VBE à
entrada e uma tensão c.c. VCE , à saída. Considerando:
VBE
IC = IS e VT
(1.1)
VCE = VCC − RC IC (1.2)

dvO 
Av ≡
dvI vI =VBE
Assim,
1 V BE
Av = − IS e VT RC
VT
Substituindo (1.1):
−IC RC
Av = (1.3)
VT

53 / 185
O BJT como Amplificador (cont.)

De (1.2),
VCC − VCE
Av = − (1.4)
VT
Observe que o ganho máximo para um sinal positivo é obtido
localizando-se o ponto Q na borda da região de saturação,
permitindo que ele excursione até a borda da região de corte.
Neste caso,
VCC − VCESAT V
Av = − ' − CC
VT VT

3
A configuração EC é inversora.
54 / 185
Exemplo

Exemplo (Sedra 5/e - Exemplo 5.2, pg. 258)

Se o amplificador anterior apresenta IS = 10−15 A, RC = 6,8 kΩ
e VCC = 10 V, determine:
(a) A tensão de polarização VBE necessária para operar o BJT
em VCE = 3,2 V. Qual é o valor de IC ?
(b) O valor do ganho Av neste caso. Encontre o valor da
amplitude do sinal à saída, se um sinal senoidal de
amplitude 5 mV está superposto a VBE .
(c) Qual é o aumento necessário em vBE para levar o BJT à
saturação? Nesta situação, considere que vCE = 0,3 V.
(d) Qual é a diminuição em vBE necessária para cortar o BJT?
Nesta situação, considere que vO = 0,99VCC .

55 / 185
Solução
(a) Para a condição de polarização dada:

10 − 3,2
IC = = 1 mA,
6,8

logo:
VBE
1 × 10−3 = 10−15 e 0,025 ,
resultando em
VBE = 690,8 mV
(b)
10 − 3,2
Av = − = −272 V/V
0,025
e
V̂O = 272 × 5 × 10−3 = 1,36 V

56 / 185
Solução (cont.)
(c) Para vCE = 0,3 V,
10 − 0,3
iC = = 1,617 mA
6,8
Para aumentar a corrente iC de 1 mA para 1,617 mA, vBE
deve aumentar em
 
1,617
∆vBE = 0,025 ln = 12 mV
1
(d) Para vO = 0,99VCC = 9,9 V,
10 − 9,9
iC = = 0,0147 mA
6,8
para diminuir a corrente iC de 1 mA para 0,0147 mA, vBE
deve diminuir em
 
0,0147
∆vBE = 0,025 ln = −105,5 mV
1
57 / 185
Polarizando o BJT

Quando se considera o conceito de Polarização:

• Os potenciais e correntes encontrados estabelecem uma
condição quiescente de operação do transistor. As fontes
de alimentação c.c. e as resistências do circuito são
escolhidas de modo a estabelecer as correntes e tensões
desejadas para prover a amplificação de sinais, levando o
transistor a operar em sua região ativa.
• As características do transistor variam com a temperatura,
mas também apresentam uma faixa de variação típica,
usualmente informada pelo fabricante.
• Algumas topologias podem ser utilizadas para minimizar
os efeitos das variações encontradas em aplicações
típicas de circuitos amplificadores a transistor.

58 / 185
Polarizando o BJT (cont.)
• A análise gráfica do circuito mostrado na Figura será
utilizada para entender, conceitualmente, a capacidade de
amplificação do transistor BJT. Na Figura, VBB e VCC são
as fontes de polarização e vi é a fonte de sinal.

Aplicando a LKT às malhas de entrada e saída, fazendo-se

vi = 0 (Teorema da Superposição):

vBE = VBB − RB iB

59 / 185
Polarizando o BJT (cont.)
e
vCE = VCC − RC iC .
As equações podem ser reescritas como
VBB 1
iB = + vBE
RB RB
e
VCC 1
iC = + v ,
RC RC CE
correspondendo às equações de duas retas de carga:

60 / 185
Polarizando o BJT (cont.)
As escolhas de (VBB , RB ) e (VCC , RC ) determinam as
condições quiescentes da operação do transistor à entrada
(IB , VBE ) e à saída (IC , VCE ), respectivamente, levando o
transistor a trabalhar em modo ativo. Estas condições
estabelecem a operação em c.c. do transistor.
Devido à vi , Q se
desloca ao longo da
reta de carga,
estabelecendo os
limites para a variação
da corrente na base do
transistor. A corrente
total na base (iB )
representa a
componente de sinal
(ib ) superposta à
corrente quiescente
(IB ). 61 / 185
Polarizando o BJT (cont.)

iB = IB + ib
Observe que a fonte de sinal aparece como uma variação da
tensão vbe aplicada entre a base e o emissor,

vBE = VBE + vbe

Se a excursão da tensão de sinal for muito pequena, o ponto

quiescente irá se deslocar sobre uma região muito pequena e
aproximadamente linear.
Aplica-se o Teorema da Superposição para realizar uma
análise c.c., ao fazer a fonte de sinal igual a zero, e uma
análise c.a., ou A NÁLISE DE S INAIS, anulando as fontes de
polarização/alimentação.

62 / 185
Polarizando o BJT (cont.)
A variação da corrente
de sinal na base (ou da
tensão de sinal
aplicada à base) fará
aparecer uma variação
proporcional na
corrente de coletor
que, por sua vez,
causará o
aparecimento de uma
Observe que há uma
variação de tensão de
inversão entre o sinal
sinal entre o terminal
aplicado à entrada e
do coletor (terminal de
aquele obtido à saída e
saída) e o terminal de
que existe um ganho
emissor, comum.
de tensão, |AV | > 1.

63 / 185
Polarizando o BJT (cont.)

Polarização & Amplificação

O valor da amplificação irá depender da escolha do ponto de
operação quiescente do transistor.

64 / 185
Polarização do BJT

A polarização tem como objetivo:

• Garantir uma operação estável do transistor
• Reduzir a sensibilidade do circuito contra variações dos
parâmetros do transistor
• Minimizar os efeitos da variação da temperatura
• Minimizar as distorções no sinal de saída
• Estabilizar as variações do ganho
• Restringir a operação na região ativa

65 / 185
Polarização do BJT (cont.)
Um circuito básico de polarização é mostrado na Figura. O
circuito mostrado em (a) fixa o valor da tensão base-emissor,
enquanto o circuito mostrado em (b) fixa o valor da corrente na
base.

66 / 185
Polarização do BJT (cont.)

No primeiro caso pequenas variações em VBE causam grandes

variações nos valores de IC e VCE , devido à natureza
acentuadamente exponencial da característica iC × vBE .
No segundo caso, ao estabelecer uma corrente fixa na base,

VCC − 0,7
IB ' ,
RB

pequenas alterações no valor de β afetam significativamente o

valor da corrente de coletor.

67 / 185
Circuito Auto Polarizado
Uma alternativa mais robusta é o circuito AUTO -P OLARIZADO,
no qual os resistores R1 e R2 formam um divisor de tensão
para a fonte VCC que polariza o terminal da base e um resistor
RE é acrescentado em série com o terminal do emissor
fornecendo uma realimentação negativa.

68 / 185
Circuito Auto Polarizado (cont.)
Utilizando o Teorema de Thevenin para calcular o valor da
tensão em circuito aberto na base e a resistência equivalente
vista pela base, como mostrado na Figura (b),

R2 R1 R2
VBB = V RB =
R1 + R2 CC R1 + R2
A corrente de emissor é calculada a partir da malha de entrada
(base-emissor)

VBB − VBE = RB IB + RE IE (1.5)

IE
VBB − VBE = RB + RE IE (1.6)
β+1
 
RB
VBB − VBE = + RE IE (1.7)
β+1
VBB − VBE
∴ IE = (1.8)
RE + RB /(β + 1)
69 / 185
Circuito Auto Polarizado (cont.)
Considerando as seguintes condições:

VBB  VBE (1.9)

RB
RE  (1.10)
β+1

Então:
VBB
IE ' (1.11)
RE
Uma vez que as condições são garantidas se pode considerar
que a corrente IE é relativamente imune às variações de β.
Observe que (1.9) é responsável por minimizar as variações
em VBE (' 0,7 V), mas, quanto maior for o valor da tensão VBB ,
menor será o valor da tensão VCE , que definirá o valor da
tensão de saída e, correspondentemente, o ganho de tensão

70 / 185
Circuito Auto Polarizado (cont.)
do amplificador. Há, claramente, uma restrição conflitante entre
os valores desejáveis para VBB e VCE . Como regra geral:

1
VBB = VCE = RC IC = V
3 CC
A segunda condição, (1.10), garante uma corrente IE menos
sensível às variações de β e implica utilizar baixos valores para
R1 e R2 . Contudo, o consumo de potência da fonte VCC será
elevado e a resistência de entrada do amplificador será
reduzida. Uma condição aceitável de projeto é fazer com que a
corrente que flui no divisor formado por R1 e R2 (I) seja muito
maior do que a corrente de base. Esta condição pode ser
satisfeita selecionando-se R1 e R2 para que

0,1IE ≤ I ≤ IE

71 / 185
 Exemplos

Exemplo
Projete um circuito para ajustar o ponto quiescente Q com:

IC = 2,5 mA
VCE = 7,5 V

Considere 50 ≤ β ≤ 200.

A solução para o projeto deve seguir os seguintes passos:

Passo 1: Encontrar VCC :
Em geral, o ponto quiescente é projetado para se localizar
no centro da reta de carga CC. Desta forma, ajusta-se
VCC = 2 × VCE = 2 × 7,5 = 15 V.

72 / 185
 Exemplos (cont.)
Passo 2: Encontrar RC e RE :
Aplicando a LKT à malha CE:

VCE = VCC − (RC + RE )IC ,

resultando em:
7,5
RC + RE = = 3 kΩ.
2,5 × 10−3
A escolha dos valores de RC e RE é livre, porém deve
estar atrelada à excursão desejada para o sinal de saída.
Sabe-se que: VBB = VBE + RE IE e VBE ' 0,7 V, mas
0,6 V ≤ VBE ≤ 0,8 V. Logo, ∆VBE ' 0,1 V.
Para que a polarização negativa atue de forma desejada,
VE = RE IE  0,1 V, ou VE > 10 × 0,1 > 1 V.
Desta forma, RE IE > 1 V, ou RE > 1/IE = 400 Ω. Como
condição de projeto, RE = 1 kΩ e RC = 2 kΩ.
73 / 185
 Exemplos (cont.)

Passo 3: Encontrar RB e VBB :

Deve-se ajustar o valor de RB  (β + 1)RE . Como
50 ≤ β ≤ 200, é recomendável utilizar o menor valor de β
para atender a restrição imposta. Desta forma,
RB  βmin RE . Logo,

RB = 0,1βmin RE = 0,1 × 50 × 1 kΩ = 5 kΩ.

O valor de VBB é determinado pela equação:

VBB = VBE + RE IE = 0,7 + 1 × 103 × 2,5 × 10−3 = 3,2 V.

74 / 185
 Exemplos (cont.)

Passo 4: Encontrar R1 e R2 :
Sabe-se que
RB = R1 k R2 = 5 kΩ
e
VBB R2 3,2
= = = 0,21.
VCC R1 + R2 15
O sistema de duas equações e duas variáveis pode ser
determinado analiticamente, encontrando-se os valores
R1 = 24 kΩ e R2 = 6,4 kΩ.
Ajustando para os valores comerciais mais próximos,
R1 = 24 kΩ e R2 = 6,2 kΩ.

75 / 185
Exemplos (cont.)

Se uma fonte simétrica estiver

disponível há algumas
vantagens para a polarização
de transistores ao minimizar o
número de resistores
utilizados. Note que é possível
simplificar ainda mais o projeto
aterrando-se diretamente a
base, desde que nenhuma
fonte de sinal seja aplicada a
este terminal. A Figura ao lado
ilustra o circuito polarizado com
uma fonte simétrica.

76 / 185
Exemplos (cont.)
Analisando o circuito (malha BE) determina-se a equação da
corrente de emissor em relação aos parâmetros do transistor e
dos resistores utilizados. A equação:

VEE − VBE
IE =
RE + RB /(β + 1)

é idêntica à do circuito auto-polarizado. Neste caso, as

condições anteriores são diretamente aplicadas, ou seja:

VBB  VBE ,

e
RB  (β + 1)RE .

77 / 185
Exemplos (cont.)

Um circuito de implementação
simples, porém efetivo, é
também utilizado
amplificadores com
emissor-comum, como
mostrado ao lado. O resistor
RB fornece uma realimentação
negativa de corrente que ajuda
na estabilização do ponto de
polarização.

78 / 185
Exemplos (cont.)
Da análise do circuito observa-se que:

VCC = IE RC + IB RB + VBE
IE
= IE RC + RB + VBE
β+1

A corrente de polarização do emissor pode ser colocada na

forma:
VCC − VBE
IE =
RC + RB /(β + 1)
que é também idêntica à do circuito auto–polarizado. Neste
caso, as condições anteriores se aplicam com VCC substituindo
VBB e RC substituindo RE .
Deve ser observado que o valor de RB é responsável por
polarizar a junção BC, uma vez que:

RB
VCB = IB RB = IE .
β+1
79 / 185
Exemplos (cont.)

Desta forma, para uma maior excursão do sinal de saída, o

valor de VCE deve variar em torno do valor de polarização.
Como VCE = RB IB + VBE e 0,6 V ≤ VBE ≤ 0,8 V, alterar VCE
corresponde a alterar o valor de IC e, portanto, de IB . Mas
variar IB implica em variar VBE .
Deve ser observado que, se a variação for muito ampla, tal que
VBE < 0,6 V ou VBE > 0,8 V, o transistor não irá operar em
modo ativo como desejado.

80 / 185
Conteúdo

1 O Transistor BJT

2 O Transistor MOSFET

3 Análise de Pequenos Sinais: BJT & MOSFET

4 Exemplos

81 / 185
Uma Breve História
1925 Princípio de operação do FET proposto por Julius Lilienfeld
1930 Patente concedida a Julius Lilienfeld para um dispositivo
FET
1935 Primeira descrição do Insulated-Gate FET por Oskar Heil
(University of Berlin)
1947 O transistor bipolar de ponto de contato por Bardeen e
Brattain surge como uma tentativa de implementar o
primeiro transistor do tipo FET
1949 Invenção do transistor do tipo sandwich por Shockley
1951 Patente concedida a Schockley, Brattain e Bardeen para o
BJT
1952 Ian Ross e George Dacey obtiveram sucesso em construir
um dispositivo unipolar com estrutura similar à do JFET

82 / 185
Uma Breve História (cont.)

1956 Prêmio Nobel em Física pela pesquisa em

semicondutores e pela descoberta do efeito transistor
1959 Dawon Kahng e Martin M. Atalla inventam o MOSFET nos
laboratórios da Bell (Bell Labs)
1964 Primeiro MOSFET comercial (Fairchild)
1971 Processador Intel 4004, com tecnologia MOS
1993 O transistor MOSFET suplanta o BJT no projeto de CI
2008 50 anos de desenvolvimento do transistor MOSFET
2010 Processo de fabricação de 32 nm
2015 Processo de fabricação seja de 16 nm?

83 / 185
Uma Breve História (cont.)

O Transistor MOSFET comparado ao BJT:

• Requer um menor número de etapas de fabricação
• Apresenta uma elevada taxa de integração
• Menor dissipação de potência
• Maior frequência de operação
• Apresenta ganhos menores para aplicações analógicas
• Permite a fabricação de transistores complementares
(CMOS)

84 / 185
O Transistor FET
Os Transistores de Efeito de Campo – Field Effect
Transistors são classificados como:
• Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
• Transistor de efeito de campo do tipo MOSFET(
Metal-Oxide-Semiconductor )
• Modo Depleção (D - MOSFET)
• Modo Enriquecimento (E - MOSFET)
• Podem ser fabricados com canal n, ou p
• Os transistores MOSFET de enriquecimento são os mais
utilizados e denominados NMOS e PMOS
• Nos transistores MOSFET modernos a camada de metal foi
substituída por uma camada de polissilício (gatilho de
silício). Devido a isto o MOSFET é também denominado de
IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor)

85 / 185
Característica Construtiva
A estrutura física de um transistor MOSFET é mostrada na
Figura (a). A Figura (b) ilustra um corte transversal:

L e W são, respectivamente, o comprimento e a largura do

W
canal. O termo é denominado de fator de forma do
L
dispositivo. O comprimento do canal, em geral, caracteriza o

86 / 185
Característica Construtiva (cont.)
dispositivo. Por exemplo, um MOSFET de 5µ é um dispositivo
cujo canal tem de 5 µm de comprimento.
Como uma ideia geral das dimensões típicas destes
dispositivos, nos processos de 45 nm, L = 90 nm a 225 nm. Em
geral, as dimensões típicas são L = 0,1 µm a 3 µm,
W = 0,2 µm a 100 µm e tox = 2 nm a 50 nm.
Nos circuitos integrados, como a área ocupada pelo MOSFET é
importante, W e L devem ter a mesma ordem de grandeza.
Porém, nos dispositivos discretos, utilizados em amplificadores
analógicos, como a área ocupada não é uma grande
W
preocupação é elevado, resultando em um aumento do
L
ganho do dispositivo (L pode ser até 1000× maior do que W ).
O MOSFET, em geral, é considerado um dispositivo de três
terminais:

87 / 185
Característica Construtiva (cont.)
• Source (Fonte)
• Drain (Dreno)
• Gate (Porta, ou Gatilho)

Embora o MOSFET seja considerado como um dispositivo de 3

terminais, na verdade ele é um dispositivo de quatro terminais,
pois se deve considerar a presença de um terminal para o
Substrato (Body, ou corpo)
Em algumas aplicações, o efeito do corpo (ou substrato)
torna-se importante, uma vez que ele pode operar como um
segundo gatilho. Este efeito é indesejado e pode ser
minimizado ao se aterrar o terminal do substrato. Em geral, ele
é conectado internamente à fonte.
O MOSFET deve ser manuseado com cuidado para prevenir
descargas estáticas capazes de danificar o dispositivo.

88 / 185
Região de Corte

VG = VS = VD = 0
Como o MOSFET é formado por duas junções pn entre o dreno
e a fonte, se nenhuma tensão de polarização é aplicada ao
dispositivo, ele se encontra cortado, pois nenhuma corrente
flui do dreno para a fonte e a resistência do dispositivo é da
ordem de 1012 Ω.

89 / 185
Induzindo um Canal
Criando-se um CANAL: inversão do canal
Na Figura, observe que a aplicação de uma tensão VGS > 0 ao
dispositivo induz um canal abaixo da camada de óxido, devido
à exposição dos íons negativos em razão da repulsão das
lacunas do substrato em função da tensão aplicada entre o
gatilho e a fonte (Gate-Source).

90 / 185
Induzindo um Canal (cont.)
Como mostrado na Figura, à medida que VGS aumenta, os
elétrons livres dos semicondutores n+ do Dreno e da Fonte
são atraídos para dentro do canal. Quando a tensão de limiar4
é alcançada, VGS = Vt , ocorre o estabelecimento de um canal
de condução no dispositivo.

4
Tensão de limiar necessária para acumular um número suficiente de
elétrons livres no canal. Na literatura, threshold voltage. Alguns autores
utilizam o termo VTN para evitar confusão com o valor da tensão térmica VT .
91 / 185
Região Ôhmica – Triodo
Ao se aplicar uma tensão de pequeno valor ao longo do canal,
entre dreno e fonte (Drain-Source), VDS , mantendo VGS
constante e maior do que Vt , uma corrente começa a fluir pelo
canal, entre o dreno e a fonte, função de VDS , conforme
mostrado na Figura:

92 / 185
Região Ôhmica – Triodo (cont.)
Dispositivo Unipolar
O transistor MOSFET, diferente do transistor BJT, é um
dispositivo unipolar, isto é, a corrente depende apenas de um
único tipo de portador.

Resistor Controlado por Tensão

Aumentando-se o valor da tensão aplicada entre o gatilho e a
fonte, VGS , aumenta-se o valor da corrente no canal, para um
mesmo valor de VDS . Desta forma, o MOSFET se comporta
como um resistor controlado. Esta região é denominada de
R EGIÃO Ô HMICA linear, ou região do Triodoa , sendo análoga à
região de saturação do transistor bipolar.
a
Devido à analogia entre o MOSFET e as válvulas eletrônicas

93 / 185
Região Ôhmica – Triodo (cont.)
Neste caso,
1 W
gDS = = µn Qn (2.1)
rDS L
onde µn representa a mobilidade dos elétrons no canal
induzido e Qn a amplitude da carga por unidade de área. Este
valor pode ser expresso em função da capacitância da camada
de óxido Cox e da diferença de potencial (vGS − Vt )
responsável por estabelecer o campo elétrico que causa a
inversão do canal.

Qn = Cox (vGS − Vt ) (2.2)

Substituindo (2.2) em (2.1),

W
iD = gDS vDS = µn Cox (v − Vt ) (2.3)
L GS

94 / 185
Região Ôhmica – Triodo (cont.)
Efeito de Campo
Nos transistores de efeito de campo, a largura do canal e a sua
corrente são variados pela aplicação de um Campo Elétrico ao
longo do canal. Desta forma, o FET é um dispositivo controlado
por tensão.

Capacitor Equivalente
Observe que um capacitor equivalente de placas paralelas é
formado entre o gatilho e a região do canal.

Analogia para o MOSFET

Uma analogia entre os
terminais de um MOSFET e
um sistema mecânico é
mostrado na Figura:

95 / 185
Região Ôhmica – Triodo (cont.)
Região Ôhmica não linear
O aumento de VDS não afeta a profundidade do canal próximo
à fonte, mas à medida em que vDS aumenta, o valor da tensão
dreno-gatilho vDG também aumenta, ou, por outro lado, a
tensão vGD diminui, diminuindo a largura do canal próximo ao
dreno. Quando vDS se torna suficientemente elevado e
vGD = (vGS − vDS ) ≤ Vt , ocorre o estrangulamento do canal
próximo ao dreno. A característica id × vDS se torna não linear.
Neste caso, mesmo que a tensão vDS continue a aumentar, o
valor da corrente iD não se altera substancialmente.

Considerando um pequeno valor incremental da tensão

dreno-fonte v (drain-source) ao longo do canal, a equação
(2.2) pode ser reescrita como

Qn (v ) = Cox (vGS − Vt − v )

96 / 185
Região Ôhmica – Triodo (cont.)
A corrente de dreno pode ser determinada por:

W vDS
Z
iD = µn Cox (vGS − Vt − v ) dv
L 0
" #
2
vDS
W
= µn Cox (vGS − Vt ) vDS −
L 2
" #
W v2
= kn0 (vGS − Vt ) vDS − DS (2.4)
L 2

O termo kn0 é denominado de transcondutância do MOSFET, e

tem dimensão A/V2
Observe que o valor da tensão mínima entre o gatilho e o
canal, Vt , também existirá entre o gatilho e o dreno. Assim, a
equação (2.4) é válida para:

vGS − vDS = Vt (2.5)

97 / 185
Região Ôhmica – Triodo (cont.)

Graficamente:

98 / 185
Região de Saturação – Ativa
O estrangulamento (pinched off) do canal próximo ao Dreno é
mostrado na Figura:

Quando VDS ≥ VGS − Vt , há um aumento da região de

depleção próximo ao terminal do Dreno. Uma vez que a
profundidade do canal depende da intensidade desta tensão, o
canal não é mais uniforme, sendo mais “profundo” próximo à
Fonte e mais “raso” próximo ao Dreno.

99 / 185
Região de Saturação – Ativa (cont.)
O estrangulamento do canal implica em um aumento na
resistência efetiva do canal, reduzindo o valor da corrente que
flui ao longo do canal, do Dreno para a Fonte. Desta forma, a
curva característica iD × vDS deixa de ser linear. O
estrangulamento causa uma saturação da corrente no canal,
próximo ao ponto de estrangulamento.

Esta região é, portanto, denominada de região de S ATURAÇÃO

do MOSFET e é análoga à região ativa do transistor
bipolar.
O valor máximo de vDS na região limítrofe entre o triodo e a
saturação é denominado de tensão de saturação do
dispositivo, vDS sat :
vDS sat = vGS − Vt (2.6)

100 / 185
Região de Saturação – Ativa (cont.)
como pode ser observado na Figura à esquerda. Uma família
característica de curvas para vários valores de vGS é mostrado
na Figura à direita.

Observe que, embora a tensão vDS possa aumentar até causar

o completo estrangulamento do canal, a corrente no canal não
se anula.
101 / 185
Região de Saturação – Ativa (cont.)

O campo elétrico intenso na região de depleção que cerca o

dreno irá atrair os elétrons através da extremidade do canal
estrangulado, de forma análoga ao que ocorre no transistor BJT
para a junção base-coletor, como se observa na Figura:

Razavi: Fundamentos de Microeletrônica. LTC, 2010

102 / 185
Região de Saturação – Ativa (cont.)
A expressão para a corrente de dreno na região de saturação
pode ser obtida a partir de (2.4), substituindo-se a condição
vDS = vGS − Vt :

1 0W
iD = k (v − Vt )2 (2.7)
2 n L GS

A transcondutância do MOSFET pode também ser expressa

como
εox
kn0 = µn Cox = µn ,
tox
onde εox é a permissividade e tox a espessura da camada de
óxido. A capacitância equivalente, Cox , é um outro importante
parâmetro de projeto e construção do MOSFET.
Estas relações expressam a grande flexibilidade oferecida pelo
MOSFET para projetos que atendam condições particulares de
condutância ON e, como será visto, ganho de tensão AV .
103 / 185
Resumo: Regiões de Operação do MOSFET
Existem três regiões de operação para o MOSFET:
1 Região de Corte, onde

vGS < Vt

2 Região do Triodo, ou Região Ôhmica, onde

vGS ≥ Vt e vDS < vGS − Vt

3 Região de Saturação, onde

vGS ≥ Vt e vDS ≥ vGS − Vt

Região Ativa: MOSFET×BJT

Observe que o termo saturação tem um significado diferente
entre os transistores MOSFET e bipolar.
104 / 185
Transistor MOSFET de Canal p
O MOSFET de canal p, denominado PMOS, é construído sobre
um substrato de material do tipo n. Os portadores do canal são
lacunas e as tensões são negativas em relação ao NMOS.

Os transistores PMOS foram a tecnologia dominante, mas

foram substituídos pelo NMOS que são menores e são mais
rápidos do que aqueles.

105 / 185
Transistor MOSFET Complementar
A tecnologia MOSFET permite a construção de dois transistores
complementares, um de canal n e outro de canal p sobre um
mesmo substrato.

Os transistores CMOS representam a moderna tecnologia de

fabricação de CI.

106 / 185
Símbolo e Característica iD × vDS
Os principais símbolos utilizados para representar o NMOS:

107 / 185
Símbolo e Característica iD × vDS (cont.)
O circuito de polarização básico do MOSFET pode ser utilizado
para determinar a característica iD × vDS completa, bem como
a característica iD × vGS .

108 / 185
Símbolo e Característica iD × vDS (cont.)
Característica Não-Linear do MOSFET
A curva que separa as regiões do Triodo e de Saturação é o
lugar geométrico representado por vDS = vGS − Vt . Observe
que, substituindo o valor de vDS em (2.4), ou em (2.7), a
expressão para a corrente de dreno é dada por:

W 2
iD = kn0 v (2.8)
L DS
A equação (2.8) representa uma parábola.

Os modelos equivalentes para grandes sinais do MOSFET,

quando vDS > vGS − Vt (região de saturação), são mostrados a
seguir.
Da equação (2.7), observa-se que a corrente de dreno é
constante e independe do valor de vDS . Porém, devido ao

109 / 185
Símbolo e Característica iD × vDS (cont.)
estrangulamento do canal, existe uma modulação da largura
do canal que o modelo completo deve levar em consideração:

Devido à resistência interna da fonte de corrente iD ,

1 VA 1
ro ' = , VA = ,
λID ID λ

a corrente total do dreno é expressa por:

1 0W
iD = k (v − Vt )2 (1 + λvDS ) (2.9)
2 n L GS
110 / 185
Símbolo e Característica iD × vDS (cont.)
Característica de saída completa

111 / 185
Análise CC – Polarização

Exemplo (Exemplo 4.2 - Sedra 5/e)

Projete o circuito abaixo de modo que o MOSFET opere com
ID = 0,4 mA e VD = 0,5 V. O MOSFET tem Vt = 0,7 V,
µn Cox = 100 µA/V2 , L = 1 µm e W = 32 µm. Despreze o efeito
da modulação do canal (λ = 0).

112 / 185
Análise CC – Polarização (cont.)
Como VD = 0,5 V é maior do que VG = 0, o MOSFET opera na
região de saturação. Desta forma,

1 W
iD = µn Cox (v − Vt )2 .
2 L GS
Substituindo os valores dados,
 
1 32
400 = 100 (vGS − Vt )2 .
2 1

Resultando em
VGS − Vt = 0,5 V.
Assim,
VGS = Vt + 0,5 = 0,7 + 0,5 = 1,2 V.

113 / 185
Análise CC – Polarização (cont.)

Como o terminal de gatilho está diretamente aterrado, a tensão

no terminal da fonte deve estar a −1,2 V, o que requer uma
resistência de polarização para a fonte de

VS − VSS −1,2 − (−2,5)

RS = = = 3,25 kΩ.
ID 0,4

Para garantir uma tensão c.c. de dreno de 0,5 V, a resistência

de polarização do dreno é calculada como:

VDD − VD 2,5 − 0,5

RD = = = 5 kΩ.
ID 0,4

114 / 185
Análise CC – Polarização (cont.)
Exemplo (Exemplo 4.3 - Sedra 5/e)
Projete o circuito a seguir de modo que o MOSFET opere com
ID = 80 µA. Encontre o valor de R e VD . O MOSFET tem
Vt = 0,6 V, µn Cox = 200 µA/V2 , L = 0,8 µm e W = 4 µm.
Despreze a resistência de saída.

Como VDG = 0, então VD = VG . Para operar na saturação,

VGS ≥ Vt e VDS ≥ VGS − Vt . Mas VGS = VGD + VDS , o que

115 / 185
Análise CC – Polarização (cont.)
implica que VGD ≤ Vt . Logo, o MOSFET está operando na
saturação. Assim,

1 W
iD = µn Cox (v − Vt )2 ,
2 L GS
ou
s s
2ID 2 × 80
VGS − Vt = = = 0,4 V.
µn Cox W /L 200 × (4/0,8)

Assim,
VGS = Vt + 0,4 = 1 V.
E a tensão de dreno,

VD = VG = 1 V.

116 / 185
Análise CC – Polarização (cont.)
O valor requerido para R é encontrado por

VDD − VD 3−1
R= = = 25 kΩ.
ID 0,080

Exemplo (Exemplo 4.4 - Sedra 5/e)

Projete o circuito a seguir para VD = 0,1 V. Determine rDS . O
0W
MOSFET tem Vt = 1 V e kn = 1 mA/V2 .
L

117 / 185
Análise CC – Polarização (cont.)

Como a tensão do dreno é menor do que a de gatilho por 4,9 V

e Vt = 1 V, o MOSFET tem um canal induzido e aparentemente
opera na região do triodo (como VDS = 0,1 V, o canal não está
estrangulado). Neste caso,
" #
v 2
W
iD = kn0 (vGS − Vt ) vDS − DS
L 2
 
1
= 1 (5 − 1) × 0,1 − × 0,01
2
= 0,395 mA

118 / 185
Análise CC – Polarização (cont.)
O valor da resistência de polarização do dreno é encontrada
por:
VDD − VD 5 − 0,1
RD = =
ID 0,395
= 12,4 kΩ

O valor comercial mais próximo é R = 12 kΩ, admitindo uma

tolerância de 5%.

Como VDS é de pequeno valor, a resistência do canal é dada

por:
VDS
rDS =
ID
0,1
=
0,395 × 10−3
= 253 Ω
119 / 185
Análise CC – Polarização (cont.)
Exemplo (Exemplo 4.4 - Sedra 5/e)
Analise o circuito mostrado na Figura para determinar as
tensões em todos os nós e as correntes em todos os ramos.
W
Considere Vt = 1 V e kn0 = 1 mA/V2 .
L

120 / 185
Análise CC – Polarização (cont.)
Como a corrente de gatilho é virtualmente nula, a tensão de
gatilho é determinada a partir do divisor mostrado em (b):

RG2
VG = VDD = 5 V.
RG2 + RG1

Devido ao valor positivo, o MOSFET está conduzindo, mas não

é possível determinar se ele opera na região ôhmica, ou ativa.
Assumindo que o transistor opera na região de saturação
(ativa), a tensão VGS pode ser determinada por

VGS = 5 − 6ID .

Desta forma,
1 0W 1
iD = kn (vGS − Vt )2 = × 1 × (5 − 6ID − 1)2 ,
2 L 2

121 / 185
Análise CC – Polarização (cont.)
o que resulta na equação quadrática em ID :

18ID2 = 25ID + 8 = 0.

A solução desta equação resulta em duas raízes para ID :

0,89 mA e 0,5 mA. No primeiro caso, a tensão da fonte é
6 × 0,89 = 5,34, que é maior do que a tensão de gatilho, o que
não tem sentido físico e representa o MOSFET cortado! Desta
forma,

ID = 0,5 mA
VS = 0,5 × 6 = 3 V
VGS = 5 − 3 = 2 V
VD = 10 − 6 × 0,5 = 7 V

Observe que, como VD > VG − Vt , o transistor está operando

na saturação, como assumido inicialmente.
122 / 185
O MOSFET em grandes sinais
O MOSFET pode operar com grandes sinais de tensão vDS , de
forma análoga à operação do BJT. Os pontos A e B definem a
excursão máxima do sinal de saída na região de saturação de
um amplificador em Fonte-Comum (CS).

123 / 185
O MOSFET em grandes sinais (cont.)
Observe que:
• No ponto A, o MOSFET opera na região de corte, pois
vI < Vt .
• Entre os pontos A e B, o MOSFET opera na região de
saturação, onde vO ≥ vI − Vt .
• No ponto B, o valor de vO = vI − Vt .
• Entre os pontos B e C, o MOSFET opera na região do
triodo, onde vO ≤ vI − Vt

Aplicando a LKT à malha de saída,

vO = vDS = VDD − RD iD (2.10)

ou, de forma equivalente,

VDD 1
iD = − v (2.11)
RD RD DS
124 / 185
O MOSFET em grandes sinais (cont.)
Característica de transferência do MOSFET:

125 / 185
O MOSFET em grandes sinais (cont.)
Para operar como um amplificador linear, a excursão do sinal
de saída não deve ultrapassar a região linear da sua
característica, o que representa a aplicação de um sinal de
entrada que não cause distorção à saída do amplificador, ou
seja, um pequeno sinal.
Neste caso, o ganho do amplificador é obtido a partir da
equação (2.12) 
dvO 
AV = (2.12)
dv 
I Q

Considerando uma análise linear (pequenos sinais) e as

equações características do MOSFET, é possível determinar as
expressões analíticas para a característica de transferência do
MOSFET , a partir das equações (2.4), (2.7) e (2.11).

126 / 185
O MOSFET em grandes sinais (cont.)

Região de Corte
vI ≤ Vt , e vO = VDD .

Região de Saturação:

1 W
iD = µCox (vI − Vt )2
2 L
1 W
vO = VDD − RD µCox (vI − Vt )2 (2.13)
2 L

127 / 185
O MOSFET em grandes sinais (cont.)
Região do Triodo:
 
W 1 2
iD = µCox (vI − Vt ) vO − vO
L 2
 
W 1 2
vO = VDD − RD µCox (vI − Vt ) vO − vO
L 2
W
vO ' VDD − RD µCox (vI − Vt ) vO
L
VDD
vO = (2.14)
1 + RD µCox WL (vI − Vt )

A partir de (2.12) e (2.14):

W 2vO
AV = −RD µCox (VIQ − Vt ) = − (2.15)
L vI − Vt

128 / 185
O MOSFET em grandes sinais (cont.)

E a partir de (2.14), (2.1) e (2.2):

1
rDS = (2.16)
µCox WL (vI − Vt )

Considerando (2.14):
rDS r
vO = VDD ' VDD DS (para rDS  RD ) (2.17)
rDS + RD RD

Exemplo 4.8 - Sedra 5/e

Leia com atenção o exemplo resolvido no livro.

129 / 185
Exemplo 4.9 - Sedra 5/e
Deseja-se polarizar o circuito
mostrado na Figura (c) para
estabelecer uma corrente de dreno
de 0,5 mA. O MOSFET apresenta as
características: Vt = 1 V e
kn0 W /L = 1 mA/V2 . Negligencie a
modulação do canal e utilize uma
fonte c.c. de 15 V. Calcule a variação
na corrente de dreno se o MOSFET for
substituído por outro com
kn0 W /L = 1,5 mA/V2 .

Utilizando a regra de 1/3 para o projeto, fornecendo 1/3 de VDD

para RS , RD e o MOSFET (VDS ):

130 / 185
Exemplo 4.9 - Sedra 5/e (cont.)
VDD − VD 15 − 10
RD = = = 10 kΩ
ID 0,5
VS 5
RS = = = 10 kΩ
IS 0,5
Para encontrar VGS , basta aplicar a equação quadrática:

1 0W
ID = k /L(VGS − Vt )2
2 n
1
0,5 = (1)(VGS − 1)2
2
Resultando em:
VGS = Vt + 1 = 2 V
Como VS = 5 V, a tensão de gatilho vale

VG = VS + VGS = 5 + 2 = 7 V.
131 / 185
Exemplo 4.9 - Sedra 5/e (cont.)
As resistências do divisor resistivo são:

RG1 = 8 MΩ

e
RG2 = 7 MΩ.
Os valores calculados estão indicados na Figura.

132 / 185
Exemplo 4.9 - Sedra 5/e (cont.)
Observe que a excursão máxima do sinal de saída é de 5 V
(entre VD e VDD ), enquanto a excursão mínima é de −4 V
(entre VD e VD − (VG − Vt )).
Quando o NMOS é substituído por outro com Vt = 1,5 V, a
corrente de dreno passa a ser:
1
ID = (1)(VGS − 1,5)2
2
Como VG = 7 = VGS − RD ID , forma-se um sistema de duas
equações e duas variáveis. Resolvendo para ID :

ID = 0,455 mA.

Assim, uma variação de +50% em Vt causa uma variação de

menos de 10% em ID :
0,455 − 0,5 −0,045
∆ID% = = = −9%.
0,5 0,5
133 / 185
Conteúdo

1 O Transistor BJT

2 O Transistor MOSFET

3 Análise de Pequenos Sinais: BJT & MOSFET

4 Exemplos

134 / 185
A Transcondutância do BJT
O projeto do circuito de polarização é responsável por
estabelecer um ponto estável de operação para o transistor. A
partir das características em c.c. do circuito, determinam-se os
parâmetros do modelo c.a. e se realiza a análise de pequenos
sinais.
Por P EQUENOS S INAIS entende-se variações no sinal de
entrada de cerca de 10 % do valor de VT , a tensão equivalente
térmica da junção pn do transistor, aproximadamente 25 mV a
20 ◦C.
A corrente no terminal do coletor é
vBE
iC ' IS e VT (3.1)

Lembrando que
vBE = VBE + vbe (3.2)

135 / 185
A Transcondutância do BJT (cont.)
onde VBE é a tensão quiescente base–emissor do transistor e
vbe é a componente do sinal da tensão de entrada, vs , que
chega à base do transistor. Substituindo (3.2) em (3.1), tem-se
VBE +vbe
iC ' IS e VT

VBE vbe
' IS e VT
e VT
vbe
' IC e VT (3.3)
VBE
uma vez que IC = IS e VT .
Para a análise de pequenos sinais, onde vbe  VT
(vbe ≈ 10 mV), a equação (3.3) pode ser aproximada pela Série
de Taylor truncada nos dois primeiros termos (aproximação de
1ªordem):  
vbe
ic ' IC 1 + (3.4)
VT
136 / 185
A Transcondutância do BJT (cont.)
Observe que a corrente total no coletor representa uma
componente de sinal superposta à componente de polarização:

IC
iC = I C + vbe (3.5)
VT

O primeiro termo representa a componente de Polarização,

enquanto o segundo termo representa a componente de sinal.
Definição (Transcondutância)
gm é a transcondutância do BJT é definida como:

IC
gm = (3.6)
VT

Na equação (3.5), a componente de sinal pode ser expressa

como
ic = gm vbe (3.7)
137 / 185
A Transcondutância do BJT (cont.)

e representa a inclinação da reta tangente ao ponto de

operação do transistor, conforme mostrado no gráfico iC × vBE .

Desta forma, para pequenos

sinais o transistor se comporta
como uma fonte de corrente (ic )
controlada pela tensão aplicada
entre a base e o emissor, vbe .

138 / 185
A Resistência de Base
A corrente total na base é dada por

iC I 1 IC
iB = = C + vbe (3.8)
β β β VT

Desta forma,
iB = IB + ib (3.9)
A componente de sinal em (3.9) é dada por

1 IC
ib = vbe (3.10)
β VT

Substituindo (3.6) em (3.10)

gm
ib = vbe (3.11)
β

139 / 185
A Resistência de Base (cont.)

Definição (Resistência da base)

rπ é a resistência vista olhando para dentro da base, definida
como
vbe
rπ ≡ (3.12)
ib

De (3.11)
β
rπ = (3.13)
gm
também,
VT
rπ = (3.14)
IB

140 / 185
A Resistência de Emissor
A corrente total de emissor é dada por

iC I ic
iE = = C + (3.15)
α α α
Desta forma,
iE = IE + ie (3.16)
A componente de sinal em (3.16) é dada por

ic I IE
ie = = C vbe = vbe (3.17)
α αVT VT

Definição (Resistência de Emissor)

re é a resistência vista olhando para dentro do emissor,
definida como
vbe
re ≡ (3.18)
ie
141 / 185
A Resistência de Emissor (cont.)
De (3.17)
VT
re = (3.19)
IE
Comparando com a equação (3.6)

α 1
re = ' (3.20)
gm gm

A relação entre re e rπ pode ser encontrada combinando-se as

suas definições dadas pelas equações (3.12) e (3.18) como

vbe = ib rπ = ie re
ie
rπ = re
ib

Determinando:
rπ = (β + 1) re (3.21)

142 / 185
Modelos Pequenos Sinais

143 / 185
Modelos Pequenos Sinais (cont.)
Embora os modeloshíbridos π simplificados sejam
convenientes para a análise de circuitos com transistores, em
algumas aplicações um modelo alternativo, denominado de
modelo T, mostra-se mais conveniente.

144 / 185
Modelos Pequenos Sinais (cont.)

No caso do modelo híbrido-π,

gm vbe = gm (ib rπ ) = (gm rπ )ib = βib

e no caso do modelo T

gm vbe = gm (ie re ) = (gm re )ie = αie .

Os modelos permitem considerar o transistor como um

dispositivo ativo cuja saída representa uma fonte de corrente
controlada pela tensão, ou pela corrente, de entrada.

145 / 185
Transcondutância do MOSFET
Seja o circuito conceitual equivalente para ilustrar o modelo
para pequenos sinais.

Para operar como amplificador, o MOSFET deve ser polarizado

para trabalhar na sua região de saturação. Do circuito, a
tensão total do dreno para a fonte é:

vDS = VDS + vds ,

146 / 185
Transcondutância do MOSFET (cont.)
enquanto a tensão total entre o gatilho e a fonte é:

vGS = VGS + vgs .

Substituindo o valor de vGS na expressão da corrente de dreno

na saturação:

1 0W
2
iD =k VGS + vgs − Vt
2 n L
1 W 2
= kn0

(VGS − Vt ) + vgs
2 L
1 0W W 1 W 2
= kn (VGS − Vt )2 + kn0 (VGS − Vt ) vgs + kn0 vgs
2 L L 2 L
(3.22)

147 / 185
Transcondutância do MOSFET (cont.)
O primeiro termo é a componente devida à polarização,
enquanto os dois termos seguintes representam as
componentes de sinal.
Como o último termo é não-linear, indesejável em um
amplificador linear, ele pode ser desconsiderado quando for
muito pequeno. Neste caso, basta considerar:

1 0W 2 W
kn vgs  kn0 (VGS − Vt ) vgs ,
2 L L
ou
vgs  2(VGS − Vt )

Desprezando-se a componente não linear de sinal da corrente

de dreno, a corrente resultante é dada por:

iD ≈ ID + id ,
148 / 185
Transcondutância do MOSFET (cont.)
onde
W
id = kn0 (VGS − Vt ) vgs
L
representa a parcela do sinal que aparece superposta à
componente de polarização da corrente do dreno representada
pelo primeiro termo de (3.22).

Transcondutância do MOSFET:
id W
gm = = kn0 (VGS − Vt )
vgs L
é definida como a transcondutância do MOSFET, em [S]

A sua interpretação física é a inclinação da curva iD × vGS

calculada no ponto Q:

∂iD 
gm =
∂vGS vGS =VGS
149 / 185
Ganho de tensão AV
A tensão total de dreno é dada por

vD = VDD − RD iD (3.23)

Quando um pequeno sinal é aplicado,

vD = VDD − RD (ID + id )
= VDD − RD ID − RD id
= VD − RD id

A componente de sinal presente no dreno é, então,

vd = −RD id = −gm vgs RD (3.24)

Desta forma, o ganho de tensão do circuito é dado pela

expressão:
vd
Av = = −gm RD (3.25)
vgs
150 / 185
Ganho de tensão AV (cont.)
Observe que o sinal negativo indica inversão. As Figuras a
seguir ilustram as características de um amplificador MOSFET
em (CS).

151 / 185
Ganho de tensão AV (cont.)
Os modelos equivalentes π e T para pequenos sinais são
mostrados a seguir:

152 / 185
Análise de Pequenos Sinais
Os procedimentos para se realizar a análise de sinais para os
transistores BJT & MOSFET são resumidos a seguir:
1 Aplicar o Teorema da Superposição, eliminando a fonte de
sinal e deixando apenas a fonte de polarização.
2 Encontrar as correntes e tensões quiescentes (Q).
3 Determinar os parâmetros do modelo híbrido-π/T.
4 Aplicar o Teorema da Superposição, eliminando a(s)
fonte(s) de polarização e deixando apenas a fonte de sinal.
5 Substituir o transistor pelo seu modelo equivalente.
6 Considerar que os capacitores de acoplamento
apresentam, respectivamente, uma impedância
infinita/nula para a análise c.c./c.a..
7 Aplicar as técnicas de análise de circuitos para encontrar
os parâmetros relacionados aos ganhos de tensão e
corrente, bem como as resistências de entrada e de saída
do amplificador.
153 / 185
Conteúdo

1 O Transistor BJT

2 O Transistor MOSFET

3 Análise de Pequenos Sinais: BJT & MOSFET

4 Exemplos

154 / 185
Exemplo 1
Exemplo (Amplificador em Emissor–Comum)
Para o Amplificador mostrado na Figura, considerando que
β = 100, calcule o ganho de tensão c.a. para pequenos sinais.
Observe que na configuração EC o sinal é aplicado à base e a
saída está no coletor.

155 / 185
Exemplo 1 (cont.)

Os valores quiescentes (calculados) indicam que o transistor

opera na região ativa.
De (3.6):
I 2,3 mA
gm = C = = 0,092 S
VT 25 mV
e de (3.13):
β 100
rπ = = = 1,087 kΩ
gm 0,092 S
O modelo equivalente é inserido no circuito em substituição ao
transistor, conforme mostrado na Figura, e a análise de
pequenos sinais é realizada.

156 / 185
Exemplo 1 (cont.)

A tensão à entrada do transistor é:

rπ
vbe = vi (i)
rπ + RBB

e a tensão à saída é:

vo = −RC ic = −Rc gm vbe (ii)

157 / 185
Exemplo 1 (cont.)
Substituindo (i) em (ii):
rπ
vo = −Rc gm vi (iii)
rπ + RBB

O ganho para pequenos sinais é dado por:

vo rπ
Av = = −Rc gm (iv)
vi rπ + RBB

Substituindo os valores numéricos em (iv):

1,087 × 103
Av = −3 × 103 0,092
1,087 × 103 + 100 × 103
= −2,97V /V

O sinal negativo indica que o amplificador é inversor.

158 / 185
Exemplo 2
Exemplo (Amplificador EC com Realimentação c.c.)
Para o Amplificador mostrado na Figura, calcule o ganho de
tensão e corrente e as impedâncias de entrada e saída.

Observe que no modelo híbrido-π:

rπ = (β + 1)re ≈ βre .

159 / 185
Exemplo 2 (cont.)
A resistência de entrada do transistor é a resistência vista
pela base, ou Ri = rπ ' βre . A resistência de entrada do
amplificador (como vista pela fonte de sinal) é o paralelo da
resistência de entrada do transistor com RBB , onde
RBB = R1 k R2 . Logo, RiT ' RBB k βre , ou RiT ' RBB k rπ .

No modelo simplificado, a resistência de saída do transistor é

infinita (fonte de corrente ideal), enquanto a resistência de
saída do amplificador (como vista pela carga) é igual ao
paralelo entre a resistência de coletor e a resistência de saída
do transistor. Em geral, como ro  RC , ela é desprezada.
Contudo, no modelo completo devido à tensão de Early:

VA + VCE VA
ro = ' ,
IC IC

160 / 185
Exemplo 2 (cont.)
uma vez que VA  VCE . Desta forma, RoT ' RC k ro ' RC (em
geral, r0 ≥ 10RC ).
Para calcular o ganho de tensão, observe que:

vo = −(βib )(Rc k ro ) ' −(βib )RC (i)

também:
vi vi
ib = = (ii)
βre rπ
Logo:  
vi
vo ' −β Rc (iii)
rπ
Portanto, rearranjando e lembrando (3.20) e (3.21):
vo
Av = ' −gm RC (iv)
vi

161 / 185
Exemplo 2 (cont.)
Observe que o ganho depende dos parâmetros do transistor
(gm ), o que não é desejável. Também, note que o sinal
negativo em (iv) indica que o amplificador é inversor.

O ganho de corrente é calculado a partir dos divisores de

corrente nos nós de entrada e de saída do amplificador. No nó
de entrada:
RBB ii ib RBB
ib = logo = (v)
RBB + rπ ii RBB + rπ

No nó de saída:
io
io ' βib logo 'β (vi)
ib
  
io io ib βRBB
Ai = = = (vii)
ii ib ii RBB + rπ
162 / 185
Exemplo 2 (cont.)
Nos casos práticos, RBB  rπ , ou RBB ≥ 10(β + 1)re . Logo:

Ai ' β.

O ganho de corrente também pode ser expresso como:

vo
io Ro Ri
Ai = = v T = Av T .
ii i RC
RiT

O ganho de potência é determinado a partir dos valores de Av

e Ai :   
v o io vo io
Ap = = = Av × Ai .
vi ii vi ii

163 / 185
Exemplo 3
Exemplo (Amplificador EC com Degeneração de Emissor)
Para o Amplificador mostrado na Figura, calcule o ganho de
tensão e as impedâncias de entrada e saída.

Da malha de saída:
vout
gm vπ = − (i)
RC
Logo:
vout
vπ = − (ii)
gm RC
164 / 185
Exemplo 3 (cont.)
A corrente no resistor conectado ao emissor é formada pela
componente da corrente de base e de coletor. A corrente de
base é vπ /rπ e a de coletor é gm vπ . Desta forma:
 
vπ
vRE = + gm vπ RE (iii)
rπ

Da malha de entrada:

vin = vπ + vRE
 
vπ
= vπ + + gm vπ R E
rπ
   
1
= vπ 1 + + gm RE (iv)
rπ

165 / 185
Exemplo 3 (cont.)
Substituindo (ii) em (iv) :

vout g R
=−  m C  (v)
vin 1 + r1π + gm RE

Se RE 6= 0, a magnitude do ganho de tensão é menor do que

1
gm RC . Com β  1 e supondo gm  :
rπ
gm RC
Av = − (vi)
1 + gm RE

representando uma redução no ganho de um fator 1 + gm RE .

Porém, se gm RE  1, então o ganho independende dos
parâmetros do transistor, sendo expresso por:

RC
Av = − (vii)
RE
166 / 185
Exemplo 3 (cont.)
Estabilidade do Amplificador
Observe que o efeito do resistor RE é degenerar o valor do
ganho de tensão. Desta forma, o efeito da realimentação c.a. é
reduzir o ganho e, como consequência, estabilizar o
amplificador contra variações em seus parâmetros devido às
variações de β e da temperatura.

No caso mais geral:

A equação (vii) pode ser expressa como:

RL0
Av = − ,
RE0

onde RL0 é a resistência efetiva de carga do transistor e RE0 é a

resistência efetiva de emissor para o sinal.

167 / 185
Exemplo 3 (cont.)
O cálculo da resistência de entrada pode ser obtido
referindo-se a resistência de emissor ao circuito de entrada
(base), de acordo com a Figura.

Da malha de entrada:

vx = rπ ix + RE (β + 1)ix .

Desta forma:
vx
RiT = Rin = = rπ + (β + 1)RE .
ix
168 / 185
Exemplo 3 (cont.)
O cálculo da resistência de saída é realizado de forma
análoga, de acordo com a Figura.

Neste caso:
 
vπ
vin = 0 = vπ + + gm vπ R E ,
rπ
resultando em vπ = 0 e, portanto: gm vπ = 0. Assim, toda a
corrente ix flui por RC . Logo:
vx
RoT = Rout = = RC .
ix
169 / 185
Exemplo 4
Exemplo (Amplificador em Coletor Comum)
Determine a
impedância total de
entrada e os ganhos
de tensão, corrente e
de potência entregue à
carga RL para o
amplificador em CC
mostrado na Figura.
Assuma que β = 175 e
VBE = 0,7 V.

Observe que:
• No amplificador em CC o terminal do coletor é comum ao
sinal de entrada e de saída.

170 / 185
Exemplo 4 (cont.)
• O modelo-T é o mais indicado nesta configuração.
• Determinam-se os valores de corrente e tensão c.c. para
calcular os parâmetros do modelo-T.
• A carga efetiva do amplificador é RE k RL .
• A resistência efetiva do emissor é re + RE0 .
• Os ganhos e resistências do amplificador são
determinados em seguida.

RE0 = RE k RL = 470 kΩ k 470 kΩ = 235 kΩ (i)

R2
VB = V = 7,39 V (ii)
R1 + R2 CC
VE = VB − VBE = 7,39 − 0,7 = 6,69 V (iii)

171 / 185
Exemplo 4 (cont.)

VE
IE = = 14,2 mA (iv)
RE0
VT
re = = 1,76 Ω (v)
IE

A resistência de entrada do amplificador é:

RiT ' βre k R1 k R2 = 41,1 k 18 k 51 = 10,1 kΩ (vi)

O ganho de tensão é calculado observando que:

vo Re ie Re 235
Av = = = ' = 0,992 (vii)
vi (re + Re )ie re + Re 237

172 / 185
Exemplo 4 (cont.)
O ganho de corrente é obtido a partir da relação:
vo
io R
Ai = = ve
ii i
RiT
Av vi RiT Ri 0,992 × 10,1
= = Av T =
R e vi Re 235
' 42,8 (viii)

O ganho de potência é:

Ap = Av × Ai ' Ai = 42,8 (ix)

Contudo, como R + L = RE , metade da potência é dissipada

no resistor do emissor e o ganho de potência para a carga é:
Ap 42,8
ApL = = = 21,4 (x)
2 2
173 / 185
Exemplo 4 (cont.)
O cálculo da resistência de saída requer uma análise mais
cuidadosa, mas nem por isso mais complicada. Como a ação
de refletir as resistências entre a entrada (base) e a saída
(emissor) do transistor está associada ao fator β + 1, de forma
análoga à reflexão de impedâncias em um transformador estar
associada à sua relação de transformação, basta analisar a
resistência refletida para o terminal do emissor.
Base − > Emissor
Para se referir uma resistência da base para o emissor,
dividimos o seu valor por β + 1.

Emissor − > Base

Para se referir uma resistência do emissor para a base,
multiplicamos o seu valor por β + 1.

174 / 185
Exemplo 4 (cont.)
Efeito TRANSISTOR
Quando o BJT foi descoberto, seus criadores observaram que
a sua resistência equivalente era diferente quando medida à
entrada e à saída do dispositivo. O dispositivo foi, então,
denominado de T RANSfer resISTOR.

Para o transistor, a resistência de saída é aquela vista pelo

resistor RE e para o amplificador, pela carga RL :

Ro = re = 1,76 Ω (xi)
3
RoT = re k RE = 1,76 k 470 × 10 ' 1,76 Ω (xii)

Característica do Amplificador em CC
O Estágio CC tem uma elevada impedância de entrada e uma
baixa impedância de saída.

175 / 185
Exemplo 5
Exemplo (Amplificador Autopolarizado)
Determine o ganho de
tensão e a resistência
de entrada para o
MOSFET
autopolarizado em
Fonte Comum
mostrado na Figura.
Assuma Vt = 1,5 V,
kn0 (W /L) = 0,25 mA/V2 e
VA = 50 V.

Para determinar os parâmetros do modelo equivalente, é

necessário encontrar a condição quiescente do transistor,
assumindo que ele se encontra saturado. A corrente

176 / 185
Exemplo 5 (cont.)
quiescente e a tensão de dreno, considerando que VGS = VD ,
já que IG = 0, são:

1
ID = (0,25)(VGS − 1,5)2
2
= 0,125(VD − 1,5)2 (i)
VD = 15 − RD ID
= 15 − 10ID (ii)

Resolvendo para (i) e (ii):

ID = 1,06 mA VD = 4,4 V,

considerando apenas as soluções factíveis.

177 / 185
Exemplo 5 (cont.)
A transcondutância e a resistência de saída do modelo são
calculadas por:

W
gm = kn0 (V − Vt )
L GS
= 0,25(4,4 − 1,5) = 0,725 mA/V (iii)
VA
ro =
ID
50
= = 47 kΩ (iv)
1,06

O modelo híbrido-π é mostrado na Figura (b). Como a corrente

no gatilho pode ser desprezada5 :

vo ' −gm vgs (RD k RL k ro ) (v)

178 / 185
Exemplo 5 (cont.)
Modelo híbrido-π:

mas vgs = vi , logo:

RL0
vo z }| {
Av = = −gm (RD k RL k ro )
vi
= −0,725(10 k 10 k 47) = −3,3 V/V (vi)

179 / 185
Exemplo 5 (cont.)

A resistência de entrada é encontrada a partir da corrente de

entrada do amplificador:

(vi − vo )
ii =
RG
 
vi vo
= 1−
RG vi
vi 4,3vi
= [1 − (−3,3)] = (vii)
RG RG

Assim:
vi R 10
Rin ≡ = G = = 2,33 MΩ (viii)
ii 4,3 4,3

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Exemplo 5 (cont.)
Observe que no amplificador inversor, quando vGS é máximo,
vDS é mínimo. Como na região de saturação vDS ≥ vGS − Vt ,
quando o sinal é máximo na entrada, vDS = vGS − Vt , ou:
min
VDS − |Av |v̂i = VGS + v̂i − Vt
| {z }
v̂o
4,4 − 3,3v̂i = 4,4 + v̂i − 1,5
∴ v̂i = 0,35 V (ix)

Também, como VDS = VGS ,

vGS = 4,4 − 0,34 = 4,06 V > Vt ,

min
o que garante que o MOSFET continua conduzindo e operando
na região de saturação.

181 / 185
Exemplo 5 (cont.)
Observação Importante:
A limitação na amplitude do sinal de entrada é estabelecida
pela condição de contorno definida pela região de limiar entre
a saturação e o triodo.

5
Incluindo o efeito da corrente ii no cálculo do ganho de tensão Av , a
corrente que flui para a carga é ii − gm vgs , resultando em vo = (ii − gm vgs )RL0 .
Como,
vi − vo
ii = ,
RG
então,
1
1−
g m RG
Av = −gm RL0 ,
R0
1+ L
RG
0
mas, considerando que gm RG  1 e L/RG  1, a expressão para o ganho Av
R
se reduz a:
Av ' −gm RL0 .

182 / 185
Exemplo 6
Exemplo (Amplificador em Fonte Comum)
Para o amplificador em
fonte comum,
determine as
condições quiescentes
e o valor da tensão de
saída. Considere que o
dispositivo apresenta
ID = 200 mA para
VGS = 4 V, Vt = 2 V,
gm = 23 mS e
Vin = 25 mV.

O valor da tensão VGS é encontrado a partir do divisor resistivo:

820 × 103
   
R2
VGS = VDD = 15 = 2,23 V (i)
R1 + R2 5,52 × 106
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Exemplo 6 (cont.)
Para as especificações do MOSFET, quando VGS = 4V ,
 
0 W ID 200 mA
kn = 2
= = 50 mA/V2 (ii)
L (VGS − Vt ) (4V − 2V )2

Assim,


W
ID = kn0 (VGS − Vt )2 = 50(2,23 − 2)2 = 2,65 mA (iii)
L
VDS = VDD − ID RD = 15 − (2,65)(3,3) = 6,26 V (iv)
Rd = RD k RL = 3,3 × 103 k 33 × 103 = 3 kΩ (v)

Do modelo híbrido-π simplificado,

vo = −gm vgs Rd = −gm vin Rd (vi)

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Exemplo 6 (cont.)

Resultando em
vo
Av = = −gm Rd = −(23 × 10−3 )(3 × 103 ) = 69 (vii)
vi

A tensão de saída é

Vout = Av Vin = 69 × 25 × 10−3 = 1,73 V (viii)

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