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O transistor de juno bipolar um dispositivo semicondutor de trs terminais, formado por trs camadas

consistindo de: duas camadas de material tipo "n" e uma de tipo "p" ou de duas de material tipo "p" e uma de tipo
"n".
O primeiro chamado de transistor npn enquanto que o segundo chamado de transistor pnp.
Atravs de uma polarizao de tenso adequada consegue-se estabelecer um fluxo de corrente, permitindo que o
transistor seja utilizado em inmeras aplicaes como: chaves comutadoras eletrnicas, amplificadores de tenso
e de potncia, osciladores, etc.
O termo bipolar refere-se ao fato dos portadores lacunas e eltrons participarem do processo do fluxo de corrente.
Se for utilizado apenas um portador, eltron ou lacuna, o transistor denominado unipolar (FET).
As figuras abaixo ilustram a estrutura bsica de um transistor, representando um circuito T equivalente com
diodos, ligados de tal forma a permitir a identificao da polarizao das junes, as quais so: base-emissor e
base-coletor (B-E e B-C respectivamente).

Observa-se que no transistor pnp a juno dos dois catodos do diodo forma
a base, que negativa, sendo o emissor e o coletor positivos, enquanto que no transistor npn a juno dos dois
anodos forma a base que positiva, sendo o emissor e o coletor negativos. A simbologia utilizada para os
transistores de juno mostrada logo abaixo dos circuitos equivalentes "T" com diodos.
Para que um transistor funcione necessrio polarizar corretamente as suas junes, da seguinte forma: 1 - Juno
base-emissor: deve ser polarizada diretamente 2 - Juno base-coletor: deve ser polarizada reversamente
Esse tipo de polarizao deve ser utilizado para qualquer transistor de juno bipolar, seja ele npn ou pnp.
As figuras abaixo ilustram exemplos de polarizao para os dois tipos de transistores:

Observe atentamente nas figuras acima a polaridade das baterias.


1 - Juno diretamente polarizada:
A figura abaixo mostra o desenho de um transistor pnp com a polarizao direta entre base e emissor. Para estudar
o comportamento da juno diretamente polarizada, foi retirada a bateria de polarizao reversa entre base e
coletor.

Observa-se ento uma semelhana entre a polarizao direta de um diodo com a polarizao direta entre base e
emissor, onde aparece uma regio de depleo estreita.
Neste caso haver um fluxo relativamente intenso de portadores majoritrios do material p para o material n.
Transistor npn com polarizao direta entre base e emissor e polarizao reversa entre coletor e base.
Transistor pnp com polarizao direta entre base e emissor e polarizao reversa entre coletor e base
2 - Juno reversamente polarizada:

Passemos a analisar o comportamento da juno reversamente polarizada, conforme mostra a figura abaixo. Neste
caso, foi removida a bateria de polarizao direta entre emissor e base.

Observa-se agora, em virtude da polarizao reversa um aumento da regio de depleo semelhante ao que
acontece com os diodos de juno, isto ocorre um fluxo de portadores minoritrios (corrente de fuga nos diodos),
fluxo este que depende tambm da temperatura. Podemos ento dizer que uma juno p-n deve ser diretamente
polarizada (base-emissor) enquanto que a outra juno p-n deve ser reversamente polarizada (base-coletor).
Quando um transistor polarizado corretamente, haver um fluxo de corrente, atravs das junes e que se
difundir pelas camadas formadas pelos cristais p ou n.
Essas camadas no tem a mesma espessura e dopagem, de tal forma que: 1. A base a camada mais fina e
menos dopada; 2. O emissor a camada mais dopada; 3. O coletor uma camada mais dopada do que a base e
menos dopada do que o emissor.

Uma pequena parte dos portadores majoritrios ficam retidos na base. Como a base uma pelcula muito fina, a
maioria atravessa a base a se difunde para o coletor.
A corrente que fica retida na base recebe o nome de corrente de base (IB), sendo da ordem de microampres. As
correntes de coletor e emissor so bem maiores, ou seja da ordem de miliampres, isto para transistores de baixa
potncia, podendo alcanar alguns ampres em transistores de potncia. Da mesma forma, para transistores de
potncia, a corrente de base significativamente maior.
Podemos ento dizer que o emissor (E) o responsvel pela emisso dos portadores majoritrios; a base (B)
controla esses portadores enquanto que o coletor (C) recebe os portadores majoritrios provenientes do emissor.
A exemplo dos diodos reversamente polarizados, ocorre uma pequena corrente de fuga, praticamente desprezvel,
formada por portadores minoritrios. Os portadores minoritrios so gerados no material tipo n (base),
denominados tambm de corrente de fuga e so difundidos com relativa facilidade at ao material do tipo p
(coletor), formando assim uma corrente minoritria de lacunas. Lembre-se de que os portadores minoritrios em
um cristal do tipo n so as lacunas.
Desta forma a corrente de coletor (IC), formada pelos portadores majoritrios provenientes do emissor soma-se
aos portadores minoritrios (ICO) ou (ICBO). Aplicando-se a lei de Kirchhoff para corrente (LKT), obtemos:
IE = IC + IB, onde:
IC = IC (PORTADORES MAJORITRIOS) + ICO ou ICBO (PORTADORES MINORITRIOS)
Para uma melhor compreenso, a figura a seguir ilustra o fluxo de corrente em um transistor npn, atravs de uma
outra forma de representao. No entanto, o processo de anlise o mesmo.

Na figura acima oberva-se que os portadores minoritrios (ICO ou ICBO) provenientes da base so os eltrons, que
se somaro a corrente de coletor.
Verifica-se ainda em relao ao exemplo anterior (transistor pnp), que a corrente de base (IB) tem um sentido
oposto , uma vez que, essa corrente formada por lacunas. Da mesma forma as correntes de emissor (IE) e de
coletor (IC) tambm tem sentidos opostos, por serem formadas por eltrons.
OBS: Os transistores do tipo pnp e npn so submetidos ao mesmo processo de anlise, bastando para isso, inverter
a polaridade das baterias de polarizao e lembrar que:
Cristal N - os portadores majoritrios so os eltrons e os minoritrios as lacunas;
Cristal P - os portadores majoritrios so as lacunas e os minoritrios os eltrons.
A figura abaixo mostra um circuito com transistor npn.

A juno base-emissor est polarizada diretamente e por isto, representa uma regio de baixa impedncia. A
voltagem de polarizao base-emissor baixa (da ordem de 0,55V a 0,7V para transistores de silcio), polarizao
esta, caracterizada pela bateria VEE enquanto que, a juno base-coletor est reversamente polarizada em funo
da bateria VCC. Na prtica, VCC assume valores maiores do que VEE.
Como j foi dito anteriormente, a corrente IC o resultado dos portadores majoritrios provenientes do emissor. A
corrente de coletor divide-se basicamente em duas componentes: a corrente proveniente do emissor e a corrente
proveniente do juno reversamente polarizada coletor-base, denominada ICBO, sendo que esta ltima assume
valores extremamente baixos que em muitos casos podem ser desprezados.
A quantidade de corrente que chega no coletor proveniente do emissor depende do tipo de material e dopagem do
emissor. Essa quantidade de corrente varia de acordo com o tipo de transistor.
A constante de proporcionalidade dessa corrente definida como (alfa)1 , de forma que, a corrente de coletor
representada por IE. Os valores tpicos de variam de 0,9 a 0,9. Isto significa que parte da corrente do emissor
no chega ao coletor2 .
Exemplo: Qual a corrente de coletor de um transistor com = 0,95, sabendo-se que a corrente de emissor
2mA? Soluo:
1 O smbolo hFB algumas vezes usado na lugar de 2 Isto explicvel, pois menor do que 1.
Caso ICBO no seja desprezada, a corrente de coletor dada por:
Como dito anteriormente, parte da corrente do emissor que fica retida na base forma a corrente de base, assim:
IE = IC + IB ( I ) Substituindo ( I ) em ( I ), podemos calcular a corrente de base:
IB = (1 - ) . IE - ICBO
A relao / (1 - ) representada por (beta)3 .
Podemos ento estabelecer as relaes:

Exemplos:
a) Um transistor possui um fator = 0,92. Qual o fator ? Soluo:

b) Um transistor possui um fator = 100. Qual o fator ? Soluo:

Podemos ento estabelecer uma relao entre e .4 Temos ento:


I e = assume valores muito mais elevados em relao a (o valor tpico de da ordem de 30 a 300). Ento,
quanto maior for o valor de , mais o valor de tende a aproximar-se de 1.
Assim, levando-se em conta que IC = IE, para um valor de 100, podemos considerar para fins prticos:
3 O smbolo hFE algumas vezes usado no lugar de 4 Alguns autores utilizam a notao C e C
Os transistores podem ser ligados em trs configuraes bsicas: base comum
(BC), emissor comum (EC) e coletor comum (C). Essas denominaes relacionamse aos pontos onde o sinal
injetado e retirado, ou ainda, qual dos terminais do transistor referncia para a entrada e sada de sinal.
No circuito a seguir, observa-se que o sinal injetado entre emissor e base e retirado entre coletor e base.
Desta forma, pode-se dizer que a base o terminal comum para a entrada e sada do sinal. O capacitor "C" ligado
da base a terra assegura que a base seja efetivamente aterrada para sinais alternados.

EMISSOR COMUM: No circuito emissor comum, o sinal aplicado entre base e emissor e retirado entre coletor e
emissor. O capacitor no emissor "CE" assegura o aterramento do emissor para sinais alternados. CA um capacitor
de acoplamento de sinal.
Ganho de corrente (Gi): < 1
Ganho de tenso (GV): elevado Resistncia de entrada (RIN): baixa
Resistncia de sada (ROUT): alta
Ganho de corrente (Gi): elevado

Ganho de tenso (GV) elevado Resistncia de entrada (RIN) mdia Resistncia de sada (ROUT) alta
A figura a seguir mostra um circuito na configurao coletor comum. A configurao coletor comum tambm
conhecida como seguidor de emissor. Essa denominao dada devido a tendncia de todo o sinal aplicado na
entrada estar praticamente presente na sada (circuito de emissor). O sinal de entrada aplicado entre base e
coletor e retirado do circuito de emissor. O capacitor "C" ligado do coletor a terra assegura que o coletor esteja
aterrado para sinais alternados. CA um capacitor de acoplamento de sinal.

As configuraes emissor comum, base comum e coletor comum, so tambm denominadas emissor a terra, base
a terra e coletor a terra. Essas configuraes tambm podem ser apresentadas conforme ilustram as figuras
abaixo:

Para representar tenses e correntes em um circuito com transistores, utilizase usualmente o mtodo convencional
(do + para o -), atravs de setas.
Para as tenses, a ponta da seta aponta sempre para o potencial mais positivo e as correntes so representadas
com setas em sentido contrrio as das tenses.
Podemos por exemplo representar uma tenso entre coletor e emissor por VCE quando o transistor for npn. Isto
significa que o coletor mais positivo do que o
Ganho de corrente (Gi): elevado
Ganho de tenso (GV): 1
Resistncia de entrada (RIN): muito elevada
Resistncia de sada (ROUT): muito baixa emissor. Em outras palavras, a primeira letra aps o V (neste caso o
coletor) mais positiva do que a segunda letra (neste caso o emissor).
Para um transistor pnp a tenso entre coletor e emissor representada por VEC, indicando que o emissor mais
positivo do que o coletor.
A figura abaixo ilustra dois transistores com polaridades opostas, utilizando essa representao.

Na figura abaixo temos um outro exemplo utilizando essas representaes; observe que as setas que indicam o
sentido da corrente so opostas aquelas que indicam as tenses.

Para as tenses VRC (tenso no resistor de coletor) e VRE ( tenso no resistor de emissor), a ponta da seta indica
que a tenso na parte superior desses resistores mais positiva do que na parte inferior.
Temos visto at agora a polarizao de transistores utilizando duas baterias, sendo uma para polarizao da juno
base-emissor e outra para a juno basecoletor.
Na maioria das vezes, uma nica bateria pode polarizar um circuito transistorizado, visto que o mesmo comportase como um circuito fechado.
As tenses nas junes do transistor e nos componentes externos, como resistores, capacitores, indutores, etc.
podem ser calculadas utilizando-se as leis de Kirchhoff para tenso (LKT). Da mesma forma, as correntes podem
ser calculadas aplicando-se LKC.
A figura a seguir mostra um transistor com polarizao por divisor de tenso na base, cuja teoria ser vista no
captulo referente aos circuitos de polarizao.
Observe atentamente as indicaes das tenses e das correntes em funo do sentido das setas.

Aplicando-se LKT, podemos obter vrias equaes:


1. VCC - VRC - VCE - VRE = 0 2. VCE -VBE - VCB = 0 3. VCC - VRB1 - VRB2 = 0 4. VRB1 - VRC - VCB = 0 5. VRB2 VBE - VRE = 0 6. VCC - VRC - VCB - VBE - VRE = 0
Aplicando-se LKC no ponto X, temos:
As curvas caractersticas definem a regio de operao de um transistor, tais como: regio de saturao, regio de
corte, regio ativa e regio de ruptura.
De acordo com as necessidades do projeto essas regies de operao devem ser escolhidas. Quando necessitamos
de um transistor como chave eletrnica, normalmente as regies de corte e saturao so selecionadas; no caso
de transistor operando como amplificador, via de regra, escolhe-se a regio ativa.
A regio de ruptura indica a mxima tenso que o transistor pode suportar sem riscos de danos.
A seguir so mostradas algumas curvas caractersticas, apenas como fim didtico, no sendo obedecido a rigor
nenhum tipo de escala.

A regio de corte mostrada na rea sombreada, onde IB = 0. A curva de potncia mxima representa a mxima
potncia que pode ser dissipada pelo transistor.
Observa-se na curva caracterstica para montagem em base comum, que a corrente de emissor controla a corrente
de coletor, enquanto que na curva caracterstica para montagem em emissor comum, a corrente de base controla
a corrente de coletor.

Observe a calibrao dos eixos de tenso e corrente para a montagem em coletor comum, onde a corrente de
base controla a corrente de emissor.
A figura abaixo mostra a curva caracterstica para emissor comum semelhante a vista anteriormente, no entanto,
observe a rea sombreada, a qual denominada de rea til, na qual o transistor opera com total segurana.

A regio til delimitada pela curva de potncia mxima5 e conforme dito anteriormente, o transistor trabalha
com segurana, no ultrapassando a mxima potncia permitida.
Apresentaremos a seguir alguns circuitos de polarizao muito utilizados e suas principais caractersticas:
1 - POLARIZAO POR CORRENTE DE BASE CONSTANTE

Tambm denominado de polarizao fixa, um circuito muito utilizado quando deseja-se que o transistor opere
como chaveamento eletrnico, com dois pontos bem definidos: corte e saturao.
Por esse motivo esse tipo de polarizao no utilizado em circuitos lineares, pois muito instvel, pois uma
variao da temperatura provoca uma variao de .
Para este tipo de polarizao: IC = IB Para evitar o disparo trmico, adota-se geralmente: VCE = 0,5VCC
2 - POLARIZAO POR CORRENTE DE EMISSOR CONSTANTE

Diferente do caso anterior, procura-se compensar as variaes de atravs do resistor de emissor.


Assim, quando aumentar, a corrente de coletor aumenta, aumentando tambm a tenso no emissor, fazendo
com que haja uma diminuio da tenso de
5 Tambm denominada hiprbole de mxima dissipao.
polarizao VBE, reduzindo a corrente de base. Isto resulta numa corrente de coletor menor compensando
parcialmente o aumento original de .
Aplicando LKT:
VCC = VRC + VCE + REIE
onde: VRC = RCIC logo:
Adota-se como prtica para garantir a estabilidade trmica sem afetar o sinal de sada: VRE = 0,1VCC
Equaes bsicas:
R RV + ou ainda: IB =
IE = ( + 1)IB 3 - POLARIZAO POR REALIMENTAO NEGATIVA

Este circuito reduz o ganho, mas em compensao aumenta a estabilidade.


Equaes bsicas: VRE = 0,1VCC
4 - SEGUIDOR DE EMISSOR

O seguidor de emissor tem como caracterstica o ganho de tenso baixo ( 1)


Equaes bsicas: VCE = 0,5VCC
5 - POLARIZAO POR DIVISOR DE TENSO NA BASE

A polarizao por divisor de tenso na base ou polarizao universal um dos mtodos mais usados em circuitos
lineares.
A grande vantagem desse tipo de polarizao sua estabilidade trmica (praticamente independente de ). O
nome divisor de tenso proveniente do divisor de tenso formado por RB1 e RB2, onde RB2 polariza diretamente
a juno baseemissor.
Passemos a analisar como opera esse tipo de polarizao.
Aplicando Thvenin:
Abrindo o terminal da base temos: VTH = B2B1
CCB2 R R V . R +
Ainda com o terminal da base aberto e VCC em curto, temos:
RTH = B2B1
B2B1 R R R . R +
Isto nos d o circuito equivalente de Thvenin:

OBS: A resistncia equivalente de Thvenin recebe o nome de RBB enquanto que a tenso equivalente de
Thvenin recebe o nome de VBB
Aplicando LKT: VTH - RTHIB - VBE - REIE = 0
Sendo: IB = 1
+, temos: IE = 1

Se RE for 10 vezes maior do que 1


RTH +, podemos simplificar a frmula:
Para se conseguir uma boa estabilidade no circuito utiliza-se a regra 10:1, o que equivale dizer que:
Apresentamos a seguir algumas regras prticas para a elaborao de um projeto de polarizao por divisor de
tenso na base:

RB1 =
ou
RB2 = B B1
BBB1 R -R
ou

RB1 = RBB .
RB2 =

Clculo das correntes de emissor, base e coletor Em funo de

+ - ICBO
IE = ( + 1)IB + ( + 1)ICBO
IC = IB + ( + 1)ICBO
onde: ( + 1)ICBO = ICEO
Em funo de : Partindo da equao ( I ) da pgina 6 desta apostila:
temos: IE = IC + IB logo: IC = (IC + IB) + ICBO portanto: IC = IC + IB + ICBO resolvendo: IC - IC = IB + ICBO
colocando IC em evidncia resulta:
IC (1 - ) = IB + ICBO portanto:
I - 1 I CBOB

Existem trs situaes distintas para o transistor: coletor aberto; emissor aberto e base aberta.

IEBO: a corrente entre base e emissor com o coletor aberto. No normal termos esta situao, uma vez que a
juno base-emissor de um transistor sempre polarizada diretamente.
ICEO: Esta corrente ao contrrio da anterior, tem um elevado significado.
Trata-se da corrente entre coletor e emissor com a base aberta.
Basicamente determina a amplificao de um circuito, conforme ser visto mais adiante.
ICBO: Varia com a temperatura, sendo de grande importncia, uma vez que, para cada 10C de aumento de
temperatura, essa corrente dobra. a corrente entre coletor e base, com o emissor aberto.
1 - Dado o circuito abaixo, polarizar o transistor na regio ativa, determinando o valor dos resistores e as correntes.

IC = 3mA VBE = 0,7V


Soluo:
Adotando VE = 0,1VCC, VCE = 0,5VCC e VRC = 0,4VCC, temos: VE = VRE = 1,2V VCE = 6V VRC = 4,8V
Clculo de IB

Como = 100, podemos fazer IC = IE, logo: IB =


Clculo de RE

Clculo de RBB RBB = 0,1.400 = 4k


Clculo de VBB
VBB = 2,02V Clculo de RC

Clculo de R1

Clculo de R2

BB1 R - R
Podemos tambm calcular R2 da seguinte forma: R2 =

IB 30A
IE 3mA
IC 3mA

2 - Dado o circuito acima, calcule: , ICEO, IC, IB, RC e RB.


Clculo de

Clculo de IB IB = IE - IC = 4mA - 3,755mA = 245A


Clculo de RC
V VRC = VCC - VCE - VRE (onde VRE = 0,1VCC)

Clculo de RE

Clculo de RB

IE = 4mA VBE = 550mV VCE = 5V VCC = 12V


ICEO 75A

3 - No seguidor de emissor a seguir, calcule todas as tenses e correntes de polarizao, considerando = 40.

Clculo de IB

Clculo de VCE
VCE 7V
VRE 8V
4 - Calcule as correntes e as tenses de polarizao no circuito a seguir: Considere = 100.

Clculo de IB

IB = 20,27A IC = 2,027mA VCE = 5,473V 5 - Calcule IC, IE, RC e RB no circuito abaixo.

Equaes bsicas
( I ) VCC - VRC - VCE - VRE = 0 VRC = RCIC e VRE = REIE, temos: ( I ) VCC = RCIC + VCE + REIE
Clculo de IC
Clculo de IE
Quando > 100, podemos considerar IC = IE
Clculo de RC Utilizando a equao ( I )

Clculo de RB VRB = VCB + VRC


RBIB = VCB + RCIC como: VCE = VCB + VBE, ento: VCB = 8 - 0,6 = 7,4V

RB = A6
IE = 1,2mA RB
Podemos determinar o ponto de operao de um transistor atravs da reta de carga, definindo em um projeto ou
aplicao os parmetros de tenso e corrente.
Esse mtodo grfico somente pode ser aplicado se tivermos disponvel a curva caracterstica do transistor,
fornecida pelo fabricante.
A vantagem da utilizao do mtodo grfico a rapidez na anlise dos pontos de operao de um transistor.
Neste captulo abordaremos apenas reta de carga para C; reta de carga para CA ser abordada posteriormente.
Entende-se como ponto de operao, um determinado ponto em que o transistor opera na ausncia de sinal,
podendo esse ponto ser escolhido ao longo da reta de carga, se quisermos que ele opere na regio linear, regio
de corte ou regio de saturao.
Este ponto denominado "ponto quiescente" ou simplesmente "Q".
Tomemos como exemplo o circuito a seguir na montagem em emissor comum, onde a curva caracterstica do
transistor mostrada ao lado.

Observe as reas sombreadas, que representam as regies de corte e de saturao. Para determinarmos a reta de
carga, necessitamos de dois pontos. Atravs da equao VCC = (RC + IE)IC + VCE, obtemos:
1 ponto: para IC = 0, temos VCC = VCE = 25V

2 ponto: para VCE = 0, temos IC = 20mA 1,25k

Procedimento: Traa-se ento a reta de carga unindo os dois pontos.


Para que o transistor opere na regio linear, o ponto Q dever ser o ponto mdio da reta de carga. No nosso
exemplo o ponto mdio (bem aproximado) coincidiu com a corrente de base equivalente a 30A.
A partir da ento podemos determinar a corrente de coletor e a tenso entre coletor e emissor:
IBQ = 30A
Podemos ento calcular o e aplicar LKT para determinar a tenso nos resistores:

Se na mesma curva selecionarmos um ponto quiescente (Q1) mais prximo da regio de saturao, por exemplo IB
= 45A, teremos um aumento da corrente de coletor e uma diminuio de VCE; para um ponto quiscente (Q2)
mais prximo da regio de corte, por exemplo IB = 10A, teremos uma diminuio da corrente de coletor e um
aumento de VCE, conforme ilustra a figura abaixo:

1. Quando um transistor opera na regio de saturao ou bem prxima dela, a tenso entre coletor e emissor
(VCE) tende a zero, pois aumenta consideravelmente a corrente de coletor.
2. Quando um transistor opera na regio de corte ou bem prxima dela, a tenso entre coletor e emissor (VCE)
tende a se igualar a VCC, pois a corrente de coletor tende a zero.
A tenso de saturao tpica para um transistor de silcio da ordem de 150 a 250mV.
Podemos ento aplicar LKT referente aos pontos Q1 e Q2, e constatar a variao de ao longo da reta de carga.
Para Q1:
18mA IIB C

Para Q2:

A reta de carga pode ser tambm obtida para uma configurao base comum ou emissor comum, seguindo o
mesmo processo. Apresentaremos um exemplo de uma reta de carga para uma montagem em base comum.

Como no caso anterior, devemos determinar dois pontos para traar a reta de carga.
1 ponto:
Quando IC = 0, temos VCB = VCE = VCC. Observe que o eixo da tenso est calibrado em VCB. Quando IC = 0,
VBE = 0, como VCB = VCE - VBE, logo VCB = VCE - 0
Portanto, VCB = 25V 2 ponto:
Para VCE = 0, temos: IC = 25mA 1k
25V RVC C
Neste caso RE o circuito de entrada da configurao base comum, sendo ento desconsiderado para calcular um
dos pontos da reta de carga.

Podemos ento aplicar LKT no circuito em funo dos dados obtidos no grfico. Como trata-se de uma configurao
base-comum, existem duas malhas definidas: uma para o circuito de entrada (base-emissor) e outra para o circuito
de sada (base-coletor). Veja a figura abaixo:

a forma mais simples de operao de um transistor, pois ao longo da reta de carga so definidos apenas dois
pontos: corte e saturao e, portanto, podemos dizer que quando um transistor est saturado, comporta-se como
uma chave eletrnica fechada e quando est em corte, como uma chave eletrnica aberta.

Para que efetivamente o transistor opere como uma chave eletrnica, preciso garantir sua saturao para
qualquer tipo de transistor, sob todas as condies de funcionamento; variao da temperatura, correntes, , etc.
Na prtica, ao projetar uma chave eletrnica com transistor, utiliza-se a corrente de base da ordem de 1/10 da
corrente de coletor no extremo superior da reta de carga, conforme mostra a figura abaixo:

O valor de 20mA foi escolhido na curva caracterstica e portanto, a corrente de base ser 1/20mA = 2mA.
OBS: Na elaborao do projeto, deve-se tomar o cuidado de no ultrapassar os valores mximos especificados pelo
fabricante, como corrente de coletor, corrente de base, tenso entre coletor e emissor, potncia de dissipao, etc.
Estamos considerando o valor de 20mA plenamente compatvel com nosso exemplo de projeto.
Podemos ento definir os valores de RC e RB

Considerando VCE de saturao = 0, teremos: RC = ==600


12V IVC C

Para levar o transistor ao corte, basta abrir Sw, pois com isso, IB = 0.
Admitamos que queiramos no mesmo circuito controlar um led.
Deveremos ento recalcular o valor de RC.

Supondo que a tenso no led seja de 1,5V (valor tpico), ento:

C led
OBS: importante observar se o led suporta a corrente do projeto. Um outro exemplo de transistor usado como
chave mostrado abaixo.

Um sinal cuja forma de onda quadrada e amplitude que varia de 0 a 5V aplicado na entrada.
No instante 1, com 0V na entrada o transistor entra em corte, operando como uma chave aberta e teremos na
sada 15V (VCC); no instante 2, com 5V na entrada o transistor entra em saturao, operando como uma chave
fechada e portanto, teremos na sada 0V.
O prximo passo verificar se os valores adotados para RC e RB garantem a saturao do transistor, ou seja, IB
deve ser da ordem de 1/10 de IC.

Portanto, a relao vlida (10/0,915 = 10,9), garantindo a saturao.


Consiste em tornar a tenso de emissor fixa, resultando assim em uma corrente de emissor fixa.
Pelo fato da tenso VBE ser fixa (da ordem de 0,7V), VE seguir as variaes da tenso de entrada (VBB), isto , se
a tenso de entrada aumentar de 6V para 10V, a tenso VE (nos extremos de RE) variar de 5,3V para 9,3V. Ao
contrrio do transistor como chave eletrnica, o ponto de operao situa-se na regio ativa ao longo da reta de
carga.

A identificao entre um circuito com transistor operando como chave eletrnica e como fonte de corrente fcil;
quando opera como chave eletrnica, o emissor aterrado e existe um resistor na base, ao passo que, como fonte
de corrente o emissor aterrado atravs de um resistor, no havendo resistor na base.
Quando desejamos acionar um led, o ideal faz-lo atravs de uma fonte de corrente, principalmente quando o
valor de VCC baixo, levando-se em conta a queda de tenso no led da ordem de 1,5 a 2,5V.
A ilustrao abaixo mostra as diferenas entre uma chave eletrnica e uma fonte de corrente.

Para entender melhor o que foi acima exposto, vamos considerar um transistor operando como chave de corrente.
Devemos ento estabelecer um valor ideal de RE para nosso projeto.
Vamos supor:
VBB (tenso de entrada) = +5V VCC = +12V IC = 5mA (um ponto mdio da reta de carga dentro da regio ativa)
Determinar:
As tenses em RC para os valores de 10 e 1000 O valor de VCE nas duas condies

Determinando RE Considerando IC = IE, temos:

Lembrar que VBB - VBE = VRE = VE


A tenso de 4,3V ficar fixa, fixando tambm a corrente do emissor, para uma grande gama de valores de RC,
desde que o transistor opere dentro da regio ativa.
Calculando VRC Levando-se em conta que a tenso do emissor est amarrada em 4,3V ento, para os dois casos IC
= 5mA (estamos admitindo IE = IC).

Para satisfazer a equao VCC - VRC - VCE - VRE = 0, a tenso VCE que variar, assim sendo temos:

CONCLUSES: A corrente de coletor manteve-se constante para uma variao muito grande de RC (100 vezes).
Mesmo com RC = 0 a corrente de emissor se manter em 5mA. No entanto, se
RC assumir valores mais elevados, suponhamos 4k, teramos teoricamente VRC = 20V, o que invalidaria a
equao VCC - VRC - VCE - VRE = 0, em outras palavras, para satisfazer a dita equao, IC teria que assumir
valores menores. Deve-se portanto evitar trabalhar com valores de RC que propiciem uma tenso VCE muito
prxima da regio de saturao.
O valor da corrente de coletor no depende do valor de , isto , ao substituir o transistor por outro de diferente,
a corrente de coletor permanecer praticamente igual.
Quanto maior for RE (respeitando-se as caractersticas do projeto), mais estvel torna-se a corrente de coletor.
Quando o valor de VCC for relativamente baixo (por exemplo 5V) o acionamento de leds mais eficaz com uma
fonte de corrente, pois para leds de cores, tamanhos e fabricantes diferentes (a tenso pode variar de 1,5V a
2,5V), a corrente ser praticamente constante no prejudicando a luminosidade.
Para fixar melhor o conceito referente ao transistor operando como fonte de corrente vamos admitir uma situao
conforme ilustra a figura abaixo.

Os leds L-1 e L-2 necessitam de uma corrente de 15mA para obter uma luminosidade ideal. No entanto L-1
proporciona uma queda de 1,5V enquanto que L-2 uma queda de 2,5V. Poder o led 2 ter sua luminosidade
diminuda por necessitar de mais tenso?
Soluo: A primeira impresso de que realmente o led 2 ter sua luminosidade diminuda, pois em comparao
ao led 1 necessita de mais tenso em seus terminais.
No entanto como os leds esto sendo acionados por uma fonte de corrente tal no acontecer, conforme ser
mostrado nos clculos a seguir:
Fixando a corrente de emissor: Se ambos os leds necessitam de 15mA para o brilho ideal ento basta fixar a
corrente de emissor em 15mA, dimensionando o valor de RE.

BEBB==(onde VBB - VBE = VRE)


Adotaremos ento RE = 150
Desta forma, a luminosidade do led 2 no ser diminuda.
A figura a seguir mostra que a corrente nos leds permanece constante, embora as tenses sejam diferentes.

Reta de carga de L-1 1 ponto:

= led
Reta de carga de L-2 1 ponto:

= led
O regulador srie na realidade uma fonte de alimentao regulada mais sofisticada em relao aos reguladores
que utilizam apenas diodo zener.

O diodo zener atua apenas como elemento de referncia enquanto que o transistor o elemento regulador ou de
controle. Observa-se que o transistor est em srie com a carga, da o nome regulador srie. FUNCIONAMENTO:

A tenso de sada estar disponvel na carga (VL), ento: VL = VZ - VBE Como VZ >> VBE podemos aproximar: VL
= VZ Sendo VZ constante, a tenso no ponto "x" ser constante Caso VIN aumente podemos analisar o que
acontece aplicando LKT:
VIN = VR + VZ, mas VR = VCB, logo: VIN = VCB + VZ VCE = VCB + VBE
Portanto, quando VIN aumenta, como VZ constante, VCB tambm aumentar provocando um aumento de VCE,
de modo a suprir a variao na entrada, mantendo VL constante.
Ento: se VIN aumenta VCE aumenta VL no se altera
Caso VIN diminua podemos analisar o que acontece aplicando LKT, obedecendo
os mesmos princpios adotados anteriormente. Neste caso VCB diminui.
Com a diminuio de VIN VCE diminui VL no se altera
Como VIN = VR + VZ
e VR = R.IR mas IR = IZ + IB
Valores mnimos e mximos de VIN ento:
Para VIN mnima temos: VIN(MIN) = R(IZ(MIN) + IB(MAX)) Portanto, abaixo do valor mnimo de entrada o diodo
zener perder suas caractersticas de estabilizao.
Para VIN mxima temos: VIN(MAX) = R(IZ(MAX) + IB(MIN))
Acima do valor mximo de entrada o diodo zener perder tambm suas caractersticas de estabilizao e ser
danificado.
Alguns parmetros devem ser observados para que o circuito opere em condies normais sem danificar seus
componentes. Tenso de entrada mxima:
VIN(MAX) = (IB(MIN) + IZ(MAX)).R + VZ ( I ) Na pior condio RL = (carga aberta), logo IB(MIN) = 0
onde: IZ(MAX) =
Tenso de entrada mnima: VIN(MIN) = (IB(MAX) + IZ(MIN)).R + VZ ( I )
De ( I ) tiramos: IZ(MAX) = R
De ( I ) tiramos: IZ(MIN) + IB(MAX) = R
Dividindo ( I ) e ( IV ) temos:
Projetar uma fonte de alimentao estabilizada com diodo zener e transistor com as seguintes caractersticas:
Tenso de sada (VL): 6V Corrente de sada mxima (IL(MAX)): 1,5A
Tenso de entrada (VIN): 12V 10%
Escolha do transistor O transistor a ser utilizado dever obdecer as seguintes caractersticas:
PC(MAX) 7> (VIN(MAX) - VL) . IC(MAX) Supondo que o transistor escolhido seja o BD235, que de acordo com o
6 IC(MAX) a mxima corrente que o coletor pode suportar 7 PC(MAX) a mxima potncia de dissipao do
coletor manual do fabricante tem as especificaes:

Neste caso, o valor mnimo de beta 40 e o mximo 250. Para que o projeto funcione sem problemas adota-se o
beta de menor valor.
O transistor escolhido atende as exigncias quanto a VCBO(MAX) e IC(MAX). No entanto preciso verificar se a
potncia que ser dissipada pelo coletor ser suficiente para este projeto.
Verificando a potncia que ser dissipada pelo coletor:

logo: IC(MAX) = IL(MAX) -

O transistor escolhido atender as necessidades do projeto quanto a dissipao de potncia, por estar abaixo da
potncia mxima especificada pelo fabricante. Torna-se necessrio entretanto o uso de um dissipador adequado
para evitar sobreaquecimento do transistor.
Escolha do diodo zener:
Levando-se em conta que VL = VZ - VBE e que VBE 0,7V, se adotarmos um diodo zener com tenso nominal de
6V, ento na carga teremos 5,3V. O ideal ento adotar um diodo zener com 6,7V, porm este valor no
comercial. O valor comercial mais prximo encontrado o BYXC6V8, que tem uma tenso nominal de
6,8V e PZ(MAX) igual a 500mW com IZ(MIN) = 8mA.

Teremos ento na carga 6,1V, valor este, perfeitamente aceitvel.


Verificando se o diodo zener escolhido pode ser utilizado:

IZ(MAX) = ()36,5mA 8mA

IZ(MAX) = 71,2mA 4,5mA


Como IZ(MAX) terico = 73,53mA e IZ(MAX) = 71,2mA o diodo zener escolhido pode ser utilizado.
Clculo de R:
Para a mxima de tenso de entrada: VIN(MAX) = 13,2V VIN(MAX) = R.(IB(MIN) + IZ(MAX)) + VZ
Na pior condio: RL = IB(MIN) = 0 VIN(MAX) = (R . IZ(MAX)) + VZ

Para a mnima tenso de entrada: VIN(MIN) = 10,8V

Portanto R dever ser maior do que 87,04 e menor do que 89,89. Adotaremos o valor comercial mais prximo:
91
Potncia dissipada pelo resistor:

Podemos adotar um valor comercial mais prximo: 1W REGULADOR PARALELO:


A exemplo do regulador srie, o transistor atua como elemento de controle e o zener como elemento de referncia.
Como a carga fica em paralelo com o transistor, da a denominao regulador paralelo, cujo circuito mostrado
abaixo.

A anlise do seu funcionamento segue basicamente os mesmos princpios do regulador srie, no que diz respeito
aos parmetros do transistor e do diodo zener.
VZ = VCB como VZ constante, VCB ser constante VCE = VCB + VBE, mas VCB >> VBE logo: VCE = VCB, onde
VCE = VZ
Ao variar a tenso de entrada dentro de certos limites, como VZ fixa, variar
VBE variando a corrente IB e consequentemente IC. Em outras palavras, variando-se a tenso de entrada ocorrer
uma atuao na corrente de base a qual controla a corrente de coletor.
Neste caso, VCE tende a parmanecer constante desde que IZ no assuma valores menores que IZ(MIN) e maiores
que IZ(MAX). Os parmetros para o projeto de em regulador paralelo so essencialmente:
VIN, VL e IL(MAX).
Tenso de entrada mxima:
Na pior condio RL = IL = 0 VIN(MAX) = R1.(IL(MAX) + IC(MAX)) + VZ + VBE
C(MAX) Z(MAX) 1 BEZIN(MAX)I I R
Tenso de entrada mnima: VIN(MIN) = R1.(IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) + VZ + VBE
L(MAX)C(MIN)
1 BEZIN(MIN)I I R
Dividindo ( I ) e ( I ), temos:
Isolando IZ(MAX):

Z(MIN)

OBS: IC(MIN) a corrente de coletor para uma tenso de entrada mnima. Em muitos projetos a mesma pode ser
desprezada por no ter influncia significativa no resultado final.
Corrente em R2:
IR2 = IZ(MIN) - IB(MIN), onde IB(MIN) = )MIN( portanto: IR2 = IZ(MIN) - )MIN(
Quando a tenso de entrada for mxima e a carga estiver aberta (pior condio), um acrscimo de corrente
circular pelo diodo zener. Como VBE praticamente constante, essa corrente circular pela base do transistor, da
ento teremos:

Substituindo ( V ) em ( I ), temos:
BEZ

IN(MAX)

1 . I )I I (I .

Escolha do transistor: Devero ser observados os parmetros:


VCEO 8 > (VZ + VBE)
Escolha do diodo zener: Os parmetros so idnticos aos adotados no regulador srie.
8 VCEO a tenso entre coletor e emissor com a base aberta
Projetar um regulador paralelo , com as seguintes caractersticas:
Escolha do transistor: O transistor dever ter as seguintes caractersticas:
Ic(MAX) > IL(MAX) PC(MAX) > (VZ + VBE) . IC(MAX)
Adotaremos o transistor 2N3534, que tem as caractersticas:
VCEO = 35V IC(MAX) = 3A
Escolha do diodo zener: O diodo zener escolhido foi o BZXC1C15, que tem as caractersticas:

Verificando se o diodo zener escolhido pode ser utilizado:


1 . I )I I (I .

Desprezando IC(MIN) ICMIN) = 0, ento como IR2 = IZ(MIN) - )MIN(


. 40.(20mA) 600mA) 0 (20mA

IZ(MAX) = 0,0244 . 800mA) (620mA


IZ(MAX) = 71,83mA (o zener pode escolhido compatvel) Calculando IC(MAX):

Calculando PC(MAX):
O transistor escolhido atender as necessidades do projeto quanto a dissipao de potncia, por estar abaixo da
potncia mxima especificada pelo fabricante. Torna-se necessrio entretanto o uso de um dissipador adequado
para evitar sobreaquecimento do transistor.
Calculando R2: VR2 = R2.IR2 VR2 = VBE
VBE (adotar 3)

Calculando R1:

OBS: IC(MIN) = 0

R1 dever ser maior do que 3,94 e menor do que 6,613 3,94 < R < 6,61
R1 adotado = 5,6 (valor comercial)
Potncia dissipada por R1:

(adotar 15W - valor comercial)

O regulador com amplificador de erro torna o circuito mais sensvel s variaes da tenso de entrada, ou
variaes da corrente de carga, atravs da introduo de um transistor junto ao elemento de referncia.
A figura a seguir ilustra esse tipo de regulador, onde os elementos que compem o circuito tem as seguintes
funes: Diodo Zener: utilizado como elemento de referncia de tenso;
Transistor T1: o elemento de controle, que ir controlar a tenso de sada a partir de uma tenso de correo a
ele enviada atravs de um circuito comparador;
Transistor T2: basicamente um comparador de tenso DC, isto , compara duas tenses, VR2 e VR3, sendo a
tenso VR3 fixa (denominada tambm tenso de referncia), cuja finalidade controlar a tenso de polarizao do
circuito de controle. Qualquer diferena de tenso entre os dois resistores ir fornecer sada do comparador uma
tenso de referncia que ser aplicada ao circuito de controle.

Quando houver uma variao da tenso de entrada, a tendncia ocorrer uma variao da tenso de sada.
Supondo que VIN aumente, a tenso nos extremos de RL tender a aumentar, aumentando a tenso VR2 e VR3,
mas, como a tenso no emissor de T2 fixada por VZ, ento um aumento de tenso no ponto "x" provocar um
aumento de VBE2, que aumentar IB2 e consequentemente IC2.
Quando IC2 aumenta, haver um aumento da tenso em R1 (VR1), uma vez que a tenso do emissor de T2
fixada pela tenso de zener (VZ).
Como VBE1 fixa, ento um aumento de VR1 provocar um aumento de VCE1.
Lembrar que VR1 = VCB1 e que VCB1 + VBE1 = VCE1.
Um aumento de IC2 provocar tambm um discreto aumento na corrente de base de T1 (IB1). IC2 = IR1 - IB1 IR1
= IC2 + IB1
Considerando a tenso de entrada mxima

Considerando a tenso de entrada mnima

dividindo ( I ) e ( I )

BE1(MAX)L IN(MIN)
BE1(MIN)LIN(MAX) I I .
Clculo de R1
Z(MAX) BE1(MIN)L IN(MAX)I
V - V - V R1 <

A potncia desenvolvida em R1 no pior caso dada por: VR1 = VIN(MAX) - (VL + VBE1(MIN))

Clculo de R2 Adota-se uma regra prtica, onde: IR2 = 0,1.IC2

IZ(MAX) = (adotado)R V - V - V 1 BE1(MIN)L IN(MAX)


1 BE1(MAX)LIN(MIN)I - (adotado)R
Clculo de potncia dissipada em R2 VR2 = VL - VZ - VBE2(MIN)

Clculo de R3

R . V (R2 adotado no clculo anterior)


Clculo de potncia em R3 Em R3 temos: VR3 = VZ + VBE2(MAX)

Projetar uma fonte regulada com amplificador de erro, usando dois transistores e um diodo zener de referncia,
que obedea as caractersticas:

Escolha de T1: O transistor T1 dever ter as seguintes caractersticas:


O transistor escolhido foi o BD233 que tem os seguintes parmetros:

Escolha do diodo zener: Podemos escolher uma tenso de referncia. Adotamos como tenso de referncia para
nosso projeto VZ aproximadamente 0,5VL. No entanto, outro valor pode ser escolhido.
Para este projeto, optou-se pelo diodo zener BZX87-C5V1, que tem os parmetros:

Devemos verificar se o zener escolhido adequado ao projeto:

BE1(MAX)L IN(MIN)
BE1(MIN)LIN(MAX) I I .
Adotando para este projeto VBE1(MIN) = 0,6V e para VBE1(MAX) = 0,7V
800mA 50mA

IZ(MAX) = 106,43mA 70mA


Portanto, o diodo escolhido poder ser usado.
Escolha de T2: O transistor T2 dever ter as seguintes caractersticas:

Para o transistor T2 tambm foram adotados os valores de 0,6V e 0,7V para


VBE2(MIN) e VBE2(MAX) respectivamente.
O transistor escolhido foi o BD135 que tem as seguintes caractersticas:
VCEO = 45V IC(MAX) = 1A PC(MAX) = 8W
Clculo de R1:
Z(MAX) BE1(MIN)L IN(MAX)I

58,4 < R1 < 140


Calculando a potncia desenvolvida em R1:

valor adotado: 100

Clculo de R2:
IZ(MAX) = (adotado)R V - V - V 1 BE1(MIN)L IN(MAX)

1 BE1(MAX)LIN(MIN)I - (adotado)R

422,82 < R2 < 794,87 adotar 560 Calculando a potncia desenvolvida em R2:

Clculo de R3:

onde: VR3 = VZ + VBE2(MIN) Calculando a potncia desenvolvida em R3:

Assim, IC2 = T . IB1


A tenso entre base e emissor dada por: VBE = VBE1 + VBE2 Por se tratar da configurao emissor comum,
assume valor bastante elevado de impedncia de entrada e valor bastante baixo de impedncia de sada, em
relao a um transistor comum. A configurao Darlington normalmente encontrada em um

A configurao Darlington consiste na ligao entre dois transistores na configurao seguidor de emissor, ligados
em cascata, conforme ilustra a figura ao lado, proporcionando em relao a um nico transistor um ganho de
corrente bastante elevado.
O ganho total de tenso aproximadamente igual a 1.
nico invlucro, como por exemplo os transistores BD262 e BD263, com polaridades pnp e npn respectivamente.
Reprojetar o regulador srie da pgina 34, utilizando transistor Darlington; proceder uma anlise do projeto
comparando-o ao projeto anterior e apresentar concluses. Caractersticas do regulador:
Tenso de sada (VL): 6V Corrente de sada mxima (IL(MAX)): 1,5A
Tenso de entrada (VIN): 12V 10%
Para este projeto foi escolhido o transistor BD263, cujas caractersticas so:

Neste caso, VBE maior. Vamos considerar para este projeto, VBE = 1,4V Desta forma, o diodo zener dever ter
uma tenso: 6V + 1,4V = 7,4V.
O valor comercial mais prximo de 7,5V. O diodo zener escolhido foi oBZX75C7V5, cujas caractersticas so:

Verificando a escolha do transistor:

logo: IC(MAX) = IL(MAX) -

O transistor escolhido poder ser utilizado, no entanto, aconselhvel a utilizao de um dissipador de calor para
evitar o sobreaquecimento do transistor.
Verificando a escolha do zener:

IZ(MAX) = ()2,994mA 10mA

IZ(MAX) = 2,44mA 12,994mA


Como PZ(MAX) terico = 53,33mA e IZ(MAX) = 2,44mA o diodo zener escolhido pode ser utilizado.
Clculo de R:
Para a mxima de tenso de entrada: VIN(MAX) = 13,2V VIN(MAX) = R.(IB(MIN) + IZ(MAX)) + VZ
Na pior condio: RL = IB(MIN) = 0 VIN(MAX) = (R . IZ(MAX)) + VZ

Para a mnima tenso de entrada: VIN(MIN) = 10,8V

Portanto R dever ser maior do que 106,8 e menor do que 253,96. Adotaremos o valor comercial mais prximo
a partir de uma mdia aritmtica dos dois valores, que neste caso 180.
Potncia dissipada pelo resistor:

Podemos adotar um valor comercial mais prximo: 250mW (1/4W). COMPARAES:


Parmetros Projeto com transistor comum Projeto com transistor Darlington
Dos parmetros acima apresentados, a concluso mais importante que com o transistor Darlington controla-se
uma corrente de carga com uma corrente de base bem menor. Isto se explica pelo fato de que o ganho de corrente
no transistor Darlington bem maior.
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