Tema3 - O Transistor

DESCRIÇÃO
Transistores, chaves, amplificadores e polarização: seus modos de funcionamento e suas serventias.
PROPÓSITO
Compreender os conceitos básicos de funcionamento do transistor bipolar de junção, seu funcionamento com transistor de efeito de campo,
adquirir noções sobre as curvas características do dos transistores, saber como analisar circuitos com TBJ e identificar suas aplicações como
chaves eletrônicas, amplificadores de pequenos sinais e suas variações.
PREPARAÇÃO
Antes de iniciar o conteúdo deste texto, tenha à mão papel, caneta, aplicativo de planilha eletrônica e calculadora científica. Também é
possível usar a calculadora de seu smartphone/computador.
OBJETIVOS
MÓDULO 1
Identificar as características de funcionamento dos transistores, assim como sua utilização como chave eletrônica e na amplificação de
pequenos sinais
MÓDULO 2
Reconhecer o funcionamento dos transistores de efeito de campo e sua curva característica
O TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (TBJ)
MÓDULO 1
 Identificar as características dos transistores, assim como sua utilização como chave eletrônica e na amplificação de pequenos
sinais
O TBJ COMO AMPLIFICADOR E COMO CHAVE ELETRÔNICA

No monitoramento de variáveis, muitos sinais apresentam amplitudes muito baixas (sinais muito fracos), como aqueles produzidos pelo corpo
humano e que são medidos pelos equipamentos médicos.
Exemplo:
Imagem: Shutterstock.com
ECOCARDIOGRAMA
ELETROENCEFALOGRAMA
Esses sinais, que possuem baixas amplitudes, podem ser de difícil leitura e interpretação pelo operador, tendo em vista a dificuldade de
separá-los dos ruídos de instrumentação ou de outras variáveis do processo. Para transformá-los em sinais úteis com capacidade de
aproveitamento por ele ou pelo sistema de aquisição de dados do processo, é necessário amplificá-los.
TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO
De maneira similar à da construção dos diodos semicondutores, os transistores bipolares de junção (TBJs) são formados por três materiais
semicondutores dopados. Dependendo de sua construção, os TBJs são classificados como NPN ou PNP (junções entre semicondutores).
As duas letras que formam essas junções indicam o seguinte:
Semicondutor do tipo N considerado negativo, ou seja, sua carga elétrica é transportada por elétrons.

P
Semicondutor do tipo P considerado positivo, já que ela é transportada pela movimentação de lacunas (buracos).
Imagem: Raphael de Souza dos Santos

 Construção de um transistor: NPN e PNP.
 ATENÇÃO
Cada material utilizado na composição do transistor recebe um nome específico.

BASE (B)
O material do centro se chama base (B). Esse material recebe esse nome por ser posicionado no centro e ter contato com os outros dois
lados, sendo mais levemente dopado que os demais e com uma camada mais fina.
EMISSOR (E)
Uma das extremidades é denominada emissor (E) por ser mais fortemente dopada (com elétrons ou buracos, dependendo do tipo de
material) e fornecer elétrons ou lacunas.
COLETOR (C)
A outra extremidade recebe o nome de coletor (C) por receber elétrons ou lacunas e apresentar uma dopagem intermediária.
Desse modo, um transistor possui três terminais: emissor, base e coletor. Como conta com duas junções (coletor/base e base/emissor), ele
se assemelha a dois diodos conectados. Independentemente de sua construção, a análise dos transistores NPN e PNP mostra que eles são
similares.
TRANSISTOR NÃO POLARIZADO

De maneira similar ao que acontece com os diodos, quando os transistores não são polarizados, a difusão de elétrons nas junções entre as
camadas produz camadas de depleção (barreiras de potencial):

 Transistor NPN não polarizado.
POLARIZAÇÃO DO TRANSISTOR NPN

Um transistor pode ser, dependendo da forma como a fonte de alimentação se conecta com os terminais do transistor, polarizado das
seguintes formas:
POLARIZAÇÃO DIRETA
Quando uma fonte de alimentação contínua é conectada aos terminais de um transistor de tal maneira que as junções emissor/base e
coletor/base estão polarizadas diretamente (como ocorre nesta figura), considera-se que sua polarização é direta.

 Transistor NPN polarizado diretamente.
Nessa polarização, as correntes fluem do emissor e do coletor para a base. Dessa maneira, o fluxo de corrente é elevado nas duas junções.
POLARIZAÇÃO REVERSA
Nessa polarização, as duas junções ficam reversamente polarizadas e a corrente circula da base para o emissor e para o coletor. Como a
base é levemente dopada, a corrente circulante é de pequena intensidade (corrente de fuga).
 Transistor NPN polarizado reversamente.
POLARIZAÇÃO DIRETA-REVERSA
Nessa configuração, a junção coletor/base é polarizada reversamente, enquanto a junção emissor/base é polarizada diretamente.

 Transistor NPN polarizado diretamente-reversamente.
Nessa configuração, quando a fonte de polarização direta for maior do que 0,7V (polarização do diodo) e for estabelecida uma polarização
reversa entre o coletor e a base, será estabelecido um fluxo de corrente entre o coletor e o emissor com uma pequena corrente de fuga para
a base.
 SAIBA MAIS
Quando o transistor utilizado possui uma configuração PNP, a mesma lógica pode ser aplicada: basta, para isso, haver a inversão
das fontes de alimentação.
SIMBOLOGIA
Na figura a seguir, é possível observar os símbolos esquemáticos dos transistores NPN e PNP. Pode-se observar ainda que a direção das
setas sinaliza os sentidos das correntes.
 Simbologia dos transistores NPN e PNP.
Em virtude da lei dos nós, é possível relacionar as correntes por meio da equação 1:
IE = IC + IB
(equação 1)
⇋ Utilize a rolagem horizontal
GANHOS INTRÍNSECOS DE UM TRANSISTOR

A relação entre a corrente contínua (CC) no coletor e a CC na base é chamada de ganho de corrente
β CC
IC
ΒCC =
IB
(equação 2)
A relação entre a CC do coletor e a do emissor é estabelecida pelo ganho
α CC
(também chamado de hFE):
IC
ΑCC =
IE
(equação 3)
 SAIBA MAIS
A quase totalidade da corrente que atravessa o emissor chega ao coletor (e vice-versa). Por essa razão, as correntes de coletor e emissor
são quase idênticas.
A relação entre os ganhos do transistor é estabelecida pela equação 4:
Β
Α=
Β+1
(equação 4)
ANÁLISE DE CIRCUITOS COM TBJ

No circuito da figura, são utilizadas duas fontes de tensão contínua na polarização de um transistor NPN:

 Circuito com transistor NPN polarizado.
Essa configuração é chamada de emissor comum, pois as duas fontes estão conectadas ao emissor.
 DICA
É possível utilizar a lei das tensões para montar duas equações capazes de descrever o comportamento do circuito.
A equação a seguir descreve o comportamento da resistência da base do transistor

( RB )
, da resistência de emissor
( RE )
e da junção entre a base e o emissor
( BE )
. Quando é diretamente polarizada, essa resistência apresenta uma queda de tensão de 0,7V (chamada de tensão base emissor ou
VBE
):
V1 − VRB − VBE = 0
(equação 5)
Já a equação 6 descreve o comportamento das resistências de coletor (
RC
) e de emissor (
RE
) e da tensão entre ambos (

VCE
):
V2 − VRC − VCE = 0
(equação 6)
Por intermédio dessas equações, é possível analisar o comportamento dos transistores e das fontes de polarização.
CURVAS CARACTERÍSTICAS
Por causa das curvas características, é possível traçar a relação entre as correntes e as tensões de um transistor.
Relação
IB
versus
VBE
Para cada corrente de base

( IB )
, existe uma tensão correspondente entre a base e o emissor
( VBE )

 Relação
IB
VBE
.
A curva que relaciona a corrente da base com a tensão na junção entre a base e o emissor se assemelha, como era esperado, à curva do
diodo:
Relação entre
IC
versus
VCE
A curva que relaciona o comportamento da corrente de coletor
( IC )
e a tensão entre o coletor e o emissor
( VCE )
pode ser observada adiante:

 Relação
IC
VCE
A curva se divide em:

REGIÃO DE SATURAÇÃO
A parte inicial da curva é chamada de região de saturação. Nessa região, o transistor não funciona como amplificador. Na prática, ele se
comporta como um curto-circuito ou uma chave fechada
( IC_M Á XIMO )
Para sair da região de saturação, é necessário polarizar o diodo coletor/base diretamente com uma tensão de 0,7V. Desse modo, o diodo
entra na parte plana da curva (chamada de região ativa).
REGIÃO ATIVA
Nessa região, a variação na tensão
VCE
não influencia a corrente do coletor, enquanto a da base é fixa. A equação 2 é válida na região ativa.
Os transistores operam na região ativa quando são usados como amplificadores. Nessa região, a corrente de coletor é proporcional à de
base. A parte final é a região de ruptura.


REGIÃO DE CORTE
Na região da curva
IC
versus
VCE
, em que
IB
é igual a zero, encontra-se a região de corte. Nessa região, o transistor funciona como um circuito aberto ou uma chave aberta
( IC = 0 )
Geralmente, o gráfico fornecido pelo fabricante possui diversos valores de
IB
como os da figura a seguir. Isso possibilita a determinação do ganho

β CC
para diferentes polarizações do circuito (diferentes níveis de
IC
):

 Relação
IC
VCE
para diferentes níveis de corrente.
Observando o gráfico da figura acima e medindo as correntes de coletor e de base, é possível utilizar a equação 2 para determinar o ganho
β CC
:
IC 8M
ΒCC = = = 200
IB 40Μ
CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO TBJ

A polarização dos transistores consiste na definição do ponto de operação (região de operação). Ela é definida pelo circuito (fontes de
alimentação e resistores) na qual o transistor está inserido.
RETA DE CARGA
De maneira similar ao que é feito com os diodos, a determinação dos parâmetros de um circuito com transistores pode ser feita por
intermédio da reta de carga do circuito.
Consideremos o seguinte circuito:

 Circuito com transistor – reta de carga.
A reta de carga nos transistores é traçada para se obter, considerando a existência da resistência
RC
, a corrente
IC
e a tensão
VCE
. Assim, pela lei das tensões, pode-se elaborar a equação 7:

15 − VRC − VCE = 0
15 − RC . IC − VCE = 0
RC . IC = 15 − VCE
15 − VCE
IC =
RC
(equação 7)
Como uma reta é definida por dois pontos, para traçar a reta de carga utiliza-se como referência os extremos da curva
IC
versus
VCE
, ou seja, o transistor como um curto-circuito (saturação) e um circuito aberto (corte).
Desse modo...
TRANSISTOR COMO CURTO-CIRCUITO
( VCE = 0 )
15 − VCE
IC =
RC
15 − 0
IC =
RC
15
IC =
RC

TRANSISTOR COMO CIRCUITO ABERTO
( IC = 0 )
15 − VCE
IC =
RC
VCE = 15 − RC . IC
VCE = 15 − RC.0
VCE = 15V
Ou seja, a tensão
VCE
é igual à da fonte de polarização. Desse modo, a partir da reta de carga e mediante a definição de uma corrente
IB
, é possível obter os valores de
IC
VCE
(ponto quiescente ou ponto Q), que correspondem ao ponto de operação:

 Reta de carga – determinação de parâmetros.
TRANSISTOR COMO CHAVE

A configuração mais simples de um transistor é sua utilização como chave.
 ATENÇÃO
Nessa configuração, ele opera apenas nas regiões de corte ou de saturação – e não na região ativa.
Na saturação, o transistor opera como uma chave fechada por uma ligação direta entre o coletor e o emissor. Na região de corte, sua atuação
é como a de uma chave aberta, interrompendo a ligação que existe entre o coletor e o emissor.
CORRENTE DE BASE
A operação de um transistor é controlada por sua corrente de base
( IB )
Quando
IB
é zero (ou muito próxima dele), o transistor entra em corte. Já quando essa corrente está na saturação ou acima desse limite, a corrente de
coletor
( IC )
é máxima e ele está saturado.
TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR DE PEQUENOS SINAIS

Quando o transistor está operando em sua região ativa, a corrente da base
( IB )
é significantemente ampliada pelo ganho do transistor
( β CC )
. Isso é possível com o uso de fontes e resistores que o polarizam nessa região e estabelecem valores específicos de tensões e de correntes.
Há três configurações mais comuns nesse caso:
CONFIGURAÇÃO EMISSOR COMUM

Essa configuração possui o terminal emissor comum às fontes de polarização, como ocorre, por exemplo, no circuito desta figura:
 Circuito emissor comum.
A análise da polarização do circuito é feita ao se analisar o circuito sem o sinal de entrada
( Vi )
e saída
( Vo )
. Isso ocorre no circuito da figura a seguir, na qual se observa apenas aquele alimentado pela fonte de CC:
 Circuito emissor comum – análise CC.
Pela lei das tensões, é possível montar as equações do circuito emissor comum:
VCC − VRC − VCE = 0

VCC − VRB − VBE = 0
 DICA
Essa análise é utilizada para verificar se o circuito opera na região ativa, ou seja, como amplificador.
Operando nessa região, o amplificador apresenta um ganho de tensão
( AV )
proporcional às resistências de entrada
( re )
e de saída
( ro )
do transistor (especificadas pelo fabricante), assim como à resistência colocada no coletor
RC
:
VO ( RC / / RO )
AV = =−
VI RE
Em que
R C / / ro
é o resultado da associação em paralelo entre esses dois resistores fornecida pelo produto dividido pela soma desses dois resistores:
RC ⋅ RO
RC / / RO =
RC + RO
 DICA
O sinal negativo na equação do ganho implica um deslocamento de 180o no sinal de saída em relação ao de entrada (mudança de fase).
 Circuito emissor comum – mudança de fase do sinal de saída.
Caso seja colocada uma resistência no emissor, o ganho de tensão do circuito assumirá esta forma:
 Circuito emissor comum com resistor no emissor.
VO RC
AV = ≅−
VI RE + RE

CONFIGURAÇÃO BASE COMUM
O circuito base comum da figura a seguir é um amplificador menos utilizado que o circuito emissor comum. Isso ocorre pelo fato de a
impedância de entrada
( re )
apresentar valores pequenos e, como consequência disso, ganhos muito elevados.
 ATENÇÃO
Esses ganhos geralmente saturam a saída do amplificador.

 Circuito base comum.
De maneira similar à do transistor emissor comum, a análise do circuito em CC nos permite traçar sua reta de carga:
VE − VBE − VRE = 0
VE − VCE + VC − VRC − VRE = 0
O ganho de tensão é definido por:
VO RC
AV = =
VI RE

CONFIGURAÇÃO COLETOR COMUM
A utilização do amplificador emissor comum apresenta uma restrição quanto ao uso da carga. Quanto menor a resistência da carga, menor é
o ganho do amplificador. Por essa razão, o amplificador coletor comum da figura a seguir, também conhecido como seguidor de emissor, é
utilizado nesses casos.

 Circuito coletor comum.
Analisando o circuito elétrico da figura acima, podemos, com o auxílio da lei de Kirchhoff, escrever as tensões existentes no circuito da
seguinte maneira:
VCC − VCE − VRE = 0
VCC − VR1 − VBE − VRE = 0
A topologia do circuito garante ao coletor comum um ganho de tensão igual a:
VO RE
AV = =
VI RE + RE
CONFIGURAÇÕES (MONTAGEM) DE AMPLIFICADORES COM TBJ

Ao realizar a montagem de projetos com o transistor, deseja-se manter o ponto Q (ponto de operação ou quiescente) fixo independentemente
de outros parâmetros externos. Uma das opções é a utilização de um divisor de tensão na base para estabilizar o transistor:

 Montagem de circuito com transistor.
Uma das formas de se minimizar os efeitos de
β CC
é esta:
R2 ≤ 0 , 01ΒCCRE
Em que o valor de
β CC
consiste no menor valor do ganho que o transistor pode apresentar.
Outra consideração é um valor de tensão no emissor
VE
igual a:
VE = 0 , 1VCC
O ganho de tensão do circuito amplificador com essa configuração é de:

VO ( RC / / RO )
AV = =−
VI RE
 ATENÇÃO
Esse ganho de tensão é o mesmo ganho da configuração emissor comum.
MÃO NA MASSA
O TRANSISTOR DO CIRCUITO DA FIGURA A SEGUIR É UTILIZADO COMO UMA CHAVE ELETRÔNICA. A

RESISTÊNCIA NA BASE É IGUAL A 3KΩ; A NO COLETOR, A 330Ω. QUANDO A TENSÃO DE ENTRADA
APLICADA NA BASE DO TRANSISTOR VARIAR DE 0V PARA 5V, COMO VARIARÁ A TENSÃO NA SAÍDA DO
CIRCUITO? CONSIDERE QUE O VALOR DE Β É IGUAL A 10.
A) 0V para 5V.
B) Será sempre 0V.
C) Será sempre 5V.
D) Será sempre igual a tensão $$V_{ce}$$.
E) 5V para 0V.
OBSERVE O CIRCUITO A SEGUIR E CONSIDERE QUE O VALOR DE Β É IGUAL A 10.

ASSINALE A OPÇÃO QUE REPRESENTA CORRETAMENTE OS VALORES DOS RESISTORES DE BASE E DO
COLETOR PARA QUE A CORRENTE DELE SEJA IGUAL A 10MA:
A) $$R_B = 3kΩ$$ e $$R_C = 330Ω$$
B) $$R_B = 330Ω$$ e $$R_C = 3kΩ$$
C) $$R_B = 4,3kΩ$$ e $$R_C = 500Ω$$
D) $$R_B = 500Ω$$ e $$R_C = 4,3kΩ$$
E) $$R_B = 4,3kΩ$$ e $$R_C = 330Ω$$

PARA O CIRCUITO DA FIGURA A SEGUIR, CONSIDERE A TENSÃO DE ALIMENTAÇÃO $$(V_{CC})$$ IGUAL A
30V E OS SEGUINTES VALORES PARA AS RESISTÊNCIAS: $$R_1 = 6,8KΩ$$, $$R_2 = 1KΩ$$, $$R_C = 3KΩ$$
E $$R_E = 750Ω$$. DETERMINE OS VALORES DE $$V_E$$ E $$V_{CE}$$:
A) $$V_E = 3,85V$$ e $$V_{ce} = 3,15V$$
B) $$V_E = 3,15V$$ e $$V_{ce} = 14,25V$$
C) $$V_E = 3,85V$$ e $$V_{ce} = 14,25V$$
D) $$V_E = 14,25V$$ e $$V_{ce} = 3,15V$$
E) $$V_E = 14,25V$$ e $$V_{ce} = 3,85V$$

DETERMINE OS RESISTORES DO EMISSOR $$(R_E)$$ E DO COLETOR $$(R_C)$$ DO CIRCUITO DA FIGURA
A SEGUIR DE TAL MANEIRA QUE SEJA RESPEITADA A SEGUINTE DEFINIÇÃO:
$$V_{CE}=5V$$ E $$V_E=0,1 \CDOT V_{CC}$$
⇋ UTILIZE A ROLAGEM HORIZONTAL
CONSIDERE:
$$V_{CC} = 10V$$
$$I_C = 10MA$$
$$Β_{CC} = 100$$
$$R_1 = 4,7KΩ$$
$$R_2 = 1KΩ$$
A) $$R_E = 100Ω$$ e $$R_C = 100Ω$$
B) $$R_E = 400Ω$$ e $$R_C = 400Ω$$
C) $$R_E = 1kΩ$$ e $$R_C = 400Ω$$
D) $$R_E = 100Ω$$ e $$R_C = 400Ω$$
E) $$R_E = 400Ω$$ e $$R_C = 100Ω$$
CONSIDERE O CIRCUITO A SEGUIR. OS VALORES DOS RESISTORES SÃO $$R_B = 470KΩ$$ E $$R_C =
3KΩ$$. JÁ A TENSÃO DE ALIMENTAÇÃO É $$V_{CC} = 12V$$. OS PARÂMETROS DO TRANSISTOR, POR FIM,
SÃO $$Β_{CC} = 100$$, $$R_E = 10,71Ω$$ E $$R_O = 50KΩ$$. DETERMINE O GANHO DE TENSÃO DO
CIRCUITO.
A) $$A_V = -264,25$$
B) $$A_V = 100$$
C) $$A_V = 264,25$$
D) $$A_V = -280,11$$
E) $$A_V = -100$$
CONSIDERE O CIRCUITO:
ESSE CIRCUITO POSSUI UMA RESISTÊNCIA DE SAÍDA $$(R_O)$$ MUITO ALTA (PRÓXIMO DE UM CIRCUITO
ABERTO). DIANTE DISSO, QUAL SERÁ O GANHO DE TENSÃO DO CIRCUITO? CONSIDERE ESTES DADOS:
$$R_B = 470KΩ$$
$$R_C = 3KΩ$$
$$V_{CC} = 12V$$
$$Β_{CC} = 100$$
$$R_E = 10,71Ω$$
OS VALORES DOS RESISTORES SÃO:
A) $$A_V = 280,11$$
B) $$A_V = -264,25$$
C) $$A_V = -280,11$$
D) $$A_V = 100$$
E) $$A_V = 264,25$$
GABARITO
O transistor do circuito da figura a seguir é utilizado como uma chave eletrônica. A resistência na base é igual a 3kΩ; a no coletor, a
330Ω. Quando a tensão de entrada aplicada na base do transistor variar de 0V para 5V, como variará a tensão na saída do circuito?
Considere que o valor de β é igual a 10.
A alternativa "E " está correta.
Quando a tensão na base for 0V, a corrente na base será zero. Com o ganho do transistor, é possível verificar que a corrente de coletor
também será nula (zero):
$$I_C=\BETA.I_B$$
$$I_C=\BETA.0$$
$$I_C=0$$
Isso define que, nessa condição, o transistor estará na região de corte; por esse motivo, a tensão na saída será igual à na fonte.
Quando a tensão na entrada for de 5V, a corrente na base será:
$$I_B=\FRAC{V_{CC}-V_{BE}}{R_B}$$
$$I_B=\FRAC{5-0,7}{3K}=\FRAC{4,3}{3K}$$
$$I_B=1,43MA$$
Considerando o ganho do transistor β igual a 10, a corrente de coletor é igual a:

$$I_C=\BETA.I_B$$
$$I_C=10\CDOT1,43M$$
$$I_C=14,3MA$$
Essa corrente de base, por apresentar um valor muito elevado, garante a saturação do transistor e, consequentemente, uma tensão quase
nula na saída:
$$V_{CC}-V_{RC}-V_{CE}=0$$
$$V_{CE}=V_{CC}-V_{RC}$$
$$V_{CE}=5-330 \CDOT 14,3M$$
$$V_{CE}=0,28V$$
Esse nível de tensão pode ser considerado zero se comparado com a tensão de entrada. Assim:
Tensão de entrada (V) Tensão de saída (V)
0 5
5 0
 Tabela: Tratamento dos fluidos na Engenharia.

Elaborado por Raphael de Souza dos Santos
Observe o circuito a seguir e considere que o valor de β é igual a 10.

Assinale a opção que representa corretamente os valores dos resistores de base e do coletor para que a corrente dele seja igual a
10mA:
A alternativa "C " está correta.
Assista ao vídeo para conferir a resolução da questão.

Para o circuito da figura a seguir, considere a tensão de alimentação $$(V_{CC})$$ igual a 30V e os seguintes valores para as
resistências: $$R_1 = 6,8kΩ$$, $$R_2 = 1kΩ$$, $$R_C = 3kΩ$$ e $$R_E = 750Ω$$. Determine os valores de $$V_E$$ e $$V_{ce}$$:
A alternativa "B " está correta.
Primeiramente, determina-se a tensão na base. Como as correntes nas resistências $$R_1$$ e $$R_2$$ são aproximadamente iguais
$$(I_{R1}\cong I_{R2})$$, isso pode ser considerado verdade, já que a corrente na base é sempre pequena.
Desse modo:
$$V_{CC}-V_{R1}-V_{R2}=0$$
$$V_{CC}-R_1.I_{R1}-R_2.I_{R2}=0$$
$$V_{CC}-R_1.I_{R1}-R_2.I_{R1}=0$$
$$R_1.I_{R1}+R_2.I_{R1}=V_{CC}$$
$$6,8K.I_{R1}+1KI_{R1}=30$$
$$I_{R1}=\FRAC{30}{7,8K}=3,85MA$$
Como $$V_{R2} = V_B$$:

$$V_B=V_{R2}=R_2.I_{R2}$$
$$V_B=1K \CDOT 3,85M$$
$$V_B=3,85V$$
Assim:
$$V_B-V_{BE}-V_{RE}=0$$
$$V_{RE}=V_B-V_{BE}$$
$$V_{RE}=3,85-0,7$$
$$V_{RE}=3,15V=V_E$$
A tensão $$V_{ce}$$ pode ser obtida pela equação:
$$V_{CC}-V_{RC}-V_{CE}=0$$
$$V_{CE}=V_{CC}-V_{RC}$$
Como $$I_C\cong I_E$$:
$$V_{RE}=3,15$$
$$R_E.I_E=V_{RE}$$
$$750.I_E=3,15$$
$$I_E=\FRAC{3,15}{750}=4,2MA\CONG I_C$$
Então:
$$V_{CC}-V_{RC}-V_{RE}-V_{CE}=0$$
$$V_{CE}=V_{CC}-V_{RC}-V_{RE}$$
$$V_{CE}=30-R_C.I_C-R_E.I_E$$
$$V_{CE}=30-3K \CDOT 4,2M-750 \CDOT 4,2M$$
$$V_{CE}=14,25V$$
Determine os resistores do emissor $$(R_E)$$ e do coletor $$(R_C)$$ do circuito da figura a seguir de tal maneira que seja
respeitada a seguinte definição:
$$V_{CE}=5V$$ E $$V_E=0,1 \CDOT V_{CC}$$
Considere:
$$V_{CC} = 10V$$
$$I_C = 10mA$$
$$β_{CC} = 100$$
$$R_1 = 4,7kΩ$$
$$R_2 = 1kΩ$$
A alternativa "D " está correta.
A determinação da resistência do emissor é feita pela condição definida no enunciado:

$$V_E=0,1 \CDOT V_{CC}$$
$$V_E=0,1 \CDOT 10$$
$$V_E=1$$
Como $$I_C\cong I_E=10mA$$:
$$V_E=R_E.I_E$$
$$R_E=\FRAC{V_E}{I_E}=\FRAC{1}{10M}$$
$$R_E=100\MATHRM{\OMEGA}$$
Por meio da lei das tensões:
$$V_{CC}-V_{RC}-V_{CE}-V_{RE}=0$$
$$V_{RC}=V_{CC}-V_{CE}-V_{RE}$$
$$V_{RC}=10-5-1$$
$$V_{RC}=4$$
$$R_C.I_C=4$$
$$R_C=\FRAC{4}{I_C}=\FRAC{4}{10M}$$
$$R_C=400\MATHRM{\OMEGA}$$
Considere o circuito a seguir. Os valores dos resistores são $$R_B = 470kΩ$$ e $$R_C = 3kΩ$$. Já a tensão de alimentação é
$$V_{CC} = 12V$$. Os parâmetros do transistor, por fim, são $$β_{CC} = 100$$, $$r_e = 10,71Ω$$ e $$r_O = 50kΩ$$. Determine o
ganho de tensão do circuito.
A alternativa "A " está correta.
O circuito da figura consiste em um transistor na configuração emissor comum sem um resistor no emissor. Assim, o ganho é definido como:
$$A_V=\FRAC{V_O}{V_I}=-\FRAC{(R_C//R_O)}{R_E}$$
O paralelo entre a resistência do coletor e a de saída do transistor é definida como:

$$R_{EQUIVALENTE}=R_C//R_O$$
$$\FRAC{1}{R_{EQUIVALENTE}}=\FRAC{1}{R_C}+\FRAC{1}{R_O}$$
$$R_C//R_O=\FRAC{R_C \CDOT R_O}{R_C+R_O}$$
$$R_C//R_O=\FRAC{3000 \CDOT 50000}{3000+50000}$$
$$R_C//R_O=2830\MATHRM{\OMEGA}$$
Como $$r_e = 10,71Ω$$, então, vemos que:

$$A_V=\FRAC{V_O}{V_I}=-\FRAC{2830}{10,71}$$
$$A_V=-264,25$$
Considere o circuito:
Esse circuito possui uma resistência de saída $$(r_O)$$ muito alta (próximo de um circuito aberto). Diante disso, qual será o ganho
de tensão do circuito? Considere estes dados:
$$R_B = 470kΩ$$
$$R_C = 3kΩ$$
$$V_{CC} = 12V$$
$$β_{CC} = 100$$
$$r_e = 10,71Ω$$
Os valores dos resistores são:
O circuito da figura consiste em um transistor na configuração emissor comum sem um resistor no emissor e com uma resistência muito
elevada na saída do transistor: $$r_O = \infty$$.
De maneira similar ao exercício anterior, o ganho é definido como:

Como a resistência de saída é muito grande $$(r_O = \infty)$$:
$$R_{EQUIVALENTE}=R_C$$
Como $$r_e = 10,71Ω$$, verifica-se que:
$$A_V=\FRAC{V_O}{V_I}=-\FRAC{3000}{10,71}$$
$$A_V=-280,11$$
GABARITO
TEORIA NA PRÁTICA
CONSIDERE O CIRCUITO DA FIGURA A SEGUIR. SUPONHA UMA RESISTÊNCIA

DE BASE
( RB )
DE 500KΩ, UMA RESISTÊNCIA DE COLETOR
( RC )
DE 1500Ω E UMA FONTE DE ALIMENTAÇÃO
VCC
DE 15V. DETERMINAREMOS OS PONTOS QUE DEFINEM A RETA DE CARGA DO
TRANSISTOR NO CIRCUITO.
RESOLUÇÃO
A aplicação da reta de carga nos transistores permite a obtenção do ponto de operação do circuito em virtude dos valores da corrente de
coletor e da tensão entre o coletor e o emissor nas condições de operação extremas do transistor (corte e saturação).
A análise do circuito nos permite definir a equação:

VCC − VRC − VCE = 0
VCC − RC . IC − VCE = 0
RC . IC = VCC − VCE
( VCC − VCE )
IC =
RC
Aplicando-se as condições extremas, são encontradas duas condições:

Corte
( IC = 0 )
VCC = VCE + RC . IC
VCC = VCE + RC.0
VCC = VCE = 15V
Saturação
( VCE = 0 )
VCC = VCE + RC . IC
VCC = 0 + RC . IC
VCC 15
IC = = = 0 , 01
RC 1500
IC = 10MA

Já a corrente de base
( IB )
, em que a reta encontrará a curva do transistor, será aproximadamente de:
VCC − VRB − VBE = 0
VCC − RB . IB − VBE = 0
VCC − VBE
IB =
RB
15 − 0 , 7 14 , 3
IB = =
500K 500K
IB = 28 , 6ΜA

Assista ao vídeo para entender melhor a resolução da questão.

VERIFICANDO O APRENDIZADO
CONSIDERE O CIRCUITO A SEGUIR:
OS PARÂMETROS DO CIRCUITO SÃO:
$$V_{CC} = 22V$$
$$R_1 = 56KΩ$$
$$R_2 = 8,2KΩ$$
$$R_C = 6,8KΩ$$
$$R_E = 1,5KΩ$$
$$Β = 90$$
$$R_E = 18,44Ω$$
$$R_O = 50KΩ$$
O GANHO DE TENSÃO DO CIRCUITO É IGUAL A:
A) $$A_V = 90$$
B) $$A_V = -368,76$$
C) $$A_V = 368,76$$
D) $$A_V = -324,6$$
E) $$A_V = 324,6$$
O CIRCUITO DA FIGURA A SEGUIR É CONHECIDO COMO EMISSOR COMUM. DETERMINE O GANHO DE
TENSÃO DO CIRCUITO, CONSIDERANDO QUE OS PARÂMETROS DO CIRCUITO SÃO:
$$V_{CC} = 20V$$
$$R_B = 470KΩ$$
$$R_C = 0,56KΩ$$
$$R_E = 2,2KΩ$$
$$Β = 140$$
$$R_E = 5,99Ω$$
$$R_O = 50KΩ$$
A) $$A_V = 120$$
B) $$A_V = -3,89$$
C) $$A_V = 3,89$$
D) $$A_V = -351,8$$
E) $$A_V = 351,8$$
GABARITO
Considere o circuito a seguir:

Os parâmetros do circuito são:
$$V_{CC} = 22V$$
$$R_1 = 56kΩ$$
$$R_2 = 8,2kΩ$$
$$R_C = 6,8kΩ$$
$$R_E = 1,5kΩ$$
$$β = 90$$
$$r_e = 18,44Ω$$
$$r_O = 50kΩ$$
O ganho de tensão do circuito é igual a:
O circuito da figura consiste em um transistor polarizado com um divisor de tensão. Desse modo, o ganho é definido de maneira similar à do
ganho do transistor configurado como emissor comum:
$$R_C//R_O=\FRAC{R_C \CDOT R_O}{R_C+R_O}$$
$$R_C//R_O=\FRAC{6800 \CDOT 50000}{6800+50000}$$
$$R_C//R_O=5986\MATHRM{\OMEGA}$$
Como $$r_e = 18,44Ω$$, então, vemos que:
$$A_V=\FRAC{V_O}{V_I}=-\FRAC{5986}{18,44}$$
$$A_V=-324,6$$
O circuito da figura a seguir é conhecido como emissor comum. Determine o ganho de tensão do circuito, considerando que os
parâmetros do circuito são:
$$V_{CC} = 20V$$
$$R_B = 470kΩ$$
$$R_C = 0,56kΩ$$
$$R_E = 2,2kΩ$$
$$β = 140$$
$$r_e = 5,99Ω$$
$$r_O = 50kΩ$$
O circuito da figura consiste em um transistor configurado como emissor comum com um resistor no emissor. Dessa maneira, o ganho é
definido como:
$$A_V=\FRAC{V_O}{V_I}\CONG-\FRAC{R_C}{R_E+R_E}$$
$$A_V\CONG\FRAC{2200}{(5,99+560)}$$
$$A_V\CONG-3,89$$
MÓDULO 2
 Reconhecer o funcionamento dos transistores de efeito de campo e sua curva característica
OS TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Embora os circuitos com TBJS sejam extensamente utilizados, algumas aplicações exigem impedâncias de entrada elevadas, característica
não esperada do TBJ (normalmente, os valores de
re
são baixos). Para isso, utilizam-se os transistores de efeito de campo de junção (JFET) ou os de efeito de campo de óxido metálico
(MOSFET).
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO DE JUNÇÃO (JFET)

Como demonstra a figura a seguir, a estrutura de um JFET é bastante diferente de um TBJ:
 Estrutura e simbologia de um JFET.
No JFET, a condução ocorre pela passagem de portadores de carga ou elétrons (nos dispositivos com canal n) ou de lacunas (naqueles com
canal p) da fonte (source - S) para o dreno (drain – D). Essa passagem ocorre através da porta (gate – G).
DRENO
É um terminal por meio do qual os portadores majoritários saem do circuito.

POLARIZAÇÃO
O circuito a seguir mostra um circuito com a polarização de um JFET com canal n. Uma alimentação positiva entre o dreno e a fonte
estabelece um fluxo de corrente por meio do canal. A intensidade da corrente depende da fonte de alimentação e da largura do canal, o qual,
por sua vez, depende da polarização da porta (G).

 Polarização de um JFET.
A ligação da fonte
VGG
entre a porta e a fonte garante um potencial mais negativo na porta. Com isso, a fonte fica com a polarização reversa, circulando apenas
uma corrente de fuga, o que garante uma alta impedância entre a porta e a fonte.
Quanto mais negativa a tensão
VGG
, mais estreito fica o canal de passagem da corrente.
Assim, quando a tensão na porta é suficientemente negativa, o canal se fecha e o JFET fica cortado
( VGS ( Off ) )
CURVA CARACTERÍSTICA
Na curva característica do JFET para um valor constante de
VGS
, o transistor age como um dispositivo resistivo linear, mantendo a corrente de dreno aproximadamente constante até a região de ruptura:
 Curva característica de um JFET.
O FET COMO CHAVE ELETRÔNICA

A corrente
IDSS
refere-se à do dreno para a fonte quando a porta está em curto-circuito

( VGS = 0V )
. Ela é a corrente máxima de dreno que o JFET é capaz de produzir. Sua região de saturação situa-se no intervalo no qual a tensão
VDS
varia entre 0 e 4V (valor igual à tensão de corte do transistor
VGS ( off ) = − 4V
).
CURVA DE TRANSCONDUTÂNCIA
A curva de transcondutância de um JFET relaciona a corrente de saída
( ID )
com a tensão de entrada
( VGS )
:
 Curva de transcondutância de um JFET.
POLARIZAÇÃO
A polarização de um transistor JFET é similar à de um TBJ. Para um transistor do tipo funcionar corretamente, deve-se polarizar
reversamente a junção entre a porta e a fonte
( VGS )
.
O circuito a seguir mostra um JFET polarizado. Resistores limitadores de tensão e de corrente são utilizados para a polarização do transistor.

 Polarização de um JFET.
No circuito acima, a tensão
VGS
aparece devido à corrente de dreno que percorre o
RS
, o que promove a tensão
VRS
no resistor da fonte. Aplicando-se a lei das tensões na porta, na fonte e na junção reversa, verifica-se o seguinte:
VRG = VRS + VGS
A junção de porta-fonte
( VGS )
reversamente polarizada e corrente
IG
constitui uma pequena corrente de fuga muito próximo de zero. Desse modo, pela lei de Ohm, vê-se que:
VRG = IG . RG ≅ 0
Assim:
VRG = VRS + VGS
0 = VRS + VGS
VRS = − VGS = RS . IS
Pela lei dos nós, a corrente na fonte é a soma das correntes de dreno e de porta.
Então:
IS = ID + IG

Como a corrente de dreno é muito pequena, pode-se considerar que:
IS ≅ ID
Por causa da lei das tensões, também é possível avaliar que:
VDD = ID . ( RD + RS ) + VDS
DETERMINAÇÃO DA RESISTÊNCIA DE FONTE
( RS )
O ponto de operação
(Q)
depende da resistência da fonte
( RS )
. O valor ideal da resistência será um ponto de operação que esteja na região central da curva:

 Ponto de operação (Q).
A resistência
RS
é determinada pela equação:

VGS ( OFF )
RS =
IDSS
Esse valor de R
produz a reta de carga que permite a determinação do valor de
VGS
responsável pelo ponto
. A relação entre a corrente do ponto de operação e a tensão de operação é definida por:
VGSQ
IDQ = IDSS ( 1 − )2
VGS ( OFF )

O FET COMO AMPLIFICADOR
A utilização do FET como amplificador será fundamental quando uma resistência de entrada elevada for necessária. Isso ocorre de maneira
diferente daquela registrada no TBJS, que é um amplificador controlado por corrente. Já o FET é controlado por tensão.
O FET COMO AMPLIFICADOR FONTE COMUM

A figura adiante mostra um amplificador FET na configuração fonte comum. Essa configuração apresenta várias semelhanças com o
amplificador emissor comum. Por esse motivo, sua análise é bastante similar à do emissor comum.

 Amplificador fonte comum com FET.
A resistência de saída do circuito pode ser vista como uma associação entre a resistência do dreno e a da carga. Ela é definida por:
RD = RD / / RL
De maneira similar ao ganho do TBJ, que é definido como β, o JFET apresenta um ganho tido como
gm
e conhecido como transcondutância. Esse ganho tem a seguinte definição:
ID
GM =
VGS
Já a tensão de saída é definida por:

VSA Í DA = − RD . GM . VENTRADA
A V = − R D . GM
AMPLIFICADOR COM REALIMENTAÇÃO PARCIAL

Na figura adiante, é possível observar um amplificador com realimentação parcial. Esse amplificador possui uma resistência
RS1
na fonte (source) do FET.

 Amplificador FET com realimentação parcial.
Seu ganho é definido por:
RD
AV = −
1
RS1 +
GM
AMPLIFICADOR SEGUIDOR DE FONTE

O amplificador seguidor de fonte pode ser visto na figura adiante. Nesse circuito, é possível observar que a fonte de alimentação é conectada
diretamente ao dreno (drain).

 Amplificador FET seguidor de fonte.
O ganho do circuito pode ser definido por:

RS
AV =
1
RS +
GM
O FET COM CAMADA DE ÓXIDO DE SEMICONDUTOR E METAL

(MOSFET)
O MOSFET é um transistor do tipo FET com uma camada de óxido de semicondutor e metal na porta (gate).
A diferença essencial dele para o JFET é que o terminal porta é isolado eletricamente do canal.
Essa camada permite um isolamento maior da porta e garante ao transistor uma impedância de entrada ainda mais alta. Com isso, a corrente
de porta é muito pequena para qualquer tensão, seja ela positiva ou negativa.
MOSFET DE MODO DEPLEÇÃO

Essencialmente, o MOSFET possui quatro terminais:
Dreno
Fonte
Porta
Substrato
SUBSTRATO
É o corpo que dá a sustentação, mas que também contribui com portadores de carga.
Geralmente, o substrato é conectado à fonte internamente ao dispositivo, não sendo acessível pelo usuário. Em outras configurações, ele
pode ser utilizado para controlar a corrente de dreno.
O símbolo do MOSFET com quatro terminais pode ser visto adiante:

 Transistor MOSFET depleção.
Os elétrons livres fluem da fonte para o dreno através do material tipo n. A região p, que é chamada de substrato, pode criar um
estreitamento para o fluxo de elétrons entre a fonte e o dreno. A camada de óxido metálico, por sua vez, impede a passagem da corrente da
porta para o material n, funcionando como um isolante.
O MOSFET em modo depleção possui uma tensão de porta negativa. Quando uma tensão é aplicada entre o dreno e a fonte, os elétrons
começam a fluir pelo material n. Da mesma maneira que ocorre com o JFET, a tensão na porta controla a abertura do canal e,
consequentemente, a passagem da corrente por ele.
Quanto mais negativa a tensão, menor é a corrente de dreno. Quando ela é suficientemente negativa, a camada de depleção bloqueia
completamente o canal e impede a passagem da corrente elétrica. Dessa maneira, com o
VGS
suficientemente negativo, o funcionamento do MOSFET é similar ao do JFET.
Como o terminal da porta é eletricamente isolado do canal, é possível aplicar uma tensão positiva nela. Essa tensão positiva na porta
aumenta o número de elétrons que passam pelo canal. Quanto maior essa tensão, maior é a corrente no dreno, funcionando, assim, de
maneira diferente do JFET.
MOSFET DE MODO CRESCIMENTO OU INTENSIFICAÇÃO
O MOSFET de modo crescimento ou intensificação é uma modificação do MOSFET de modo depleção:

 Transistor MOSFET intensificação.
Na figura acima, é possível ver a representação do MOSFET modo intensificação. Nele, o substrato se estende até a camada de óxido.
Quando a tensão da porta é zero, a alimentação entre o dreno e a fonte força a passagem de elétrons da fonte para o dreno, mas, como o
substrato (material tipo p) tem poucos elétrons, a tensão na porta é nula e o MOSFET fica desligado.
Dessa maneira, o funcionamento é completamente diferente dos transistores tipo JFET ou MOSFET depleção. Quando o terminal da porta é
submetido a um potencial positivo, ele atrai elétrons na região p.
Quando a tensão é suficientemente alta, todas os buracos do material tipo p são completamente preenchidos por elétrons e uma corrente
começa a fluir entre a fonte e o dreno. À medida que isso acontece, uma corrente de boa intensidade flui entre ambos.
Uma tensão entre a porta e a fonte
( VGS )
mínima cria uma corrente entre os dois chamada de tensão limiar
( VGS ( th ) )
. Quando a tensão
VGS
é maior que a limiar
( VGS > VGS ( th ) )
, a corrente de dreno é muito alta.
 DICA
Normalmente, a tensão limiar, dependendo do transistor, varia entre 1V até mais de 5V.
TENSÃO LIMITE DE OPERAÇÃO
Os MOSFET apresentam uma camada isolante que impede a passagem da corrente para a porta tanto para as tensões positivas quanto para
as negativas. Essa camada permite o controle da corrente de dreno no transistor.
 ATENÇÃO
Como a camada é relativamente fina, uma tensão excessiva pode destruí-la.
MODOS DE OPERAÇÃO
A operação do MOSFET pode ser resumida em três diferentes modos que variam de acordo com a tensão aplicada sobre seus terminais.
 SAIBA MAIS
Para MOSFET positivos ou negativos, as tensões são complementares.
Veremos, desse modo, o que ocorre em três regiões:

D1. REGIÃO DE CORTE
A tensão entre porta e fonte
( VGS )
é menor que a limiar
( VGS ( th ) )
. Com isso, o transistor permanece desligado e quase não circula corrente entre o dreno e a fonte. O transistor, desse modo, funciona como
uma chave desligada.
D2. REGIÃO DO TRÍODO
A tensão entre o porta e a fonte
( VGS )
( VGS ( th ) )
. Por outro lado, a existente entre o dreno e a fonte
( VDS )
é menor que a diferença entre a tensão entre portão e fonte
( VGS )
e a limiar
( VGS ( th ) )
Assim:
VGS > VGS ( TH )
VDS < VGS − VGS ( TH )
Nessa situação, o transistor é ligado e uma corrente flui entre o dreno e a fonte. O MOSFET opera na região linear, sendo controlado pela
corrente na porta
( VG )
.
D3. REGIÃO DE SATURAÇÃO
A tensão entre o porta e a fonte
( VGS )
( VGS ( th ) )
. Por outro lado, a tensão encontrada entre o dreno e a fonte
( VDS )
é maior que a diferença entre a tensão entre porta e fonte
( VGS )
e a limiar
( VGS ( th ) )
Desse modo:
VGS > VGS ( TH )

VDS > VGS − VGS ( TH )
Nessa situação, o transistor fica ligado: um fluxo contínuo e intenso de corrente é criado entre o dreno e a fonte. Sendo a tensão de dreno
maior que a da porta, essa parte do canal é desligada. A corrente no dreno é relativamente independente da tensão dele, sendo controlada
apenas pela tensão na porta.
 SAIBA MAIS
Entre as maiores aplicações dos circuitos do tipo MOSFET em sistemas digitais, estão suas operações nas regiões de corte e linear. De
maneira oposta, verifica-se que, em sistemas analógicos, suas maiores aplicações ocorrem na região de saturação.
MÃO NA MASSA
CONSIDERANDO O CIRCUITO DA FIGURA A SEGUIR, DETERMINE A TENSÃO E A CORRENTE DO PONTO

QUIESCENTE (PONTO DE OPERAÇÃO). CONSIDERE ESTES DADOS:
$$V_{DD} = 2V$$
$$V_{CC} = 16V$$
$$R_{D} = 2KΩ$$
$$V_{GS(OFF)} = -8V$$
$$I_{DSS} = 10MA$$
A) $$I_{DQ} = 10,0mA$$
B) $$I_{DQ} = 5,625mA$$
C) $$I_{DQ} = 1,0mA$$
D) $$I_{DQ} = 8,0mA$$
E) $$I_{DQ} = 18,0mA$$
PARA O CIRCUITO DA FIGURA A SEGUIR, MEDIU-SE UMA CORRENTE DE DRENO $$(I_{DQ} = 2,6MA)$$.
DETERMINE A TENSÃO ENTRE DRENO E FONTE $$(V_{DS})$$. CONSIDERE ESTES DADOS:
$$V_{DD} = 20V$$
$$R_D = 3,3KΩ$$
$$R_S = 1KΩ$$
$$R_G = 1MΩ$$
A) $$V_{DS} = 0V$$
B) $$V_{DS} = 20V$$
C) $$V_{DS} = 2,6V$$
D) $$V_{DS} = 8,82V$$
E) $$V_{DS} = 17,4V$$
DETERMINE A TENSÃO NO GATE $$(V_G)$$ E A CORRENTE NA RESISTÊNCIA $$R_1$$ PARA O CIRCUITO

DA FIGURA A SEGUIR. CONSIDERE ESTES DADOS:
$$V_{CC} = 16V$$
$$R_{D} = 2,4KΩ$$
$$R_{S} = 1,5KΩ$$
$$R_{1} = 2,1MΩ$$
$$R_{2} = 270KΩ$$
$$C_{1} = 5ΜF$$
$$C_{2} = 20ΜF$$
$$C_{O} = 10ΜF$$
A) $$V_G = 1,82V$$ e $$I_{R1} = 6,75µA$$
B) $$V_G = 16V$$ e $$I_{R1} = 3,25µA$$
C) $$V_G = -1,82V$$ e $$I_{R1} = 6,75µA$$
D) $$V_G = 10,24V$$ e $$I_{R1} = 3,25µA$$
E) $$V_G = -10,24V$$ e $$I_{R1} = 6,75µA$$
PARA O CIRCUITO PORTA COMUM DA FIGURA A SEGUIR, COM PONTOS DE OPERAÇÃO EM $$V_{GSQ}
=-2,6V$$ E $$I_{DQ} = 3,8MA$$, DETERMINE A TENSÃO NO DRENO $$(V_D)$$. CONSIDERE ESTES DADOS:
$$V_{CC} = 12V$$
$$R_{D} = 1,5KΩ$$
$$R_{S} = 680Ω$$
A) $$V_D = 0V$$
B) $$V_D = -2,6V$$
C) $$V_D = 2,6V$$
D) $$V_D = -6,3V$$
E) $$V_D = 6,3V$$
DETERMINE A TENSÃO ENTRE O DRENO E A FONTE DO TRANSISTOR A SEGUIR. SAIBA QUE OS

PARÂMETROS DO CIRCUITO SÃO:
$$V_{CC} = 30V$$
$$V_{DD} = 2V$$
$$V_{GSQ} = -8V$$
$$I_{DQ} = 10MA$$
$$R_{D} = 2KΩ$$
$$R_{G} = 1MΩ$$
A) $$V_{DS} = 0V$$
B) $$V_{DS} = -10V$$
C) $$V_{DS} = 10V$$
D) $$V_{DS} = -30V$$
E) $$V_{DS} = 30V$$
CONSIDERANDO O CIRCUITO DA FIGURA A SEGUIR, DETERMINE A TENSÃO ENTRE A PORTA E A FONTE

$$(V_{GS})$$. OS PARÂMETROS DO CIRCUITO SÃO:
$$V_{DD} = 20V$$
$$R_{D} = 3,3KΩ$$
$$R_{S} = 1KΩ$$
$$R_{G} = 1MΩ$$
A) $$V_{GS} = 8V$$
B) $$V_{GS} = -8V$$
C) $$V_{GS} = -4V$$
D) $$V_{GS} = 0V$$
E) $$V_{GS} = 4V$$
GABARITO
Considerando o circuito da figura a seguir, determine a tensão e a corrente do ponto quiescente (ponto de operação). Considere
estes dados:
$$V_{DD} = 2V$$
$$V_{CC} = 16V$$
$$R_{D} = 2kΩ$$
$$V_{GS(off)} = -8V$$
$$I_{DSS} = 10mA$$
Assista ao vídeo para conferir a resolução da questão.
Para o circuito da figura a seguir, mediu-se uma corrente de dreno $$(I_{DQ} = 2,6mA)$$. Determine a tensão entre dreno e fonte
$$(V_{DS})$$. Considere estes dados:
$$V_{DD} = 20V$$
$$R_D = 3,3kΩ$$
$$R_S = 1kΩ$$
$$R_G = 1MΩ$$
A determinação da corrente entre o dreno e a fonte é obtida por causa da lei das tensões:
$$V_{DD}-V_{RD}-V_{DS}-V_{RS}=0$$
$$V_{DS}=V_{DD}-V_{RD}-V_{RS}$$
$$V_{DS}=20-3,3K \CDOT 2,6M-1K \CDOT 2,6M$$
$$V_{DS}=20-8,58-2,6$$
$$V_{DS}=8,82V$$
Determine a tensão no gate $$(V_G)$$ e a corrente na resistência $$R_1$$ para o circuito da figura a seguir. Considere estes dados:
$$V_{CC} = 16V$$
$$R_{D} = 2,4kΩ$$
$$R_{S} = 1,5kΩ$$
$$R_{1} = 2,1MΩ$$
$$R_{2} = 270kΩ$$
$$C_{1} = 5µF$$
$$C_{2} = 20µF$$
$$C_{O} = 10µF$$
$$V_{CC}-V_{R1}-V_{R2}=0$$
$$V_{CC}-R_1.I_{R1}-R_2.I_{R2}=0$$
$$I_{R1}\CONG I_{R2}$$
$$V_{CC}-R_1.I_{R1}-R_2.I_{R1}=0$$
$$R_1.I_{R1}-R_2.I_{R1}=V_{CC}$$
$$(R_1+R_2).I_{R1}=V_{CC}$$
$$(2,1M+270K).I_{R1}=16$$
$$I_{R1}=\FRAC{16}{2370K}=6,75\MU A$$

Pela lei de Ohm, vê-se que:
$$V_G=R_2.I_{R1}$$
$$V_G=270K \CDOT 6,75\MU$$
$$V_G=1,82V$$
Para o circuito porta comum da figura a seguir, com pontos de operação em $$V_{GSQ} =-2,6V$$ e $$I_{DQ} = 3,8mA$$, determine a
tensão no dreno $$(V_D)$$. Considere estes dados:
$$V_{CC} = 12V$$
$$R_{D} = 1,5kΩ$$
$$R_{S} = 680Ω$$
Aplica-se a lei das tensões:
$$V_{CC}-V_{RD}-V_D=0$$
$$V_D=V_{CC}-R_D.I_D$$
$$V_D=12-1,5K \CDOT 3,8M$$
$$V_D=6,3V$$
Determine a tensão entre o dreno e a fonte do transistor a seguir. Saiba que os parâmetros do circuito são:
$$V_{CC} = 30V$$
$$V_{DD} = 2V$$
$$V_{GSQ} = -8V$$
$$I_{DQ} = 10mA$$
$$R_{D} = 2kΩ$$
$$R_{G} = 1MΩ$$
Pela lei das tensões e considerando a corrente de polarização do transistor, vemos que:
$$V_{DD}-V_{RD}-V_{DS}=0$$
$$V_{DS}=V_{DD}-R_D.I_D$$
$$V_D=30-2K \CDOT 10M$$
$$V_D=10V$$
Considerando o circuito da figura a seguir, determine a tensão entre a porta e a fonte $$(V_{GS})$$. Os parâmetros do circuito são:
$$V_{DD} = 20V$$
$$R_{D} = 3,3kΩ$$
$$R_{S} = 1kΩ$$
$$R_{G} = 1MΩ$$
Como a corrente do portão é muito pequena em comparação com a do ponto de operação, pode-se considerar a queda no resistor do portão
desprezível.
Então, pela Lei das tensões, vê-se que:
$$V_{RG}-V_{GS}-V_{RS}=0$$
$$R_G.I_G-V_{GS}-R_S.I_S=0$$
$$R_G.0-V_{GS}-R_S.I_S=0$$
$$-V_{GS}-R_S.I_S=0$$
$$V_{GS}=-R_S.I_S$$
$$V_{GS}=-1K \CDOT 4M$$
$$V_{GS}=-4V$$
GABARITO
TEORIA NA PRÁTICA
CONSIDERE A RETA DE POLARIZAÇÃO DA FIGURA A SEGUIR. DETERMINE O

RESISTOR DE POLARIZAÇÃO DO CIRCUITO CONTENDO UM TRANSISTOR DO
TIPO JFET. DETERMINE TAMBÉM O PONTO DE OPERAÇÃO (Q).

RESOLUÇÃO
O valor da resistência de polarização do JFET pode ser encontrado por intermédio dos valores máximos do circuito:
VGS = − IDSS . R
VGS ( −4)
R= − =−
IDSS 20M
R = 200Ω
O ponto de operação pode ser definido pelo valor medido de
VGS
e pelo cálculo do valor de
ID
com a resistência de polarização utilizada no circuito:
VGS = − ID . R
VGS ( −1,6)
ID = − =−
R 200
ID = 8MA
Assista ao vídeo para entender melhor a resolução da questão.

VERIFICANDO O APRENDIZADO
PARA O CIRCUITO DO TIPO MOSFET DA FIGURA A SEGUIR, DETERMINE A TENSÃO NO GATE.

A) $$V_G = 1,5V$$
B) $$V_G = -1,5V$$
C) $$V_G = 18V$$
D) $$V_G = 0V$$
E) $$V_G = -3V$$
PARA O CIRCUITO PORTA COMUM DA FIGURA A SEGUIR, CONSIDERE A CORRENTE DO PONTO DE

OPERAÇÃO $$I_{DQ} = 6MA$$ E OS SEGUINTES DADOS:
$$V_{CC} = 12V$$
$$R_{D} = 1,5KΩ$$
$$R_{S} = 680Ω$$
DETERMINE A TENSÃO NA JUNÇÃO PORTA-FONTE $$(V_{GS})$$:
A) $$V_D = 2,6V$$
B) $$V_D = -2,6V$$
C) $$V_D = 0V$$
D) $$V_D = 4,08V$$
E) $$V_D = -4,08V$$
GABARITO
Para o circuito do tipo MOSFET da figura a seguir, determine a tensão no gate.
A utilização da lei das tensões no divisor de tensão do portão (gate) permite a determinação da corrente que percorre os resistores do divisor:
$$V_{CC}-V_{R1}-V_{R2}=0$$
$$V_{CC}-R_1.I_{R1}-R_2.I_{R2}=0$$
$$I_{R1}\CONG I_{R2}$$
$$V_{CC}-R_1.I_{R1}-R_2.I_{R1}=0$$
$$R_1.I_{R1}-R_2.I_{R1}=V_{CC}$$
$$(R_1+R_2).I_{R1}=V_{CC}$$
$$(110M+10M).I_{R1}=18$$
$$I_{R1}=\FRAC{18}{120M}=0,15\MU A$$
Pela lei de Ohm, verifica-se que:
$$V_G=V_{R2}=R_2.I_{R1}$$
$$V_G=V_{R2}=10M \CDOT 0,15\MU$$
$$V_G=V_{R2}=1,5V$$
Para o circuito porta comum da figura a seguir, considere a corrente do ponto de operação $$I_{DQ} = 6mA$$ e os seguintes dados:
$$V_{CC} = 12V$$
$$R_{D} = 1,5kΩ$$
$$R_{S} = 680Ω$$
Determine a tensão na junção porta-fonte $$(V_{GS})$$:
Para o circuito da figura, deve-se estabelecer uma corrente de operação – nesse caso, de 6mA. Como a porta está aterrada, sua tensão é
nula.
Com essa corrente, é possível determinar a tensão na junção porta-fonte, por causa da lei das tensões:
$$V_G-V_{GS}-V_{RS}=0$$
$$V_{GS}=V_G-V_{RS}$$
$$V_{GS}=0-V_{RS}$$
$$V_{GS}=-R_{S.}I_{DQ}$$
$$V_{GS}=-680 \CDOT 6M$$

$$V_{GS}=-4,08V$$
CONCLUSÃO
CONSIDERAÇÕES FINAIS
Ao longo dos dois módulos deste texto, descrevemos os transistores e explicamos como eles funcionam. Apresentamos, para isso, os
circuitos com transistores bipolares de junção (TBJs). Também abordamos a importância dos TBJs como amplificadores de pequenos sinais e
destacamos sua determinação do ganho.
Estudamos as configurações mais comuns e os circuitos mais utilizados com transistores bipolares. Com isso, discutimos detalhadamente a
elaboração e a importância da curva de polarização. Além disso, descrevemos o funcionamento deles como chaves eletrônicas.
Em seguida, analisamos os transistores de efeito de campo (FET) e os de campo de óxido metálico (MOSFET), verificando ainda o
funcionamento dos FET como amplificadores e chaves eletrônicas. Por fim, discutimos as principais aplicações e operações dos MOSFET,
dando especial atenção a dois modos desse campo: depleção e intensificação.
AVALIAÇÃO DO TEMA:
REFERÊNCIAS
BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. 11. ed. São Paulo: Pearson Education, 2013.
CATHEY, J. J. Dispositivos e circuitos eletrônicos. 1. ed. São Paulo: Makron Books, 1994.
HONDA, R. 850 exercícios de eletrônica. 3. ed. São Paulo: Érica, 1991.
MALVINO, A. P. Eletrônica. v. 1. 4. ed. São Paulo: Makron Books, 1997.

EXPLORE+
Compreenda um pouco mais a fabricação de um transistor na leitura do artigo Transistor por efeito de campo e fotocondutor de poli(o-
metoxianilina), de Roberto K. Onmori, Luiz Henrique C. Mattoso e Roberto M. Faria.
CONTEUDISTA
Raphael de Souza dos Santos
 CURRÍCULO LATTES

Tema3 - O Transistor

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DESCRIÇÃO

Transistores, chaves, amplificadores e polarização: seus modos de funcionamento e suas serventias.

O TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (TBJ)

O TBJ COMO AMPLIFICADOR E COMO CHAVE ELETRÔNICA

As duas letras que formam essas junções indicam o seguinte:

Imagem: Raphael de Souza dos Santos

Cada material utilizado na composição do transistor recebe um nome específico.

TRANSISTOR NÃO POLARIZADO

Imagem: Raphael de Souza dos Santos

POLARIZAÇÃO DO TRANSISTOR NPN

Imagem: Raphael de Souza dos Santos

Imagem: Raphael de Souza dos Santos

⇋ Utilize a rolagem horizontal

GANHOS INTRÍNSECOS DE UM TRANSISTOR

⇋ Utilize a rolagem horizontal

A relação entre a CC do coletor e a do emissor é estabelecida pelo ganho

(também chamado de hFE):

⇋ Utilize a rolagem horizontal

A relação entre os ganhos do transistor é estabelecida pela equação 4:

⇋ Utilize a rolagem horizontal

ANÁLISE DE CIRCUITOS COM TBJ

Imagem: Raphael de Souza dos Santos

A equação a seguir descreve o comportamento da resistência da base do transistor

e da junção entre a base e o emissor

⇋ Utilize a rolagem horizontal

Já a equação 6 descreve o comportamento das resistências de coletor (

) e da tensão entre ambos (

⇋ Utilize a rolagem horizontal

Para cada corrente de base

, existe uma tensão correspondente entre a base e o emissor

Imagem: Raphael de Souza dos Santos

A curva que relaciona o comportamento da corrente de coletor

e a tensão entre o coletor e o emissor

pode ser observada adiante:

A curva se divide em:

Nessa região, a variação na tensão

Geralmente, o gráfico fornecido pelo fabricante possui diversos valores de

como os da figura a seguir. Isso possibilita a determinação do ganho

para diferentes polarizações do circuito (diferentes níveis de

Imagem: Raphael de Souza dos Santos

para diferentes níveis de corrente.

⇋ Utilize a rolagem horizontal

CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO TBJ

Consideremos o seguinte circuito:

. Assim, pela lei das tensões, pode-se elaborar a equação 7:

⇋ Utilize a rolagem horizontal

⇋ Utilize a rolagem horizontal

, ou seja, o transistor como um curto-circuito (saturação) e um circuito aberto (corte).

TRANSISTOR COMO CURTO-CIRCUITO

⇋ Utilize a rolagem horizontal

⇋ Utilize a rolagem horizontal

, é possível obter os valores de

(ponto quiescente ou ponto Q), que correspondem ao ponto de operação:

TRANSISTOR COMO CHAVE

é máxima e ele está saturado.

TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR DE PEQUENOS SINAIS

Há três configurações mais comuns nesse caso:

CONFIGURAÇÃO EMISSOR COMUM

A análise da polarização do circuito é feita ao se analisar o circuito sem o sinal de entrada

VCC − VRC − VCE = 0

⇋ Utilize a rolagem horizontal

Operando nessa região, o amplificador apresenta um ganho de tensão

proporcional às resistências de entrada

do transistor (especificadas pelo fabricante), assim como à resistência colocada no coletor