Universidade Federal do Ceará – Laboratório de Eletrônica Analógica.

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PRÁTICA Nº 04 – CURVAS CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR TBJ

1. OBJETIVOS
O objetivo principal desta prática é levantar e traçar as curvas características de um
transistor de TBJ na configuração emissor-comum mediante simulação e experimentação.
2. INFORMAÇÃO TEÓRICA
Estando o Transistor Bipolar de Junção (TBJ) NPN polarizado na configuração emissor
comum, conforme ilustrado na Figura 1; um par de curvas características é necessário para
descrever o comportamento do componente nesta configuração: uma curva para o circuito de
entrada ou base-emissor e a outra curva para o circuito de saída ou coletor-emissor (estas curvas
são amplamente encontradas nas folhas de especificação do componente). As curvas características
são apresentadas na Figura 2.

IC C Ic
N
Ib Ib
VCE
P
B
VBE N Ie
IE E

Figura 1. Notação e símbolo transistor NPN.

(a) (b)

Figura 2. Curvas características: (a) Circuito de saída e (b) circuito de entrada.

Para um ponto de operação adotado, obtido a partir da interseção entre a curva de carga e
uma das diferentes curvas características do circuito de saída e interno a região de operação segura,
projeta-se o circuito com TBJ para diversas aplicações: corte-saturação e amplificação de sinais; é
interessante que tal ponto escolhido esteja interno a curva que limita a região de operação segura do
TBJ real, tendo em vista a limitação das características externas a que o componente esteja
submetido (esforços).

 
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3. ESQUEMÁTICO DO CIRCUITO
O esquemático do circuito experimental é ilustrado na Figura 3.
- +
Icc A
0...0.2 A
Rc
100

Ibb Rb + +
Q1
+ A - V 0...20 V Vcc
Vbb 100k - -
0...2 mA

0
Figura 3. Esquemático a ser montado durante o experimento.
4. ESPECIFICAÇÕES, CONSIDERAÇÕES E MATERIAL UTILIZADO
A seguir são apresentadas as seguintes especificações:
• Vcc = 0 a 15 [V] [Tensão contínua aplicada ao circuito de saída];
Para o projeto devem ser tratadas as seguintes considerações:
• Ibb = 20 a 80 [uA] [Corrente de base contínua aplicada a o circuito de entrada]; e
• Q1 BC546 [Transistor NPN utilizado].
Os instrumentos e os equipamentos utilizados nesta prática são listados a seguir:
• Voltímetro (1);
• Amperímetro (2); e
• Fonte de tensão CC (2).
5. ANÁLISE COMPUTACIONAL
Conforme as informações apresentadas nos itens (2), (3) e (4), antes de ser realizada a montagem
experimental é necessário:
a) Determinar e especificar os resistores comerciais utilizados;
b) Simular o circuito no ORCAD referente ao procedimento, analisar resultados esperados, traçar
algumas formas de onda pertinentes e preencher a Tabela 1.
6. PROCEDIMENTO
a) A partir do esquemático apresentado na Figura 3 e dos resultados obtidos durante a análise
computacional, monte o circuito experimental proposto. Mantenha as fontes Vcc e Vbb desligadas.
b) Ligue a fonte de tensão Vbb e conecte-a ao circuito de entrada de forma a polarizar a junção
base-emissor do TBJ e regule a tensão desta fonte de modo a ajustar o valor de corrente Ibb
medida por um amperímetro ao exigido; com outra fonte de tensão Vcc variável, ligue e conecte-a
ao circuito de saída e regule a tensão desta fonte de modo a ajustar o valor da tensão Vce medida
por um voltímetro ao exigido e com um segundo amperímetro meça a corrente no coletor Icc
obtida. Este procedimento deve ser repetido e os campos da Tabela 1 preenchidos.
c) Determinar o ganho do transistor experimentalmente.

 
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Tabela 1. Resultados simulados e experimentais.

Corrente no coletor medida Ic (mA)

Ibb (uA)

20 40 60 80

0,5

3
Vce (V)
5

10

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7. QUESTIONÁRIO
a) Traçar a curva de saída Ic = f(Vce) de um TBJ: experimental e simulada.
Nota1: A Figura 4 no Apêndice pode ser utilizada como exemplo ilustrativo.
b) Determine o ganho de corrente (β) para as curvas traçadas em (a) item (7).
c) Comente detalhadamente a respeito das curvas traçadas em (a) item (7) explorando os seguintes
tópicos: funcionamento na configuração emissor-comum, curvas de característica de entrada e
saída, ganho de corrente e limites de operação.
d) Consultando a folha de dados do TBJ adotado durante a prática, comente a respeito das
principais características de operação, bem como as limitações de operação.
e) Pesquise a respeito: transistores de carboneto de silício e suas aplicações.
8. APÊNDICE
20mA Ib (100uA)

Ib (80uA)
15mA

Ib (60uA)

Ic(V) 10mA
Ib (40uA)

5mA
Ib (20uA)

0A
0V 5V 10V 15V
Vce(V)
Figura 4. Curvas características de saída Ic = f(Vce) simulada.