Braune Joao Paulo 2020

Índice
Introdução ......................................................................................................................... 2

Transístor Bipolar de Juncão (TBJ) .................................................................................. 3

Características do TBJ de acordo com o esquema de configuração: ................................ 3

Transístor em Base comum (BC) ..................................................................................... 3

Transístor em configuração Emissor comum (EC) .......................................................... 4

Transístor em configuração Colector comum (CC) ......................................................... 6

Comportamento do transístor como amplificador ............................................................ 7

Explicação das Características Volt-Ampere de um TBJ ................................................. 8

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Introdução
O presente trabalho que tem como “Transístor Bipolar de Juncão (TBJ)”, dentro do
mesmo debruçaremos das suas as características do TBJ de acordo com o esquema de
configuração (emissor-comum, base-comum e coletor-comum); Determinação do ganho
da corrente em cada esquema ,“comportamento do transístor como amplificador e as
características Volt-Ampere de um TBJ”.
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Transístor Bipolar de Juncão (TBJ)

Características do TBJ de acordo com o esquema de configuração:

 Base comum (BC);
 Emissor comum (EC);
 Coletor comum (CC).

Transístor em Base comum (BC)

Na configuração Base comum, o sinal procedente do gerador de entrada aplica-se entre
o emissor e a base.
A resistência de carga coloca-se entre o colector e a base. A corrente de saída é
praticamente do mesmo valor que a da entrada, Portanto o seu ganho de corrente αIcc é
igual a unidade. A resistência de entrada é muito pequena e a resistência de saída é muito
grande. Esta configuração aplica-se para adaptar uma fonte de baixa resistência que ataca
uma carga de alta resistência.
Esta montagem é utilizada de forma menos frequente do que as outras configurações em
circuitos de baixa de baixa frequência, é utilizada para amplificadores que necessitam de
uma impedância de entrada baixa. Como exemplo temos o pré-amplificador de
microfones.
É utilizado para amplificadores VHF e UHF onde a baixa capacitância da saída à entrada
é de importância crítica.

Transístor em configuração Base comum (BC)

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Características

 Impedância de entrada baixa;

 Impedância de saída alta;

 Não existe inversão de fase;

 Ganho de corrente menor que 1;
 Ganho de tensão elevado;
 Ganho de potência intermédio.

Transístor em configuração Emissor comum (EC)

Na configuração emissor comum o sinal do gerador aplica-se entre a base e o emissor, a
carga estará entre Emissor e o colector. O ganho da corrente é elevado. A resistência de
entrada é pequena e a resistência de saída é grande. É a montagem que mais se aproxima
a um amplificador ideal de corrente. Em quanto que as outras duas utilizam-se para unir
resistências.
O circuito do emissor comum é constituido por uma resistência de carga RC e um
transistor NPN; os outros elementos do circuito são usados para a polarização do
transistor e para o acoplamento do sinal.
Os circuitos emissor comum são utilizados para amplificar sinais de baixa voltagem,
como os sinais de rádios fracos captados por uma antena, para amplificação de um sinal
de áudio ou vídeo

Transístor em configuração EC
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Características:

 Impedância de entrada baixa;

 Impedância de saída alta;
 Existe inversão de fase;
 Ganho de corrente elevado;
 Ganho de tensão elevado;
 Ganho de potência elevado.
 Impedância De Entrada (Ze):É igual ao quociente entre a tensão de entrada
(Ee= tensão CA do sinal de entrada) e a corrente de entrada (Ie = corrente CA do
sinal de entrada). A impedância de entrada está compreendida entre 10KΩ e
100KΩ
Ze=Ee / Ie
 Impedância De Saída (Zs): É igual ao quociente entre a tensão CA do sinal de
saída (Es), quando a saída esta em vazio (isto é, Is = 0) e a corrente CA do sinal
de saída (Is), quando a saída está em curto-circuito (Es =0).A impedância de
saída esta situada entre 10KΩe 100KΩ.
Zs= Es (saída em vazio) / Is (saída em curto)
 Amplificação De Corrente (Ai): é o quociente entre a corrente CA do sinal de
saída e a corrente CA do sinal de entrada. A amplificação de corrente está
compreendida entre 10 e 100 vezes.
Ai = Is / Ie
 Amplificação De Tensão (Av): é o quociente entre a tensão CA do sinal de
saída e a tensão CA do sinal de entrada. A ampificação de tensão está situada
entre 100 e 1000 vezes.
Av = Es / Ee
 Amplificação De Potência (Ap): é igual ao produto entre a amplificação de
corrente e a amplificação de tensão. A amplificação de potência está
compreendida entre 1.000 e 100.000 vezes.
Ap = Ai x Av
 Relação De Fase: Ocorre um defasamento de 180° entre a tensão do sinal de
saída e a tensão do sinal de entrada (180° = 180 graus)
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Transístor em configuração Colector comum (CC)

O sinal de entrada aplica-se entre a base e o colector e a carga entre o colector e o emissor.
O ganho de corrente neste caso é muito pequeno. Esta configuração é aplicada para
adaptar uma fonte de alta resistência a uma carga de baixo valor. Observe a figura a baixo
O circuito com um transístor com colector comum possui um ganho de tensão muito
próximo da unidade, significando que os sinais em CA que são inseridos na entrada serão
replicados quase igualmente na saída, assumindo que a carga de saída não apresente
dificuldades para ser controlada pelo transistor. O circuito possui um ganho de corrente
típico que depende em grande parte do hFE do transistor. Uma pequena mudança na
corrente de entrada resulta em uma mudança muito maior na corrente de saída enviada à
carga. Deste modo, um terminal de entrada com uma fraca alimentação pode ser utilizado
para alimentar uma resistência menor no terminal de saída. Esta configuração é
comumente utilizada nos estágios de saída dos amplificadores Classe B e Classe AB, o
circuito base é modificado para operar o transístor no modo classe B ou AB. No modo
classe A, muitas vezes uma fonte de corrente ativa é utilizada em vez do RE para melhorar
a linearidade ou eficiência.

Transístor em Configuração CC
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Características:

 Impedância de entrada alta;

 Impedância de saída baixa;
 Não existe inversão de fase;
 Ganho de corrente elevado;
 Ganho de tensão menor que 1;
 Ganho de potência intermédio.

 Impedância De Entrada: de 100K∧ a 1M∧ .

 Impedância De Saída: de 50∧ a 5000∧.
 Amplificação De Corrente: de 10 a 100 vezes.
 Amplificação De Tensão: é menor do que 1. Neste tipo de amplificador não há
amplificação de tensão.
 Amplificação De Potência: de 10 a 100 vezes.
 Relação De Fase: não há desfasamento entre a tensão do sinal de saída e a tensão
do sinal de entrada.

Quanto mais fina e levemente dopada a base, mais alto é o αcc . αcc está relacionado
com βcc pela expressão:
𝛼𝑐𝑐
βcc =
1−𝛼𝑐𝑐

Comportamento do transístor como amplificador

Uma das características de um TBJ é funcionar como amplificador. Na figura de
esquema de configuração Base comum (BC). Nesta figura, você pode ver que a
resistência de carga RL está em série com a bateria Vcc que alimenta o colector. Uma
pequena variação ∆Vi na tensão de entrada entre emissor e base causa uma variação
relativamente grande ∆IE na corrente de emissor. Vamos definir por α’ a fração desta
mudança da corrente que é coletada e passa através de RL. Ela será dada pela seguinte
expressão:
∆𝐼
α' = ∆𝐼𝐶 Veja na figura da configuração Base comum
𝐸

A variação na tensão de saída no resistor de carga é dada por:

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∆𝑉𝐿 = − 𝑅𝐿 . ∆𝐼𝐶 = −α′ . 𝑅𝐿 . ∆𝐼𝐸

Veja na figura de Emissor Comum
Esta variação pode ser algumas vezes a variação ∆𝑉𝑖 na tensão de entrada. Sob estas
∆𝑉𝐿
circunstâncias, a amplificação da tensão A = será maior que
∆𝑉𝑖

a unidade, e o transístor comporta-se como um amplificador. Se a resistência

dinâmica da junção emissor é re então:

∆𝑉𝑖 = re . ∆𝐼𝐸 e, portanto:

α′ 𝑅𝐿 .∆𝐼𝐸 α ′ 𝑅𝐿
A=− =−
r𝐸 ∆𝐼𝐸 r𝐸

Exemplo: Consideremos que α′ = -1, re = 40Ω e 𝑅𝐿 = 3000Ω.

(−1).3000Ω
A=− = 75
40Ω

Existem algumas especificações definidas pelo fabricante

 Ref ou Tipo: é o nome do transistor.

 VCE0: tensão entre coletor e emissor com a base aberta.
 VCER: tensão entre coletor e emissor com uma resistência no emissor.
 Pol: polarização; N=NPN e P=PNP.
 PTOT: Potência máxima que o transistor pode dissipar
 Ft: Frequência máxima.
 Enca psulamento: Cápsula do transístor que define cada um dos terminais.

Explicação das Características Volt-Ampere de um TBJ

Para descrevermos as curvas volt-ampere de um transístor devemos fazê-lo para o
circuito de entrada e para o circuito de saída.
Deste modo, iremos construir relações do tipo y = fi(x,t) onde y é a variável dependente
(que chamamos vulgarmente de função), x é a variável independente (ou simplesmente
variável) e t é um parâmetro constante podendo assumir vários valores; i = 1 indica as
características de entrada e i = 2 indica as características de saída. Então vamos elaborar
essas relações e esboçar os seus respectivos gráficos.
Características do TBJ na configuração Base comum (BC)
As funções são:
 VEB = f1( IE,VCB) (entrada);
 Ic = f2(VCB, IE) (saída).
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(a) VEB (b) VCB

Figura (a) – curva de transferência (b) – curva de colector para um TBJ
configuração Base comum (BC)
As curvas de entrada também chamadas de característica de transferência (figura (a)),
relacionam a corrente de emissor (IE) e a tensão emissor base (VEB) (variáveis de entrada
do transístor) com a tensão colector-base constante (VCB) (parâmetro). As características
de saída (também chamadas de curvas do colector) fazem de Ic uma função de VCB para
valores constantes de IE. Essas curvas estão indicadas na figura (b).
Características do TBJ na configuração Emissor comum (EC)
 VBE = f1(IB ,VCE) (entrada);
 IC = f2(VCE, IB) (saída).
As curvas de entrada ou característica de transferência relacionam a corrente da base IB
e VBE (variáveis de entrada do transístor) com o parâmetro VCE que é mantido constante.
As curvas de saída ou características do colector mostram a relação funcional entre Ic e
VCE, com IB constante. A família de curvas de entrada e saída para esta configuração
está indicada na figura.

(a) VBE (b) VCE

Figura(a) – curva de transferência. (b) – curva de colector para em TBJ
configuração Emissor comum (EC).
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Conclusão
Configuração Base comum, o sinal procedente do gerador de entrada aplica-se entre o
emissor e a base. É aplicada para adaptar uma fonte de baixa resistência que ataca uma
carga de alta resistência, enquanto para a configuração emissor comum o sinal do gerador
aplica-se entre a base e o emissor, a carga estará entre Emissor e o colector. É a montagem
indicada para amplificação e para configuração colector comum o sinal de entrada aplica-
se entre a base e o colector e a carga entre o colector e o emissor. Esta configuração é
aplicada para adaptar uma fonte de alta resistência a uma carga de baixo valor. De
salientarmos que um transístor como amplificador uma das característica de um TBJ é
funcionar como amplificador. Nas características Volt-Ampere do TBJ encontramos
Características do TBJ na configuração BC e EC, por tanto em cada configuração tem uma
certa diferença nas cargas de resistências.
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Bibliografia
MUCHAIABANDE Rui & CURADO Benjamim António, Electronica Basica – Ensino a
Distancia – 2009
https://www.electronica-pt.com/componentes-eletronicos/transistor-tipos