Eletrônica Aplicada II

Aula 4

Professor: André Luiz Printes

Circuitos com Múltiplos Transistores
A configuração Darlington da Figura 4.66 alimenta a saída de
um estágio diretamente na entrada do estágio seguinte. Uma vez que a
tensão de saída da Figura 4.66 é retirada diretamente do terminal
emissor, no próximo capítulo veremos que o ganho CA é bastante
próximo de 1, mas a impedância de entrada é muito elevada, o que a
torna atraente para uso em amplificadores que operam sob alimentação
de fontes que tenham uma resistência interna relativamente alta.

Se uma resistência de carga fosse

adicionada ao ramo do coletor e a
tensão de saída retirada do terminal
coletor, a configuração produziria um
ganho muito alto.

Figura 4.66 Amplificador Darlington..

Circuitos com Múltiplos Transistores
Para a análise CC da Figura 4.67, assumindo β1 para o primeiro
transistor e β2 para o segundo, a corrente de base para o segundo
transistor é e a corrente de emissor para o
segundo transistor é
Assumindo β ˃˃ 1 para cada transistor, verificamos que o beta líquido
para a configuração é que se compara diretamente
com um amplificador de um único estágio com um ganho de βD.

Figura 4.67 Equivalente CC da Figura 4.66. Figura 4.66 Amplificador Darlington.

Circuitos com Múltiplos Transistores
A aplicação de uma análise semelhante à da Seção 4.4 resultará na
seguinte equação para a corrente de base:
Definindo

Temos As correntes

e a tensão CC no terminal emissor é

A tensão de coletor para essa configuração é,

obviamente, igual à tensão da fonte.

a tensão através da saída do transistor é

e
Figura 4.67 Equivalente
CC da Figura 4.66.
Impedância Ro vista em Base Comum
Parâmetros AC em Base comum:

Cálculo de Ro com inserção de Re.

+
+
=
.
+

= +
𝐼 𝐼 𝐼 + 𝛼𝐼
 Relação entre gm e re no Transistor BJT
Definição de re
Dado que: e

mas, logo,

como, obtém-se:

Como já demonstrado, para X<<1 Assim:

Sendo a componente alternada da

corrente de coletor expressa por:

Rearranjando a expressão: mas, como

E assim:
Assim E ainda:
 Relação entre gm e re no Transistor BJT
Definição de gm – Transcondutância
Conceitos básicos
Condutância 𝑔 = 𝑖/𝑣

Condutância de entrada 𝑔 = 𝑖𝑏/𝑣𝑏𝑒

Condutância de Saída 𝑔 = 𝑖𝑐/𝑣𝑐

Transcondutância é a relação entre a

corrente de saída pela tensão de entrada.
𝑖
𝑔 =
𝑣

𝑣 𝑉
como: 𝑟 = ≅
𝑖 𝐼

então:

1 𝐼
𝑔 ≅ ≅
𝑟 𝑉
Cargas Ativas
Cargas Ativas
Cargas Ativas
Cargas Ativas

𝒗𝒐 𝒈𝒎 𝒓𝒐 𝑽𝑨
=
𝒗𝒅 𝟐 𝟐𝑽𝑻
Cargas Ativas
Cargas Ativas
Cargas Ativas
Cargas Ativas

+
Cargas Ativas
 Cargas Ativas
Espelho de Corrente Wilson +

Q3 está ligado em base comum e tem no emissor

conectado as duas bases de Q1 e Q2.
Assim, o emissor de Q3 está ligado a re1 e re2
em paralelo. Mas como re1 = re2 , RE3 = re/2.

Assim: = +

= + >>1

= + = >>

Logo a impedância de saída do espelho é

aumentada em fator de
Cargas Ativas