Ccapitulo 03 - Revisão de Semicondutore

Capı́tulo III
Transistores Bipolares de
Junção
O transistor é considerado uma das maiores invenções da humanidade, pois revolucionou os

computadores e os sistemas de telecomunicações, além de viabilizar a miniaturização de aparelhos
eletrônicos. O desenvolvimento de técnicas de fabricação que possibilitaram a construção de transis-
tores em larga escala e com baixı́ssimo custo permitiu que este dispositivo se tornasse amplamente
utilizado em equipamentos eletrônicos. Atualmente, já é possı́vel fabricar circuitos integrados bara-
tos, onde milhões de transistores ocupam uma área de apenas alguns milı́metros quadrados.
O transistor foi inventado por John Bardeen, Walter Houser Brattain e William Bradford Shoc-
kley nos Laboratórios da Bell Telephone em 1947. O objetivo da pesquisa era desenvolver um
dispositivo compacto e barato para substituir as válvulas termoiônicas empregadas nos sistemas de
telecomunicações da época. Ironicamente, a equipe de Shockley pretendia implementar um tran-
sistor de efeito de campo, idealizado por Julius Edgar Lilienfeld antes de 1930, mas acabaram por
verificar uma amplificação da corrente no ponto de contato do transistor. O dispositivo construı́do
por Bardeen, Brattain e Shockley lhes rendeu o Prêmio Nobel de Fı́sica em 1956 e passou a ser
adotado mundialmente na construção de aparelhos eletrônicos.
Entre as vantagens dos transistores em relação às válvulas estão o menor consumo de potência
e baixo custo. Entretanto, a maior vantagem foi demonstrada em 1958, quando Jack Kilby, da
Texas Instruments, desenvolveu o primeiro circuito integrado. Tal circuito implementava um simples
oscilador formado por transistores, resistores e capacitores, tornando viável a implementação de
circuitos complexos empregando-se componentes integrados em um único chip.
Os transistores bipolares são constituı́dos fisicamente por duas junções PN, e podem ser cons-
truı́dos nas versões NPN e PNP, conforme mostrado na Fig. III.1.
(a) (b)
Figura III.1: Construção fı́sica dos dois tipos de transistores bipolares de junção: o tipo NPN (a) e o tipo
PNP (b).
Os terminais do transistor bipolar são denominados Coletor (C), Base (B) e Emissor (E). A
região de emissor é a mais fortemente dopada das três, conforme indicado pelo ı́ndice ++. A região
11
Capı́tulo III 12
de base, por sua vez, é menos dopada que a região de emissor, mas é mais fortemente dopada que a
região de coletor, conforme indicado pelo ı́ndice + na Fig. III.1. Dessa forma, o transistor bipolar
não é um dispositivo simétrico. Mesmo que as regiões de coletor e emissor sejam constituı́das pelo
mesmo tipo de semicondutor, as suas concentrações de dopantes diferem bastante.
Para representar os transistores bipolares de junção em diagramas esquemáticos de circuitos,
empregamos os sı́mbolos apresentados na Fig. III.2 para os transistores NPN e PNP. O terminal
com a seta identifica o emissor. O sentido da seta segue o mesmo padrão adotado no sı́mbolo do
diodo, onde a seta aponta da região P para a região N — ou seja, a seta aponta no sentido da
circulação de corrente quando a junção PN está diretamente polarizada. Por essa razão, a seta
aponta da base para o emissor no sı́mbolo do transistor NPN, e do emissor para a base no sı́mbolo
do transistor PNP.
IC IE
IB C IB E
B B
E C IC
IE
(a) (b)
Figura III.2: Sı́mbolos usados para representar transistores bipolares NPN (a) e PNP (b).
III.1 - Modos de Operação do Transistor Bipolar de Junção
O transistor bipolar pode ser operado em quatro diferentes modos, dependendo se as suas junções
estão polarizadas direta ou reversamente. O comportamento fı́sico do transistor em cada um desses
modos de operação é descrito e modelado nesta seção, tomando-se como exemplo o transistor NPN.
A operação fı́sica do transistor PNP é análoga e será tratada na Seção III.2.
III.1.1 - Transistor no Modo de Corte

O transistor bipolar de junção estará operando no modo de corte quando tivermos:
• Junção Base-Emissor Reversamente Polarizada
• Junção Base-Coletor Reversamente Polarizada
Como todas as junções estão reversamente polarizadas, o transistor não conduz corrente elétrica
significativa. Apenas aparecem correntes de fuga devido às junções PN reversamente polarizadas.
VEB VCB
0 0 0
Figura III.3: Transistor NPN operando no modo de corte.
EEL410 Eletrônica II - Prof. Carlos Fernando Teodósio Soares - Poli/UFRJ

Capı́tulo III 13
Na Fig. III.3 são mostradas as polaridades das tensões que devem ser aplicadas ao transistor NPN
de modo a fazê-lo operar no modo de corte.
III.1.2 - Transistor no Modo Ativo

O transistor bipolar de junção estará operando no modo ativo quando tivermos:
• Junção Base-Emissor Diretamente Polarizada
• Junção Base-Coletor Reversamente Polarizada
Nessa situação, o diodo formado pela junção base-emissor irá conduzir corrente elétrica. Como o
emissor é bem mais dopado que a base, uma quantidade enorme de elétrons provenientes do emissor
será injetada na base, conforme mostrado na Fig. III.4. Nessa figura são apresentadas as curvas da
concentração de buracos injetados no emissor e de elétrons injetados na base, caso a região N de
coletor não existisse. Essas curvas apresentam o mesmo aspecto apresentado anteriormente na Fig.
II.8, em virtude da diferente concentração de dopantes nas regiões de emissor e base.
Entretanto, a concentração real de elétrons injetados na base é afetada pela presença da junção
base-coletor. Isso ocorre porque essa junção está reversamente polarizada e apresenta um campo
elétrico que aponta do coletor para a base, conforme foi apresentado anteriormente na Fig. II.5.
Esse campo elétrico impulsiona os elétrons que alcançam a junção base-coletor, empurrando-os
diretamente para a região de coletor. Devido a esse campo elétrico, a concentração de elétrons
diminui até zero exatamente onde existe a região de depleção da junção base-coletor reversamente
polarizada, conforme mostrado na curva contı́nua da Fig. III.4.
Conforme mostrado na Fig. III.4, o fato de o emissor ser bem mais dopado que a base faz com
que grande parte dos elétrons provenientes do emissor penetrem profundamente na região da base
alcançando a junção base-coletor. Além disso, quanto mais estreita for a região de base, maior será
a quantidade de elétrons que conseguirá atingir o coletor. Em transistores bipolares comerciais, a
região da base é normalmente construı́da com uma largura cerca de 150 vezes menor que o compri-
mento do transistor. Dessa forma, a grande maioria dos elétrons emitidos pelo emissor atravessam a
VBE VCB
IB
IC
IE
Concentração de Elétrons na Base

caso não existisse o Coletor
Concentração de
Buracos no Emissor
Concentração de
Elétrons na Base
x
Região de Depleção da
Junção Base-Coletor
Figura III.4: Transistor NPN operando no modo ativo.

Capı́tulo III 14
base e são coletados pelo coletor. Apenas uma pequena parcela dos elétrons provenientes do emissor
se recombina com buracos na região da base.
Os elétrons injetados na base pelo emissor são fornecidos pelo circuito externo através da corrente
de emissor IE , indicada na Fig. III.4 — lembre-se de que o sentido convencional da corrente elétrica é
o inverso do sentido do movimento dos elétrons. Além de fornecer os elétrons injetados na base, uma
pequena parcela da corrente de emissor é responsável por fornecer os elétrons que serão recombinados
com os poucos buracos que a base injeta no emissor. A corrente de coletor IC , por sua vez, é
constituı́da pela parcela dos elétrons provenientes do emissor que conseguiram atravessar a região
da base e alcançaram a junção base-coletor. Essa corrente de coletor pode ser considerada como
sendo uma fração da corrente de emissor:
IC = α IE , (III.1)
onde 0 < α < 1 é uma constante de proporcionalidade caracterı́stica do transistor, cujo valor
depende principalmente da largura da região da base e das dopagens das regiões de emissor, base e
coletor. As constantes α normalmente verificadas em transistores comerciais são da ordem de 0,99
— ou seja, cerca de 99% dos elétrons injetados na base alcançam o coletor.
A corrente de base é a responsável por fornecer buracos para recombinar com alguns poucos
elétrons provenientes do emissor. Efetivamente, o que acontece é o seguinte: pares elétron-buraco
são gerados na região da base, os buracos produzidos são recombinados com alguns poucos elétrons
provenientes do emissor e os elétrons gerados na base são drenados pelo circuito externo, formando
a corrente de base IB . Escrevendo a Lei das Correntes de Kirchhoff para o transistor da Fig. III.4,
teremos
IE = IC + IB . (III.2)
Aplicando (III.1) em (III.2), obtém-se
IC α
= IC + IB ∴ IC = IB . (III.3)
α 1−α
A relação (III.3) também pode ser reescrita da seguinte forma:
IC = β IB , (III.4)
onde o parâmetro β é dado por

α
β= . (III.5)
1−α
Como a constante α é usualmente da ordem de 0,99, a constante β assumirá valores da ordem de

100. Portanto, de acordo com (III.4), a corrente de coletor em um transistor bipolar será centenas
de vezes maior que a corrente de base! Essa caracterı́stica faz do transistor bipolar um excelente
dispositivo para amplificação de sinais quando operando no modo ativo.
Usualmente, os manuais de fabricantes de transistor informam apenas o valor do parâmetro β,

pois ele expressa diretamente o ganho de corrente que um determinado transistor é capaz de fornecer.
Para obter o valor do parâmetro α correspondente, usamos
β
α= , (III.6)
β+1
a qual foi obtida a partir de manipulações algébricas aplicadas a (III.5).

Capı́tulo III 15
III.1.3 - Transistor no Modo Ativo Reverso

O transistor bipolar de junção estará operando no modo ativo reverso quando tivermos:
• Junção Base-Emissor Reversamente Polarizada
• Junção Base-Coletor Diretamente Polarizada
Nota-se que o transistor bipolar operando no modo ativo reverso apresenta a polaridade das jun-
ções invertidas em relação à operação no modo ativo visto anteriormente. Essa situação é ilustrada
na Fig. III.5 para um transistor NPN.
VEB VBC
IB
IE
IC
Concentração de Concentração de
Elétrons na Base Buracos no Coletor
x
Região de Depleção da
Junção Base-Emissor
Figura III.5: Transistor NPN operando no modo ativo reverso.
Em virtude da polarização direta, a junção base-coletor conduz corrente elétrica. Entretanto,

como a dopagem do coletor é a mais baixa, a quantidade de elétrons que o coletor injeta na base é
muito pequena e pouquı́ssimos são aqueles que conseguem atingir o emissor sem sofrer recombinação
com os buracos da base. Assim, a corrente de emissor fica significativamente menor que a corrente
de coletor. Para essa situação, define-se:
IE = αR IC . (III.7)
Aplicando a Lei das Correntes de Kirchhoff, teremos que:
IE
IC = = IE + IB
αR
αR
IE = IB = βR IB ,
1 − αR
onde o ganho de corrente βR é dado por:
αR
βR = . (III.8)
1 − αR
Em ambos os parâmetros αR e βR , o ı́ndice R significa reverso, para identificar que tais parâmetros
pertencem ao modelo do transistor operando no modo ativo reverso. Os valores tı́picos de αR variam

Capı́tulo III 16
de 0,02 a 0,5.
Normalmente, esse modo de operação não é utilizado na grande maioria das aplicações de tran-
sistores bipolares. Uma das poucas aplicações desse modo de operação é encontrada em circuitos
lógicos digitais da famı́lia TTL (Transistor-Transistor Logic), conforme será abordado no capı́tulo
sobre circuitos digitais bipolares.
III.1.4 - Transistor no Modo de Saturação

O transistor bipolar de junção estará operando no modo de saturação quando tivermos:
• Junção Base-Emissor Diretamente Polarizada
• Junção Base-Coletor Diretamente Polarizada
No modo de saturação ambas as junções PN do transistor estarão diretamente polarizadas,

conforme ilustrado na Fig. III.6 para o transistor NPN. Dessa forma, o emissor injetará uma enorme
quantidade de elétrons na base, assim como no modo ativo. Novamente, apenas uma pequena parcela
dos elétrons injetados sofrerá recombinação com buracos da região da base e a maioria alcançará a
junção base-coletor. Mesmo estando diretamente polarizada, a junção base-coletor ainda apresenta
um campo elétrico apontando do coletor para a base, conforme visto anteriormente na Fig. II.6.
Apesar desse campo elétrico ser menos intenso que aquele verificado quando a junção base-coletor
está reversamente polarizada, os elétrons que alcançam a essa junção continuam sendo impulsionados
para a região de coletor do mesmo modo que na operação em modo ativo.
Além disso, a junção base-coletor também está diretamente polarizada, o que significa que elé-
trons provenientes do coletor também são injetados na base. Entretanto, como o coletor é mais
fracamente dopado que a base, a quantidade de elétrons proveniente do coletor é significativamente
menor que a quantidade vinda do emissor. Na Fig. III.6 temos duas curvas tracejadas mostrando
as concentrações de elétrons injetados na base pelo emissor e pelo coletor, isoladamente. A curva
da concentração total de elétrons injetados na base é apresentada através de uma linha contı́nua e
é obtida a partir da superposição dos dois efeitos. Nota-se que a concentração de elétrons injetados
VBE VBC
IB
IC
IE
Concentração Total de
Elétrons na Base
Concentração de
Buracos no Emissor Concentração de Elétrons na
Base provenientes do Emissor
Concentração de Elétrons na
x
Base provenientes do Coletor Concentração de
Buracos no Coletor
Figura III.6: Transistor NPN operando no modo de saturação.

Capı́tulo III 17
na base no modo de saturação é significativamente maior que a verificada nos modos ativo e ativo
reverso. Essa caracterı́stica da operação do transistor bipolar no modo de saturação tem grande
impacto no desempenho do transistor em circuitos digitais bipolares, conforme será discutido mais
adiante.
É importante observar, a partir da discussão acima, que o comportamento do transistor no
modo de saturação pode ser compreendido como sendo a superposição dos efeitos observados para o
transistor no modo ativo e no modo ativo reverso. A corrente de base IB , por exemplo, é responsável
por fornecer buracos para recombinar com alguns poucos elétrons entre aqueles provenientes do
emissor, como na Fig. III.4, e também fornecer buracos para se recombinarem com a maioria dos
elétrons provenientes do coletor, como na Fig. III.5. Além disso, a corrente de base também deve
suprir os buracos injetados no emissor e no coletor.
Ao contrário da corrente de base, as correntes de coletor IC e de emissor IE são constituı́das
por duas parcelas com sentidos opostos, onde uma parcela corresponde à operação do transistor
no modo ativo e a outra ao modo ativo reverso. A parcela referente ao modo ativo é usualmente
a dominante, em virtude da elevada dopagem do emissor em relação ao coletor. Entretanto, isso
faz com que a corrente total de coletor seja menor que aquela verificada quando o transistor está
operando no modo ativo, ou seja
IC < β IB . (III.9)
Como o ganho de corrente do transistor operando no modo de saturação é menor que aquele obtido
com o transistor operando no modo ativo, o modo de saturação não é adequado para o transistor
operar como um amplificador.
III.2 - O Transistor PNP
Na seção anterior, a descrição do funcionamento fı́sico do transistor bipolar de junção foi apresen-
tada tomando-se como exemplo o transistor NPN. No caso do transistor PNP, a definição dos modos
de operação é exatamente a mesma. A diferença é que as polaridades das tensões nos terminais desse
transistor devem ser invertidas em relação às do transistor NPN.
Para operar no modo de corte, ambas as junções deverão estar reversamente polarizadas. Na
Fig. III.7 são apresentadas as polaridades das tensões que devem ser aplicadas ao transistor para
que ele opere na região de corte. Note que essas polaridades são exatamente o inverso daquelas
empregadas no transistor NPN.
VBE VBC
0
0 0
Figura III.7: Transistor PNP operando no modo de corte.
Para operar no modo ativo, a junção base-emissor deverá estar diretamente polarizada, enquanto
que a junção base-coletor deverá estar reversamente polarizada. Para o transistor PNP, essa situação
é ilustrada na Fig. III.8. Em um transistor PNP, o emissor injeta uma enorme quantidade de buracos
na região da base, onde alguns poucos são recombinados com elétrons e a grande maioria consegue

Capı́tulo III 18
VEB VBC
IB
IE
IC
Figura III.8: Transistor PNP operando no modo ativo.
atingir a junção base-coletor. Como essa junção está reversamente polarizada, o campo elétrico da
junção impulsiona os buracos diretamente para a região de coletor. Note que, além das polaridades
das fontes de tensão estarem invertidas em relação ao transistor NPN, os sentidos das correntes
também são invertidos. Isso acontece porque, no transistor PNP, as correntes de coletor e emissor
são dominadas por buracos e a corrente de base é dominada por elétrons. Essa situação é exatamente
o inverso do que ocorre em um transistor NPN. Também deve ser mencionado que as relações (III.1),
(III.2) e (III.4) também são válidas para o transistor PNP operando no modo ativo.
No modo ativo reverso, a junção base-emissor deverá estar reversamente polarizada, enquanto que
a junção base-coletor deverá ser polarizada diretamente. Analogamente ao modo ativo, no transistor
PNP tanto as polaridades como também os sentidos das correntes estarão invertidas em relação ao
que se verifica no transistor NPN, conforme ilustrado na Fig. III.9. Além disso, as expressões (III.7)
e (III.8) também são válidas para o transistor PNP operando no modo ativo reverso.
VBE VCB
IB
IC
IE
Figura III.9: Transistor PNP operando no modo ativo reverso.
Finalmente, no caso da operação no modo de saturação, ambas as junções deverão estar dire-
tamente polarizadas. Para o transistor PNP, essa situação é ilustrada na Fig. III.10, onde temos
a superposição dos efeitos dos modos ativo e ativo reverso. Novamente, verifica-se que tanto as
polaridades das tensões, como também os sentidos das correntes, estão invertidos em relação ao
transistor NPN.
Um resumo dos modos de operação dos transistores NPN e PNP discutidos até aqui é apresentado
na Tabela III.1. Nessa tabela, são também apresentadas as polaridades das tensões em ambas as
junções para cada modo de operação.

Capı́tulo III 19
VEB VCB
IB
IE
IC
Figura III.10: Transistor PNP operando no modo de saturação.
Tabela III.1: Modos de operação dos transistores bipolares de junção.
Junções Polaridades
Modos
Base-Emissor Base-Coletor NPN PNP
Corte Reversamente Reversamente VC > VB e VE > VB VB > VC e VB > VE
Ativo Diretamente Reversamente VC > V B > V E VE > VB > VC
Ativo Reverso Reversamente Diretamente VC < V B < V E VE < VB < VC
Saturação Diretamente Diretamente VC < VB e VE < VB VB < VC e VB < VE
III.3 - Modelagem Matemática dos Transistores Bipolares
Uma vez apresentada uma descrição qualitativa da operação fı́sica do transistor bipolar de junção,
chegou o momento de modelar matematicamente seu comportamento de modo a permitir a análise
e o projeto de circuitos eletrônicos.
O Modelo de Ebers-Moll é capaz de descrever a operação do transistor bipolar em todos os
modos de operação apresentados na seção anterior. Esse modelo é consideravelmente complexo,
sendo utilizado basicamente em simulações numéricas de circuitos com transistores. Para cálculos
realizados manualmente, são empregadas aproximações do Modelo de Ebers-Moll. Esses modelos
aproximados produzem resultados bastante coerentes com aqueles obtidos experimentalmente. Uma
desvantagem dos modelos aproximados é o fato de que existe um modelo especı́fico para cada modo
de operação, enquanto que o Modelo de Ebers-Moll é válido para todos os modos possı́veis.
III.3.1 - Modelo de Ebers-Moll

Os modelos apresentados na Fig. III.11 foram desenvolvidos por Jewell James Ebers e John
Louis Moll com o objetivo de descrever matematicamente o comportamento do transistor bipolar
em todos os seus modos de operação. Nesses modelos, os diodos representam as junções PN dos
transistores, enquanto que as fontes controladas modelam as parcelas de corrente formadas pelos
portadores de carga que conseguem atravessar completamente a região da base.
Com relação a essas fontes de corrente, o parâmetro α é o ganho de corrente do emissor para o
coletor que se obtém quando o transistor está polarizado no modo ativo. Conforme mencionado na
Seção III.1, o parâmetro α assume usualmente valores bem próximos da unidade, tais como 0,99.
Já o parâmetro αR , representa o ganho de corrente do coletor para o emissor quando o transistor

Capı́tulo III 20
C C
IDC IDE IDC IDE
B B
IDE IDE
R IDC R IDC
E E
(a) (b)
Figura III.11: Modelos de Ebers-Moll para os transistores NPN (a) e PNP (b).
está polarizado no modo ativo reverso. Tal parâmetro assume, usualmente, valores na faixa de 0,02
a 0,5.
As equações que modelam o comportamento fı́sico dos diodos da Fig. III.11(a) são

IDE = ISE eVBE /vT − 1 , (III.10)

IDC = ISC eVBC /vT − 1 ; (III.11)
onde ISE e ISC são constantes que dependem da temperatura, da dopagem e das dimensões geomé-
tricas do dispositivo. O parâmetro vT é a tensão térmica, dada por
kT
vT = , (III.12)
q
m2 kg
onde k é a constante de Boltzmann (k = 1,3806503 · 10−23 s2 K ), T é a temperatura absoluta em
−19
Kelvins e q é a carga do elétron (q = 1,60217646 · 10 C). Na condição de temperatura ambiente,
vT ≈ 25 mV.
Ebers e Moll provaram que:
α ISE = αR ISC = IS , (III.13)
onde IS é uma constante definida a partir de (III.13), que usualmente assume valores na faixa de
10−14 a 10−15 A. Dessa forma, (III.10) e (III.11) poderão ser reescritas da seguinte forma:
IS VBE /vT
IDE = e −1 , (III.14)
α
IS VBC /vT
IDC = e −1 . (III.15)
αR
Então, a corrente de emissor do transistor apresentado no modelo da Fig. III.11(a) é dada por
IE = IDE − αR IDC
IS VBE /vT (III.16)
= e − 1 − IS eVBC /vT − 1 .
α

Capı́tulo III 21
A corrente de coletor, por sua vez, é dada por
IC = α IDE − IDC
I
S
(III.17)
= IS eVBE /vT − 1 − eVBC /vT − 1 .
αR
Por fim, a corrente de base será
IB = (1 − α) IDE + (1 − αR ) IDC
1−α 1−α
R

= IS eVBE /vT − 1 + IS eVBC /vT − 1 (III.18)
α αR
IS VBE /vT I
S VBC /vT

= e −1 + e −1 ,
β βR
onde temos que

α αR
β= e βR = . (III.19)
1−α 1 − αR
Note que essas são exatamente as expressões empregadas na definição dos ganhos de corrente β e
βR apresentadas em (III.5) e (III.8), respectivamente.
Foram apresentadas acima as equações do Modelo de Ebers-Moll para o transistor NPN (Fig.
III.11(a)). As equações referentes ao modelo do transistor PNP são perfeitamente análogas, respeitando-
se os sentidos das correntes e as polaridades das tensões da Fig. III.11(b).
Como o Modelo de Ebers-Moll é consideravelmente complexo para ser utilizado em análises de
circuitos feitas à mão, aproximações serão propostas a seguir para simplificar o modelo em cada
um dos principais modos de operação. Como o modo ativo reverso não possui aplicação na grande
maioria dos circuitos com transistores bipolares, o presente texto somente fará uso de modelos
simplificados para o transistor operando nos modos de corte, ativo e saturação.
III.3.2 - Transistor Operando em Corte

Quando o transistor bipolar está em corte, as suas duas junções estarão reversamente polariza-
das. Portanto, os dois diodos do modelo de Ebers-Moll estarão em corte. Dessa forma, é razoável
considerar que IDE ≈ IDC ≈ 0. Consequentemente, teremos que IE ≈ IC ≈ IB ≈ 0.
III.3.3 - Transistor Operando no Modo Ativo

Quando o transistor bipolar está operando no modo ativo, a junção base-emissor estará di-
retamente polarizada. Sendo assim, o diodo correspondente a essa junção no modelo de Ebers-
Moll estará diretamente polarizado e conduzindo corrente. Conforme será mostrado mais adiante,
quando este diodo está conduzindo correntes da ordem de 1 mA, a tensão que aparece entre seus
terminais é VBE ≈ 0,6 V. Consequentemente, nas equações do modelo de Ebers-Moll, teremos que
eVBE /vT ≈ e0,6/0,025 = 2,6489 · 1010 1. Além disso, como a junção base-coletor estará reversa-
mente polarizada (VBC < 0), então eVBC /vT 1. Portanto, (III.16)-(III.18) podem ser aproximadas
da seguinte forma:
IS VBE /vT
IE = e − 1 − IS eVBC /vT − 1
α
IS VBE /vT
≈ e + IS (III.20)
α
IS VBE /vT
≈ e ;
α

Capı́tulo III 22
I
S
IC = IS eVBE /vT − 1 − eVBC /vT − 1
αR
VBE /vT IS (III.21)
≈ IS e +
αR
≈ IS eVBE /vT ;
IS VBE /vT I
S

IB = e −1 + eVBC /vT − 1
β βR
IS VBE /vT IS
≈ e − (III.22)
β βR
IS VBE /vT
≈ e .
β
De acordo com as equações simplificadas acima, também podemos escrever
IC = IS eVBE /vT ; (III.23)
IC
IE = ; (III.24)
α
IC
IB = . (III.25)
β
Note que as duas últimas relações são as mesmas apresentadas em (III.1) e (III.4).
A partir de (III.23) e (III.24), o modelo de Ebers-Moll apresentado na Fig. III.11(a) para o
transistor NPN pode ser aproximado conforme mostrado na Fig. III.12(a). Comparando esse modelo
com o da Fig. III.11(a), verifica-se que o modelo aproximado foi obtido simplesmente retirando-se
o diodo da junção base-coletor — já que este estará reversamente polarizado — e zerando-se a
fonte de corrente controlada pela corrente nesse diodo. Analogamente, o modelo aproximado para
o transistor PNP é apresentado na Fig. III.12(b). Como ambos os modelos podem ser considerados
como redes de dois acessos, onde os terminais de entrada são formados pela base e o emissor e
os terminais de saı́da formados pela base e o coletor, ambos são conhecidos como modelos de base
comum, pois o terminal de base é comum às portas de entrada e de saı́da.
IE IE IE IE
C E C E
B B
(a) (b)
Figura III.12: Modelos base-comum aproximados para os transistores NPN (a) e PNP (b) operando no
modo ativo.
Analogamente, (III.23) e (III.25) também podem ser empregadas para obter um modelo aproxi-
mado, onde o terminal comum entre a entrada e a saı́da é o emissor. Tais modelos são apresentados
na Fig. III.13, e são conhecidos como modelos de emissor comum.
Entretanto, apesar de serem aproximações do Modelo de Ebers-Moll, os modelos apresentados
nas Figuras III.12 e III.13 não são adequados para cálculos realizados manualmente. Isso se deve
à presença do diodo, modelado pela relação exponencial (III.23). Com o objetivo de simplificar
os modelos das Figuras III.12 e III.13, pode-se adotar a mesma idéia empregada nas análises de
circuitos com diodos, onde esse dispositivo é substituı́do por uma fonte de tensão de 0,6 ou 0,7 V.
Conforme será mostrado na próxima seção, 0,6 V é aproximadamente o valor de tensão que aparece
entre os terminais de base e emissor quando a corrente de coletor é da ordem de 1 mA.

Capı́tulo III 23
B C E
IB IB
IB IB
E B C
(a) (b)
Figura III.13: Modelos emissor-comum aproximados para os transistores NPN (a) e PNP (b) operando
no modo ativo.
Portanto, seguindo essa ideia, os modelos aproximados das Figuras III.12 e III.13 podem ser
reescritos conforme apresentado nas Figuras III.14 e III.15, respectivamente. Tais modelos produzem
resultados bastante coerentes com aqueles verificados em medidas experimentais e em simulações
numéricas realizadas empregando o Modelo de Ebers-Moll. Tais modelos serão adotados neste livro
para realizar a análise manual de circuitos eletrônicos contendo transistores bipolares.
IE IE IE IE
C E C E
VBE VEB
B B
(a) (b)
Figura III.14: Modelos base-comum simplificados para os transistores NPN (a) e PNP (b) operando no
modo ativo. Normalmente utiliza-se VBE ≈ VEB ≈ 0,6 V.
B C E
VBE IB IB
VEB IB IB
E B C
(a) (b)
Figura III.15: Modelos emissor-comum simplificados para os transistores NPN (a) e PNP (b) operando
no modo ativo. Normalmente utiliza-se VBE ≈ VEB ≈ 0,6 V.
III.3.4 - Transistor Operando no Modo de Saturação

Quando o transistor bipolar está operando no modo de saturação, ambas as junções estarão
diretamente polarizadas. Dessa forma, assim como foi feito para o modelo do transistor operando
no modo ativo, pode-se simplificar o modelo substituindo ambos os diodos do modelo de Ebers-Moll
por fontes de tensão fixas. Conforme será mostrado na próxima seção, quando o transistor está no
modo de saturação, a junção base-emissor apresenta uma tensão de aproximadamente 0,6 V. Já a
junção base-coletor, apresentará uma tensão de aproximadamente 0,4 V. Essa diferença nas tensões
das junções se deve à diferença de dopagem entre as regiões de emissor, base e coletor. Como o
emissor é muito mais dopado que o coletor, já é esperado que a junção base-emissor tenha uma
barreira de potencial maior que a da junção base-coletor.

Capı́tulo III 24
Com base no exposto acima, os modelos simplificados de base comum para o transistor operando
no modo de saturação são apresentados na Fig. III.16, onde se verifica que os diodos diretamente
polarizados do Modelo de Ebers-Moll foram substituı́dos pelas fontes de tensão fixas correspondentes.
C E C E
VBC VBE VCB VEB
B B
(a) (b)
Figura III.16: Modelos base-comum simplificados para os transistores NPN (a) e PNP (b) operando no
modo de saturação. Normalmente utilizam-se VBE ≈ VEB ≈ 0,6 V e VBC ≈ VCB ≈ 0,4 V.
Assim como no caso do transistor operando no modo ativo, também podem ser obtidas versões
em emissor comum para os modelos do transistor em saturação. Para isso, basta usar a Lei das
Malhas para obter a tensão entre coletor e emissor em um transistor saturado. No caso do transistor
NPN da Fig. III.16(a), teremos que
VCE = VC − VE
= VC − VB − VE + VB
(III.26)
= (VB − VE ) − (VB − VC )
= VBE − VBC = 0,2 V.
No caso do transistor PNP, o resultado é análogo.

Portanto, com base nesse resultado, os modelos em emissor comum para o transistor operando
no modo de saturação são apresentados na Fig. III.17.
B C E
VBE VCE
VEB VEC
E B C
(a) (b)
Figura III.17: Modelos emissor-comum simplificados para os transistores NPN (a) e PNP (b) operando
na saturação. Normalmente utiliza-se |VBE | = 0,6 V e |VCE | = 0,2 V.
Neste ponto, deve ser mencionado que os modelos de base comum e de emissor comum são
perfeitamente equivalentes, tanto no caso do transistor operando no modo ativo, como também
na saturação. Qualquer um dos dois pode ser empregado na análise de um determinado circuito
contendo transistores. A escolha de qual modelo adotar em uma determinada análise normalmente
é influenciada pela complexidade dos cálculos. A análise de um circuito especı́fico pode ser muito
mais fácil de ser realizada com um determinado modelo do que com outro, embora ambos levem ao
mesmo resultado. A habilidade de julgar qual modelo será mais adequado é adquirida através da
experiência do projetista.
III.4 - Curvas Caracterı́sticas do Transistor Bipolar
Além dos modelos numéricos apresentados na seção anterior, uma excelente forma de se visualizar
o comportamento fı́sico do transistor é através das suas curvas caracterı́sticas. Como o transistor

Capı́tulo III 25
é um dispositivo de três terminais, as curvas caracterı́sticas são normalmente obtidas variando-se a

tensão entre dois terminais do transistor e medindo-se a corrente em algum dos três terminais do
dispositivo, enquanto a tensão ou a corrente entre outros dois terminais é mantida constante.
As curvas caracterı́sticas do transistor bipolar podem ser perfeitamente obtidas a partir do Mo-
delo de Ebers-Moll, mas a grande vantagem da visualização gráfica que elas proporcionam reside no
fato de permitir que projetista estime qualitativamente qual será o comportamento de um determi-
nado circuito antes mesmo de realizar simulações ou medidas experimentais.
Nesta seção, são apresentadas as principais curvas caracterı́sticas dos transistores bipolares. Essas
curvas são úteis na caracterização dos dispositivos e, por esse motivo, são normalmente encontradas
nos manuais fornecidos pelos fabricantes de transistores.
III.4.1 - Caracterı́stica de Base Comum

A curva caracterı́stica de base comum é obtida medindo-se a corrente de coletor para cada valor
de tensão aplicada entre os terminais de coletor e base, mantendo-se a corrente de emissor fixa. O
circuito empregado na obtenção dessa curva caracterı́stica é apresentado na Fig. III.18. Note que o
terminal de base é comum à fonte de tensão VCB e à fonte de corrente IE . Por essa razão, as curvas
obtidas com esse arranjo recebem o nome de caracterı́sticas de base comum.
IC
IE VCB
Transistor no Modo Transistor no

de Saturação Modo Ativo
IC IC
C C
VCB 0 VCB 0
IDC IDE 0 IDE
B B
IDE IDE
R IDC R IDC
IE IE
E E
Figura III.18: Circuito usado na obtenção das curvas caracterı́sticas de base comum de um transistor
bipolar NPN. Na figura o transistor é substituı́do pelo seu respectivo modelo de Ebers-Moll.
Na Fig. III.19, são apresentadas as curvas caracterı́sticas de base comum, obtidas para diferentes
valores da corrente de emissor IE . Observando o aspecto das curvas, nota-se que a corrente de coletor
permanece praticamente independente da tensão VCB enquanto esta polariza reversamente a junção
base-coletor, mantendo o transistor no modo ativo. Assim, de acordo com o Modelo de Ebers-Moll
da Fig. III.18, a corrente de coletor será dada por
IC = α IE ,

Capı́tulo III 26
IC
IE5
IE4
IE3
IE2
IE1
- 0,4 0 1 2 3
VCB
Modo Ativo
Figura III.19: Curvas caracterı́sticas de base comum, onde cada curva foi obtida para uma determinada
corrente de emissor IE .
enquanto a junção PN entre base e coletor estiver reversamente polarizada. Assim, o gráfico da Fig.
III.19 confirma a equação (III.24), onde a corrente de coletor é proporcional à corrente de emissor
no modo ativo. Como a corrente de emissor foi mantida constante na obtenção de cada uma das
curvas caracterı́sticas, a corrente de coletor também permaneceu constante enquanto o transistor
operou no modo ativo.
Quando a tensão VCB assume valores negativos, polarizando a junção base-coletor diretamente,
o diodo dessa junção começa a conduzir corrente. Assim, de acordo com o Modelo de Ebers-Moll, a
corrente de coletor passará a ser
IS −VCB /vT
IC = α IDE − e − 1 < α IE .
αR
Dessa forma, a corrente de coletor será reduzida exponencialmente conforme a tensão VCB < 0
cresce em módulo. Esse decrescimento exponencial na corrente de coletor é verificado nas curvas
caracterı́sticas da Fig. III.19. Nelas nota-se que a corrente de coletor começa a sofrer uma redução
significativa para VCB < −0,4 V, caracterizando o modo de saturação, onde IC < α IE . Em virtude
desses resultados, o valor de 0,4 V foi o escolhido para aproximar a tensão na junção base-coletor
no modelo simplificado da Fig. III.16.
Observação
Observando as curvas caracterı́sticas da Fig. III.19, notamos que a corrente de coletor permanece
praticamente constante quando a tensão entre coletor e base VCB > - 0,4 V. Dessa forma, podemos
descrever muito bem o comportamento do transistor nessa faixa de tensão usando o modelo simpli-
ficado obtido para o modo ativo. Dessa forma, podemos considerar que o transistor bipolar NPN
opera no modo ativo quando VCB > - 0,4 V.
III.4.2 - Caracterı́sticas de Emissor Comum

Uma das caracterı́sticas de emissor comum é obtida fixando-se a tensão entre coletor e emissor
VCE , e medindo a corrente de coletor IC para diferentes valores da tensão entre base e emissor VBE .

Capı́tulo III 27
A tensão fixa VCE é escolhida de modo a fazer com que o transistor opere no modo ativo. Na Fig.
III.20 é apresentado o arranjo para a extração dessas curvas caracterı́sticas, onde verifica-se que o
terminal de emissor é comum a ambas as fontes de tensão.
C IC
IC
VCE
VBE
0 IDE
B VCE
IDE
R IDC
VBE
Figura III.20: Circuito usado na obtenção das curvas caracterı́sticas de emissor comum de um transistor
T 6 T 5 T4 T 3 T 2 T 1
IC
VBE
0,4 0,5 0,6 0,7
Figura III.21: Curvas caracterı́sticas de emissor comum, mostrando o efeito da temperatura sobre o
comportamento do transistor. Na figura, T1 < T2 < T3 < T4 < T5 < T6 representam as temperaturas em
que cada curva foi obtida.
O aspecto dessas curvas caracterı́sticas de emissor comum é apresentado na Fig. III.21, onde
cada curva foi obtida para uma temperatura diferente. Note que todas as curvas apresentam o
aspecto exponencial previsto pelo modelo de Ebers-Moll:
IS VBE /vT
IC = α IE = α e − 1 ≈ IS eVBE /vT .
α
Além disso, verifica-se que o transistor apresenta VBE ≈ 0,6 V para uma ampla faixa de valores da
corrente de coletor. Por essa razão, nos modelos simplificados das Figuras III.14 e III.15, o diodo
da junção base-emissor no modelo de Ebers-Moll foi substituı́do por uma fonte de tensão fixa com
esse valor.

Capı́tulo III 28
Observação
É muito importante atentar para o fato de que essa curva caracterı́stica do transistor varia conside-
ravelmente com a temperatura. De acordo com a Fig. III.21, nota-se que a tensão de joelho da curva
diminui com o aumento da temperatura. Esse efeito se deve ao fato de que o parâmetro IS aumenta
significativamente com a temperatura, deslocando a curva exponencial para cima. Normalmente,
esse efeito faz com que a tensão de joelho da curva exponencial diminua aproximadamente 2 mV por
cada grau Celsius de aumento na temperatura do dispositivo. Essa redução na tensão de joelho deve
ser levada em conta em projetos de circuitos de polarização para evitar o problema da instabilidade
térmica, conforme será visto na Seção III.6.
Outra caracterı́stica de emissor comum muito útil é obtida fixando-se a corrente de base e
medindo-se a corrente de coletor para diferentes valores da tensão VCE . O arranjo para a medição
dessa caracterı́stica é apresentado na Fig. III.22.
IC
Transistor no
Transistor no Modo VCE Modo Ativo
de Saturação
IB VCE 0,2 V
VCE 0,2 V
IC IC
C C
IDC IDE 0 IDE
B VCE B VCE
IDE IDE
R IDC R IDC
IB IB
E E
Figura III.22: Circuito usado na obtenção das curvas caracterı́sticas de emissor comum de um transistor
Analogamente ao que foi verificado na caracterı́stica de base comum, enquanto a tensão VCE
é grande o suficiente para manter o transistor operando no modo ativo, a corrente de coletor se
mantém praticamente constante. Isso ocorre em virtude de o diodo da junção base-coletor estar
reversamente polarizado, fazendo com que:
IB
IDE = IB + α IDE ∴ IDE = .
1−α
Consequentemente:
α
IC = α IDE = IB = β IB .
1−α
Na expressão acima devemos recordar a relação entre os parâmetros α e β apresentada em (III.5).
Assim, como a corrente de base IB é mantida constante durante a medição de cada uma das curvas

Capı́tulo III 29
IC
IB5
IB4
IB3
IB2
IB1
0,2 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0

VCE
Modo Ativo
Figura III.23: Curvas caracterı́sticas de emissor comum, onde IB1 < IB2 < IB3 < IB4 < IB5 representam
as correntes de base em que cada uma das curvas foi obtida.
caracterı́sticas, a corrente IC resultante fica aproximadamente constante enquanto o transistor é

mantido no modo ativo.
De acordo com a Fig. III.23, verifica-se também que a corrente de coletor diminui exponenci-
almente quando VCE < 0,2 V. Isso acontece porque o transistor entra no modo de saturação e a
componente de corrente da junção base-coletor reduz a corrente total de coletor da seguinte forma:
IS VBC /vT IS (VBE −VCE )/vT

IC = α IDE − e − 1 = α IDE − e −1 .
αR αR
Observe que esse é o mesmo mecanismo que causa a queda abrupta na corrente de coletor verificada
nas curvas caracterı́sticas de base comum, fazendo com que IC < β IB quando o transistor opera no
modo de saturação.
Como o joelho da curva caracterı́stica de base comum ocorreu para VBC ≈ 0,4 V, então, o joelho
da curva IC × VCE ocorrerá em:
VBC = VBE − VCE ∴ 0,4 ≈ 0,6 − VCE

(III.27)
VCE ≈ 0,2V
O que está de acordo com as curvas apresentadas na Fig. III.23. Portanto, podemos considerar que
o transistor estará no modo ativo quando VCE > 0,2 V.
Observação
Se observarmos atentamente os gráficos da Fig. III.23, notaremos que as curvas de emissor comum
não são perfeitamente constantes quando o transistor está no modo ativo. Na verdade, a corrente de
coletor apresenta um ligeiro aumento conforme a tensão VCE aumenta. Essa dependência bastante
sutil ocorre em virtude do chamado Efeito Early, que será discutido na seção a seguir.
III.4.3 - Efeito de Modulação da Largura da Base (Efeito Early)

Ao levantar as curvas caracterı́sticas de emissor comum, apresentadas na Fig. III.23, verificou-se
que há uma dependência de IC com respeito à tensão VCE mesmo quando o transistor está operando

Capı́tulo III 30
no modo ativo. É importante notar que esse efeito não é previsto pelo Modelo de Ebers-Moll da
Fig. III.11.
No modo ativo, a junção base-emissor do transistor encontra-se diretamente polarizada. Por essa
razão, a tensão sobre essa junção tende a se manter em torno de 0,6 V. Consequentemente, a maior
parte da variação da tensão VCE irá incidir sobre a junção base-coletor, que estará reversamente
polarizada. Quanto maior for a tensão reversa aplicada à junção base-coletor, maior será a largura
da região de depleção dessa junção. Em um transistor NPN, por exemplo, o alargamento da região
de depleção diminui a largura efetiva da base, que contém buracos para recombinar com alguns
poucos elétrons provenientes do emissor.
Na Seção III.1, foi visto que a maioria dos elétrons provenientes do emissor conseguem atravessar
a base e atingir o coletor quando o transistor está operando no modo ativo. Também foi visto
que quanto mais estreita for a região da base, mais elétrons conseguem atingir o coletor sem se
recombinar com os buracos presentes na base, aumentando a corrente IC . Portanto, ao se elevar a
tensão reversa da junção base-coletor, aumenta-se a corrente de coletor IC , pois a largura efetiva
da base é progressivamente reduzida com o alargamento da região de depleção. Essa situação é
ilustrada na Fig. III.24.
VBE VCB
IB
IC
IE
Largura Efetiva da Base Região de Depleção
Figura III.24: Estreitamento da largura efetiva da base em virtude da região de depleção da junção
base-coletor.
James M. Early descobriu que se prolongarmos os trechos retos das curvas caracterı́sticas de
emissor comum, conforme mostrado na Fig. III.25, as retas dos prolongamentos convergem apro-
ximadamente para um mesmo ponto, que corresponde à tensão −VA . Essa tensão ficou conhecida
como Tensão de Early. Em transistores comerciais, VA assume tipicamente valores superiores a
50 V.
Essa dependência aproximadamente linear da corrente de coletor com respeito à tensão VCE
pode ser levada em conta no modelo do transistor no modo ativo modificando-se (III.23) do seguinte
modo:
VCE
IC = IS eVBE /vT 1+ . (III.28)
VA
Note que se (III.28) fosse válida para qualquer valor de VCE , mantendo VBE constante, essa expressão
corresponderia exatamente à equação das retas tracejadas na Fig. III.25. Entretanto, devemos
lembrar que (III.28) só é válida para VCE > 0,2 V, ou seja, quando o transistor está operando no
modo ativo.
A partir de (III.28), podemos obter um modelo para o transistor bipolar operando no modo
ativo de modo que o Efeito Early seja levado em conta no cálculo da corrente de coletor. Para isso,

Capı́tulo III 31
IC
VA VCE
Figura III.25: Ao se prolongar os trechos retos das curvas caracterı́sticas de emissor comum, as retas
convergem para a Tensão de Early VA .
fazemos
IS eVBE /vT
IC = IS eVBE /vT + VCE .
VA
Note que a corrente de coletor é formada pela soma de dois termos, onde o primeiro é igual à
corrente de coletor no modo ativo obtida pelo Modelo de Ebers-Moll sem considerar o Efeito Early,
e o segundo é linearmente proporcional à tensão VCE . Assim, lembrando que β IB = IS eVBE /vT
VA
no Modelo de Ebers-Moll, e definindo uma resistência de saı́da RO (VBE ) = IS eVBE /vT
, podemos
escrever
VCE
IC = β IB + . (III.29)
RO (VBE )
A partir dessa expressão obtemos o modelo da Fig. III.26(a), onde a fonte controlada β IB está
conectada em paralelo com a resistência RO (VBE ) para fazer com que a corrente de coletor total
seja dada pela soma das duas parcelas em (III.29).
B C E
VBE IB IB R O (VBE)
VEB IB IB R O (VEB)
E B C
(a) (b)
Figura III.26: Modelos emissor-comum aproximados para os transistores NPN (a) e PNP (b) operando
no modo ativo levando em consideração o Efeito Early.
No caso de transistores PNP, a modelagem do Efeito Early é análoga:

VEC VEC
IC = IS eVEB /vT 1+ = β IB + , (III.30)
VA RO (VEB )
VA
onde a resistência de saı́da RO (VEB ) = IS eVEB /vT
. Assim, o modelo do transistor PNP no modo
ativo considerando o Efeito Early fica conforme mostrado na Fig. III.26(b).

Capı́tulo III 32
Observação
Os modelos apresentados na Fig. III.26 indicam que o Efeito Early é o responsável por fazer com
que a fonte de corrente controlada que produz IC não seja ideal. Dessa forma, o transistor no modo
ativo opera como uma fonte de corrente controlada que possui uma resistência de saı́da finita e não
linear dada por RO (VBE ).
Como a contribuição do Efeito Early para a corrente de coletor é bastante sutil — isso pode ser
constatado no gráfico da Fig. III.23 —, essa contribuição será desprezada na maioria das análi-
ses apresentadas neste texto. Somente quando esse efeito for significativo, ele será mencionado e
considerado nos cálculos.
III.5 - Análise de Circuitos em Corrente Contı́nua (DC)
Na Seção III.3, foram apresentados os modelos simplificados para descrever o comportamento

fı́sico do transistor bipolar de junção. Conforme mencionado, tais modelos são bastante adequados
para a realização de cálculos manuais durante a análise e o projeto de circuitos eletrônicos. O objetivo
desta seção é justamente mostrar como aqueles modelos simplificados podem ser empregados na
análise de circuitos operando em corrente contı́nua. O projeto desse tipo de circuito será abordado
na próxima seção.
De acordo com o que foi visto na Seção III.3, existe um modelo simplificado especı́fico para cada
modo de operação do transistor bipolar. Dessa forma, deve-se escolher qual modelo será utilizado
antes de realizar a análise de um circuito. Entretanto, em uma análise, nem sempre nós sabemos a
priori em qual modo o transistor estará operando — em muitas análises é justamente isso o que se
deseja saber. Então vem a pergunta: como é que vamos saber em que modo de operação o transistor
está antes de analisar o circuito? A resposta é bem simples: não é necessário saber a priori qual o
modo de operação, o próprio resultado da análise irá indicá-lo. Isso pode soar um pouco estranho,
pois sem saber em qual modo de operação o transistor está, não saberemos qual modelo simplificado
iremos escolher para executar a análise.
Para resolver esse problema, o procedimento a ser adotado é o seguinte: suponha que o transistor
está em um determinado modo de operação — pode ser qualquer um deles. Assim, empregando o
modelo referente ao modo de operação escolhido, executa-se a análise do circuito. Uma vez obtidas
as tensões e as correntes no transistor, pode-se testar se o resultado é coerente com o modo de
operação escolhido. Caso não sejam coerentes, houve uma contradição entre o modelo empregado
na análise e o resultado obtido por ele, indicando que a suposição inicial é falsa. Assim, deve-se supor
que o transistor está em um outro modo de operação e proceder à análise novamente. Esse processo
deve ser repetido até que o resultado obtido seja coerente com o modo de operação escolhido.
Os exemplos apresentados a seguir ilustram como esse procedimento é realizado para os três
principais modos de operação do transisto bipolar.
Exemplo iii.1
Para o circuito apresentado abaixo, decida em qual modo de operação o transistor está polarizado e calcule
as tensões de coletor, base e emissor em relação à terra. Assim como as correntes de base, coletor e emissor.
Considere um transistor Q1 com β = 100.
Solução:

Capı́tulo III 33
Se supusermos que o transistor está operando em corte, então todas VCC = 10 V

as correntes nos terminais do transistor serão aproximadamente nulas. IC
Consequentemente: R C = 4,7 k
VBB = 4 V
VC = VCC − RC IC = 10 V;
Q1
VB = VBB = 4 V; IE
VE = RE IE = 0. 1
R E = 3,3 k
De acordo com os resultados acima, temos que VC > VB , indicando
que a junção base-coletor de Q1 está reversamente polarizada. Entre-
tanto, temos também que VB > VE , indicando que a junção base-emissor estará diretamente polarizada, o
que contraria a suposição de que Q1 estaria operando em corte — vide Tabela III.1. Com isso, conclui-se
que o transistor não está operando em corte. Portanto, os resultados obtidos acima não são válidos.
Por outro lado, supondo Q1 no modo ativo, podemos empregar o modelo simplificado da Fig. III.15.
Assim, escrevendo a equação da malha ¬, temos:
VBB − VBE − RE IE = 0.
Resolvendo e substituindo os valores numéricos, obtém-se:
VBB − VBE 4 − 0,6

IE = = = 1,03 mA.
RE 3,3
Uma vez obtida a corrente de emissor, as correntes de coletor e de base podem ser calculadas a partir de
(III.24) e (III.25):
β
I C = α IE = IE = 1,02 mA;
β+1
IC
IB = = 10,2 µA.
β
Com os valores das correntes calculadas, podemos obter as tensões nos terminais do transistor em relação
ao potencial de terra:
VC = VCC − RC IC = 10 − 4,7 · 1,02 = 5,2 V;

VB = VBB = 4 V;
VE = RE IE = 3,3 · 1,03 = 3,4 V.
Note que a tensão de emissor também poderia ser calculada alternativamente através da relação:
VE = VBB − VBE = 4 − 0,6 = 3,4 V.
Finalmente, devemos verificar se os resultados obtidos são coerentes com a suposição de que o transistor
está operando no modo ativo. Como o próprio modelo utilizado nos cálculos fixa em 0,6 V a tensão VBE ,
não é necessário verificar se a junção base-emissor está diretamente polarizada. Apenas devemos verificar a
polaridade da junção base-coletor:
VBC = VB − VC = 4 − 5,2 = −1,2 V.
Esse resultado mostra que a junção base-coletor de Q1 está reversamente polarizada, exatamente como deve
estar para que o transistor opere no modo ativo. Portanto a suposição inicial está correta e a análise do
circuito está concluı́da.
De acordo com o procedimento adotado no problema acima, o teste para verificar se o modo de

Capı́tulo III 34
operação suposto é coerente com os resultados obtidos envolveu observar a polaridade das junções.
No modo de corte, ambas as junções devem estar reversamente polarizadas. Enquanto que no modo
ativo, a junção base-emissor deve estar diretamente polarizada e a junção base-coletor polarizada
reversamente.
Uma particularidade a ser salientada no exemplo acima é o fato de que não é necessário verificar
a polaridade da junção base-emissor quando a operação no modo ativo é suposta. Isso acontece
porque o próprio modelo simplificado do transistor operando no modo ativo fixa a tensão VBE em
0,6 V, com polarização direta. Consequentemente, em qualquer resultado obtido com esse modelo,
essa junção estará diretamente polarizada.
No caso do transistor operando no modo de saturação, uma situação semelhante acontece. Isso
faz com que o teste para verificar a operação do transistor na saturação seja ligeiramente diferente
daquele empregado para verificar os modos de corte e ativo. Essa situação é ilustrada no exemplo
a seguir.
Exemplo iii.2
Para o circuito apresentado ao lado, decida em qual modo de operação o VCC = 10 V

transistor está polarizado e calcule as tensões de coletor, base e emissor
IC
em relação à terra. Assim como as correntes de base, coletor e emissor. RC
VBB
Considere um transistor Q1 com β = 100. 5,0 V R B 3k
50 k
Solução: Q1
IB
1
Supondo que o transistor Q1 está operando na região ativa, podemos
começar a análise do circuito através da equação da malha ¬:
VBB − RB IB − VBE = 0.
Resolvendo a equação acima e substituindo os valores numéricos, teremos:
VBB − VBE 5 − 0,6

IB = = = 0,088 mA.
RB 50
Com a corrente de base calculada, podemos obter as correntes de coletor e emissor:
IC = β IB = 8,8 mA;
IE = IC + IB = (β + 1) IB ∼
= 8,89 mA.
Uma vez calculadas as correntes nos terminais do transistor, podemos proceder ao cálculo das tensões de
coletor, base e emissor em relação ao potencial de terra:
VC = VCC − RC IC = 10 − 3 · 8,8 = −16,4 V;

VB = VBB − RB IB = 5 − 50 · 0,088 = 0,6 V;
VE = 0.
Nesse caso a tensão sobre a junção base-coletor será:
VBC = VB − VC = 17 V.
Tal resultado indica que a junção base-coletor está polarizada diretamente, o que contraria a suposição inicial
de que Q1 estaria operando no modo ativo. Portanto, a suposição é falsa e os resultados obtidos acima não
são válidos.

Capı́tulo III 35
Supondo que o transistor Q1 está operando no modo de saturação, empregaremos o modelo simplificado
apresentado na Fig. III.17 na análise do circuito.
Escrevendo novamente a equação da malha ¬, teremos:
VBB − RB IB − VBE = 0.
Resolvendo essa equação, obtém-se o resultado:

VCC = 10 V
VBB − VBE
IB = = 0,088 mA.
IC RB
VBB RC
5,0 V R B 3k Entretanto, quando o transistor está operando na saturação, a igual-
2
50 k dade IC = β IB não é válida. Por outro lado, de acordo com o modelo
Q1 da Fig. III.17, temos que VCE ≈ 0,2 V. Dessa forma, podemos encon-
IB trar as demais correntes escrevendo a equação da malha :
1
VCC − RC IC − VCE = 0.
Resolvendo a equação e substituindo os valores numéricos, obtemos:
VCC − VCE 10 − 0,2

IC = = = 3,27 mA.
RC 3
Assim, a corrente de emissor é obtida diretamente a partir da Lei das Correntes de Kirchhoff:
IE = IC + IB = 3,27 + 0,088 ∼
= 3,36 mA.
Uma vez obtidas as correntes, também podemos obter as tensões nos terminais do transistor:
VC = VE + VCE = 0,2 + 0 = 0,2 V;

VB = VE + VBE = 0,6 + 0 = 0,6 V;
VE = 0.
Entretanto, nós não podemos verificar as polaridades das junções para verificar se os resultados são coerentes
com a suposição de que Q1 está realmente operando no modo de saturação. Isso porque o próprio modelo
simplificado da Fig. III.17 já fixa as tensões entre os terminais do transistor, produzindo sempre resultados
com ambas as junções diretamente polarizadas.
Para verificar a operação no modo de saturação é necessário testar a condição (III.9), onde a corrente
de coletor deve ser menor que aquela que o transistor apresentaria caso estivesse operando no modo ativo
— ou seja, IC < β IB . No que se refere aos resultados obtidos acima, temos que IC = 3,27 mA e que
β IB = 8,8 mA, o que é coerente com a condição IC < β IB . Portanto, podemos concluir que Q1 está mesmo
operando na saturação e que os resultados obtidos acima são válidos.
O próximo exemplo ilustra como o uso de técnicas de análise de circuitos, como o Equivalente
de Thévenin, podem ser bastante úteis na análise de circuitos com transistores bipolares.
Exemplo iii.3
Para o circuito apresentado a seguir, decida em qual modo de operação o transistor está polarizado e calcule
Solução:

Capı́tulo III 36
A princı́pio, vamos supor que o transistor Q1 está operando no modo VCC = 10 V

ativo. Assim, a análise poderia ser feita substituindo-se Q1 pelo seu mo-
delo simplificado da Fig. III.15, escrevendo-se equações de nó ou de malha R1 RC
74 k 3k
e, finalmente, resolvendo-se o sistema de equações resultante. Essa estra-
tégia é deixada como exercı́cio para o leitor interessado. Neste exemplo,
Q1
adotaremos uma estratégia mais simples de se obter a solução deste pro-
blema, substituindo o subcircuito formado pelos resistores R1 e R2 pelo R2
seu Equivalente de Thévenin. É importante ficar claro que o trecho de 26 k RE
2k
circuito formado por R1 e R2 pode ser substituı́do por um circuito equi-
valente de Thévenin porque trata-se de uma rede linear. O transistor
bipolar, por outro lado, é um componente não linear e, portanto, não pode ser substituı́do por um circuito
equivalente de Thévenin e nem de Norton. A obtenção dos parâmetros do circuito equivalente é ilustrada
abaixo.
A tensão equivalente de Thévenin VT H é igual à tensão

VCC = 10 V
que aparece na porta de entrada da rede original quando esta
é desconectada do restante do circuito. Dessa forma, de acordo
R1 R1 com a figura ao lado:
R2 26
VTH VT H = VCC = 10 = 2,6 V.
R1 + R2 74 + 26
R2 R2 Analogamente, a resistência equivalente de Thévenin é a resis-

R TH
tência vista da porta de entrada quando todas as fontes inde-
pendentes da rede estão zeradas. Dessa forma, de acordo com
a figura ao lado, teremos:
R1 R2
RT H = R1 //R2 = = 19,24 kΩ.
R1 + R2
Assim, podemos redesenhar o circuito original, substituindo a rede formada por R1 e R2 pelo seu respectivo
Equivalente de Thévenin, conforme mostrado na figura a seguir.
Começamos a análise do circuito supondo o transistor Q1 no modo

VCC = 10 V
ativo e escrevendo a equação da malha ¬:
IC
VT H − RT H IB − VBE − RE IE = 0. RC
IB
Como estamos supondo que Q1 está operando no modo ativo, podemos R TH
Q1
escrever:
VTH IE
IE = IC + IB = β IB + IB = (β + 1) IB .
1
RE
Assim, a equação de malha pode ser reescrita em função de uma única
variável IB :
VT H − RT H IB − VBE − RE (β + 1) IB = 0.
Resolvendo essa equação e substituindo os valores numéricos, obtemos:
VT H − VBE 2,6 − 0,6

IB = = = 0,009 mA.
RT H + (β + 1) RE 19,24 + 101 · 2
Assim, podemos obter as demais correntes no transistor usando as demais relações da operação no modo
ativo:
IC = β IB = 0,9 mA;
IE = (β + 1) IB = 0,909 mA.
Finalmente, com os valores de corrente calculados, podemos obter as tensões de coletor, base e emissor em
relação ao potencial de terra:

Capı́tulo III 37
VC = VCC − RC IC = 7,3 V;
VE = RE IE = 1,8 V;
VB = VE + VBE = 2,4 V.
Assim, podemos verificar se Q1 está realmente operando no modo ativo, observando a polaridade da junção
base-coletor:
VBC = VB − VC = 2,4 − 7,3 = −4,9 V.
Portanto, verificamos que a junção base-coletor de Q1 está efetivamente submetida a uma polarização reversa,
o que nos leva a concluir que a suposição inicial de que Q1 está operando no modo ativo é verdadeira.
Nos três exemplos anteriores, foram apresentados circuitos contendo exclusivamente transistores
NPN. Os próximos dois exemplos empregam transistores PNP. Para esses circuitos, também serão
empregados os modelos simplificados apresentados na Seção III.3, e os procedimentos de análise são
perfeitamente análogos aos apresentados acima para circuitos contendo transistores NPN.
Exemplo iii.4
Solução:
Supondo que o transistor Q1 está operando no modo ativo, emprega- VCC = 5 V

mos o modelo simplificado da Fig. III.15(b) e escrevemos a equação da IE
malha ¬:
1 RE
VCC − RE IE − VEB − RB IB = 0. 1k
IB
Lembrando que, no modo ativo, temos IE = (β + 1) IB , podemos rees- Q1
crever a equação de malha acima em função de uma única variável: RB
120 k
IC RC
VCC − RE (β + 1) IB − VEB − RB IB = 0. 1k
Considerando VEB = 0,6 V, podemos resolver a equação acima, obtendo:

VEE = - 5 V
VCC − VEB 5 − 0,6
IB = = = 0,01991 mA.
RB + (β + 1) RE 120 + 101 · 1
Uma vez obtida a corrente de base, podemos calcular também as demais correntes no transistor da seguinte
forma:
IC = β IB = 1,991 mA;
IE = (β + 1) IB = 2,01 mA.
Portanto, dadas as correntes nos terminais de Q1 , podemos calcular as tensões de coletor, base e emissor:
VC = VEE + RC IC = −3,01 V;
VE = VCC − RE IE = 2,99 V;
VB = VE − VEB = 2,39 V.

Capı́tulo III 38
Assim, podemos verificar se Q1 está realmente operando no modo ativo, observando a polaridade da junção
base-coletor:
VCB = VC − VB = −3,01 − 2,39 = −5,4 V.
Note que a tensão calculada foi VCB e não VBC como nos casos anteriores onde o transistor era do tipo NPN.
Isso foi feito porque, no transistor PNP, para que a junção base-coletor esteja reversamente polarizada é
necessário que a tensão de coletor seja menor que a tensão de base. Essa situação irá produzir uma diferença
de potencial negativa em VCB . Analogamente, um valor positivo para VCB indicaria uma junção base-
coletor diretamente polarizada. Como obtivemos VCB < 0 para o problema acima, a junção base-coletor
está reversamente polarizada, o que confirma a suposição inicial de que Q1 está operando no modo ativo.
Consequentemente, os resultados obtidos acima são válidos e a análise está encerrada.
A seguir, é apresentado mais um exemplo de análise de circuito contendo um transistor bipolar

PNP. Entretanto, diferentemente do caso anterior, nesse exemplo o transistor estará operando no
modo de saturação.
Exemplo iii.5
Solução:
Supondo que o transistor Q1 está operando no modo ativo, escrevemos VCC = 10 V

a equação da malha ¬: IE
VCC − RE IE − VEB − RB IB = 0. 1 RE
1k
IB
Lembrando que IE = (β + 1) IB para um transistor operando no modo Q1
ativo, podemos reescrever a equação acima da seguinte forma: RB
148 k
VCC − RE (β + 1) IB − VEB − RB IB = 0. IC RC
4k
Assim, temos uma equação em função apenas de IB , cuja solução é dada

por:
VCC − VEB 10 − 0,6
IB = = = 37,75 µA.
RB + RE (β + 1) 148 + 1 · 101
Então, as demais correntes no transistor serão:
IC = β IB = 3,775 mA
IE = (β + 1) IB = 3,813 mA
Com as correntes devidamente calculadas, pode-se obter as tensões nos terminais de Q1 da seguinte forma:
VE = VCC − RE IE = 6,187 V
VB = VE − VEB = 5,587 V
VC = RC IC = 15,1 V
De acordo com esses resultados, temos VCB ∼ = 9,5 V. Isso indica que a junção base-coletor de Q1 está
diretamente polarizada, contrariando a suposição inicial de que o transistor estaria operando no modo ativo.

Capı́tulo III 39
Dessa forma, conclui-se que Q1 não pode estar operando no modo ativo e que toda a análise realizada acima
é falsa.
Então, supondo Q1 na saturação, podemos escrever a equação da VCC = 10 V
malha ¬: IE
VCC − RE IE − VEB − RB IB = 0
1 RE
1k
e a equação da malha : IB
Q1 2
VCC − RE IE − VEC − RC IC = 0. RB
148 k
IC RC
Considerando também a Lei das Correntes de Kirchhoff para as corren- 4k
tes do transistor, teremos:
IE = IC + IB .
Nesse ponto deve ser lembrado que, no modo de saturação, devemos ter que IC < β IB . Consequentemente,
as identidades IC = β IB e IE = (β + 1) IB não são válidas.
Assim, combinando as equações acima, teremos o seguinte sistema:

RB IB + RE IE = VCC − VEB



R I + RE IE = VCC − VEC .
 C C

I + I − I = 0

B C E
Resolvendo o sistema acima, obtém-se:
IB = 0,05 mA
IC = 1,95 mA
IE = 2,00 mA
De acordo com esses resultados, temos que β IB = 5 mA. Consequentemente, temos βIB > IC , o
que confirma a suposição de que Q1 está operando no modo de saturação. Assim, de posse das correntes,
podemos finalmente calcular as tensões nos terminais do transistor:
VC = RC IC = 7,8 V
VE = VCC − RE IE = 8,0 V
VB = VE − VEB = 7,4 V
No próximo exemplo, um circuito contendo dois transistores é analisado. No caso de um circuito

com mais de um transistor, a tarefa de descobrir o modo de operação de cada transistor pode se
tornar muito tediosa. Isto ocorre porque diferentes combinações de modos de operação devem ser
testadas até que os resultados obtidos para todos os transistores envolvidos sejam coerentes com
os respectivos modos de operação supostos. Para o caso de um circuito com dois transistores Q1 e
Q2 , como no exemplo a seguir, podemos ter vários cenários: Q1 e Q2 no modo ativo, Q1 e Q2 na
saturação, Q1 no modo ativo e Q2 na saturação, e assim por diante.
Normalmente, na análise de um circuito com vários transistores, podemos fazer uso do conheci-
mento prévio da função que cada transistor desempenha no circuito para estimar qual o modo de
operação mais provável de cada dispositivo. Se o circuito analisado for um amplificador, é muito
provável que todos os transistores estejam operando no modo ativo. Por outro lado, se tivermos em
mãos um circuito digital, sabe-se que os transistores estarão operando em corte ou em saturação,
dependendo da famı́lia lógica considerada. Assim, usando esse conhecimento a cerca da funcionali-

Capı́tulo III 40
dade do circuito, pode-se, com grande probabilidade, supor os modos de operação corretos logo na
primeira tentativa de análise.
Exemplo iii.6
Para o circuito apresentado a seguir, decida em qual modo de operação ambos os transistores estão pola-
rizados e calcule as tensões de coletor, base e emissor em relação à terra para cada um. Assim como as
correntes de base, coletor e emissor. Considere ambos os transistores Q1 e Q2 com β = 100.
Solução:
Supondo ambos Q1 e Q2 no modo ativo, escre- VCC = 10 V

vemos, inicialmente, a equação da malha ¬:
R C1 2
RE2
VCC − RB1 IB1 − VBE − RE1 IE1 = 0. 2,5 k 4,4 k
Como estamos supondo Q1 no modo ativo, a rela- IB1 R B1 Q2

ção IE1 = (β + 1) IB1 é válida. Assim, podemos 370 k IB2
Q1
reescrever a equação acima da seguinte forma:
IE1 R C2
R E1 IC2 3k
VCC − RB1 IB1 − VBE − RE1 (β + 1) IB1 = 0. 1
1k
Dessa maneira, teremos:
VCC − VBE
IB1 = = 19,96 µA.
RB1 − RE1 (β + 1)
Consequentemente, teremos que:
IC1 = β IB1 = 1,996 mA

IE1 = (β + 1) IB1 = 2,016 mA.
Escrevendo, agora, a equação da malha :
VCC − RE2 IE2 − VEB + RC1 (IC1 − IB2 ) = VCC .
Considerando, novamente, que IE2 = (β + 1) IB2 , pois estamos supondo Q2 no modo ativo, podemos
escrever:
VCC − RE2 (β + 1) IB2 − VEB + RC1 (IC1 − IB2 ) = VCC .
Assim, resolvendo a equação acima, podemos encontrar o valor da corrente de base de Q2 :
RC1 IC1 − VEB

IB2 = = 9,82 µA.
RC1 − RE2 (β + 1)
A partir da corrente de base, podemos obter as demais correntes no transistor Q2 :
IC2 = β IB2 = 0,982 mA

IE2 = (β + 1) IB2 = 0,992 mA.
Uma vez obtidas as correntes nos terminais de ambos os transistores, podemos, finalmente, calcular as
tensões de base coletor e emissor para Q1 :
VC1 = VCC − RC1 (IC1 − IB2 ) = 5,03 V

VE1 = RE1 IE1 = 2,02 V
VB1 = VE1 + VBE = 2,62 V

Capı́tulo III 41
e para Q2 :
VC2 = RC2 IC2 = 2,95 V

VE2 = VCC − RE2 IE2 = 5,63 V
VB2 = VE2 − VEB = 5,03 V.
No que se refere a Q1 , temos que VBC = −2,41 V. Esse resultado indica que a junção base-coletor está
polarizada reversamente, o que confirma a suposição inicial de que Q1 está operando no modo ativo. No
que se refere a Q2 , temos que VCB = −2,08 V. Assim, esse resultado também confirma a suposição inicial
de que Q2 está operando no modo ativo.
Portanto, como ambas as suposições estão corretas, a análise do circuito está completa.
Com os exemplos acima, ilustramos a metodologia empregada na análise de circuitos em corrente

contı́nua contendo transistores bipolares. Mesmo que você tenha entendido bem a sistemática deste
método de análise, ainda é necessário praticar bastante para conseguir analisar e projetar circuitos
com transistores de maneira eficaz e profissional. Por isso, convidamos você a resolver muitos
exercı́cios sobre esse tópico para aprimorar o seu aprendizado!
Uma vez compreendida a metodologia de análise, passaremos ao estudo do projeto de circuitos
de polarização de transistores em corrente contı́nua (DC). Mas isso é assunto para a próxima seção.
III.6 - Polarização DC de Transistores Bipolares
Para que o transistor bipolar possa atuar como um elemento amplificador razoavelmente linear,
é necessário projetar um circuito de polarização DC. O circuito de polarização deve ser projetado
de modo a manter o transistor operando no modo ativo, estabelecendo uma corrente DC estável
no coletor do transistor, além de definir as tensões de polarização nos três terminais do dispositivo.
Para que a corrente de polarização DC estabelecida no coletor seja estável e precisa, o circuito de
polarização deve atender aos seguintes requisitos:
• Estabilidade térmica;
• Baixı́ssima sensibilidade com respeito ao parâmetro β do transistor;
• Baixa sensibilidade a variações da tensão VBE com a temperatura.
O problema da estabilidade térmica é ilustrado no circuito de polarização da Fig. III.27(a). Tal

circuito apresenta um esquema de polarização bastante intuitivo, onde uma fonte de tensão fixa VBE
é aplicada ao transistor de modo a produzir uma corrente de polarização DC dada por
IC = IS · eVBE /vT , (III.31)
onde a tensão de alimentação VCC e o resistor de coletor RC devem ser dimensionados de modo
a garantir que a tensão de coletor VC seja alta o suficiente para fazer com que Q1 opere no modo
ativo.
Para entender a razão da instabilidade térmica do circuito da Fig. III.27(a), considere a variação
que a curva caracterı́stica IC × VBE sofre com o aumento de temperatura, conforme mostrado na
Fig. III.27(b). Suponha que a temperatura inicial do transistor Q1 seja T1 . De acordo com o gráfico
da Fig. III.27(b), ao ligar o circuito, a fonte VBE irá fazer com que Q1 apresente uma corrente
de coletor igual a IC1 . Entretanto, ao conduzir corrente, Q1 irá aquecer devido à dissipação de

Capı́tulo III 42
IC T6 T5 T4 T3 T2 T1
IC4
VCC
IC IC3
RC
IC2
Q1 IC1
VBE
VBE v
BE
(a) (b)
Figura III.27: Circuito de polarização com problema de estabilidade térmica (a) devido à variação de IC
com a temperatura (b).
potência (PQ1 = VCE · IC ), elevando sua temperatura para, por exemplo, T2 . Como VBE permanece
constante, a corrente de coletor irá aumentar para IC2 , de acordo com a Fig. III.27(b). Com o
aumento da corrente, Q1 irá dissipar ainda mais potência, elevando a sua temperatura para T3 , o
que acarreta em um aumento ainda maior na corrente de coletor. Assim, esse processo continua e
a corrente de coletor experimenta um aumento exponencial até fazer com que a queda de tensão
no resistor RC produza VCE ≈ 0,2 V, saturando Q1 , ou até atingir o limite máximo de corrente
tolerado pelo transistor, o que iria danificá-lo.
Para resolver esse problema, podemos adicionar um resistor ao circuito das duas maneiras apre-
sentadas na Fig. III.28.
Escrevendo a equação da malha que contém a junção base-emissor para o circuito da Fig.
III.28(a), teremos:
VBB − RB IB − VBE = 0
IC
VBB − RB − VBE = 0
β
β
IC = · (VBB − VBE ) . (III.32)
RB
VCC
VCC IC
RC
IC
RC
Q1
RB
Q1 VBB
V BB RE
(a) (b)
Figura III.28: Circuitos de polarização com estabilidade térmica devido à inclusão de um resistor na
malha de base (a) ou na malha de emissor (b).

Capı́tulo III 43
Analogamente, a equação de malha do circuito da Fig. III.28(b) será
VBB − VBE − RE IE = 0
β+1
VBB − VBE − RE IC = 0
β
β 1
IC = · · (VBB − VBE )
β + 1 RE
α
IC = · (VBB − VBE ) . (III.33)
RE
As igualdades (III.32) e (III.33) fazem com que um aumento em IC force uma redução em VBE , já
que os demais parâmetros das equações estão fixos. Assim, mesmo que um aumento na temperatura
tente elevar IC , esse aumento na corrente de coletor obrigará VBE a diminuir. Com a redução de
VBE , a corrente IC será forçada a diminuir em virtude da relação entre IC e VBE dada por (III.31).
Assim, esse mecanismo de realimentação negativa estabiliza o valor da corrente IC com relação à
temperatura, fazendo com que os circuitos da Fig. III.28 sejam estáveis termicamente.
Portanto, para garantir a estabilidade térmica de um circuito com transistor bipolar, é necessário
incluir um resistor na malha da base e/ou na malha de emissor, conforme mostrado na Fig. III.28.
Todavia, há ainda o problema de se empregar um circuito de polarização que apresente uma
baixı́ssima sensibilidade com respeito ao parâmetro β do transistor. A necessidade de um circuito
com essa caracterı́stica se deve ao fato de que o valor do parâmetro β pode variar muito de um
transistor para o outro. O transistor comercial BC546, por exemplo, apresenta um parâmetro β
cujo valor está em uma faixa que vai de 100 a 800, conforme informado no manual do fabricante. O
transistor de potência BD135, por sua vez, apresenta um β na faixa entre 25 e 250. Já o transistor
BF494, usado em circuitos de rádio, tem seu parâmetro β na faixa de 67 a 220. Essa enorme
variação verificada no parâmetro β está relacionada com a precisão com que processo de fabricação
de semicondutores consegue definir a largura da base do transistor. Pequenas variações na largura
da base afetam o valor do parâmetro α, pois a largura da base está diretamente relacionada com
a quantidade de portadores de carga provenientes do emissor que conseguem atravessar a base e
atingir a junção base-coletor — conforme foi visto na Seção III.1. Entretanto, como o parâmetro
α é bastante próximo da unidade, uma variação nesse parâmetro, mesmo que pequena, acarretará
em uma mudança muito grande no parâmetro β correspondente. Como exemplo, se o parâmetro
α for igual a 0,991 em um transistor e 0,998 em outro — o que corresponde a uma variação de
apenas 0,7% —, os valores de β correspondentes serão 110 e 499, respectivamente — ou seja, uma
variação de cerca de 400%! Note ainda que essa enorme variação do parâmetro β pode acontecer
entre transistores do mesmo modelo e fabricados em um mesmo lote.
Além da enorme variação observada entre dois transistores do mesmo modelo, o parâmetro β
de um único transistor também pode variar com a temperatura e com a corrente de coletor. O β
de um transistor BC546, por exemplo, pode experimentar uma variação superior a 100% quando
submetido a uma variação de temperatura de −55 a 100◦ C. Por essas razões, o projeto profissional
de um circuito de polarização deve garantir que o ponto de operação do transistor seja muito pouco
sensı́vel a essas enormes variações do parâmetro β.
De acordo com (III.32), nota-se que a corrente de coletor do circuito da Fig. III.28(a) depende
fortemente do parâmetro β. Dessa forma, devido às enormes variações verificadas nesse parâmetro,
a corrente de polarização de coletor não será implementada de maneira precisa caso o circuito de
polarização da Fig. III.28(a) seja utilizado. Essa situação é ilustrada no exemplo a seguir.

Capı́tulo III 44
Exemplo iii.7
Considere que o circuito de polarização a seguir foi implementado usando o transistor BC546, cujo parâmetro
β pode assumir qualquer valor entre 100 e 800. Sendo assim, calcule a faixa dos possı́veis valores que a
corrente de coletor de Q1 pode assumir.
Solução:
Escrevendo a equação da malha ¬, teremos: VCC = 5,0 V
VCC − RB IB − VBE = 0 IC
RC
1 1k
IB = · (VCC − VBE ) . RB
RB 220 k
Q1
Supondo que Q1 está operando no modo ativo, teremos que IC = β IB , BC546
dessa forma: IB
β 1
IC = · (VCC − VBE ) .
RB
Para β = 100, teremos:
IC = 2 mA.
Nesse caso, teremos que a tensão de coletor em relação ao potencial de terra será VC = VCC − RC IC = 3,0 V
que é maior que a tensão na base VB = VE + VBE = 0,6 V. Portanto, a junção base-coletor está reversamente
polarizada e o transistor Q1 está efetivamente operando no modo ativo.
IC = 16 mA.
Esse resultado levaria a VC = VCC − RC IC = −11 V, que vem a ser uma tensão menor que VB = 0,6 V,
o que está em desacordo com a hipótese de operação em modo ativo. Para este valor de β, o transistor Q1
deve estar operando no modo de saturação. Dessa forma, teremos:
1
IB = · (VCC − VBE ) = 20 µA,
RB
1
IC = · (VCC − VCE ) = 4,8 mA.
RC
De acordo com esse resultado, temos que IC = 4,8 mA < β IB = 16 mA, para β = 800. Isso confirma a
operação no modo de saturação.
Assim, conclui-se que a corrente IC pode assumir valores entre 2 mA e 4,8 mA no circuito proposto.
Note que além da enorme variação que o valor da corrente de coletor pode apresentar, o transistor Q1 pode
operar fora do modo ativo dependendo do valor do parâmetro β.
O exemplo acima mostrou que a corrente de coletor no circuito da Fig. III.28(a) é bastante
sensı́vel ao valor do parâmetro β do transistor. Além disso, dependendo da faixa de valores que esse
parâmetro pode assumir, o transistor corre o risco de entrar em saturação, o que seria indesejável
no projeto de um amplificador. Se esse projeto fosse fabricado em larga escala em uma indústria,
onde cada unidade é montada com um transistor diferente, a enorme variação de β faria com que
uma grande quantidade de circuitos não funcionasse corretamente. Isso certamente comprometeria
a qualidade do produto e a confiabilidade da empresa — assim como o emprego do projetista.
Por outro lado, o circuito da Fig. III.28(b) não é tão sensı́vel ao valor do parâmetro β. De
acordo com (III.33), a corrente de coletor depende diretamente do parâmetro α, que varia muito
pouco para grandes variações de β — conforme discutido acima. A baixa sensibilidade do circuito

Capı́tulo III 45
da Fig. III.28(b) é ilustrada no exemplo a seguir.
Exemplo iii.8
Calcule a faixa de valores que a corrente de coletor de Q1 pode assumir no circuito abaixo, considerando a
mesma faixa de valores possı́veis para o parâmetro β considerada no exemplo anterior.
Solução:
Escrevendo a equação da malha ¬, teremos: VCC = 10 V

IC
VBB − VBE − RE IE = 0
RC
1 VBB = 3,6 V 1,5 k
IE = · (VBB − VBE ) .
RE
Considerando que Q1 está operando no modo ativo, teremos que IC = Q1
β
α IE = β+1
IE . Assim, teremos
β 1 1
IC = · · (VBB − VBE ) . RE
β + 1 RE 1,5 k
Para β = 100, teremos
IC = 1,980 mA.
Para β = 800, teremos

IC = 1,997 mA.
Note que em ambos os casos a tensão de coletor VC assume um valor maior que a tensão de base VB ,
confirmando a operação no modo ativo.
Dessa forma, a faixa de valores que a corrente de coletor pode assumir vai de 1,980 mA até 1,997 mA, o
que corresponde a uma variação de 0,86%. Esses resultados comprovam a baixı́ssima sensibilidade que este
circuito apresenta em relação ao parâmetro β do transistor.
Portanto, concluı́mos que o circuito da Fig. III.28(b) resolve o problema da estabilidade térmica
e apresenta baixı́ssima sensibilidade ao parâmetro β. Neste ponto, resta assegurar também uma
baixa sensibilidade do circuito com respeito às variações que podem vir a ocorrer na tensão VBE .
Nos cálculos de análise e de projeto realizados manualmente, consideramos que VBE ≈ 0,6 V.
Entretanto, a tensão entre base e emissor de um transistor bipolar não é exatamente igual a 0,6 V.
Na verdade, o valor de VBE depende da corrente de polarização — conforme expresso pela relação
exponencial (III.31) — e da temperatura — conforme visualizado no gráfico da Fig. III.27(b). Dessa
forma, se projetarmos um circuito de polarização considerando VBE ≈ 0,6 V nos cálculos, qualquer
variação no valor dessa tensão terá impacto no valor real da corrente de coletor quando montarmos
o circuito.
Para mitigar esse problema, precisamos garantir que o ponto de operação do circuito apresente
uma baixa sensibilidade em relação às possı́veis variações na tensão VBE . Assim, precisamos definir
quantitativamente a sensibilidade da corrente IC com respeito à tensão VBE :
dIC
IC dIC VBE
SIVCBE = = · . (III.34)
dVBE dVBE IC
VBE
dIC dVBE
Nessa figura de mérito, os termos IC e VBE representam as variações percentuais de IC e VBE ,

Capı́tulo III 46
respectivamente. Assim, dada uma variação percentual na tensão VBE , podemos obter a correspon-
dente variação percentual causada em IC a partir do valor da sensibilidade SIVCBE .
Para obter a sensibilidade do circuito da Fig. III.28(b), empregamos a equação (III.33) no cálculo
da derivada
dIC α
=− .
dVBE RE
Assim, usando a expressão acima e considerando IC como sendo dada por (III.33), podemos rees-
crever (III.34) da seguinte forma:
α VBE VBE
SIVCBE = − · α = − , (III.35)
RE · (VBB − VBE ) VE
RE
lembrando que no circuito da Fig. III.28(b) temos que VBB − VBE = VE .

O exemplo a seguir ilustra bem a utilidade desse cálculo de sensibilidade.
Exemplo iii.9
Considerando VBE = 0,6 V e VBB = 3,6 V, conforme o circuito do exemplo anterior, calcule a sensibilidade
da corrente IC com respeito à tensão VBE . Com base nesse resultado, o que se pode afirmar a cerca do valor
da corrente IC no transistor se a tensão VBE sofrer um aumento de 10%?
Solução:
Calculando a sensibilidade do circuito a partir de (III.35), teremos:
VBE VBE 0,6

SIVCBE = − = − = − = −0,2.
VE VBB − VBE 3,6 − 0,6
Dessa forma, se a tensão VBE sofrer um aumento de 10% em seu valor (variação bastante comum em
circuitos reais), então:
dIC dVBE
= SIVCBE · = −0,2 · 10% = −2%.
IC VBE
Esse resultado indica que se VBE aumentar 10%, então IC irá diminuir 2%.
De acordo com (III.35), nota-se que a sensibilidade da corrente de polarização IC no circuito da

Fig. III.28(b) pode ser tão pequena quanto maior for a tensão de polarização no emissor VE em
relação à tensão VBE . Tal condição pode ser perfeitamente atendida pelo circuito da Fig. III.28(b).
Uma regra de projeto muito utilizada pelos projetistas
é dimensionar o circuito de polarização de
VBE
maneira que VE ≥ 2 V. Dessa forma, teremos SIC ≤ 0,3. Assim, se a tensão VBE experimentar
uma variação de 10%, então a corrente de coletor IC apresentará uma variação menor ou igual a
3%, o que é aceitável em muitos projetos.
Uma vez definida a topologia de circuito que atende aos requisitos de projeto de polarização,
apresentaremos a seguir os principais circuitos práticos de polarização inspirados na topologia da
Fig. III.28(b).
III.6.1 - Polarização com Alimentação Simétrica

Apesar se ser capaz de atender aos três requisitos de projeto apresentados no inı́cio desta seção,
o circuito da Fig. III.28(b) tem como desvantagem a necessidade de duas fontes de alimentação

Capı́tulo III 47
VCC e VBB com valores de tensão distintos. Por outro lado, é muito comum encontrar projetos
de circuitos eletrônicos alimentados por duas fontes de tensão simétricas VCC e VEE de modo que
VCC = −VEE . Em projetos com esse tipo de alimentação, o circuito de polarização da Fig. III.28(b)
pode ser adaptado conforme ilustrado na Fig. III.29.
VCC
IC
RC
Q1
1 RE
VEE
Figura III.29: Circuito de polarização inspirado no circuito da Fig. III.28(b) utilizando fontes de
alimentação simétricas VCC e VEE .
Com a presença do resistor RE na malha de emissor, temos a garantia da estabilidade térmica

na polarização. Para obter a corrente de polarização, escrevemos a equação da malha ¬:
0 − VBE − RE IE = VEE
−VEE − VBE
IE = .
RE
Lembrando que IC = α IE no modo ativo, podemos obter a corrente de coletor a partir da expressão
acima:
−VEE − VBE
IC = α . (III.36)
RE
De acordo com a expressão (III.36), verificamos que a corrente de coletor do circuito da Fig.
III.29 depende diretamente do parâmetro α, o qual não experimenta uma variação tão grande
quanto o parâmetro β. Um resultado semelhante a esse foi obtido em (III.33) para o circuito da Fig.
III.28(b). Portanto, essa caracterı́stica faz com que ambos os circuitos apresentem uma baixı́ssima
sensibilidade em relação ao parâmetro β.
Finalmente, aplicando o resultado (III.36) em (III.34), obtemos a expressão para a sensibilidade
de IC em relação a VBE neste circuito:
dIC VBE VBE VBE

SIVCBE = · =− =− , (III.37)
dVBE IC (−VBE − VEE ) VRE
onde VRE representa a tensão de polarização sobre o resistor RE . De acordo com (III.37), verificamos
que a sensibilidade pode ser adequadamente baixa se a tensão de alimentação VEE permitir que
VRE = (−VBE − VEE ) seja razoavelmente maior que a tensão VBE .
Portanto, de acordo com os resultados acima, verificamos que o circuito da Fig. III.29 atende
aos principais requisitos de um bom circuito de polarização. A seguir, é apresentado um exemplo
de projeto.

Capı́tulo III 48
Exemplo iii.10
Projete o circuito de polarização da Fig. III.29, de modo a estabelecer uma corrente IC = 2 mA e uma
tensão de polarização no coletor VC = 2 V. Considere que o circuito está sendo alimentado com VCC = +
5,0 V e VEE = - 5,0 V.
Solução:
Para que o circuito de polarização apresente uma tensão VC = 2,0 V quando submetido a uma corrente
IC = 2,0 mA, devemos ter um resistor de coletor igual a:
VCC − VC 5−2
RC = = = 1,5 kΩ.
IC 2
De acordo com (III.36), é o resistor RE o responsável por definir a corrente de polarização no circuito.
Sendo assim, teremos que:

−VEE − VBE 5 − 0,6
RE = α ≈ = 2,2 kΩ.
IC 2
Note que no cálculo acima fizemos a aproximação α ≈ 1, o que é bastante razoável em transistores comerciais.
A grande desvantagem do circuito de polarização da Fig. III.29 é o fato de o projetista não ter
a liberdade de escolher a tensão de polarização sobre o resistor RE . Uma vez definida a tensão de
alimentação VEE , a tensão sobre o resistor RE fica imediatamente fixada em VRE = −VBE − VEE .
Caso o projetista necessite de um circuito em que a tensão sobre o resistor RE possa ser escolhida
livremente, deve-se empregar o esquema de polarização a seguir.
III.6.2 - Polarização com Divisor de Tensão Resistivo

Em muitos projetos, o emprego de duas fontes de alimentação pode não ser conveniente ou até
impossı́vel. Nesses casos, a estratégia de polarização mais adotada é ilustrada no circuito da Fig.
III.30(a). Nesse circuito, divisor de tensão formado pelos resistores R1 e R2 é empregado para
polarizar a base do transistor com uma fração da tensão de alimentação VCC . Assim, o projetista
necessitará de apenas uma fonte de tensão (VCC ) para estabelecer a corrente de polarização do
VCC
VCC
I1 IC
R1 RC
RC
IB
R TH
Q1 Q1
IB IE
I2 VTH
R2 1
RE RE
(a) (b)
Figura III.30: Circuito de polarização com um divisor de tensão resistivo para polarizar a base com uma
fração da tensão VCC (a) e a substituição do divisor de tensão resistivo pelo seu circuito equivalente de
Thévenin (b).

Capı́tulo III 49
transistor. Além disso, esse esquema de polarização permite que o projetista escolha livremente a
tensão de polarização da base e, consequentemente, do emissor através do dimensionamento dos
resistores R1 e R2 . Essa liberdade para o ajuste da tensão de polarização da base e do emissor é
uma vantagem do circuito da Fig. III.30(a) em relação ao da Fig. III.29.
O inconveniente dessa topologia é o fato de que a corrente de base IB afeta a tensão de polarização
VB produzida pelo divisor resistivo. Para evitar que a corrente IB afete o valor de VB , o que tornaria
a polarização sensı́vel às variações do parâmetro β, devemos dimensionar R1 e R2 de modo que
IB I1 e IB I2 . Assim, teremos I1 ≈ I2 , independentemente do valor de IB .
Para realizar o dimensionamento de R1 e R2 , primeiramente substitui-se o divisor resistivo pelo
seu equivalente de Thévenin, conforme mostrado na Fig. III.30(b), onde:
R2

V T H
 = · VCC
R1 + R2 (III.38)
R1 · R2
R T H
 = R1 //R2 =
R1 + R2
Escrevendo a equação da malha ¬, teremos
VT H − RT H IB − VBE − RE IE = 0.
Expressando tudo em função da corrente IC , obtém-se
RT H β+1
VT H − IC − VBE − RE IC = 0
β β
VT H − VBE
IC = β · . (III.39)
RT H + RE (β + 1)
A partir de (III.39), podemos obter os parâmetros VT H e RT H do divisor de tensão a partir das

especificações de projeto, conforme mostrado no exemplo a seguir.
Exemplo iii.11
Projete o circuito de polarização da Fig. III.30(a), de modo a estabelecer uma corrente IC = 2 mA com
um erro de ±5% devido às variações do parâmetro β na faixa de 100 a 800, VC = 7 V e VE = 3 V. Considere
que o circuito está sendo alimentado com VCC = 10 V.
Solução:
Para garantir um erro de ±5% em IC , deveremos ter que:


Para β1 = 100 −→ IC1 = 2 − 5% = 1,9 mA
Para β2 = 800 −→ IC2 = 2 + 5% = 2,1 mA
Assim, usando a relação (III.39), teremos:

 VT H − VBE
IC1 = β1 ·

RT H + RE (β1 + 1)


IC2 = β2 ·
 VT H − VBE
RT H + RE (β2 + 1)
Para resolver esse sistema, precisamos do valor do resistor RE , o qual pode ser obtido a partir das outras

Capı́tulo III 50
especificações do projeto:
VE VE 3
RE = ≈ = = 1,5 kΩ.
IE IC 2
No cálculo acima, foi considerado que IE ≈ IC , tendo-se em vista que α ≈ 1. Caso não fosse feita
essa aproximação, o valor encontrado para RE seria ligeiramente menor que 1,5 kΩ. Entretanto, para a
implementação do circuito, seria necessário empregar valores comerciais de resistores. Ao aproximar o valor
obtido para RE pelo valor comercial mais próximo, fatalmente o valor escolhido seria 1,5 kΩ. Portanto, não
há problema algum em se fazer IE ≈ IC em um cálculo de projeto.
Uma vez obtido o valor de RE , o sistema de equações para obter VT H e RT H ficará da seguinte forma:
 VT H − 0,6
1,9 = 100 ·

RT H + 1,5 · 101


2,1 = 800 ·
 VT H − 0,6
RT H + 1,5 · 801
Resolvendo o sistema de equações acima, obtemos:


RT H = 16,82 kΩ



VT H = 3,8 V

A partir desses valores, podemos finalmente calcular R1 e R2 a partir do seguinte sistema:
R1 R2

RT H = R1 //R2 = R1 + R2


 R2
VT H = · VCC

R1 + R2
O valor de RT H é obtido diretamente a partir da substituição da equação para VT H na expressão de

RT H , da seguinte forma:
R2 VT H
RT H = R1 = R1
R1 + R2 VCC
Então:
VCC
R1 = RT H = 44,26 kΩ
VT H
Aproximando o resistor R1 pelo valor comercial mais próximo, teremos:
R1 = 47 kΩ.
Assim, usando o valor comercial para R1 dado acima na equação para VT H , teremos o valor de R2 :
R2 R2
VT H = · VCC ∴ 3,8 = · 10
R1 + R2 47 + R2
R2 = 28,8 kΩ
Aproximando o resistor R2 ppor uma associação em série de valores comerciais, teremos:
R2 = 27 kΩ + 1,8 kΩ.
Nota-se que não houve a preocupação em aproximar com muita precisão o valor de R1 através de uma
associação em série ou paralelo de resistores com valores comerciais — conforme foi feito para R2 . Isso
aconteceu porque o erro na aproximação de R1 é compensado ao usar o valor comercial aproximado no
cálculo de R2 , de modo a garantir a tensão equivalente de Thévenin VT H do divisor resistivo. Como o valor
calculado para R2 não será utilizado em nenhum cálculo posterior, tivemos o cuidado de implementar esse
resistor com uma associação de valores comerciais de modo a produzir o menor erro de aproximação possı́vel.
Finalmente, para concluir o projeto, obtemos o valor do resistor RC a partir da queda de tensão especi-

Capı́tulo III 51
ficada sobre ele e a corrente de coletor IC :
VCC − VC 10 − 7
RC = = = 1,5 kΩ,
IC 2
cujo valor já é comercial.
Caso não seja especificada uma tolerância para o erro na corrente de polarização devido a va-
riações no parâmetro β, o projetista pode escolher uma tolerância adequada. Um valor bastante
adotado em projetos é uma tolerância de 10%.
Além disso, pode-se empregar uma regra muito utilizada pelos projetistas: fazer com que, no
pior caso do parâmetro β, a corrente IB seja muito menor que as correntes I1 e I2 na Fig. III.30(a).
Assim, teremos que I2 = I1 − IB ≈ I1 .
No caso de um transistor com o parâmetro β variando entre 100 e 800, como nos exemplos
acima, o pior caso de IB acontece quando β = 100 — que corresponde ao máximo valor que IB pode
assumir para uma dada corrente IC . Então, uma prática usual de projeto é fazer com que, no pior
caso, a corrente IB seja igual a 10% de I1 , ou seja:
IC
I1 = 10 · IB = 10 ·
βmin
I1 = 0,1 · IC . (III.40)
Essa regra prática de projeto normalmente conduz a um erro menor ou igual a 10% no valor de
IC em virtude das possı́veis variações no parâmetro β do transistor, conforme ilustrado no exemplo
a seguir.
Exemplo iii.12
Considere novamente uma tensão de alimentação VCC = 10 V. Assim, polarize o circuito a seguir com
IC = 2 mA, VC = 7 V e VE = 3 V.
Solução:
Como não há especificação para o máximo erro tolerado em IC para VCC
variações no parâmetro β, será adotada a regra prática (III.40), de modo
que seja possı́vel considerar que IB I1 e I2 ≈ I1 . Assim, teremos que: I1 IC
R1 RC
I1 = 0,1 IC = 0,2 mA.
Q1
Como a tensão de polarização na base de Q1 é especificada, podemos IB
calcular o valor de R1 da seguinte forma:
I2
R2
RE
VCC − VB 10 − (3 + 0,6)
R1 = = = 32 kΩ.
I1 0,2
Este valor pode ser aproximado pelo resistor comercial de 33 kΩ.

Como pode ser considerado que I2 ≈ I1 , o valor do resistor R2 é obtido da seguinte forma:
VB 3 + 0,6
R2 = ≈ = 18 kΩ.
I2 0,2
Este valor pode ser diretamente implementado pelo resistor comercial de 18 kΩ.

Capı́tulo III 52
Calculados os resistores do divisor de tensão usado na polarização da base, podemos proceder ao cálculo
dos resistores RC e RE . Para o resistor RC , podemos escrever:
VCC − VC 10 − 7
RC = = = 1,5 kΩ.
IC 2
Finalmente, para o resistor RE , teremos:
VE 3
RE = ≈ = 1,5 kΩ.
IE 2
Note que os valores de resistência encontrados para ambos RC e RE já são comerciais e, portanto, não
precisam ser aproximados.
Uma vez que o circuito está totalmente dimensionado, pode-se fazer uso da expressão (III.39) para
verificar que valores a corrente IC irá assumir quando o parâmetro β assumir os valores limites de 100 e 800.
VT H − VBE 3,53 − 0,6

IC = β · = 100 · = 1,796 mA,
RT H + RE (β + 1) 11,65 + 1,5 · 101
o que leva a um erro de 10,2% em relação ao valor especificado.

VT H − VBE 3,53 − 0,6

IC = β · = 800 · = 1,932 mA.
RT H + RE (β + 1) 11,65 + 1,5 · 801
o que, por sua vez, leva a um erro de 3,4% em relação ao valor especificado.
Os resultados do exemplo acima comprovam que a regra prática dada em (III.40) leva a um erro
máximo de cerca de 10% no valor da corrente de polarização no coletor para o projeto em questão.
Caso o projetista deseje um erro menor, pode-se fazer:
I1 = κ · IC , (III.41)
onde κ > 0,1. Entretanto, não é conveniente escolher um valor muito grande de κ, para evitar um
consumo de potência desnecessariamente elevado para simplesmente polarizar a base do transistor.
Um limite razoável seria fazer κ < 1, de maneira que a potência consumida para polarizar a base
seja menor que a empregada para polarizar o transistor com a corrente IC especificada.
O leitor é encorajado a repetir o projeto do exemplo acima, usando 0,1 < κ < 1, para verificar
que o erro na corrente de coletor fica abaixo dos valores observados.
Observação
Vamos comparar os dois projetos apresentados nos exemplos acima em termos de potência dissipada
pelo circuito. A potência que o circuito consome é dada por P = VCC · Itot , onde Itot é a corrente
total entregue pela fonte de alimentação VCC .
No primeiro projeto, temos que a corrente nominal total entregue pela fonte é
VCC 10
Itot1 = IC1 + IR1 ≈ IC1 + =2+ = 2,132 mA,
R1 + R2 47 + 28,8
levando a um consumo de potência de
P1 = VCC · Itot1 = 21,32 mW.

Capı́tulo III 53
Já no segundo projeto, a corrente nominal total entregue pela fonte é
VCC 10
Itot2 = IC2 + IR1 ≈ IC1 + =2+ = 2,196 mA,
R1 + R2 33 + 18
levando a um consumo de potência ligeiramente maior:
P1 = VCC · Itot1 = 21,96 mW.
Note que ambas as abordagens de projeto produziram circuitos com dissipação de potência seme-
lhantes. Entretanto, o projeto apresentado no Exemplo 2.11, por ser mais criterioso, apresenta
menor consumo de potência e menor erro na corrente de polarização IC em comparação ao projeto
do Exemplo 2.12, para a mesma faixa de valores do parâmetro β.
III.6.3 - Polarização com Fonte de Corrente

Um esquema de polarização muito utilizado em projeto de amplificadores em circuitos integrados
emprega uma fonte de corrente com o objetivo de estabelecer uma corrente de polarização precisa
no transistor. A grande vantagem dessa metodologia de polarização está no fato de que a fonte de
corrente é capaz de estabelecer uma corrente de polarização precisa mesmo com variações em β e
VBE . Assim, o projetista não precisa se preocupar com a sensibilidade do circuito com respeito a
esses parâmetros. Na Fig. III.31 são apresentados alguns exemplos de circuitos que empregam uma
fonte de corrente para polarizar um transistor bipolar.
VCC VCC
VCC
IC IC
RC RC IC
R1 RC
RB
Q1 Q1
Q1
IP IP R2
IP
VEE VEE
(a) (b) (c)
Figura III.31: Circuitos empregando uma fonte de corrente para estabelecer a corrente de polarização no
transistor.
O circuito apresentado na Fig. III.31(a) é inspirado no circuito da Fig. III.29, onde o resistor
RE foi substituı́do pela fonte de corrente de polarização IP . Assim como o circuito original, o
esquema de polarização da Fig. III.31(a) tem como desvantagem o fato de que o projetista não
tem a liberdade de escolher a tensão de polarização da base VB — e, consequentemente, do emissor
VE = VB − VBE . Uma forma de contornar esse problema é apresentada na Fig. III.31(b), onde a
queda de tensão sobre o resistor RB pode ser usada para ajustar a tensão de polarização da base.
Entretanto, esse circuito tem uma séria desvantagem: como a fonte IP fixa a corrente de emissor, a
corrente de base IB = IP /(β + 1) fica muito dependente do parâmetro β. Dessa forma, a queda de
tensão em RB e a tensão de polarização da base podem variar muito com a temperatura ou de um
circuito para o outro.

Capı́tulo III 54
A maneira mais precisa de se ajustar a tensão de polarização da base é empregando um divisor

de tensão resistivo, conforme mostrado na Fig. III.31(c). Entretanto, o projetista deve ter em mente
que a corrente de polarização nos resistores R1 e R2 deve ser significativamente maior que a corrente
de base do transistor, de modo a evitar que variações no parâmetro β afetem a tensão de polarização
na base.
Nesse ponto o leitor pode estar se perguntando: como a fonte de corrente IP é construı́da na
prática? A resposta a essa pergunta será dada mais adiante, quando estudarmos mais detalhada-
mente a polarização em circuitos integrados e os circuitos adotados para a construção de fontes de
corrente. Antes disso, o leitor precisa adquirir mais conhecimentos sobre transistores.
III.7 - O Transistor Bipolar como Elemento Amplificador
A principal motivação que levou ao desenvolvimento do transistor foi o uso deste dispositivo para
amplificar sinais. Os circuitos amplificadores são necessários em diversas aplicações, que vão desde
os circuitos de áudio a até os mais complexos sistemas de telecomunicações.
Em um sistema de áudio, por exemplo, o sinal captado por um ou mais microfones precisa ser
amplificado de maneira que tenha a potência necessária para acionar um alto-falante. Já em um
sistema de controle automático, os sinais produzido pelos sensores precisam ser amplificados antes
de serem aplicados a um controlador digital.
Os sistemas de telecomunicações que conhecemos hoje, por exemplo, só são possı́veis graças aos
circuitos amplificadores. Nesses sistemas, os sinais captados por uma antena ou recebidos através
de um cabo necessitam ser amplificados para que as informações contidas neles possam ser extraı́das
pelos circuitos de processamento de sinais.
Além disso, os amplificadores compõem os blocos básicos na construção de vários circuitos ana-
lógicos, como os misturadores, equalizadores, filtros e osciladores.
Nesta seção, serão apresentados os conceitos básicos que permitem utilizar o transistor bipolar
como um elemento amplificador, juntamente com a modelagem desse dispositivo que será adotada
na análise e projeto de circuitos amplificadores.
III.7.1 - A Caracterı́stica de Transferência de Tensão

De acordo com o modelo matemático apresentado na Seção III.3, quando o transistor está ope-
rando no modo ativo, a corrente de coletor iC depende da tensão entre os terminais de base e emissor
de acordo com a seguinte função:
iC = IS · evBE /vT . (III.42)
Fazendo essa corrente iC passar por um resistor, conforme mostrado na Fig. III.32, podemos pro-
duzir uma tensão de saı́da vo que depende da tensão de entrada vin aplicada entre os terminais de
base e emissor. A partir do circuito da Fig. III.32, podemos escrever que:
vo = VCC − RC iC = VCC − RC IS · evin /vT . (III.43)
Portanto, com Q1 operando no modo ativo, a tensão na saı́da vo depende da tensão na entrada
vin = vBE . O resistor RC deve estar conectado à fonte VCC para que a tensão vo no coletor de
Q1 permaneça alta o suficiente para manter o transistor operando no modo ativo, onde a junção
base-coletor deverá estar reversamente polarizada. Como devemos ter vin > 0 para que a junção
base-emissor esteja diretamente polarizada, caso a fonte de polarização VCC não fosse adicionada
ao circuito — isto é, VCC = 0 —, então vo < 0, de acordo com (III.43). Isso tornaria a junção

Capı́tulo III 55
VCC
RC iC
vo
vin Q1
Figura III.32: A tensão vin aplicada entre a base e o emissor controla a corrente iC que, por sua vez,
produz a tensão na saı́da vo ao circular pelo resistor RC . A fonte de tensão VCC é necessária para manter a
tensão de coletor maior que a tensão de base e, portanto, fazer com que o transistor opere no modo ativo.
base-coletor diretamente polarizada, invalidando a premissa de que o transistor está no modo ativo.
Como a tensão na saı́da vo é igual à tensão que existe entre os terminais de coletor e emissor de
Q1 , podemos reescrever (III.43) da seguinte forma:
vCE = VCC − RC iC
VCC 1
iC = − vCE . (III.44)
RC RC
A relação (III.44) representa uma reta no gráfico iC × vCE , a qual é conhecida como reta
de carga, pois ela indica como a corrente de coletor iC se relaciona com a tensão vCE em virtude
do resistor RC , que opera como carga do amplificador. Para obtermos a corrente iC e a tensão
vCE = vo na saı́da do amplificador para uma dada tensão de entrada vin = vBE , pode-se traçar a
reta de carga dada em (III.44) no mesmo gráfico das curvas caracterı́sticas iC × vCE do transistor
Q1 , conforme mostrado na Fig. III.33(a).
Assim, para uma dada tensão de entrada vin , seleciona-se a curva caracterı́stica do transistor
que corresponde à relação entre iC e vCE para vBE = vin . Como iC e vCE no circuito da Fig.
III.32 devem satisfazer, ao mesmo tempo, à curva caracterı́stica do transistor e à equação (III.44),
a solução é dada pelo ponto de interseção da curva do transistor com a reta de carga, conforme
iC vo Corte
VCC
vBE5 VCC
RC
vBE4 Modo Ativo
vBE3 vo
vBE2 = vin
ic
Saturação
vBE1
vBE0
vCE vin
vo VCC vBE2 = vin
(a) (b)
Figura III.33: Para uma determinada tensão de entrada vin = vBE , a corrente iC e a tensão vo = vCE na
saı́da do amplificador podem ser obtidas pela interseção da curva caracterı́stica do transistor com a reta de
carga (a). Obtendo a tensão na saı́da vo para cada tensão de entrada vin , pode-se traçar a curva da
caracterı́stica de transferência de tensão do circuito da Fig. III.32 (b).

Capı́tulo III 56
mostrado na Fig. III.33(a) para vin = vBE2 .

Esse método de interseção entre os gráficos pode ser empregado para traçar a curva caracterı́stica
de transferência de tensão entre a entrada vin e a saı́da vo , apresentada na Fig. III.33(b). De acordo
com essa caracterı́stica, nota-se que quando a tensão de entrada vin é mais baixa que a tensão
de joelho da junção base-emissor, a corrente de coletor é praticamente nula — lembre-se da curva
caracterı́stica apresentada na Fig. III.21. Então, com iC ≈ 0, a tensão na saı́da será vo ≈ VCC , de
acordo com (III.43).
Quando a tensão na entrada vin é suficientemente elevada para fazer o transistor Q1 conduzir, a
corrente de coletor crescerá exponencialmente, de acordo com (III.42). Consequentemente, a tensão
na saı́da vo irá decrescer de forma exponencial, pois vo = VCC −RC IS evin /vT . Esse comportamento
exponencial de vo em função de vin pode ser visualizado na Fig. III.33(b), no trecho em que o
transistor opera no modo ativo.
O fato de a tensão vo cair com o aumento da tensão vin pode ser também visualizado no gráfico
da Fig. III.33(a). Enquanto o transistor se mantém operando no modo ativo, a interseção entre a
curva caracterı́stica do transistor e a reta de carga ocorre para valores de vCE = vo cada vez menores
conforme vin = vBE aumenta. Quando a tensão na saı́da atinge vo = vCE ≈ 0,2 V, o transistor Q1
entra no modo de saturação — caso em que vin = vBE5 na Fig. III.33(a). A partir desse ponto,
qualquer incremento na tensão de entrada vin não irá se refletir em uma mudança significativa no
valor da tensão na saı́da vo , porque vCE ≈ 0,2 V para o transistor operando no modo de saturação.
Portanto, a caracterı́stica de transferência de tensão da Fig. III.33(b) apresenta duas regiões
planas: uma em que o transistor está em corte, mantendo vo ≈ VCC , e outra em que o mesmo se
encontra no modo de saturação com vo ≈ 0,2 V.
Observação
Note que nas duas regiões planas da curva caracterı́stica da Fig. III.33(b), o circuito da Fig. III.32
pode operar como um inversor lógico digital. Quando a tensão de entrada está em nı́vel baixo o
suficiente para que o transistor não conduza uma quantidade apreciável de corrente, a tensão na
saı́da estará em nı́vel alto — que corresponde a vo ≈ VDD . Por outro lado, quando o nı́vel de tensão
na entrada está em um nı́vel de tensão alto o suficiente para que o transistor opere no modo de
saturação, a tensão na saı́da estará em um nı́vel baixo vo ≈ 0,2 V.
Efetivamente, uma grande variedade de circuitos lógicos digitais são essencialmente amplificadores
que operam com os transistores em corte ou em saturação!
Por outro lado, na região de transição entre os dois platôs da caracterı́stica de transferência de
tensão da Fig. III.33(b), a tensão de saı́da vo é função da tensão de entrada vin , onde uma pequena
variação no sinal de entrada produz uma grande variação na tensão de saı́da. Portanto, o circuito
da Fig. III.32 pode funcionar como um amplificador de tensão razoavelmente linear no trecho da
curva vo × vin onde o transistor estará operando no modo ativo.
III.7.2 - Obtendo Amplificação com o Transistor Bipolar

Se aplicarmos um sinal senoidal à entrada do circuito mostrado na Fig. III.34(a), a fim de
amplificá-lo, a caracterı́stica de transferência de tensão indica que o sinal produzido na saı́da será
bastante distorcido, conforme ilustrado na Fig. III.34(b).
A distorção do sinal na saı́da, mostrada na Fig. III.34(b), acontece porque boa parte do sinal
aplicado à entrada do circuito corresponde a tensões que fazem com que o transistor não conduza uma

Capı́tulo III 57
vo
VCC vo
RC iC
vin
vo
Q1
vin vin
(a) (b)
Figura III.34: Aplicando-se um sinal senoidal ao circuito amplificador (a), obtém-se uma forma de onda
bastante distorcida na saı́da (b).
quantidade apreciável de corrente. Para que o circuito da Fig. III.32 opere como um amplificador,
deve-se somar ao sinal de entrada uma tensão de polarização DC de modo que o circuito opere na
região aproximadamente linear da curva de transferência de tensão. Essa situação é ilustrada na
Fig. III.35.
vo
VCC
vo
RC iC
vo
Q1 v
V
vin
VBE vin
(a) (b)
Figura III.35: Adicionando-se uma tensão de polarização DC ao sinal senoidal (a), obtém-se um
comportamento razoavelmente linear do circuito (b), onde o sinal na saı́da é uma versão amplificada do
sinal aplicado na entrada.
Com a adição da tensão de polarização DC, a tensão total entre os terminais de base e emissor
poderá assumir valores que mantenham o transistor operando no modo ativo, desde que a amplitude
do sinal de entrada vin seja pequena o suficiente. Dessa forma, a tensão na saı́da vo será uma versão
amplificada do sinal de entrada vin .
Caso a amplitude do sinal de entrada extrapole a faixa de tensão em que o transistor está
operando no modo ativo, teremos a situação ilustrada na Fig. III.36. De acordo com a caracterı́stica
de transferência de tensão do circuito apresentada na Fig. III.33(b), a tensão na saı́da vo não pode
ultrapassar VCC , nem ficar abaixo do limite de saturação vCE ≈ 0,2 V. Dessa forma, se a tensão na
saı́da tentar exceder esses limites de excursão, a forma de onda será achatada, conforme mostrado

Capı́tulo III 58
na Fig. III.36(b).
vo
VCC
vo
RC iC
vo
Q1 v
V
vin
VBE vin
(a) (b)
Figura III.36: Mesmo quando uma tensão de polarização DC é adicionada ao sinal senoidal de entrada
(a), o amplificador deixa de operar de maneira razoavelmente linear se a amplitude do sinal de entrada
extrapolar os limites de operação do transistor no modo ativo (b).
No caso mostrado na Fig. III.35, se a amplitude do sinal aplicado à entrada for pequena o
suficiente para garantir a operação do transistor apenas no modo ativo, o circuito funcionará como
um amplificador razoavelmente linear. O ganho de tensão AV desse amplificador será dado aproxi-
madamente pela inclinação da curva caracterı́stica de transferência de tensão da Fig. III.35(b) no
ponto onde vBE = VBE :
dvo
AV = .
dvBE vBE =VBE
Como a tensão vo é dada por
vo = VCC − RC iC = VCC − RC IS evBE /vT
no trecho da curva em que o transistor está no modo ativo, teremos:
IS eVBE /vT
AV = −RC .
vT
Considerando que IC = IS eVBE /vT é a corrente de coletor DC em Q1 quando apenas a tensão

de polarização VBE é aplicada ao circuito da Fig. III.35(a), podemos reescrever a equação acima de
uma forma mais resumida:
IC
AV = − RC . (III.45)
vT
Como a curva caracterı́stica de transferência de tensão apresenta um comportamento decrescente
no intervalo em que o transistor está no modo ativo, a derivada apresenta um valor negativo. Um
ganho de tensão negativo significa que a fase do sinal de saı́da está invertida — ou seja, uma diferença
de 180o — em relação ao sinal na entrada. Esse desvio de fase pode ser visualizado graficamente na
Fig. III.35(b).
Observação
Para que o leitor tenha uma noção da ordem de grandeza do ganho de tensão que se consegue obter
com o circuito da Fig. (III.42), considere que temos uma corrente de polarização IC = 2 mA e

Capı́tulo III 59
RC = 1 kΩ. Considerando vT = 25 mV para a temperatura ambiente, a expressão (III.45) fornece

um ganho AV = −80 V/V. Ou seja, a amplitude do sinal na saı́da vo será 80 vezes maior que a
amplitude do sinal na entrada vin !
III.7.3 - Definição de Nomenclaturas

Na seção anterior, foi mostrado que uma tensão adequada de polarização DC deve ser adicionada
ao sinal a ser aplicado entre os terminais de base e emissor para que o circuito opere de modo
razoavelmente linear. Além disso, a tensão de alimentação VCC é necessária para manter o transistor
operando no modo ativo. Portanto, em um circuito amplificador, as tensões e as correntes envolvidas
serão compostas por uma parcela DC constante, produzida pelas fontes de polarização, somada a
uma parcela de sinal variante no tempo.
Antes de prosseguir com o nosso estudo sobre amplificadores, é necessário definir um padrão
de nomenclatura para fazer a distinção entre a parcela de polarização DC e a parcela de sinal de
uma tensão ou de uma corrente em um amplificador. Para diferenciar cada uma dessas parcelas,
adotamos a nomenclatura normalmente aceita na maioria dos textos:
• A parcela de polarização DC é identificada por uma letra maiúscula, com subscrito também
em maiúsculo (Ex.: VBE ).
• A parcela de sinal é identificada por uma letra minúscula, com subscrito também em minúsculo
(Ex.: vbe ).
• A variável que identifica a superposição das parcelas DC e de sinal é identificada por uma letra
minúscula, com subscrito maiúsculo (Ex.: vBE ).
Dessa forma, a tensão total entre os terminais de base e emissor será denotada por:
vBE = VBE + vbe .
Essa situação é ilustrada na Fig. III.37.
v
v
V
Figura III.37: Superposição das parcelas de sinal e de polarização DC da tensão entre base e emissor.
O mesmo padrão de nomenclatura também é aplicável a correntes. Como exemplo, podemos

escrever que a corrente de coletor total em um transistor é dada pela soma das suas parcelas de
polarização e de sinal:
iC = IC + ic .
Deste ponto em diante neste texto, adotaremos esse padrão de nomenclatura para que o leitor
saiba precisamente a qual parcela de tensão (ou de corrente) estamos nos referindo.

Capı́tulo III 60
III.7.4 - Operação do Transistor Bipolar para Pequenos Sinais
De acordo com a análise do circuito amplificador apresentada acima, o transistor deve operar
na região da curva de transferência de tensão, onde o seu comportamento é razoavelmente linear,
para que o sinal seja amplificado sem uma apreciável distorção. Conforme foi visto, para que isso
aconteça, é necessário adicionar uma polarização DC ao sinal aplicado ao transistor e a amplitude
do sinal superposto à tensão de polarização deve ser suficientemente pequena.
Entretanto, a metodologia de análise do circuito amplificador apresentada acima é considera-

velmente complexa, em virtude da função não linear (III.42) que descreve o comportamento do
transistor no modo ativo. Para facilitar a análise de circuitos amplificadores, o comportamento do
transistor será aproximado por um modelo linear, já que um comportamento linear é justamente o
que se espera de um transistor operando como um amplificador. Além disso, ao usar um modelo li-
near para descrever a relação entre as tensões e as correntes em um transistor, a análise dos circuitos
amplificadores poderá ser facilmente realizada usando as técnicas da teoria de circuitos lineares.
Na Fig. III.38 é apresentada a curva exponencial do modelo do transistor bipolar operando

no modo ativo. Aplicando uma tensão de polarização VBE entre os terminais de base e emissor, o
transistor apresentará uma corrente de polarização no coletor IC . Assim, define-se o ponto quiescente
Q, também denominado ponto de polarização DC. Ao ser aplicado um sinal vbe superposto ao nı́vel
de polarização VBE , nota-se que a caracterı́stica exponencial do transistor pode ser aproximada
por uma reta tangente ao ponto Q, desde que a amplitude do sinal de entrada seja suficientemente
pequena. Com essa aproximação, a relação entre as parcelas de sinal vbe e ic passa a ser descrita
por um modelo linearizado.
iC
ic
Q
IC
vBE
VBE
vbe
Figura III.38: Aplicando-se um sinal suficientemente pequeno, sobreposto a um nı́vel DC de polarização,

a caracterı́stica exponencial do transistor poderá ser razoavelmente aproximada por uma reta tangente ao
ponto quiescente Q.
Como a parcela de polarização DC da corrente de coletor é obtida quando apenas as tensões de

polarização (VBE e VCC ) são aplicadas ao transistor, a partir de (III.42), teremos que:
IC = IS eVBE /vT . (III.46)
Para aproximar a caracterı́stica exponencial do transistor bipolar por uma reta tangente ao ponto
de polarização Q, conforme mostrado na Fig. III.39, podemos usar a expansão em Série de Taylor

Capı́tulo III 61
iC
Modelo
não linear
i
Q Aproximação
IC linear
v
vBE
VBE
Figura III.39: Aproximação da caracterı́stica exponencial do transistor bipolar por um modelo linear.
da função (III.42) em torno do ponto onde vBE = VBE :
∂iC 1 ∂ 2 iC 2
iC = iC (VBE ) + (VBE ) · (vBE − VBE ) + · 2 (VBE ) · (vBE − VBE ) +
∂vBE 2! ∂vBE
1 ∂ 3 iC 3 1 ∂ 4 iC 4
+ · 3 (VBE ) · (vBE − VBE ) + · 4 (VBE ) · (vBE − VBE ) + . . .
3! ∂vBE 4! ∂vBE
Substituindo (III.42) na equação acima e lembrando que vBE − VBE = vbe , teremos:
2
vbe 1 vbe
iC = IS eVBE /vT + IS eVBE /vT · + IS eVBE /vT +
vT 2! vT
3 4
1 vbe 1 vbe
+ IS eVBE /vT + IS eVBE /vT
+ ...
3! vT 4! vT
Considerando que a corrente de polarização IC é dada por (III.46), pode-se reescrever a equação
acima de uma maneira mais compacta:
2 3 4
vbe 1 vbe 1 vbe 1 vbe
iC = IC + IC + IC + IC + IC + ... (III.47)
vT 2! vT 3! vT 4! vT
A equação da reta tangente à curva caracterı́stica do transistor no ponto de polarização Q, apresen-

tada na Fig. III.39, é obtida truncando-se a série de Taylor no termo de primeira ordem:
vbe
iC ≈ IC + IC . (III.48)
vT
Para que essa aproximação seja razoável, é necessário que os termos de ordem mais alta da Série de
Taylor (III.47) sejam desprezı́veis em comparação com o termo de primeira ordem. Para que isso
aconteça, deveremos ter que:
vbe
1 ∴ vbe vT . (III.49)
vT
Essa é a condição que a amplitude do sinal vbe deve satisfazer para ser considerado suficientemente
pequeno. Por essa razão, tal relação é chamada de Condição de Pequenos Sinais.
Como pode ser verificado em (III.48), a aproximação linear do comportamento do transistor faz
com que a corrente de coletor seja composta por duas parcelas: uma é a corrente de polarização
IC e a outra depende do sinal de entrada vbe e também do ponto de polarização DC. Aplicando o
modelo linear ao circuito da Fig. III.35(a), a tensão na saı́da será dada por:
IC
vO = VCC − RC iC = VCC − RC IC − RC vbe . (III.50)
| {z } vT
Parcela DC | {z }
Parcela de Sinal

Capı́tulo III 62
Assim como no caso da corrente de coletor, verifica-se que a tensão na saı́da também é composta
por uma parcela DC devido à polarização do transistor e por uma parcela que é proporcional ao
sinal de entrada vbe . A parcela DC em (III.50) é justamente a tensão que seria medida no coletor
do transistor se apenas as fontes de polarização VCC e VBE fossem aplicadas ao circuito da Fig.
III.35(a) — fazendo a fonte vbe = 0, ou seja, substituindo-a por um curto-circuito.
A partir desses resultados, nota-se que as tensões e correntes do circuito da Fig. III.35(a) são
constituı́das por uma parcela DC dependente das fontes de polarização e uma parcela dependente da
fonte de sinal. Isso acontece porque o transistor foi aproximado em (III.48) por um modelo linear,
tornando válido o princı́pio da superposição para o circuito amplificador. Assim, a análise do circuito
pode ser bastante simplificada se realizarmos a análise da polarização DC separadamente da análise
de pequenos sinais. O resultado global seria igual à soma dos resultados obtidos isoladamente nas
duas análises.
No que se refere à (III.50), podemos escrever que vO = VO + vo , onde VO = VCC − RC IC é a
parcela DC da tensão na saı́da e vo = −RC vICT vbe é a parcela de sinal, de acordo com a convenção
de nomenclatura estabelecida anteriormente.
Considerando apenas a parcela de sinal, podemos, então, obter o ganho de tensão proporcionado
pelo amplificador da Fig. III.35(a):
vo IC
AV = = −RC . (III.51)
vbe vT
Note que esse ganho de tensão é exatamente o mesmo obtido em (III.45) a partir da inclinação da
curva caracterı́stica de transferência de tensão do circuito amplificador — Fig. III.33(b).
Assim, a análise de um amplificador usando a superposição da parcela de polarização DC e da
parcela de pequenos sinais consiste nos dois passos a seguir, conforme ilustrado na Fig. III.40:
VCC
Análise da RC
Polarização DC
VO
VCC
Q1
RC VBE
VO + vo
Q1
vbe
VBE RC
vo
Análise de
Pequenos Sinais Q1
vbe
Figura III.40: Superposição das análises de polarização DC e de pequenos sinais em um circuito

amplificador simples.
Passo 1 I Realizar a análise de polarização DC, zerando apenas as fontes de pequenos sinais

Capı́tulo III 63
— fontes de tensão serão substituı́das por curto-circuitos e fontes de corrente serão

substituı́das por circuitos abertos — e calculando as tensões e as correntes de po-
larização DC no circuito através do método de análise apresentado na Seção III.5.
Como trata-se da análise de circuitos amplificadores, o transistor deverá operar no
modo ativo. Portanto, deve-se usar o modelo do transistor nesse modo de operação
durante a análise de polarização.
Passo 2 I Realizar a análise de pequenos sinais, zerando apenas as fontes de polarização DC

— fontes de tensão serão substituı́das por curto-circuitos e fontes de corrente serão
substituı́das por circuitos abertos — e resolvendo o circuito resultante através da
aproximação linear do modelo do transistor bipolar, válido para pequenos sinais.
De acordo com o princı́pio da superposição, o resultado final da análise do circuito amplificador

será finalmente obtido somando-se os resultados das duas análises.
III.7.5 - O Modelo de Pequenos Sinais do Transistor Bipolar

Para facilitar a análise de pequenos sinais, é conveniente substituir o transistor bipolar por
um circuito que seja equivalente à aproximação linear (III.48) do modelo do transistor. Assim,
poderemos empregar as técnicas da teoria de circuitos lineares para fazer a análise de pequenos
sinais dos circuitos amplificadores. Esse circuito linear equivalente para pequenos sinais deve ter os
mesmos terminais de base, emissor e coletor, conforme mostrado na Fig. III.41.
C
ic ib ic
Modelo de
ib B
Pequenos Sinais
C
B
ie ie
E E
Figura III.41: Modelo linear equivalente para o transistor bipolar para a análise de pequenos sinais.
De acordo com (III.48), a parcela de sinal apenas da corrente de coletor é dada por:
IC
ic = vbe = gm vbe , (III.52)
vT
onde o parâmetro gm é a transcondutância de pequenos sinais 1 e é dada por:
IC
gm = . (III.53)
vT
O termo transcondutância se refere ao fato de que (III.53) representa a transferência da tensão em

um ramo do circuito para a corrente produzida em outro ramo. Tal situação é diferente de uma
simples condutância, que representa a razão entre a corrente e a tensão em um mesmo ramo do
circuito.
Para que o modelo linear da Fig. III.41 seja equivalente ao transistor bipolar para a operação
em pequenos sinais, este deverá satisfazer a (III.52) e às demais relações caracterı́sticas do transistor
bipolar operando no modo ativo:
ic = β ib (III.54)
1 O sı́mbolo g
m empregado para identificar a transcondutância de pequenos sinais é proveniente da teoria de
válvulas, onde originalmente adotava-se o termo condutância mútua.

Capı́tulo III 64
ie = ic + ib . (III.55)
Como a parcela de sinal da corrente de coletor ic é dada por (III.52), podemos obter a relação
entre a tensão vbe a corrente ib combinando (III.52) com (III.54):
ic gm
ib = = vbe . (III.56)
β β
Com respeito à corrente de emissor, podemos combinar (III.52), (III.55) e (III.56) para obter:

gm β+1
ie = ic + ib = gm vbe + vbe = gm vbe .
β β
Lembrando que o parâmetro α pode ser expresso em função de β conforme (III.6), podemos rees-
crever a relação acima da seguinte maneira:
gm
ie = vbe . (III.57)
α
Esse mesmo resultado poderia ser obtido lembrando que ie = ic /α para o transistor operando no
modo ativo e que ic é dada por (III.52).
Com base nas equações apresentadas acima, obtém-se o modelo de pequenos sinais π-hı́brido,
cujas duas variações mais comumente usadas são apresentadas na Fig. III.42.
B C ib
B C
r vbe gm vbe r ib
E E
(a) (b)
Figura III.42: As duas versões do modelo de pequenos sinais π-hı́brido, onde a corrente de coletor pode
ser controlada pela tensão vbe (a), ou pela corrente de base ib (b). O nome π-hı́brido vem do fato de que o
circuito do modelo lembra a letra grega ‘π’ invertida.
No modelo π-hı́brido da Fig. III.42(a), a fonte de corrente controlada pela tensão vbe faz com
que a corrente de coletor satisfaça (III.52). Para que (III.56) seja satisfeita, a resistência equivalente
de pequenos sinais na base rπ deve ser dada por:
vbe vbe β
rπ = = ! = . (III.58)
ib gm gm
vbe
β
Finalmente, como a corrente de emissor no modelo π-hı́brido da Fig. III.42(a) satisfaz à relação
(III.55), a expressão (III.57) para a corrente de emissor também será satisfeita. Portanto, o modelo
π-hı́brido da Fig. III.42(a) atende a todos os requisitos necessários a um modelo de pequenos sinais
do transistor bipolar.
No caso do modelo π-hı́brido da Fig. III.42(b), considerando a expressão (III.58) para a resis-
tência de pequenos sinais rπ , será possı́vel escrever:
vbe gm
ib = = vbe ,
rπ β

Capı́tulo III 65
ic = β ib = gm vbe .
Portanto, o modelo π-hı́brido da Fig. III.42(b) também é um modelo de pequenos sinais válido para
o transistor bipolar, pois também satisfaz às condições (III.52), (III.55) e (III.56).
Na maioria das análises de circuitos amplificadores, substituı́mos o transistor pelo modelo π-
hı́brido na análise de pequenos sinais. Entretanto, na análise de alguns circuitos amplificadores é
mais vantajoso adotar um dos modelos equivalentes apresentados na Fig. III.43, conhecidos como
modelos-T.
C C
gm vbe ie
B B
re vbe re ie
E E
(a) (b)
Figura III.43: As duas versões do modelo-T de pequenos sinais, onde a corrente de coletor pode ser
controlada pela tensão vbe (a), ou pela corrente de emissor ie (b). O nome modelo-T vem do fato de que o
circuito do modelo lembra a letra ‘T’.
Assim como o modelo π-hı́brido da Fig. III.42(a), no modelo-T da Fig. III.43(a) a corrente
de coletor também é definida por uma fonte de corrente controlada pela tensão vbe que satisfaz
(III.52). Para que o modelo-T da Fig. III.43(a) também satisfaça (III.57), a resistência equivalente
de pequenos sinais re deve ser dada por:
vbe vbe α
re = = ! = . (III.59)
ie gm gm
vbe
α
Pelo modo como os ramos do circuito estão conectados, a corrente de base irá satisfazer (III.55),
levando a:
gm 1−α
ib = ie − ic = vbe − gm vbe = gm vbe .
α α
Lembrando que, de acordo com (III.5), temos que α/(1 − α) = β, então, podemos reescrever a
equação acima da seguinte forma:
gm
ib = vbe ,
β
mostrando que o modelo-T da Fig. III.43(a) também satisfaz (III.56). Portanto, tal modelo é válido
para representar a operação do transistor bipolar em pequenos sinais e é equivalente aos modelos
π-hı́bridos apresentados na Fig. III.42.
Finalmente, no modelo-T da Fig. III.43(b), a fonte de corrente utilizada para produzir a corrente
de coletor é controlada pela corrente de emissor, usando a relação ic = α ie , válida para um transistor
operando no modo ativo. Usando a expressão (III.59) para a resistência equivalente de pequenos
sinais re , podemos escrever:
vbe gm
ie = = vbe ∴ ic = α ie = gm vbe .
re α

Capı́tulo III 66
Portanto, o modelo da Fig. III.43(b) também é válido para descrever o comportamento do transistor
bipolar para pequenos sinais.
Com isso, os modelos lineares apresentados nas Fig. III.42 e III.43 podem ser utilizados para
substituir o transistor bipolar na análise de pequanos sinais. No caso do amplificador apresentado
na Fig. III.40, se substituirmos o transistor pelo modelo da Fig. III.42(a), teremos o circuito
equivalente para pequenos sinais da Fig. III.44.
VCC
RC RC
VO + vo vo
Q1 Q1
vbe vbe
VBE Circuito Análise apenas para
Original Pequenos Sinais
vo
ic
vin r vbe gm vbe RC
Circuito Equivalente para a Análise de Pequenos Sinais
Figura III.44: Análise de pequenos sinais do circuito amplificador da Fig. III.40, onde as fontes de
polarização VCC e VBE foram zeradas e o transistor foi substituı́do pelo modelo linear da Fig. III.42(a).
Para esse circuito, teremos que a tensão de pequenos sinais na saı́da será dada por:
vo = − (gm vbe ) RC ,
onde o sinal de menos é necessário em virtude do sentido da corrente de coletor imposto pela fonte
de corrente do modelo.
Como vbe = vin no circuito da Fig. III.44, teremos:
vo
vo = −gm vin RC ∴ AV = = −gm RC .
vin
O qual é exatamente o ganho do amplificador obtido em (III.45) e em (III.51).

Alternativamente, a análise de pequenos sinais poderia ter sido realizada substituindo-se o tran-
sistor pelo modelo da Fig. III.43(a), conforme mostrado na Fig. III.45.
Assim como no caso anterior, teremos também:
vo = − (gm vbe ) RC = −gm vin RC

vo
AV = = −gm RC .
vin
O mesmo resultado seria obtido com qualquer um dos modelos de pequenos sinais apresentados
aqui, pois todos eles são equivalentes.

Capı́tulo III 67
vbe gm vbe
vo
re
ic RC
vin
Figura III.45: Circuito para a análise de pequenos sinais do amplificador da Fig. III.40, onde o transistor
bipolar foi substituı́do pelo modelo linear da Fig. III.43(a).
III.7.6 - O Modelo de Pequenos Sinais do Transistor PNP

Na seção anterior, foram deduzidos modelos lineares para descrever a operação do transistor
NPN para pequenos sinais. Fica faltando, portanto, obter também o modelo de pequenos sinais
para o transistor PNP.
Conforme foi visto na Seção III.2, a corrente de coletor do transistor PNP no modo ativo é dada
pela seguinte expressão:
iC = IS · evEB /vT ,
onde a corrente de coletor iC tem o sentido inverso ao verificado no transistor NPN, ou seja, saindo
do transistor, conforme ilustrado na Fig. III.46.
vEB
iC
Figura III.46: Tensão vBE e corrente iC em um transistor PNP.
Analogamente ao procedimento adotado para o transistor NPN, o modelo de pequenos sinais do

transistor PNP é obtido a partir da série de Taylor do modelo exponencial, truncada no termo de
primeira ordem:

diC
iC ≈ iC |VEB + (vEB − VEB )
dvEB VEB
IS · eVEB /vT
iC ≈ IS · eVEB /vT + veb
vT
IC
iC ≈ IC + veb
vT
iC ≈ IC + gm veb
Nesse caso, temos que a parcela de pequenos sinais da corrente de coletor é dada por ic = gm veb ,
onde gm = IC /vT . A partir desse resultado, podemos obter o modelo linearizado da Fig. III.47 para
o transistor PNP operando com pequenos sinais. Nesse modelo, a resistência de pequenos sinais rπ
também é obtida através da expressão (III.58).
O leitor mais atento vai perceber que se veb = ve − vb e vbe = vb − ve , então vbe = −veb .
Consequentemente, a parcela de pequenos sinais da corrente de coletor poderá ser expressa como
ic = −gm vbe , onde o sinal de menos indica uma inversão no sentido de circulação da corrente elétrica.
Dessa forma, ambos os modelos apresentados na Fig. III.47 são equivalentes. Esse resultado nos leva

Capı́tulo III 68
B C B C
r veb gm veb r vbe gm vbe
E E
Figura III.47: Modelo linearizado equivalente para a operação do transistor PNP com pequenos sinais.
Note que esse circuito é exatamente igual ao modelo de pequenos sinais obtido para o transistor NPN.
à conclusão de que os modelos linearizados das Figs. III.42 e III.43, obtidos para transistor NPN,
também podem ser utilizados para analisar o comportamento do transistor PNP para pequenos
sinais. Ou seja, isso significa que os transistores NPN e PNP se comportam exatamente da
mesma forma para pequenos sinais.
Neste ponto, muitos leitores devem estar inconformados: Como pode os transistores NPN e PNP
apresentarem o mesmo comportamento para pequenos sinais? A razão para isso está no fato de
que o modelo para pequenos sinais descreve o comportamento do transistor para tensões e correntes
incrementais, superpostas às tensões e correntes de polarização. Esse comportamento incremental
depende, conforme deduzido acima, da derivada das curvas caracterı́sticas dos transistores. Apesar
de os transistores NPN e PNP apresentarem caracterı́sticas tensão × corrente com polaridades
invertidas, conforme ilustrado na Fig. III.48, suas derivadas são iguais nos pontos de polarização DC.
Consequentemente, seus modelos linearizados para a operação com pequenos sinais são idênticos.
i v
v i
iC
iC VBE
Modelo
não linear
vBE
Q Aproximação
IC linear Aproximação IC
linear Q
Modelo
vBE não linear
VBE
(a) (b)
Figura III.48: Mesmo apresentando tensões e correntes com polaridades invertidas, os transistores NPN
(a) e PNP (b) apresentam a mesma derivada da curva iC × vBE no ponto de polarização Q.
Observação
É importante que o leitor nunca se esqueça de que as tensões e as correntes de polarização DC

no transistor PNP estarão sempre com as polaridades invertidas em relação àquelas verificadas no
transistor NPN. Apenas o comportamento incremental para pequenos sinais é que será igual para
ambos os transistores.
Assim, a análise de amplificadores com respeito apenas à parcela de pequenos sinais pode ser

Capı́tulo III 69
realizada utilizando-se os mesmos modelos de pequenos sinais tanto para transistores do tipo NPN
quanto para o tipo PNP. Na Fig. III.49 é ilustrada a análise para pequenos sinais de um amplificador
simples, construı́do com um transistor PNP. Nessa análise, foi adotado o mesmo modelo π-hı́brido
deduzido anteriormente para transistores do tipo NPN.
VCC
vbe
Q1 Q1
VO vo
vb vb vo
VB RC IC ic RC ic
Circuito Original Análise apenas para

Pequenos Sinais
vo
ic
vb r vbe gm vbe RC
Circuito Equivalente para a Análise de Pequenos Sinais
Figura III.49: Análise da parcela de pequenos sinais de um amplificador com transistor PNP, utilizando
o mesmo modelo π-hı́brido deduzido para o transistor NPN.
Ao observar a Fig. III.49, um leitor apressado pode fazer a seguinte objeção: Como pode um
transistor PNP conduzir uma corrente de coletor ao contrário? Na verdade, o transistor não está
conduzindo “ao contrário”. O que acontece é que ao aplicarmos uma tensão incremental vb > 0,
somada à polarização da base VB , a tensão total vEB do transistor PNP será reduzida. Essa
variação levará a uma consequente diminuição da corrente de coletor total iC . Essa diminuição pode
ser interpretada como sendo a subtração de uma parcela incremental ic da corrente de polarização
IC do transistor, de modo que iC = IC − ic . Assim, apenas do ponto de vista de pequenos sinais,
uma corrente incremental ic negativa estará entrando no transistor PNP, conforme ilustrado na Fig.
III.49. No entanto, essa corrente incremental ic com sentido invertido só existe em uma abstração
em que separamos a parcela de sinal da parcela de polarização DC. No circuito completo, a corrente
de coletor total iC = IC − ic permanece positiva e saindo do transistor — desde que IC > ic .2
Finalmente, como o modelo de pequenos sinais adotado para o amplificador com transistor PNP
é o mesmo utilizado na análise do amplificador com o transistor NPN, podemos concluir que o ganho
de tensão para pequenos sinais do amplificador da Fig. III.49 também é dado por AV = −gm RC .
III.7.7 - Incluindo o Efeito Early no Modelo de Pequenos Sinais

Nos modelos de pequenos sinais apresentados nas Figs. III.42 e III.43, a corrente de coletor
independe da parcela de sinais da tensão entre coletor e emissor vce . Entretanto, conforme foi visto
na Seção III.4, a corrente de coletor de um transistor bipolar apresenta uma ligeira dependência com
respeito a essa tensão, em virtude do efeito de modulação da largura da base, também conhecido
2 Caso a corrente incremental i se iguale à corrente de polarização I , teremos que i
c C C = 0 e o transistor estará
em corte. A partir desse ponto, o modelo linearizado para pequenos sinais não terá mais validade.

Capı́tulo III 70
como Efeito Early. Conforme mostrado em (III.28), a dependência da corrente de coletor com
respeito à tensão entre coletor e emissor é expressa por:

vBE /vT vCE
iC = IS e 1+ . (III.60)
VA
Levando em consideração o Efeito Early, a corrente de coletor iC passa a ser uma função de
duas variáveis: vBE e vCE . Por essa razão, para obter um modelo linearizado a partir de (III.60),
devemos empregar a Série de Taylor para funções de duas variáveis:
∂iC ∂iC
iC (vBE , vCE ) = iC (VBE , VCE ) + (VBE , VCE ) (vBE − VBE ) + (VBE , VCE ) (vCE − VCE ) +
∂vBE ∂vCE
1 ∂ 2 iC ∂ 2 iC

2 2
+ 2 (VBE , VCE ) (vBE − VBE ) + 2 (VBE , VCE ) (vCE − VCE ) +
2! ∂vBE ∂vCE
∂ 2 iC

+2 (VBE , VCE ) (vBE − VBE ) (vCE − VCE ) + . . .
∂vBE ∂vCE
(III.61)
Substituindo (III.60) em (III.61) e truncando a série nos termos de primeira ordem, para obter
uma aproximação linear, teremos:

VCE

VCE
IS eVBE /vT 1+ VA IS eVBE /vT
iC ≈ IS eVBE /vT 1+ + vbe + vce , (III.62)
VA vT VA
onde vbe = vBE − VBE e vce = vCE − VCE são as parcelas de sinal das tensões entre base e emissor
e entre coletor e emissor, respectivamente, conforme a nomenclatura definida anteriormente.
Considerando que a parcela de polarização DC da corrente de coletor IC é dada por

VBE /vT VCE
IC = IS e 1+ ≈ IS eVBE /vT ,
VA
podemos reescrever (III.62) da seguinte forma:
IC IC
iC ≈ IC + vbe + vce . (III.63)
v V
|T {z A }
|{z}
Parcela DC
Parcela de Sinais
A aproximação linear da corrente de coletor em (III.63) apresenta uma parcela de polarização

DC e duas parcelas de sinal — uma dada em função da tensão vbe e outra em função da tensão vce .
Assim, o modelo para pequenos sinais considerando o efeito Early ficaria como o que é mostrado
na Fig. III.50. Como a componente de pequenos sinais da corrente de coletor possui duas parcelas,
foram empregadas duas fontes de corrente controladas em paralelo para constituir a corrente de
B C B C
IC
r vbe gm vbe vce r vbe gm vbe ro
VA
E E
Figura III.50: Modelo de pequenos sinais π-hı́brido do transistor bipolar incluindo a componente de sinal
da corrente de coletor que depende da tensão vce , em virtude do Efeito Early.

Capı́tulo III 71
coletor — fontes de corrente em paralelo produzem uma corrente total que é a soma das correntes
em cada fonte.
No modelo da Fig. III.50, a fonte de corrente controlada pela tensão vce está submetida à mesma
tensão vce que a controla. Dessa forma, essa fonte de corrente não atua efetivamente como uma
transcondutância, mas sim como uma simples condutância. Portanto, essa fonte pode ser substituı́da
no modelo por um resistor, cuja resistência é dada por
VA
ro = , (III.64)
IC
conforme mostrado na Fig. III.50.

Assim, de acordo com o modelo de pequenos sinais proposto, a parcela de pequenos sinais da
corrente de coletor seria dada por:
vce
ic = gm vbe + , (III.65)
ro
o que está perfeitamente de acordo com (III.63), se levarmos em consideração as definições de gm e
ro dadas em (III.53) e (III.64), respectivamente.
É interessante mencionar que é justamente o Efeito Early que faz com que o transistor bipolar
não se comporte como uma fonte de corrente ideal, controlada apenas pela tensão vbe . Assim como
toda fonte de corrente real, o modelo de pequenos sinais da Fig. III.50 inclui uma impedância de
saı́da finita ro .
Um modelo de pequenos sinais alternativo para o transistor bipolar que leva em conta o Efeito
Early é apresentado na Fig. III.51, o qual é obtido adicionando-se o resistor ro entre os terminais
de coletor e emissor do modelo-T apresentado anteriormente na Fig. III.43(a).
re
E C
vbe gm vbe
ro
Figura III.51: Modelo-T de pequenos sinais do transistor bipolar incluindo o Efeito Early.
III.7.8 - Modelo de Pequenos Sinais para Altas Frequências

Nas seções anteriores foram apresentados modelos linearizados para descrever o comportamento
do transistor bipolar para pequenos sinais. Esses modelos assumem que os transistores respondem
instantaneamente a qualquer variação de sinal aplicada à entrada, o que corresponde razoavelmente
bem à realidade quando estamos tratando com sinais de baixas frequências.
No entanto, ao operar com sinais de altas frequências, o tempo que os portadores de carga levam
para se difundir entre as regiões de emissor e coletor passa a ser bastante significativo. Além disso,
as capacitâncias das junções PN do transistor também afetam o desempenho do dispositivo como
um elemento amplificador, reduzindo o seu ganho em altas frequências.
Na Fig. III.52(a) é apresentada uma forma de se constatar a degradação de desempenho do
transistor em altas frequências. Nesse circuito, um sinal de corrente senoidal ib (t) é aplicado à base
do transistor, superposto à corrente de polarização IB constante, e o sinal de corrente ic (t) é tomado
como o sinal de saı́da no coletor. Se traçarmos o gráfico do módulo da resposta em frequência do

Capı́tulo III 72
ganho de corrente β(jω) = ic (jω)/ib (jω) para pequenos sinais, obteremos a cuva apresentada na Fig.
III.52(b). Nesse gráfico, verificamos que o ganho β do transistor permanece quase constante para
uma ampla faixa de frequências, mas começa a diminuir conforme a frequência do sinal ultrapassa o
limite ωP , atingindo 0 dB na frequência ωT — ou seja, |β(jωT )| = 1. De acordo com esse resultado,
concluı́mos que o transistor bipolar perde a sua capacidade de amplificação de corrente para sinais
com frequência superior a ωT . Por essa razão, ωT é denominada frequência de transição.
VCC
IC ic (t)
Q1
ib (t) IB
(a)
| (jw)| (dB)
20 log( 0)
(log)
0
P T
(b)
Figura III.52: Circuito para medir o desempenho do transistor bipolar para sinais com diferentes
frequências (a) e o gráfico do módulo da resposta em frequência do ganho de corrente β (b). Nesse gráfico,
β0 corresponde ao ganho de corrente do transistor em DC (ω = 0).
A frequência de transição é um dos parâmetros de desempenho normalmente informados nos

manuais de transistores comerciais. Na Tabela III.2, são apresentados os valores tı́picos da frequência
de transição de alguns transistores comerciais. Note que todo projetista deve atentar para esse
parâmetro de desempenho de modo a selecionar qual transistor é mais adequado para operar na
faixa de frequências de um determinado projeto.
Tabela III.2: Valores tı́picos da frequência de transição especificadas nas folhas de dados (datasheets) de
transistores comerciais.
Transistor Frequência de Transição
BD680 1 MHz
2N5088 50 MHz
BC337 100 MHz
BC546 300 MHz
2N5770 900 MHz
Para modelar com precisão o comportamento do transistor bipolar para sinais de altas frequên-
cias, seria necessário realizar uma minuciosa análise do mecanismo de difusão dos portadores de

Capı́tulo III 73
carga no material semicondutor que constitui o dispositivo. Entretanto, tal modelagem envolveria
a análise de circuitos distribuı́dos, produzindo resultados semelhantes àqueles obtidos no estudo
de linhas de transmissão com perdas. Infelizmente, apesar de ser bastante precisa, esse tipo de
modelagem resultaria em equações complexas demais para apresentarem utilidade prática na exe-
cução de projetos. Por essa razão, a modelagem apresentada neste texto faz uso de aproximações
com o objetivo de tornar a modelagem adequadamente simples, utilizando circuitos com parâmetros
concentrados. Nessa aproximação, os efeitos de atraso no transporte de portadores são modelados
através da inclusão de capacitores parasitas ao modelo π-hı́brido do transistor bipolar. Essa apro-
ximação foi proposta por Lawrence J. Giacoletto em 19693 , e produz resultados que são bastante
1
coerentes com as medidas experimentais obtidas para sinais com frequências inferiores a 3 ωT .
A seguir, apresentaremos cada um dos efeitos capacitivos que afetam o comportamento dinâ-
mico do transistor bipolar. Posteriormente, esses efeitos serão incluı́dos no modelo π-hı́brido a ser
empregado na modelagem do transistor operando com sinais de alta frequência.
Capacitância de Difusão ou de Carregamento da Base
Na Seção III.1, foi mostrado que portadores de carga provenientes do emissor são injetados na
base do transistor bipolar durante a sua operação no modo ativo. O efeito de armazenamento dessas
cargas na base afeta a operação dinâmica do transistor, limitando a sua velocidade de resposta a si-
nais de alta frequência. Esse efeito de armazenamento de cargas pode ser razoavelmente aproximado
através do comportamento dinâmico de um capacitor.
Para estimar a capacitância equivalente de difusão da base, é necessário calcular a quantidade de
carga armazenada na base do transistor operando no modo ativo. Para isso, pedimos ao leitor que
se lembre dos gráficos apresentados na Fig. III.4, que mostram a concentração de elétrons injetados
na base, quando a junção base-emissor está diretamente polarizada. Para facilitar o entendimento
destes cálculos, repetimos esse gráfico da concentração de portadores na Fig. III.53.
VBE VCB
IB
IC
IE
n
Concentração de Elétrons
n(0) Injetados na Base
0 W x
Figura III.53: Variação da concentração de elétrons injetados na base de um transistor bipolar NPN
operando no modo ativo, onde n(0) é a concentração de elétrons fornecidos pelo emissor, em cm−3 , e W é
a largura da base.
3 GIACOLETTO, L. J. “Diode and transistor equivalent circuits for transient operation”, IEEE Journal of Solid-
State Circuits, Vol 4, no 2, 1969.

Capı́tulo III 74
Como a largura da base W é bem menor que as regiões de emissor e coletor, podemos aproximar
o gráfico da Fig. III.53 por uma função linear. Dessa forma, a carga total injetada na base será
dada por:
Z W
1
QB = q A n(x) · dx = q A W n(0), (III.66)
0 2
onde q é a carga de um elétron e A é a área de seção reta da região da base.
Como a condução de corrente elétrica em uma junção PN diretamente polarizada ocorre pelo
mecanismo de difusão, teremos que a corrente que atravessa a base e atinge o coletor será dada por:
dn(x) n(0)
iC = A JN = A q DN = A q DN , (III.67)
dx W
onde JN é a densidade de corrente e DN é a constante de difusão dos elétrons na base.

Assim, combinando (III.66) e (III.67), teremos que a quantidade de carga armazenada na base
pode ser expressa da seguinte forma:
W2
QB = iC = τF · iC , (III.68)
2 DN
W2
onde τF = 2 DN é uma constante para um determinado transistor com dimensão de tempo. Essa
constante é denominada tempo de trânsito de base direto (forward base-transit time) e indica
o tempo médio que um elétron leva para atravessar a largura da base. Esse tempo médio em
transistores bipolares comerciais está na faixa de 10 a 100 ps.
Uma vez calculada a quantidade de carga injetada na base pelo emissor, a capacitância equiva-
lente de difusão CDB entre os terminais de base e emissor será dada por:
QB iC
CDB = = τF · . (III.69)
vBE vBE
Como a corrente de coletor iC depende exponencialmente da tensão vBE , conclui-se que a capaci-
tância CDB não é linear. Para pequenos sinais, podemos utilizar uma aproximação linear para essa
capacitância, através da sua derivada no ponto de polarização DC do transistor:

dQB diC
Cdb = = τF · = τF · gm . (III.70)
dvBE VBE dvBE VBE
Capacitâncias de Junção
Em nosso estudo acerca da modelagem fı́sica da junção PN, vimos que a região de depleção opera
como uma camada isolante — isto é, sem portadores de carga livres — entre os semicondutores P
e N, conforme ilustrado na Fig. III.54. Dessa forma, região de depleção exerce aproximadamente o
mesmo papel que o material dielétrico em um capacitor de placas paralelas, levando ao surgimento de
um efeito capacitivo que degrada o desempenho de dispositivos semicondutores em altas frequências.
Em um transistor bipolar há duas junções PN, onde cada uma contribui com um efeito capacitivo
parasita. Tais capacitâncias podem ser estimadas através da mesma equação desenvolvida para
modelar esse efeito na junção PN de um diodo. Assim, a capacitância equivalente da junção base-
emissor Cje é dada por:
Cje0
Cje = !m . (III.71)
VBE
1−
V0E

Capı́tulo III 75
je jc
Figura III.54: Capacitâncias de junção produzidas pelas regiões de depleção.
Analogamente, a capacitância equivalente da junção base-coletor Cjc é dada por:
Cjc0
Cjc = !m . (III.72)
VCB
1+
V0C
Note que ambas as capacitâncias não são lineares e dependem das tensões aplicadas às junções.
Nas equações acima, as constantes Cje0 e Cjc0 são, respectivamente, as capacitâncias das junções
base-emissor e base-coletor quando nenhuma tensão é aplicada a elas. V0E corresponde ao potencial
de barreira da junção base-emissor, que vem a ser a tensão interna que surge na junção quando os
fluxos de difusão atingem o equilı́brio. O valor tı́pico de V0E está em torno de 0,9 V. Já o potencial
de barreira V0C da junção base-coletor assume valores tı́picos menores, em torno de 0,75 V, em
virtude da menor dopagem do coletor em comparação com o emissor.
1
O ı́ndice m de graduação da junção pode assumir valores no intervalo que vai de 3 a 12 , depen-
dendo do quão gradual é a variação da concentração de dopantes na junção PN. Para junções onde a
concentração de dopantes varia abruptamente entre as regiões N e P, teremos m = 12 . Já em junções
onde a concentração de dopantes varia linearmente entre as regiões P e N, o ı́ndice de graduação da
junção será m = 13 .
Observação
É importante notar que a tensão VBE aparece em (III.71) com sinal negativo e que a tensão VCB
aparece em (III.72) com sinal positivo. Essa diferença decorre do fato de que VBE > 0 polariza a
junção base-emissor diretamente, enquanto que VCB > 0 polariza a junção base-coletor reversamente.
Com a junção base-coletor reversamente polarizada no modo ativo, quanto maior for a tensão VCB >
0, mais larga será a região de depleção dessa junção. Esse alargamento produz o mesmo efeito que
afastar as placas de um capacitor, reduzindo a sua capacitância. Por essa razão, a expressão (III.72)
indica que a capacitância Cjc diminui com o aumento da tensão reversa VCB .
A junção base-emissor, por outro lado, é polarizada diretamente pela tensão VBE > 0. Como essa
polarização direta tende a estreitar a largura da região de depleção, a expressão (III.71) indica que a
capacitância Cje irá aumentar consideravelmente caso a tensão VBE assuma valores bem próximos
do potencial de barreira V0E .
Modelo π-Hı́brido para Altas Frequências
O modelo π-hı́brido adequado para descrever o comportamento do transistor bipolar com respeito

Capı́tulo III 76
rx C
B C
r vbe C gm vbe ro
Figura III.55: Modelo π-hı́brido para descrever a operação do transistor bipolar em altas frequências.
a pequenos sinais de altas frequências é apresentado na Fig. III.55. Nesse modelo foram incluı́das
duas capacitâncias Cπ e Cµ que levam em consideração os efeitos capacitivos discutidos acima. Essas
capacitâncias são dadas por:
Cπ = Cdb + Cje , (III.73)
Cµ = Cjc . (III.74)
Em transistores bipolares comerciais, a capacitância Cπ entre os terminais de base e emissor assume

valores tipicamente na faixa que vai desde unidades a até dezenas de picofarads (10−12 F). Já
a capacitância Cµ tipicamente assume valores que vão desde frações a até poucas unidades de
picofarads.
Ao modelo π-hı́brido da Fig. III.55 também foi adicionado um resistor rx para considerar o efeito
da resistência do material semicondutor e da resistência do contato ôhmico que faz a conexão elétrica
entre o semicondutor e o condutor metálico do terminal da base. O valor tı́pico da resistência rx vai
de unidades a dezenas de ohms. Como rx rπ , a resistência rx é desprezı́vel em baixas frequências.
Entretanto, em frequências muito altas, as impedâncias das capacitâncias Cπ e Cµ se tornam tão
baixas que a única resistência responsável por limitar a corrente de sinal no transistor é rx . Por essa
razão, o efeito dessa resistência é contabilizado no modelo da Fig. III.55.
Com o modelo para altas frequências do transistor bipolar, é possı́vel estimar as frequências
ωP e ωT que caracterizam o módulo da resposta em frequência do ganho de corrente β(jω) =
ic (jω)/ib (jω), apresentado na Fig. III.52(b). Para isso, faremos a análise de pequenos sinais do
circuito da Fig. III.52(a), onde o transistor Q1 é substituı́do pelo modelo da Fig. III.55 e todas
as fontes de polarização DC são zeradas — isto é, substituı́mos VCC por um curto-circuito para a
terra e a fonte IB por um circuito aberto. Assim, o circuito equivalente para pequenos sinais ficará
conforme mostrado na Fig. III.56.
rx C ic
ib r vbe C gm vbe ro
Figura III.56: Modelo equivalente para pequenos sinais do circuito apresentado na Fig. III.52(a).
Calculando a parcela de sinal ic da corrente de coletor no domı́nio da frequência, obtemos:
ic (s) = gm vbe (s) − s Cµ vbe (s) = (gm − s Cµ ) vbe (s). (III.75)

Capı́tulo III 77
A tensão vbe , por sua vez, é obtida a partir de:
ib (s)
vbe (s) = . (III.76)
1
+ s Cπ + s Cµ
rπ
Assim, substituindo (III.76) em (III.75), obtemos:
Cµ
(gm − s Cµ ) 1−s
gm
ic (s) = ib (s) = gm rπ ib (s).
1 1 + s(Cπ + Cµ )rπ
+ s Cπ + s Cµ
rπ
Lembrando que gm rπ = β0 (III.58), onde β0 é o valor do ganho de corrente β em baixas frequências,

teremos que:
Cµ
1−s
ic (s) gm
β(s) = = β0 . (III.77)
ib (s) 1 + s(Cπ + Cµ )rπ
De acordo com o gráfico apresentado na Fig. III.52(b), ωP é definida como o limite superior da
banda passante de |β(jω)|, o qual corresponde à frequência do polo da função de transferência β(s)
em (III.77). Portanto, podemos concluir que:
1 gm
ωP = = , (III.78)
rπ (Cπ + Cµ ) β0 (Cπ + Cµ )
onde usamos novamente a igualdade gm rπ = β0 para obter a expressão final para ωP .

Também de acordo com a Fig. III.52(b), ωT é definida como a frequência em que |β(jωT )| = 1.
Dessa forma, a frequência de transição é obtida a partir da solução da seguinte equação:
v
u 2
ωT Cµ
1+
u
u gm
|β(jωT )| = β0 t 2 = 1.
1 + [ωT rπ (Cπ + Cµ )]
Substituindo a expressão (III.78) para ωP na equação acima, obteremos:

v
u 2
ωT Cµ
u1 +
u
gm
β0 u
t 2 = 1.
1 + ωωPT
Com o objetivo de tornar a expressão analı́tica para a frequência ωT mais simples — engenheiros
preferem usar expressões matemáticas simples em seus cálculos de projeto —, vamos fazer algumas
aproximações na equação acima, as quais são baseadas em duas premissas que serão comprovadas
mais adiante. A primeira considera que ωT ωP , conforme pode ser visualizado na Fig. III.52(b).
A segunda premissa considera que a frequência ωT é muito menor que a frequência do zero da
gm
função de transferência β(s) (III.77), ou seja, ωT Cµ . Assim, a partir dessas duas considerações,
podemos fazer a seguinte aproximação:
v
u 2
ωT Cµ
u1 +
u v
gm u 1
β0 u 2 ≈ β0 t 2 .
u
t
ωT ωT
1 + ωP ωP

Capı́tulo III 78
Assim, a equação anterior pode ser aproximada por:
1
β0 ωT ≈ 1,
ωP
Resultando em:
gm
ωT ≈ β0 ωP = . (III.79)
Cπ + Cµ
De acordo com (III.79), temos que ωT é aproximadamente igual a β0 vezes a frequência ωP .
Como β0 é da ordem de centenas, a nossa primeira premissa de que ωT ωP se revelou bastante
razoável.
Com relação à premissa de que ωT gCmµ , sua validade é assegurada pelo fato de que Cπ é
tipicamente dezenas de vezes maior que Cµ em transistores bipolares reais. Existem duas razões
para isso. A primeira está no fato de que Cπ é composta pela combinação das capacitâncias de
junção e de difusão, onde esta última é significativamente maior que a primeira. A segunda razão
reside no fato de que, em um transistor no modo ativo, a junção base-emissor estará diretamente
polarizada, enquanto que a junção base-coletor estará polarizada reversamente. Assim, a largura
da região de depleção na junção base-emissor será bem menor, resultando em uma capacitância de
junção bem maior.
Nas folhas de dados de transistores comerciais, os fabricantes usualmente informam a frequência
de transição fT em Hertz. Dessa forma, a expressão (III.79) deve ser reescrita da seguinte forma:
gm
fT = . (III.80)
2π (Cπ + Cµ )
Observação
Uma figura de mérito muito comumente usada para avaliar o desempenho de circuitos amplificadores
é o produto ganho-banda passante (GB). Como o próprio nome sugere, essa figura de mérito é
obtida multiplicando-se o ganho do amplificador na banda passante de sua resposta em frequência
pela largura dessa banda.
No caso da resposta em frequência do ganho de corrente β(jω) = ic (jω)/ib (jω), apresentado na Fig.
III.52(b), o produto ganho-banda passante, em Hertz, será dado por:
ωP gm
GB = β0 · = .
2π 2π (Cπ + Cµ )
Portanto, concluı́mos que GB = fT . Por essa razão, a frequência de transição fT também é de-
nominada produto ganho-banda passante do ganho de corrente. Outra denominação muito
comumente encontrada em folhas de dados de transistores é banda passante de ganho unitário
(unity-gain bandwidth), fazendo alusão ao fato de que |β(jωT )| = 1.
Exemplo iii.13
Na folha de dados de um transistor comercial, o fabricante informa que o dispositivo exibirá uma frequên-
cia de transição fT = 100 MHz e uma capacitância Cµ = 2,0 pF quando operando com uma corrente de
polarização IC = 1,0 mA. Dessa forma, estime o valor da capacitância Cπ para esse transistor operando
nessas condições.

Capı́tulo III 79
Solução:
Como o transistor em questão está polarizado com uma corrente IC = 1,0 mA, então:
IC 1,0
gm = = = 40 mA/V.
vT 0,025
Partindo da expressão para a frequência de transição, teremos que:
gm
fT =
2π (Cπ + Cµ )
gm
Cπ = − Cµ
2π fT
Cπ = 61,6 pF.
III.8 - Amplificadores Bipolares Básicos
Na seção anterior, o leitor foi familiarizado com os conceitos básicos utilizados para descrever
matematicamente a operação do transistor bipolar como elemento amplificador. Os circuitos apre-
sentados naquela seção eram bastante simplificados e tinham o objetivo de fazer o leitor compreender
como as caracterı́sticas fı́sicas do transistor bipolar podem ser empregadas para realizar a amplifica-
ção de sinal. A partir deste ponto, o leitor utilizará os conceitos aprendidos naquela seção no estudo
dos circuitos amplificadores práticos que utilizam transistores bipolares.
Nesta seção, estudaremos as três configurações básicas de circuito em que podemos extrair algum
tipo de amplificação com o transistor bipolar. Cada uma dessas configurações será estudada em de-
talhes, evidenciando as suas principais caracterı́sticas elétricas, suas vantagens e desvantagens. Esse
estudo é extremamente útil para o projetista que futuramente necessitará decidir qual configuração
utilizar em um determinado projeto para alcançar o efeito desejado.
III.8.1 - Caracterização de Circuitos Amplificadores

No Capı́tulo I foi mostrado que os principais parâmetros que interferem decisivamente no com-
portamento elétrico de um amplificador são o ganho e as impedâncias de entrada e de saı́da. De
posse desses parâmetros, um circuito amplificador pode ser modelado através do circuito linear
equivalente apresentado na Fig. III.57.
Ro
v A v Ri v Av v
(a) (b)
Figura III.57: Sı́mbolo usualmente empregado em diagramas elétricos para representar um amplificador
(a) e seu circuito equivalente (b), levando em consideração seu ganho interno A e suas impedâncias de
entrada Ri e de saı́da Ro .
O ganho interno A, apresentado na Fig. III.57(b), corresponde ao máximo ganho de tensão

que pode ser conseguido com um determinado circuito amplificador. Esse ganho é obtido quando

Capı́tulo III 80
uma fonte de tensão ideal vin é aplicada à entrada e os terminais de saı́da são mantidos em aberto.
Assim, o ganho de tensão obtido com o amplificador não é afetado pela corrente elétrica drenada
pela impedância de entrada Ri e nem pela queda de tensão sobre a impedância de saı́da Ro .
Entretanto, em um circuito real, a fonte de sinal vs na entrada possui uma impedância de
saı́da não nula RS . Além disso, o amplificador normalmente opera com os seus terminais de saı́da
conectados ao circuito que irá receber o sinal amplificado — se não houvesse um circuito para receber
esse sinal, não haveria necessidade de se usar um amplificador! Assim, a impedância de entrada do
circuito seguinte funcionará como uma carga RL que drenará corrente elétrica do amplificador. Essa
situação é ilustrada na Fig. III.58.
Rs Ro
v Ri v Av RL v
Figura III.58: Modelo equivalente para um amplificador com uma fonte de sinal real na entrada, com
impedância de saı́da RS não nula, e com uma impedância de carga RL .
Nessa situação, a tensão efetivamente obtida na saı́da vo será dada por:
RL
vo = · A vin , (III.81)
Ro + RL
que vem a ser menor que a tensão de saı́da que seria obtida com o mesmo amplificador caso seus
terminais de saı́da estivessem em aberto — ou seja, caso RL → ∞.
Analogamente, a tensão vin efetivamente aplicada à entrada do amplificador será dada por:
Ri
vin = · vs , (III.82)
RS + Ri
a qual é menor que a tensão entregue pela fonte de sinal vs .

Combinando as equações (III.81) e (III.82), podemos obter o ganho de tensão efetivamente obtido
com o amplificador em um circuito prático:
RL Ri
vo = ·A· · vs
Ro + RL RS + Ri
vo RL Ri
AV = = ·A· . (III.83)
vs Ro + RL RS + Ri
A partir desse resultado, podemos concluir que o ganho AV efetivamente alcançado é menor que o
seu ganho interno A, em virtude da interação entre as impedâncias não ideais Ri e Ro do amplificador
e as impedâncias RS da fonte de sinal e RL da carga.
Para evitar essa redução no ganho, um amplificador de tensão ideal deveria apresentar uma
impedância de entrada Ri → ∞ e uma impedância de saı́da Ro = 0. Infelizmente, essa situação
ideal não é conseguida na prática. A estratégia usualmente seguida pelos projetistas é garantir que
o amplificador apresente Ro RL , para minimizar a perda de ganho em (III.81), e Ri RS , para
minimizar a perda de ganho em (III.82).
Nas próximas seções, será mostrado que cada uma das configurações básicas de amplificadores
com transistor bipolar apresenta suas caracterı́sticas próprias de ganho e impedância de entrada e de
saı́da. Assim, dependendo das especificações de projeto — isto é, do ganho desejado, da resistência
RS da fonte de sinal e da carga RL —, o projetista deverá ser capaz de escolher qual a configuração,

Capı́tulo III 81
ou combinação de configurações, que é mais adequada às suas necessidades. Por essa razão, é muito
importante que o projetista seja capaz de calcular as impedâncias de entrada Ri e de saı́da Ro de
um circuito amplificador.
Para calcular a impedância de entrada de um amplificador, deve-se aplicar uma fonte de tensão
de teste ideal vt à entrada do circuito e calcular a corrente it entregue por essa fonte. Esse arranjo
é ilustrado na Fig. III.59. Assim, a impedância de entrada será obtida fazendo-se:
vt
Ri = . (III.84)
it
i Ro
vt Ri v Av RL v
Figura III.59: Arranjo para o cálculo teórico da impedância de entrada Ri de um amplificador.
Para calcular a impedância de saı́da, deve-se aplicar a fonte de tensão de teste ideal vt à saı́da do
circuito, removendo-se a impedância de carga. A fonte de teste deve substituir a carga RL justamente
porque a impedância de saı́da do amplificador é definida como sendo a impedância “vista” pela carga.
Esse arranjo é ilustrado na Fig. III.60, onde os terminais de entrada foram curto-circuitados. Assim,
a impedância de saı́da será obtida fazendo-se:
vt
Ro = . (III.85)
it
Note que a equação (III.85) somente será válida se os terminais de entrada estiverem em curto-
circuito, fazendo com que vin = 0 e, consequentemente, zerando a tensão A vin na malha de saı́da.
Ro i
Ri v Av v
Figura III.60: Arranjo para o cálculo teórico da impedância de saı́da Ro de um amplificador.
Finalmente, o leitor deve ter em mente que o modelo equivalente apresentado na Fig. III.57 é
válido somente para descrever o comportamento do amplificador com pequenos sinais — quando a
operação do circuito é aproximadamente linear. Caso o sinal de entrada seja grande o suficiente
para retirar o transistor bipolar do modo ativo, o circuito amplificador deixará de operar de forma
linear e o modelo equivalente não será mais válido. Portanto, a máxima amplitude de tensão que
um amplificador é capaz fornecer em sua saı́da, sem que o transistor deixe de operar de forma
razoavelmente linear, também é uma especificação de grande importância. Portanto, nas próximas
seções, também será mostrado como o projetista pode estimar teoricamente quais são os limites de
excursão de sinal que uma determinada configuração de amplificador pode fornecer na saı́da.

Capı́tulo III 82
III.8.2 - Circuitos Práticos de Amplificadores com Transistor Bipolar

O circuito amplificador utilizado na seção anterior para deduzir o modelo de pequenos sinais
do transistor bipolar é novamente apresentado na Fig. III.61(a). Apesar da sua simplicidade, esse
circuito não pode ser empregado em um projeto real. A razão para essa impossibilidade está no
seu esquema de polarização, apresentado na Fig. III.61(b) — onde a fonte de sinal vin do circuito
original foi zerada para separar o esquema de polarização da análise de pequenos sinais.
VCC
VCC
RC
RC
vo
Q1 VC
vin Q1
VBE VBE
(a) (b)
Figura III.61: Circuito do amplificador didático (a) e o seu respectivo esquema de polarização (b).
Conforme o leitor deve se recordar, na Seção III.6 foi mostrado que o esquema de polarização da
Fig. III.61(b) é instável termicamente e, portanto, inadequado para a polarização de transistores
bipolares. Naquela mesma seção, também foi mostrado que o esquema de polarização da Fig.
III.62(a) é bastante eficiente para polarizar um transistor bipolar. Entretanto, uma pergunta surge:
como nós iremos aplicar um sinal ao circuito da Fig. III.62(a)?
VCC VCC
v R
R1 RC R1
t
v
Q1 Q1 v
v
R2 t
R2 R
RE
(a) (b)
Figura III.62: Circuito do amplificador didático (a) e o seu respectivo esquema de polarização (b).
A primeira ideia que pode ocorrer ao leitor é conectar a fonte de sinal vin diretamente à base do
transistor, conforme ilustrado na Fig. III.62(b). No entanto, essa é uma péssima ideia, pois a tensão
na base passará a ser exatamente igual a vin . Assim, nos semiciclos em que vin < 0, o transistor irá
operar no modo de corte, distorcendo o sinal na saı́da — essa situação também é ilustrada na Fig.
III.62(b).
A técnica mais amplamente utilizada pelos projetistas para aplicar sinal a um transistor sem

Capı́tulo III 83
afetar a sua polarização baseia-se no uso de capacitores de acoplamento. De acordo com o que
foi apresentado no Capı́tulo I, sabemos que o módulo da impedância de um capacitor depende da
frequência ω do sinal aplicado a ele, segundo a seguinte expressão:
1
|ZC (jω)| = .
ωC
Dessa forma, quando maior a frequência do sinal, menor será a impedância do capacitor — ou seja,
para sinais com frequências muito altas, o capacitor opera praticamente como um curto-circuito, pois
|ZC (jω)| → 0 quando ω → ∞. Por outro lado, em um circuito operando em corrente contı́nua (DC),
temos que ω = 0 e, consequentemente, o capacitor funcionará exatamente igual a um circuito aberto,
pois |ZC (0)| → ∞. Portanto, o capacitor é um dispositivo que pode atuar como um elemento isolador
para correntes e tensões de polarização DC e, ao mesmo tempo, operar aproximadamente como um
curto-circuito para sinais com frequências suficientemente altas. O princı́pio de funcionamento de
um capacitor de acoplamento é exemplificado na Fig. III.63.
VCC
v
t R1
CA
v
v R2
Figura III.63: Emprego de um capacitor de acoplamento para aplicar sinal a um nó de circuito, sem
afetar a sua polarização DC.
Como o circuito da Fig. III.63 é linear, podemos usar o princı́pio da superposição e analisar
isoladamente os efeitos das fontes VCC e vin sobre a tensão na saı́da vo . Inicialmente, vamos aplicar
apenas a tensão de polarização VCC e zerar a fonte de sinal vin — ou seja, substituı́-la por um
curto-circuito. Nessa situação, temos apenas uma tensão DC aplicada ao circuito. Dessa forma, o
capacitor operará como um circuito aberto e teremos a situação ilustrada na Fig. III.64(a), onde a
VCC VCC
R1 R1 R1
CA
v v v
R2 v R2 v R2
v v v
VO t VO
t t
(a) (b) (c)
Figura III.64: Análise do circuito linear da Fig. III.63 usando superposição.

Capı́tulo III 84
tensão na saı́da é estabelecida pelo divisor de tensão resistivo:
R2
VO = · VCC .
R1 + R2
Anulando, agora, a tensão de polarização VCC e aplicando apenas a tensão de sinal vin , o capa-
citor apresentará uma impedância ZC (jω) dependente da frequência ω do sinal. Caso o capacitor
de acoplamento CA na Fig. III.63 seja grande o suficiente para que |ZC (jω)| R1 //R2 , então
podemos considerar que CA opera aproximadamente como um curto-circuito para o sinal vin . Essa
situação está ilustrada na Fig. III.64(b), onde a parcela de sinal da tensão na saı́da é vo = vin .
Finalmente, superpondo os efeitos da tensão de polarização VCC e de sinal vin , teremos que a
tensão na saı́da será dada por vo = VO + vin , cuja forma de onda tem o aspecto mostrado na Fig.
III.64(c). Note que o emprego do capacitor de acoplamento foi capaz de produzir uma tensão vo
que é dada pela superposição da parcela de polarização com a parcela de sinal aplicada.
Portanto, o mesmo princı́pio do circuito na Fig. III.63 pode ser utilizado para aplicar e extrair
sinais de um amplificador sem afetar a polarização dos seus transistores. Um exemplo de como os
capacitores de acoplamento podem ser utilizados com esse propósito é apresentado na Fig. III.65.
VCC
R
R1
Q1 R
R2
R
VCC
R
R1 C
C
v
Q1 R
v R2
R
C
R
R1
v
Q1 R
v R2
R
Figura III.65: Emprego de capacitores de acoplamento para aplicar e extrair sinal de um amplificador
sem afetar a sua polarização DC.

Capı́tulo III 85
Nesse amplificador, o capacitor CB tem a função de aplicar o sinal de entrada vin à base do transistor,
somando-o à tensão de polarização daquele nó. Já o capacitor CC é utilizado para conectar a carga
RL à saı́da do amplificador, sem afetar a tensão de polarização no coletor de Q1 .
O capacitor CE , por sua vez, é adicionado ao circuito para operar como um curto-circuito entre
o terminal de emissor e a terra na faixa de frequências do sinal vin . Para que o leitor entenda a
função desse capacitor, devemos primeiramente nos recordar da Seção III.6, onde foi mostrado que
a inclusão do resistor RE é necessária para garantir a estabilidade térmica da polarização DC do
transistor. Além disso, o leitor deve lembrar que o amplificador da Fig. III.61(a) tem o terminal de
emissor conectado à terra para garantir que a tensão de sinal vin seja integralmente aplicada entre
os terminais de base e emissor de Q1 — vide a Fig. III.44. Caso o amplificador da Fig. III.61(a)
fosse construı́do com um RE no circuito de emissor, a tensão de entrada vin seria dividida entre
esse resistor e a junção base-emissor, reduzindo a tensão vbe que é efetivamente amplificada pelo
transistor — já que ic = gm vbe . Assim, a presença do capacitor CE permite que o resistor RE
exerça a sua função na polarização do transistor — já que CE é um circuito aberto em DC — e, ao
mesmo tempo, possibilita que a tensão de sinal vin seja integralmente amplificada pelo transistor
— em virtude do curto-circuito criado por CE na faixa de frequências de vin . Por essa razão, CE é
frequentemente chamado de capacitor de bypass.
Observação
Neste ponto o leitor deve estar se perguntando sobre como os capacitores de acoplamento devem ser
dimensionados de modo a operarem razoavelmente bem como curtos-circuitos na faixa de frequências
do sinal de entrada vin . Realmente essa é uma questão bastante pertinente, mas que necessita de um
conhecimento mais aprofundado sobre a resposta em frequência de amplificadores. Entretanto, esse
assunto é bastante vasto e requer que o estudante já tenha um conhecimento prévio dos conceitos
básicos de circuitos amplificadores. Por essa razão, neste capı́tulo iremos assumir que os capacitores
de acoplamento já foram dimensionados adequadamente para que operem como curtos-circuitos para
pequenos sinais. Assim, o leitor poderá aprender a teoria básica de amplificadores sem se preocupar
com esse detalhe.
Posteriormente, uma vez que o leitor já tenha se familiarizado com os conhecimentos básicos, um es-
tudo detalhado sobre a resposta em frequência de amplificadores será apresentado em outro capı́tulo.
Então, o leitor finalmente aprenderá como dimensionar os capacitores de acoplamento. Portanto,
caro leitor, não se preocupe com isso por enquanto.
A Fig. III.65 também ilustra como um amplificador com capacitores de acoplamento é analisado
através da superposição das parcelas de polarização e de pequenos sinais. Para analisar o circuito
apenas com respeito à sua polarização, a fonte VCC é mantida, a fonte de sinal vin é zerada e os
capacitores de acoplamento são tratados como circuitos abertos. Assim, o amplificador se reduz
apenas ao circuito de polarização da Fig. III.62(a). Por outro lado, ao analisar o amplificador com
respeito a pequenos sinais, a fonte vin é mantida, VCC é zerada e os capacitores de acoplamento são
tratados como curtos-circuitos. Esse procedimento de análise é resumido a seguir:
Análise da Polarização DC:
• Aplicar apenas as fontes de polarização DC ao circuito;
• Zerar todas as fontes de sinal;
• Tratar os capacitores de acoplamento como circuitos abertos.

Capı́tulo III 86
Análise de Pequenos Sinais:
• Zerar todas as fontes de polarização DC;
• Aplicar todas as fontes de sinal ao circuito;
• Tratar os capacitores de acoplamento como curtos-circuitos;
• Substituir os transistores pelos seus modelos equivalentes para pequenos sinais.
A superposição das parcelas de polarização e de pequenos sinais em um amplificador é ilustrada

na Fig. III.66, onde são apresentados os esboços das tensões medidas em cada um dos nós do
circuito quando um sinal senoidal vin é aplicado à entrada. Note que as tensões de base e coletor são
formadas pela superposição de uma parcela de polarização constante e uma parcela de sinal senoidal.
A tensão de emissor apresenta apenas a parcela de polarização constante, pois o capacitor CE opera
como um curto-circuito entre esse terminal e o terra na faixa de frequências de vin , fazendo com que
a parcela de sinal da tensão no emissor seja nula.
v v
V VCC V
t
t
R
v R1 C
C
v v
t
Q1 R t
v
R2
R v
C
V
t
Figura III.66: Superposição das tensões de polarização e de pequenos sinais em um amplificador com
capacitores de acoplamento.
Uma vez que nós já sabemos como fazer com que um transistor polarizado adequadamente opere
como amplificador, podemos, então, proceder ao estudo das principais configurações de amplifica-
dores que podem ser obtidas com o transistor bipolar de junção. Esse estudo é apresentado nas
próximas seções.
III.8.3 - Amplificador em Emissor Comum

Iniciaremos o nosso estudo das configurações básicas de amplificadores com o circuito da Fig.
III.67(a). Apesar do fato de que esse circuito não pode ser utilizado na prática, a análise desse
amplificador será didaticamente muito útil antes de nos aventurarmos na análise e projeto de am-
plificadores práticos.
O circuito da Fig. III.67(a) se difere dos demais amplificadores com transistor bipolar pelo fato
de que o sinal de entrada é aplicado ao terminal de base, o sinal de saı́da é tomado no coletor e o
terminal de emissor está aterrado. Como ambas as tensões de entrada e de saı́da estão referenciadas
em relação à terra, podemos dizer que o terminal de emissor está conectado ao terminal comum entre
a entrada e a saı́da — ou seja, a terra. Dessa forma, convencionou-se denominar essa configuração
de amplificador em emissor comum.

Capı́tulo III 87
VCC
RC
vo
Q1 vo
ic
vin vin r vbe gm vbe RC
VBE
(a) (b)
Figura III.67: Circuito didático de um amplificador em emissor comum (a) e seu circuito equivalente
para pequenos sinais (b).
O circuito equivalente para pequenos sinais do amplificador da Fig. III.67(a) é apresentado na

Fig. III.67(b). Esse circuito equivalente foi obtido zerando-se as fontes de polarização VCC e VBE ,
e substituindo o transistor bipolar pelo seu modelo de pequenos sinais π-hı́brido. Analisando esse
circuito, obtemos que a tensão de pequenos sinais vo na saı́da do amplificador é dada por:
vo = −(gm vbe ) · RC = − gm vin · RC .
Consequentemente, o ganho de tensão de pequenos sinais obtido com esse amplificador é:
vo
AV = = − gm RC , (III.86)
vin
onde o sinal negativo indica que o sinal de saı́da está defasado de 180◦ em relação à entrada.
Lembrando que a transcondutância gm = IC /vT , o ganho de pequenos sinais (III.86) pode ser
reescrito como:
vo IC
AV = =− RC . (III.87)
vin vT
Assim, podemos concluir que o ganho de tensão em um amplificador em emissor comum é direta-
mente proporcional à corrente de polarização no coletor IC e ao resistor de coletor RC .
Observação
A partir do resultado apresentado em (III.87), um leitor apressado pode equivocadamente concluir

que quanto mais alta a corrente de polarização — ou quanto maior a resistência RC — maior é
o ganho de tensão que poderemos obter com o amplificador. Entretanto, isso não é verdade, pois
a tensão de alimentação VCC impõe um limite para o ganho máximo que se pode obter com um
amplificador em emissor comum.
VCC
Para entender como o valor de VCC limita o ganho alcançável com
um amplificador, é necessário considerar apenas a parcela de pola-
IC
rização do circuito da Fig. III.67(a). Assim, aplicando apenas as RC
fontes de polarização VCC e VBE , e zerando a fonte de sinal vin ,
obtemos o circuito ao lado para a polarização DC do amplificador.
Q1 VCE
Nesse circuito, o transistor Q1 deve estar polarizado no modo ativo
para conseguir operar como amplificador. Portanto, o circuito de VBE
polarização tem que ser dimensionado de modo que VCE > 0,2 V.

Capı́tulo III 88
Consequentemente, teremos que VCE = VCC − RC IC > 0,2 V, de onde podemos concluir que
RC IC < VCC − 0,2 V é a condição obrigatória para que Q1 esteja polarizado no modo ativo.
Agora, se lembrarmos de (III.87), podemos estabelecer a seguinte relação:
IC RC VCC − 0,2
|AV | = < .
vT vT
Isso significa que um amplificador alimentado com uma fonte VCC = 5,0 V, por exemplo, só poderá
ser projetado com ganhos de tensão de até 192 V/V em módulo — lembre-se que vT ≈ 25 mV na
temperatura ambiente. Caso, o projetista necessite de um ganho maior que esse, será necessário
aumentar a tensão de alimentação VCC .
Além do ganho de tensão, um circuito amplificador também é caracterizado pelas suas impedân-
cias de entrada e de saı́da para pequenos sinais. No caso do amplificador em emissor comum da Fig.
III.67(a), a impedância de entrada de pequenos sinais é obtida a partir do esquema apresentado na
Fig. III.68(a), onde a fonte de sinal vin foi removida do circuito e a impedância de entrada Ri é
igual à impedância equivalente vista a partir do terminal de entrada do amplificador. Nesse circuito,
a impedância equivalente Ri entre o terminal de entrada e a terra pode ser obtida diretamente por
inspeção visual do circuito da Fig. III.68(a), de onde obtemos que a impedância de entrada do
amplificador em emissor comum é dada por:
Ri = rπ . (III.88)
vo
r vbe gm vbe RC
Ri
(a)
r vbe gm vbe RC
Ro
(b)
Figura III.68: Procedimento para o cálculo teórico das impedâncias de entrada Ri (a) e de saı́da Ro (b)
do amplificador em emissor comum da Fig. III.67(a).
Lembrando que rπ = β/gm e que gm = IC /vT , a expressão (III.88) pode ser reescrita da seguinte
forma:
β vT
Ri = =β· . (III.89)
gm IC
De acordo com esse resultado, podemos concluir que a única forma de aumentar a impedância de
entrada do amplificador em emissor comum é reduzindo a corrente de polarização IC no coletor do
transistor. Entretanto, o leitor deve ter em mente que reduzir a corrente de polarização IC tem
como efeito colateral uma redução no ganho de tensão do amplificador — lembre-se da expressão

Capı́tulo III 89
(III.87). Portanto, ao projetar um amplificador, deve-se escolher cuidadosamente a corrente de

polarização do transistor de modo a obter um compromisso adequado entre o ganho de tensão e
a impedância de entrada. Além disso, a expressão (III.89) indica que a impedância de entrada é
diretamente proporcional ao parâmetro β do transistor. Como esse parâmetro pode variar bastante,
não é possı́vel projetar um amplificador em emissor comum com uma impedância de entrada precisa.
Por essa razão, em projetos de amplificadores, a impedância de entrada é normalmente especificada
em uma faixa de valores possı́veis. Por exemplo, se em um projeto foi especificada uma impedância
de entrada Ri ≥ 3,0 kΩ e o transistor adotado pode apresentar um valor de β na faixa de 100 a 800,
o projetista deve usar a equação (III.89) para calcular a corrente de polarização IC do transistor de
modo a garantir que Ri = 3,0 kΩ quando β = 100. Assim, se o transistor assumir um valor de β
maior que 100, a especificação original da impedância de entrada será satisfeita.
Para calcular a impedância de saı́da do amplificador da Fig. III.67(a), utilizamos o esquema
ilustrado na Fig. III.68(b), onde a impedância de saı́da é igual à impedância equivalente vista a
partir do terminal de saı́da, quando a fonte de entrada vin é zerada — ou seja, substituı́da por um
curto-circuito.
Ao zerarmos a tensão de entrada, teremos que vbe = 0 no esquema da Fig. III.68(b). Con-
sequentemente, a fonte de corrente gm vbe também será nula e, portanto, se tornará equivalente a
um circuito aberto — pois a corrente elétrica em um circuito aberto também é nula. Assim, a
impedância equivalente vista a partir do terminal de saı́da do amplificador será simplesmente:
Ro = RC . (III.90)
De acordo com esse resultado, concluı́mos que é necessário adotar uma resistência RC baixa para
que o amplificador em emissor comum tenha uma baixa impedância de saı́da. Entretanto, de acordo
com (III.86), se a resistência RC for baixa, o ganho de tensão do amplificador também será baixo.
Portanto, uma desvantagem do amplificador em emissor comum está no fato de que sempre teremos
que tolerar uma impedância de saı́da alta caso necessitemos de um amplificador com ganho elevado.
Exemplo iii.14
Considere que o amplificador da Fig. III.67(a) foi construı́do com VCC = 5,0 V, RC = 1,5 kΩ e um
transistor bipolar Q1 que apresenta um ganho de corrente β = 100 e vT = 25 mV. Além disso, considere
também que o transistor Q1 está polarizado com uma corrente de coletor IC = 2,0 mA. Dessa forma, calcule
o ganho de tensão e as impedâncias de entrada e de saı́da desse amplificador.
Solução:
Primeiramente, precisamos calcular os parâmetros do modelo de pequenos sinais do transistor bipolar,

os quais dependem do ponto de polarização DC do transistor. Como o transistor Q1 está polarizado com
IC = 2,0 mA, teremos:
IC 2 β 100
gm = = = 80 mA/V e rπ = = = 1,25 kΩ
vT 0,025 gm 80
Então, usando a expressão (III.86) para o ganho de tensão do amplificador, teremos:
AV = − gm RC = −80 · 1,5 = −120 V/V.

Capı́tulo III 90
Já as impedâncias de entrada e de saı́da são dadas por:
Ri = rπ = 1,25 kΩ e Ro = RC = 1,5 kΩ.
A análise do amplificador básico da Fig. III.67(a) nos mostrou, de maneira bem simples e sem
expressões matemáticas complexas, quais são as principais caracterı́sticas, vantagens e desvantagens
da configuração com emissor comum. Através dos resultados obtidos, foi possı́vel percebermos as
principais relações de compromisso que um projetista deve se ater em um projeto de amplificador.
Entretanto, o circuito da Fig. III.67(a) não pode ser utilizado na prática. Um exemplo de circuito
realista de um amplificador em emissor comum é apresentado na Fig. III.69(a), onde o sinal de
entrada é aplicado ao terminal de base do transistor, através do capacitor de acoplamento CB ; o
sinal de saı́da é tomado no coletor, onde a carga RL é conectada; e o terminal de emissor está
conectado à terra através do capacitor CE , que opera como um curto-circuito para pequenos sinais.
VCC VCC
R I R
R1 C R1
v V
R C
Q1 R V
Q1
v V
R2 R2
R C R
(a) (b)
Figura III.69: Circuito prático de um amplificador em emissor comum (a), empregando o esquema de
polarização com divisor resistivo (b).
Ao analisar separadamente a polarização DC do amplificador da Fig. III.69(a), a fonte de sinal

deve ser zerada e os capacitores CB , CC e CE funcionam como circuitos abertos. Assim, na análise
de polarização, o circuito se reduz ao que é apresentado na Fig. III.69(b), que vem a ser exatamente
o esquema de polarização estudado na Seção III.6.
Para realizar a análise do desempenho do amplificador para pequenos sinais, a fonte de sinal vs
deve ser aplicada ao circuito, enquanto que a fonte de polarização VCC é zerada. Além disso, os
capacitores de acoplamento passam a ser considerados aproximadamente como curtos-circuitos para
a faixa de frequências do sinal vs . Assim, usando novamente o modelo π-hı́brido para descrever o
comportamento do transistor bipolar, obtemos o circuito equivalente para pequenos sinais ilustrado
na Fig. III.70. Diferentemente do que foi feito na análise do amplificador da Fig. III.67(a), nesta
análise o Efeito Early — representado pelo resistor ro na Fig. III.70 — não será desprezado para
que o leitor possa verificar a influência dele no desempenho do circuito.
Para calcular o ganho de pequenos sinais do circuito da Fig. III.70, precisamos, inicialmente,
obter a expressão para a tensão na saı́da:
vo = − (gm vbe ) · ro //RC //RL

Capı́tulo III 91
R
v
v v R1 R2 r v gm vbe ro R R
Figura III.70: Circuito equivalente para pequenos sinais do amplificador em emissor comum da Fig.
III.69(a).
Entretanto, a tensão vbe não é igual à da fonte de sinal vs . Dessa forma, precisamos calcular a tensão
vbe efetivamente aplicada entre os terminais de base e emissor do transistor. Essa tensão é obtida
através do divisor de tensão resistivo formado pela resistência de saı́da RS da fonte de sinal e pela
associação em paralelo dos resistores R1 , R2 e rπ , resultando em:
R1 //R2 //rπ
vbe = vin = · vs
RS + R1 //R2 //rπ
Finalmente, substituindo a segunda equação na primeira, obtemos o ganho de tensão para pequenos
sinais do amplificador:
R1 //R2 //rπ
vo = − gm · · vs · ro //RC //RL
RS + R1 //R2 //rπ
vo R1 //R2 //rπ
AV = =− · gm · ro //RC //RL (III.91)
vs RS + R1 //R2 //rπ
Para obter a impedância de entrada do amplificador, usamos o esquema mostrado na Fig.

III.71(a), onde a fonte de sinal vs e a sua impedância de saı́da RS foram removidas do circuito
— pois ambos os componentes fazem parte da fonte de sinal e não do amplificador. A partir da
simples inspeção visual do circuito, podemos concluir que a resistência equivalente vista do terminal
v
i
vt R1 R2 r v gm vbe ro R R
(a)
R i
R1 R2 r v gm vbe ro R vt
(b)
Figura III.71: Esquemas para o cálculo das impedâncias de entrada (a) e de saı́da (b) do amplificador em
emissor comum da Fig. III.69(a).

Capı́tulo III 92
de entrada do amplificador é dada por:
vt
Ri = = R1 //R2 //rπ . (III.92)
it
Note que a impedância de entrada continua dependendo diretamente do parâmetro rπ do transistor.

Entretanto, a presença dos resistores R1 e R2 do esquema de polarização contribui para reduzir a
impedância de entrada, quando comparada com aquela obtida para o amplificador da Fig. III.67(a).
Para obter a impedância de saı́da do amplificador, o esquema adotado é aquele apresentado na
Fig. III.71(b), onde a fonte de sinal na entrada vs é zerada — isto é, substituı́da por um curto-
circuito — e a carga RL é removida — já que ela não faz parte do núcleo básico do amplificador.
Consequentemente, ao zerar a fonte de sinal vs , teremos que vbe = 0. Dessa forma, teremos que a
fonte de corrente gm vbe também será nula, tornando-se equivalente a um circuito aberto. Então, a
impedância equivalente vista a partir do terminal de saı́da do amplificador será dada por:
vt
Ro = = ro //RC . (III.93)
it
Comparando este resultado com aquele obtido em (III.90), percebemos que o Efeito Early contribui
para a redução da impedância de saı́da do amplificador. No entanto, conforme ficará evidente no
exemplo apresentado a seguir, a redução na impedância de saı́da causada pelo Efeito Early não é
muito significativa.
Exemplo iii.15
Calcule o ganho de tensão e as impedâncias de entrada e de saı́da do amplificador em emissor comum

apresentado na figura abaixo. Considere que o transistor Q1 apresenta β = 100, tensão térmica vT = 25 mV
e tensão de Early VA = 100 V.
VCC = 9,0 V
R
R1 1,5 k
31 k
v
R
Q1 R
50 10 k
v R2
14 k R
1,0 k
Solução:
O primeiro passo na análise de um circuito amplificador é o cálculo da corrente de polarização DC de

seus transistores. Na figura a seguir, temos o circuito equivalente do amplificador para a polarização DC.
A análise desse circuito pode ser realizada usando a mesma estratégia adotada no Exemplo III.3, onde o
circuito de polarização da base é substituı́do pelo seu equivalente de Thévenin:
R2
VT H = · VCC = 2,8 V e RT H = R1 //R2 = 9,64 kΩ
R1 + R2
Como estamos analisando um circuito amplificador, o transistor bipolar deve estar polarizado no modo

Capı́tulo III 93
VCC = 9,0 V VCC = 9,0 V
R R
R1 IC 1,5 k
IC 1,5 k
31 k
R TH
9,64 k
Q1 Q1
VTH
R2 2,8 V 1
14 k R R
1,0 k 1,0 k
ativo. Assim, empregamos o modelo DC do transistor bipolar no modo ativo e escrevemos a equação da
malha ¬:
VT H − RT H IB − VBE − RE IE = 0
VT H − RT H IB − VBE − RE (β + 1)IB = 0
2,8 − 9,64 IB − 0,6 − 1,0 · 101 IB = 0

2,8 − 0,6
IB = ≈ 0,02 mA
9,64 + 101
Consequentemente, teremos:
IC = β IB = 2 mA
Uma vez calculada a corrente de polarização DC no transistor, passamos à análise do amplificador para
pequenos sinais, onde os parâmetros do modelo de pequenos sinais do transistor são dados por:
IC 2 β 100 VA
gm = = = 80 mA/V; rπ = = = 1,25 kΩ e ro = = 50 kΩ
vT 0,025 gm 80 IC
Usando a expressão do ganho de tensão dada em (III.91), teremos que:
R1 //R2 //rπ
AV = − · gm · ro //RC //RL = −97,3 V/V
RS + R1 //R2 //rπ
Finalmente, a partir das expressões (III.92) e (III.93) para as impedâncias de entrada e de saı́da, res-
pectivamente, obteremos:
Ri = R1 //R2 //rπ = 1,11 kΩ
Ro = ro //RC = 1,46 kΩ
De acordo com os resultados acima, o leitor pode perceber que a impedância de entrada do amplificador
é praticamente definida pelo parâmetro rπ do transistor, já que as resistências R1 e R2 são significativamente
maiores. Além disso, como a resistência de Efeito Early ro é significativamente maior que RC , a impedância
de saı́da acaba sendo aproximadamente igual a RC . Por essa razão, em muitas análises e projetos de
amplificadores o Efeito Early é desprezado, fazendo com que Ro ≈ RC . Neste exemplo, essa aproximação
levaria a um erro de apenas 2,7%, que é bem menor que o erro que cometemos ao aproximar o comportamento
exponencial do transistor bipolar por um modelo linear na análise de pequenos sinais.
Observação
Em ambos os amplificadores analisados nesta seção, o transistor foi polarizado com IC = 2 mA e a

resistência de coletor adotada foi RC = 1,5 kΩ. Entretanto, o ganho de tensão do amplificador do

Capı́tulo III 94
Exemplo III.15 foi significativamente menor do que aquele obtido com o circuito didático do Exemplo
III.14. Essa diferença é causada pela atenuação produzida pela interação entre a resistência da fonte
de sinal RS e a impedância de entrada Ri do amplificador da Fig. III.69(a), e também pela interação
entre a impedância de saı́da Ro e a resistência de carga RL .
O leitor deve lembrar que essas interações já foram discutidas na Seção III.8.1, onde os efeitos de
atenuação ficaram evidentes na equação (III.83). Entretanto, é bastante instrutivo visualizar esses
efeitos também na expressão do ganho obtida em (III.91):
R1 //R2 //rπ
AV = − · gm · ro //RC //RL
RS + R1 //R2 //rπ
R1 //R2 //rπ ro //RC · RL

AV = − · gm ·
RS + R1 //R2 //rπ ro //RC + RL
Lembrando das expressões (III.92) e (III.93) para as impedâncias de entrada e de saı́da do amplifi-
cador, podemos reescrever a expressão do ganho acima como:
Ri RL
AV = − · (gm ro //RC ) ·
RS + Ri Ro + RL
Note que essa equação é bastante semelhante àquela apresentada em (III.83), onde o primeiro fator
representa a atenuação causada pela interação entre RS e Ri , o segundo é o ganho do núcleo interno
do amplificador e o terceiro é a atenuação causada pela interação entre Ro e RL .
III.8.4 - Amplificador em Base Comum

Uma das caracterı́sticas do amplificador na configuração em emissor comum que pode ser incon-
veniente em alguns projetos é o fato de que o sinal de saı́da tem sua fase invertida em comparação
com o sinal de entrada. Uma forma de se evitar essa inversão de fase é adotar a configuração apre-
sentada na Fig. III.72(a), onde o sinal de entrada vin é aplicado ao terminal de emissor, ao invés do
terminal da base.
VCC
RC
vo gm vbe
vbe
Q1 vo
re ic
VBE vin RC
vin
(a) (b)
Figura III.72: Circuito básico de um amplificador em base comum (a) e seu circuito equivalente para
pequenos sinais (b).
A análise de pequenos sinais do amplificador da Fig. III.72(a) é realizada zerando-se as fontes de

polarização VCC e VBE , aplicando a fonte de sinal vin e substituindo o transistor pelo seu modelo
de pequenos sinais. Na Fig. III.72(b), o circuito equivalente de pequenos sinais adotou o chamado
modelo T para o transistor bipolar. A razão para essa escolha está no fato de que a análise do
circuito ficará bem mais simples do que se adotássemos o modelo π-hı́brido — mas os resultados

Capı́tulo III 95
obtidos serão exatamente os mesmos, independentemente do modelo escolhido.

Note que, ao zerar a tensão de polarização VBE , o terminal de base passou a estar conectado à
terra na análise de pequenos sinais. Portanto, a base passou a ser o terminal comum entre a entrada
e a saı́da, fazendo com que essa configuração seja chamada de amplificador em base comum.
No circuito equivalente da Fig. III.72(b), temos que a parcela de sinal da tensão entre base e
emissor será igual a:
vbe = − vin .
É justamente essa inversão na polaridade do sinal aplicado à junção base emissor que faz com que
o amplificador em base comum apresente um ganho não inversor. Essa propriedade fica evidente ao
se calcular a tensão na saı́da vo do circuito na Fig. III.72(b):
vo = − (gm vbe ) · RC = − gm · (− vin ) · RC
vo = gm vin RC
Consequentemente, o ganho de tensão para pequenos sinais do amplificador da Fig. III.72 será:
vo
AV = = gm RC (III.94)
vin
Observe que este ganho é exatamente igual, em módulo, ao ganho obtido em (III.86) para o ampli-
ficador em emissor comum da Fig. III.67. A diferença é que o amplificador em base comum não é
inversor.
Para obter a impedância de entrada Ri para pequenos sinais do amplificador em base comum,
adotamos o esquema apresentado na Fig. III.73(a), onde a fonte de sinal foi removida da entrada.
Assim, através de uma simples inspeção do circuito, podemos concluir que a impedância equivalente
vista entre o terminal de entrada do amplificador e a terra é:
Ri = re (III.95)
Lembrando que re = α/gm e que gm = IC /vT , podemos reescrever (III.95) da seguinte forma:
α vT
Ri = =α·
gm IC
A partir desse resultado, verificamos que a impedância de entrada do amplificador em base comum
também é inversamente proporcional à corrente de polarização IC . Entretanto, ao compararmos a
expressão acima com aquela obtida em (III.89) para o amplificador em emissor comum, concluı́mos
que a impedância de entrada da configuração em base comum é significativamente menor, pois
vbe gm vbe gm vbe

vbe
vo
re re
RC RC
Ri Ro
(a) (b)
do amplificador em base comum da Fig. III.72.

Capı́tulo III 96
α β em um transistor bipolar. Consequentemente, a principal desvantagem de um amplificador

em base comum é a sua baixı́ssima impedância de entrada.
No que diz respeito à impedância de saı́da, o esquema utilizado para a sua obtenção é apresentado
na Fig. III.73(b), onde a fonte de sinal vin foi zerada, fazendo com que vbe = 0. Assim, a fonte de
corrente gm vbe também será nula, tornando-se equivalente a um circuito aberto. Nessas condições,
a impedância equivalente vista entre o terminal de saı́da do amplificador e a terra será igual a:
Ro = RC (III.96)
Observe que a impedância de saı́da desta configuração é igual àquela obtida em (III.90) para o am-
plificador em emissor comum. Portanto, o amplificador em base comum também tem a desvantagem
de apresentar uma alta impedância de saı́da.
Exemplo iii.16
Considere que o amplificador da Fig. III.72(a) foi construı́do com VCC = 5,0 V, RC = 1,5 kΩ e um
Solução:
Como o transistor Q1 está polarizado com IC = 2,0 mA, teremos que os seus parâmetros de pequenos
sinais serão dados por:
IC 2 α 0,99
gm = = = 80 mA/V e re = = = 0,0124 kΩ = 12,4 Ω
vT 0,025 gm 80
Lembrando que α = β/(β + 1).

AV = gm RC = 80 · 1,5 = 120 V/V.
Ri = re = 12,4 Ω e Ro = RC = 1,5 kΩ.
É importante que o leitor perceba que a impedância de entrada do amplificador em base comum é bem
menor que aquela verificada no amplificador equivalente em emissor comum do Exemplo III.14.
Assim como o amplificador em emissor comum da Fig. III.67, o amplificador da Fig. III.72
também não é prático. Uma possı́vel realização prática de um amplificador em base comum é
mostrada na Fig. III.74, o qual também emprega o esquema de polarização com divisor resistivo
estudado na Seção III.6.
No amplificador da Fig. III.74, o sinal de entrada da fonte vs é aplicado ao terminal de emissor
através do capacitor de acoplamento CE e a carga RL é conectada à saı́da através de CC . O terminal
de base, por sua vez, é conectado à terra através do capacitor CB , que opera aproximadamente
como um curto-circuito na faixa de frequências do sinal vs . Portanto, o circuito da Fig. III.74 está
efetivamente na configuração base comum.

Capı́tulo III 97
VCC
R
R1 C
v
C
Q1 R
C R
R2
R v
Figura III.74: Circuito prático de um amplificador em base comum, empregando o esquema de

polarização com divisor resistivo.
O circuito equivalente para pequenos sinais do amplificador da Fig. III.74 é apresentado na Fig.
III.75, onde novamente adotamos o modelo T para descrever o comportamento do transistor para
pequenos sinais. Perceba que os resistores de polarização da base R1 e R2 foram omitidos na Fig.
III.75, pois eles não terão nenhuma influência no comportamento deste amplificador para pequenos
sinais. Isso acontece porque ao zerar a fonte de polarização VCC e considerar CB como curto-circuito
na análise de pequenos sinais, ambos R1 e R2 estarão com seus dois terminais conectados à terra.
Assim, não haverá circulação de corrente por eles, o que não produzirá nenhum efeito elétrico no
circuito equivalente de pequenos sinais.
RS vbe gm vbe
vo
re ic
vs v RE RC RL
Figura III.75: Circuito equivalente para pequenos sinais do amplificador em base comum da Fig. III.74.
Observação
É muito importante que o leitor tenha em mente que apenas a parcela de pequenos sinais das
correntes em R1 e R2 é nula. Portanto, no circuito completo do amplificador da Fig. III.74, haverá
apenas corrente de polarização circulando pelos resistores R1 e R2 , mesmo quando o sinal vs for
aplicado ao circuito.
No circuito da Fig. III.75, a parcela de pequenos sinais da tensão na saı́da é dada por:
vo = − (gm vbe ) · RC //RL ,
onde a tensão vbe é obtida através do divisor de tensão resistivo formado pela resistência de saı́da
da fonte RS e a associação em paralelo das resistências RE e re :
RE //re
vbe = − vin = − · vs .
RS + RE //re

Capı́tulo III 98
Note que o sinal negativo na expressão acima é consequência da polaridade com que a tensão vbe é
medida, conforme mostrado na própria Fig. III.75.
Assim, combinando essas duas equações, obtemos o ganho de tensão do amplificador da Fig.
III.74 para pequenos sinais:

RE //re
vo = − gm · − · vs · RC //RL
RS + RE //re
vo RE //re
AV = = · gm · RC //RL (III.97)
vs RS + RE //re
Para obter a impedância de entrada do amplificador para pequenos sinais, devemos remover do
circuito a fonte de sinal vs , juntamente com a sua impedância de saı́da RS , o que resulta no esquema
mostrado na Fig. III.76(a). Nesse circuito, a impedância equivalente entre o terminal de entrada do
amplificador e a terra pode ser obtida por simples inspeção, resultando em:
Ri = RE //re (III.98)
vbe gm vbe
vo
re
RE RC RL
Ri
(a)
RS vbe gm vbe
re
RE RC
Ro
(b)
base comum da Fig. III.74.
No caso da impedância de saı́da, o esquema empregado no seu cálculo é apresentado na Fig.

III.76(b). Nesse arranjo, ao zerarmos a fonte de sinal vs , teremos que vbe = 0. Consequentemente,
a fonte de corrente gm vbe também será nula e será equivalente a um circuito aberto. Então, a
impedância equivalente vista entre o terminal de saı́da e a terra será:
Ro = RC . (III.99)
Exemplo iii.17
Calcule o ganho de tensão e as impedâncias de entrada e de saı́da do amplificador em base comum

apresentado na figura abaixo. Considere que o transistor Q1 apresenta parâmetro β = 100 e tensão térmica
vT = 25 mV.

Capı́tulo III 99
VCC = 9,0 V
R
R1 1,5 k
31 k v
R
Q1 10 k
R
R2
14 k R 50
1,0 k
v
Solução:
O circuito de polarização do amplificador em base comum apresentado acima é exatamente o mesmo

adotado na polarização do amplificador em emissor comum no Exemplo III.15. Portanto, a corrente de
polarização DC no transistor Q1 também será:
IC = 2 mA
Uma vez obtida a corrente de polarização DC no transistor, passamos à análise do amplificador para
IC 2 α 0,99
gm = = = 80 mA/V e re = = = 12,4 Ω
vT 0,025 gm 80
RE //re
AV = · gm · RC //RL = 20,5 V/V
RS + RE //re
Finalmente, a partir das expressões (III.98) e (III.99) para as impedâncias de entrada e de saı́da, res-
pectivamente, obteremos:
Ri = RE //re = 12,2 Ω
Ro = RC = 1,5 kΩ
De acordo com os resultados acima, o leitor pode perceber que o ganho de tensão deste amplificador ficou
bem abaixo daquele verificado para o circuito do Exemplo III.16. Isso aconteceu porque a impedância de
entrada do amplificador é significativamente menor que a impedância de saı́da RS da fonte de sinal. Assim,
o divisor de tensão resistivo formado por Ri = RE //re e RS provoca uma grande atenuação de sinal logo na
entrada do amplificador, pois:
RE //re
vbe = · vs ∴ vbe = 0,196 vs
RS + RE //re
Portanto, a baixı́ssima impedância de entrada da configuração base comum tem a grande desvantagem de
reduzir significativamente o ganho de tensão que efetivamente é alcançado com o amplificador. Por essa
razão, amplificadores em base comum não devem ser utilizados em projetos em que a fonte de sinal não
apresente uma impedância de saı́da RS igualmente baixa.

Capı́tulo III 100
Observação
A baixa impedância de entrada da configuração base comum nem sempre é uma desvantagem.
Dependendo da aplicação, essa caracterı́stica é até desejável. Um exemplo disso é ilustrado na figura
a seguir, onde temos um sistema de transmissão em que o sinal produzido pelo transmissor TX é
enviado ao receptor através de um cabo coaxial, cuja impedância caracterı́stica é ZL = 50 Ω —
cabos normalmente apresentam uma impedância caracterı́stica da ordem de dezenas a até centenas
de ohms.
Transmissor Amplificador
Cabo Coaxial (ZL = 50 )
TX AV vo
R o = 50 R i = 50
Nesse sistema de comunicação, sinais de altas frequências se comportam como ondas de tensão e
de corrente ao longo do cabo. Assim, para evitar que ocorra reflexão de sinal e garantir que toda
potência de sinal seja entregue ao receptor, o amplificador conectado ao cabo deve obrigatoriamente
apresentar uma impedância de entrada Ri igual à impedância caracterı́stica do cabo. Como a impe-
dância caracterı́stica do cabo é baixa, a configuração mais adequada para construir o amplificador
do receptor seria aquela com base comum.
III.8.5 - Amplificador em Coletor Comum

Na Fig. III.77(a) é apresentado o circuito de um amplificador em que o sinal de entrada vin é
aplicado à base do transistor e a saı́da vo é tomada no terminal de emissor. Diferentemente das
configurações anteriores, neste amplificador a tensão de saı́da vo é produzida no resistor RE ao
receber a corrente de emissor. Na análise de pequenos sinais desse circuito, a fonte de polarização
VCC será zerada e o terminal de coletor ficará, então, conectado à terra, que é o terminal comum
entre a entrada e a saı́da. Por essa razão, esta configuração é denominada amplificador em coletor
comum.
VCC
vin ib
r ib
Q1
vin vo vo
VB ( +1) ib
RE RE
(a) (b)
Figura III.77: Circuito básico de um amplificador em coletor comum (a) e seu circuito equivalente para
pequenos sinais (b).
A análise de pequenos sinais do amplificador em coletor comum da Fig. III.77(a) também é

realizada aplicando-se apenas a fonte de sinal vin e zerando-se as fontes de polarização VCC e VB .
Assim, o circuito equivalente para pequenos sinais desse amplificador ficará conforme mostrado na

Capı́tulo III 101
Fig. III.77(b). Note que nesse circuito equivalente, o modelo adotado para descrever o comporta-
mento do transistor para pequenos sinais é a variante do modelo π-hı́brido apresentada anteriormente
na Fig. III.42(b). A razão para o uso desse modelo é o fato de ele simplificar os cálculos na análise
dessa configuração de amplificador.
No circuito equivalente para pequenos sinais da Fig. III.77(b), a tensão na saı́da pode ser expressa
da seguinte forma:
vo = (β + 1) ib · RE
Analogamente, podemos escrever que a tensão de sinal na entrada é:
vin = rπ ib + (β + 1) ib · RE
Portanto, o ganho de tensão para pequenos sinais do amplificador em coletor comum será:
vo (β + 1) ib · RE
AV = =
vin rπ ib + (β + 1) ib · RE
(β + 1) RE
AV = (III.100)
rπ + (β + 1) RE
A caracterı́stica mais relevante da expressão (III.100) é o fato de que o amplificador em coletor
comum apresenta um ganho de tensão AV < 1, ou seja, essa configuração não produz na saı́da vo um
sinal com amplitude maior que o da entrada vin . Tipicamente, temos que (β + 1) RE rπ , fazendo
com que os amplificadores em coletor comum apresentem um ganho AV ≈ 1. Por essa razão, esse
amplificador também é conhecido como seguidor de emissor, pois a tensão de emissor segue a tensão
na entrada.
A grande vantagem da configuração em coletor comum está associada às suas impedâncias de
entrada e de saı́da. Na Fig. III.78(a) está ilustrado o esquema para a obtenção da impedância de
entrada Ri do amplificador. Diferentemente das configurações anteriores, a impedância de entrada
no esquema da Fig. III.78(a) não pode ser obtida diretamente por inspeção do circuito — a não
ser que o leitor use a propriedade de reflexão de impedância que será estudada mais adiante. Dessa
forma, o cálculo é realizado aplicando uma fonte de sinal de teste vt à entrada do circuito e calculando
a corrente it entregue por ela. Finalmente, a impedância de entrada é obtida fazendo-se Ri = vt /it .
No esquema da Fig. III.78(a), temos que it = ib . Assim, podemos escrever que:
vt = rπ ib + (β + 1) ib · RE = (rπ + (β + 1) RE ) · it
it
vt ib ib
r ib r ib
it
Ri vo
( +1) ib
RE RE vt
Ro
(a) (b)
do amplificador em coletor comum da Fig. III.77.

Capı́tulo III 102
Dessa forma, a impedância de entrada do amplificador da Fig. III.77 é dada por:
vt
Ri = = rπ + (β + 1) RE (III.101)
it
Tipicamente, o valor da parcela (β + 1) RE é bem grande, em virtude dos elevados valores que
o parâmetro β pode assumir. Consequentemente, a configuração em coletor comum normalmente
apresenta uma alta impedância de entrada.
No caso da impedância de saı́da, o esquema para o seu cálculo é apresentado na Fig. III.78(b).
Nesse esquema, a fonte de sinal na entrada vin foi devidamente zerada e uma fonte de teste vt foi
conectada ao terminal de saı́da em virtude da dificuldade de se obter a impedância de saı́da por
simples inspeção. Escrevendo a equação de corrente do nó de emissor, obtemos:
vt vt
it = − ib − β i b = − (β + 1) ib
RE RE
Como no circuito da Fig. III.78(b) temos que ib = − vt /rπ ; então, a equação nodal acima pode ser
reescrita da seguinte forma:
vt vt
it = + (β + 1)
RE rπ
A partir desse resultado, concluı́mos que a impedância de saı́da do amplificador em coletor comum
será: −1
vt 1 (β + 1) rπ
Ro = = + = RE // (III.102)
it RE rπ (β + 1)
Se o leitor recordar que:
rπ β 1 α
= · = = re
(β + 1) (β + 1) gm gm
Então, podemos reescrever (III.102) da seguinte forma equivalente:
Ro = RE //re (III.103)
Como já vimos que a resistência equivalente de pequenos sinais re tipicamente assume valores bem
baixos, podemos concluir que os amplificadores em coletor comum têm a vantagem de apresentar
impedâncias de saı́da bem mais baixas que aquelas verificadas nas duas configurações estudadas
anteriormente.
Propriedade de Reflexão de Impedância
Os resultados obtidos na análise de pequenos sinais do amplificador da Fig. III.77 exibem uma
propriedade da operação dos transistores bipolares para pequenos sinais que não é exclusiva da
configuração em coletor comum. Essa propriedade é conhecida como reflexão de impedância, e
pode ser empregada para simplificar consideravelmente a análise de pequenos sinais de circuitos
amplificadores contendo transistores bipolares.
A propriedade de reflexão de impedância é uma consequência do fato de que a corrente de emissor
em um transistor bipolar no modo ativo é igual à corrente de base multiplicada pelo ganho (β + 1).
No circuito da Fig. III.78(a), por exemplo, a fonte de teste vt está na mesma malha que os resistores
rπ , conduzindo uma corrente ib , e RE , conduzindo uma corrente (β + 1) ib . Do ponto de vista da
fonte vt , o circuito da Fig. III.78(a) é equivalente ao circuito da Fig. III.79(a), onde essa fonte
aparece em série com os resistores rπ e (β + 1) RE . Note que a impedância equivalente vista pela
fonte vt na Fig. III.79(a) é exatamente igual à impedância de entrada (III.101) obtida para o circuito
da Fig. III.78(a). Ou seja, o ganho de corrente do transistor bipolar faz com que a resistência RE no

Capı́tulo III 103
it
r
vt r ( +1)
it
Ri
( +1)RE RE vt
Ro
(a) (b)
Figura III.79: Propriedade de Reflexão de Impedância do transistor bipolar quando obtemos a

impedância equivalente vista a partir do terminal da base (a) e do terminal de emissor (b).
emissor seja “vista” pela fonte vt como se fosse uma resistência equivalente (β + 1) vezes maior. Essa
equivalência acontece porque uma resistência RE conduzindo uma corrente (β + 1) ib apresentará a
mesma tensão, ou seja, terá o mesmo efeito que uma resistência (β + 1) RE conduzindo uma corrente
elétrica ib .
O resultado acima pode ser generalizado para o caso em que temos uma rede elétrica conectada
ao nó de emissor, ao invés de apenas um único resistor RE . Nesse caso, toda a rede conectada
ao emissor será refletida para o circuito da base com todas as suas impedâncias multiplicadas pelo
mesmo fator (β + 1).
Um efeito análogo acontece quando precisamos obter a resistência equivalente vista do terminal
de emissor, como no cálculo da impedância de saı́da Ro ilustrado na Fig. III.78(b). Nesse caso, a
tensão sobre a resistência rπ conduzindo uma corrente ib = ie /(β + 1) pode ser igualmente obtida
se considerarmos uma resistência equivalente rπ /(β + 1) conduzindo a corrente de emissor ie . Como
a impedância de saı́da Ro é afetada diretamente pela corrente de emissor ie , o esquema da Fig.
III.78(b) pode ser substituı́do pelo circuito equivalente da Fig. III.79(b) para facilitar o cálculo de
Ro . Note que a resistência de saı́da Ro obtida diretamente por inspeção do circuito da Fig. III.79(b)
é exatamente igual àquela obtida em (III.102).
Novamente, esse resultado pode ser generalizado para o caso em que temos uma rede elétrica
conectada ao nó de base. Nesse caso, toda a rede conectada à base será refletida para o circuito de
emissor com todas as suas impedâncias divididas pelo mesmo fator (β + 1), incluindo a resistência
rπ . Neste ponto, o leitor mais atento já deve ter percebido que a resistência de pequenos sinais
re = rπ /(β + 1) corresponde ao efeito da resistência de base rπ refletida para o circuito de emissor.
Exemplo iii.18
Considere que o amplificador da Fig. III.77(a) foi construı́do com VCC = 9,0 V, RE = 2,5 kΩ e um
Solução:
Como o transistor Q1 está polarizado com IC = 2,0 mA, teremos que os seus parâmetros de pequenos

Capı́tulo III 104
sinais serão dados por:
IC 2 β 100
gm = = = 80 mA/V e rπ = = = 1,25 kΩ
vT 0,025 gm 80
(β + 1) RE
AV = = 0,995 V/V.
rπ + (β + 1) RE
Note que o ganho de tensão obtido é praticamente unitário, fazendo com que a amplitude do sinal na saı́da
vo seja praticamente igual à amplitude do sinal de entrada vin .

rπ
Ri = rπ + (β + 1) RE = 253,75 kΩ e Ro = RE // = 12,3 Ω.
(β + 1)
Se compararmos esses resultados com aqueles obtidos nos Exemplos III.14 e III.16, verificaremos que a
configuração em coletor comum é a que apresenta a maior impedância de entrada e a menor impedância de
saı́da.
Assim como foi feito na apresentação das duas configurações anteriores, o amplificador da Fig.
III.77 possui apenas propósitos didáticos. Uma possı́vel realização prática de um amplificador em
coletor comum é mostrada na Fig. III.80, o qual também emprega o esquema de polarização com
divisor resistivo.
VCC
R1
R C
Q1
v
v
R2
R C R
Figura III.80: Circuito prático de um amplificador em coletor comum, empregando o esquema de

polarização com divisor resistivo.
No amplificador da Fig. III.80, o sinal de entrada da fonte vs é aplicado ao terminal de base

através do capacitor de acoplamento CB e a carga RL é conectada à saı́da através de CE . Como a
tensão de alimentação VCC será zerada na análise de pequenos sinais, o terminal de coletor estará,
então, conectado à terra. Portanto, o circuito da Fig. III.80 está efetivamente na configuração
coletor comum.
O circuito equivalente para pequenos sinais do amplificador da Fig. III.80 é apresentado na Fig.
III.81. Devido à complexidade desse circuito, vamos aqui calcular primeiramente o ganho de tensão
vin /vs e depois obter o ganho vo /vin . Assim, o ganho de tensão global vo /vs será obtido através
do produto desses dois ganhos. A relação entre as tensões vs e vin pode ser obtida diretamente da

Capı́tulo III 105
R vin
ib
v R1 R2 r ib
vo
RE RL
Figura III.81: Circuito equivalente para pequenos sinais do amplificador em coletor comum da Fig.
III.80.
equação nodal no terminal de base do transistor:
vin − vs vin vin

+ + + ib = 0
RS R1 R2
No próprio circuito na Fig. III.81, também temos que:
vin
vin = rπ ib + (β + 1) ib RE //RL ∴ ib = (III.104)
rπ + (β + 1) RE //RL
Assim, podemos reescrever a equação nodal acima da seguinte maneira:
vin − vs vin vin vin

+ + + =0
RS R1 R2 rπ + (β + 1) RE //RL

1 1 1 1 vs
vin + + + =
RS R1 R2 rπ + (β + 1) RE //RL RS

1 1 1
vin 1 + RS + + = vs
R1 R2 rπ + (β + 1) RE //RL

1
vin 1 + RS · = vs
R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )
De onde obteremos a seguinte expressão para o ganho:
vin R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )

= (III.105)
vs RS + R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )
No que diz respeito à tensão na saı́da, no circuito da Fig. III.81 temos que vo = (β +1) ib RE//RL .
Assim, lembrando que a tensão vin é dada por (III.104), podemos escrever que:
vo (β + 1) ib RE //RL (β + 1) RE //RL
= = (III.106)
vin rπ ib + (β + 1) ib RE //RL rπ + (β + 1) RE //RL
Finalmente, combinando as expressões (III.105) e (III.106), teremos que o ganho de tensão global
do amplificador da Fig. III.81 será:
vo vin vo R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL ) (β + 1) RE //RL

AV = = · = · (III.107)
vs vs vin RS + R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL ) rπ + (β + 1) RE //RL
Note que a caracterı́stica de que AV < 1 em um amplificador em coletor comum é mantida na

expressão (III.107). No entanto, tipicamente teremos um ganho de tensão bem próximo da unidade,
pois (β + 1) RE //RL rπ e R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL ) RS .

Capı́tulo III 106
Observação
O ganho de tensão do amplificador em coletor comum da Fig. III.80 também pode ser calculado
usando a propriedade da reflexão de impedância discutida anteriormente. Inclusive, essa propriedade
torna a obtenção da expressão (III.107) muito mais simples.
No circuito equivalente de pequenos sinais da Fig. III.81, podemos refletir os resistores RE e RL
para o circuito da base multiplicando-os pelo fator (β + 1). Assim, obteremos o circuito apresentado
abaixo, que é equivalente ao da Fig. III.81.
R vin
ib
v R1 R2 r
vo
( +1) RE RL
A partir do circuito equivalente acima, podemos obter o ganho vo /vin simplesmente a partir do
divisor de tensão resistivo formado por rπ e (β + 1) RE // RL , levando diretamente ao resultado
apresentado em (III.106).
Já o ganho vin /vs pode ser obtido diretamente a partir do divisor de tensão resistivo formado por
RS e a associação R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL ), obtendo-se a mesma expressão dada em (III.105).
Para calcular a impedância de entrada do amplificador em coletor comum da Fig. III.80, usamos
o esquema apresentado na Fig. III.82(a). Nesse esquema, a fonte de sinal vs e a sua respectiva
impedância de saı́da RS são removidas do circuito e a fonte de teste vt é aplicada diretamente à
entrada do circuito equivalente de pequenos sinais. Escrevendo a equação do nó de entrada para
esse circuito, teremos:
vt vt
−it + + + ib = 0
R1 R2
Sabendo que vt = rπ ib + (β + 1) ib RE // RL no circuito da Fig. III.82(a), podemos reescrever a
equação nodal acima da seguinte forma:
vt vt vt
−it + + + =0
R1 R2 rπ + (β + 1) RE //RL

1 1 1
vt + + = it
R1 R2 rπ + (β + 1) RE //RL
vt
= it
R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )
Assim, a impedância de entrada do amplificador será dada por:
vt
Ri = = R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL ) (III.108)
it
Para obter a impedância de saı́da do amplificador, usamos o esquema ilustrado na Fig. III.82(b).
Nele a fonte de sinal vs foi zerada, a carga RL foi removida do circuito e uma fonte de teste vt foi
aplicada ao terminal de saı́da do amplificador. Então, podemos escrever a equação de corrente do

Capı́tulo III 107
it
ib
vt R1 R2 r ib
Ri vo
RE RL
(a)
ib
R1 R2 r ib
it
RE vt
Ro
(b)
coletor comum da Fig. III.80.
nó de saı́da da seguinte forma:

vt
−it + − ib − β ib = 0
RE
vt
−it + − (β + 1) ib = 0
RE
Sabendo que a corrente de base é dada por ib = −vt /(rπ + RS // R1 // R2 ), podemos reescrever a
equação nodal acima da seguinte forma:
vt vt
−it + + (β + 1) · =0
RE rπ + RS //R1 //R2

1 (β + 1)
vt + = it
RE rπ + RS //R1 //R2
vt
! = it
rπ + RS //R1 //R2
RE //
(β + 1)
Portanto, a impedância de saı́da do amplificador em coletor comum da Fig. III.80 será dada por:
!
vt rπ + RS //R1 //R2
Ro = = RE // (III.109)
it (β + 1)
A partir do resultado apresentado em (III.109), notamos que a caracterı́stica de baixa impedância

de saı́da do amplificador em coletor comum é preservada, pois o termo (rπ + RS //R1 //R2 )/(β + 1)
assume, tipicamente, valores de resistência significativamente baixos.

Capı́tulo III 108
Observação
As impedâncias de entrada e de saı́da do amplificador em coletor comum da Fig. III.80 podem

ser obtidas diretamente por inspeção do circuito equivalente para pequenos sinais se utilizarmos a
propriedade de reflexão de impedância.
No esquema da Fig. III.82(a), se refletirmos RE // RL para o circuito da base, multiplicando essa
resistência pelo fator (β + 1), obteremos o circuito equivalente ilustrado abaixo. Nesse esquema,
podemos obter a impedância de entrada (III.108) diretamente por inspeção do circuito.
it
ib
vt R1 R2 r
Ri
( +1)RE RL
Já no esquema da Fig. III.82(b), se refletirmos o conjunto RS //R1 //R2 e o resistor rπ para o circuito
de emissor, dividindo-os pelo fator (β + 1), obteremos o circuito equivalente ilustrado abaixo. Nesse
esquema, também podemos obter a impedância de entrada (III.109) diretamente por inspeção do
circuito.
R R1 R2 r
( +1) ( +1) it
RE vt
Ro
Exemplo iii.19
Calcule o ganho de tensão e as impedâncias de entrada e de saı́da do amplificador em coletor comum

apresentado na figura abaixo. Considere que o transistor Q1 apresenta β = 100 e vT = 25 mV.
VCC = 9,0 V
R1
R 15 k
1,0 k
Q1
v
v R2
30 k R R
2,5 k 1,0 k

Capı́tulo III 109
Solução:
O primeiro passo é o cálculo da corrente de polarização DC do transistor Q1 . Na figura a seguir, temos o

circuito equivalente do amplificador para a polarização DC. A análise desse circuito será realizada usando a
mesma estratégia do Exemplo III.3, onde o circuito de polarização da base é substituı́do pelo seu equivalente
de Thévenin:
R2
VT H = · VCC = 6,0 V e RT H = R1 //R2 = 10 kΩ
R1 + R2
VCC = 9,0 V
VCC = 9,0 V
IC
R1
15 k
R TH
10 k
Q1 Q1
VTH
R2 6,0 V 1
30 k R R
2,5 k 2,5 k
Assim, empregando o modelo DC do transistor bipolar no modo ativo, podemos escrever a equação da
malha ¬:
VT H − RT H IB − VBE − RE IE = 0
VT H − RT H IB − VBE − RE (β + 1)IB = 0
VT H − VBE 6,0 − 0,6
IB = = ≈ 0,02 mA
RT H + RE (β + 1) 10 + 101 · 2,5
Consequentemente, teremos:
IC = β IB = 2 mA
Uma vez calculada a corrente de polarização DC no transistor, passamos à análise do amplificador para
IC 2 β 100
gm = = = 80 mA/V e rπ = = = 1,25 kΩ
vT 0,025 gm 80
R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL ) (β + 1) RE //RL

AV = · = 0,883 V/V
RS + R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL ) rπ + (β + 1) RE //RL
Finalmente, a partir das expressões (III.108) e (III.109) para as impedâncias de entrada e de saı́da,
respectivamente, obteremos:
Ri = R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL ) = 8,8 kΩ

 
rπ + RS //R1 //R2
Ro = RE //   = 21,2 Ω
(β + 1)
Se compararmos esses resultados com aqueles obtidos no Exemplo III.18, verificaremos que a impedância
de entrada obtida aqui é significativamente menor. Isso acontece em virtude da presença dos resistores de
polarização da base R1 e R2 , que entram em paralelo com a resistência equivalente rπ + (β + 1) RE //RL
na expressão (III.108). Como as resistências R1 e R2 tipicamente assumem valores bem menores que
rπ + (β + 1) RE // RL , teremos uma significativa redução na impedância de entrada ao empregarmos um
divisor resistivo para polarizar a base do transistor.
Uma consequência dessa impedância de entrada mais baixa é o menor ganho de tensão que o amplificador

Capı́tulo III 110
em coletor comum deste exemplo apresentou em comparação com o circuito do Exemplo III.18. Isso acontece
por causa da atenuação de sinal na entrada, provocada pelo divisor resistivo formado pela resistência RS da
fonte de sinal e a impedância de entrada Ri , conforme o leitor pode observar na equação (III.105) para o
ganho vin /vs .
Mesmo assim, se compararmos os resultados obtidos neste exemplo com aqueles obtidos nos Exemplos
III.15 e III.17, chegaremos à conclusão de que a configuração em coletor comum apresenta a maior impedância
de entrada e a menor impedância de saı́da entre todas as configurações de amplificador com transistor bipolar.
Observação
Neste ponto, o leitor deve estar se perguntando sobre qual seria a utilidade de um amplificador com
ganho de tensão menor que a unidade. No caso do amplificador em coletor comum estudado nesta
seção, podemos citar algumas utilidades:
A primeira utilidade está relacionada ao fato de que o ganho de corrente de um amplificador em

coletor comum é bastante alto, pois a entrada é aplicada ao terminal de base e a saı́da é tomada no
emissor. É justamente por causa desse elevado ganho de corrente e da sua baixı́ssima impedância de
saı́da que a configuração em coletor comum é amplamente empregada na construção de amplificadores
de potência usados para aplicar sinal de áudio em auto-falantes.
A segunda utilidade é a construção de amplificadores com baixa impedância de saı́da. Como as

configurações em emissor comum e em base comum apresentam impedâncias de saı́da elevadas, é
necessário conectar um estágio em coletor comum em cascata na saı́da de modo a se obter um
amplificador com alto ganho e baixa impedância de saı́da.
Finalmente, uma terceira utilidade do amplificador em coletor

comum é a possibilidade de empregá-lo como buffer, em virtude
R
da sua alta impedância de entrada e da sua baixa impedância
1,0 k
de saı́da. No circuito do Exemplo III.19, o amplificador em v
coletor comum pode ser interpretado como sendo um buffer
utilizado para acoplar a fonte de sinal — formada por vs e RS v R
1,0 k
— à carga RL . Caso o buffer não fosse utilizado e a carga fosse
conectada diretamente à fonte de sinal, nós terı́amos o circuito
ao lado, onde o ganho de tensão vo /vs seria consideravelmente
menor:
vo RL
= = 0,5 V/V
vs RS + RL
III.8.6 - Limites de Excursão de Sinal na Saı́da do Amplificador

Até este ponto, o estudo das configurações básicas de amplificadores com o transistor bipolar se
limitou ao comportamento do circuito para pequenos sinais, em que o transistor pode ser aproximado
pelo seu modelo linearizado. As principais vantagens da operação com pequenos sinais são a baixa
distorção introduzida pelo transistor no sinal amplificado e o fato de podermos usar a superposição
para separar as análises de polarização e de sinais.
No entanto, o transistor bipolar irá funcionar como um elemento amplificador razoavelmente
linear apenas enquanto ele estiver operando no modo ativo. Caso o sinal aplicado à entrada do am-
plificador seja grande o suficiente para levar o transistor a operar no modo de corte ou de saturação,

Capı́tulo III 111
o sinal na saı́da será distorcido e não preservará a mesma forma de onda que o sinal de entrada.
Esse problema foi introduzido na Seção III.7 e está ilustrado na Fig. III.83 para o circuito básico
do amplificador em emissor comum.
vo
VCC vo
V
vomax
RC Q
V
vo vomin
V
Q1 v
V
vin
VBE vin
(a) (b)
Figura III.83: No circuito básico do amplificador em emissor comum (a) o sinal na saı́da vo será
consideravelmente distorcido caso o transistor saia do modo ativo durante a sua operação (b).
Ao desenvolver o projeto de um amplificador, o projetista deve garantir que os transistores não

deixem de operar no modo ativo durante toda a excursão do sinal na saı́da. Para conseguir isso,
o projeto deve especificar qual a máxima amplitude de sinal desejada na saı́da do amplificador e
o projetista, por sua vez, deve ser capaz de expressar matematicamente os limites de excursão de
sinal na saı́da em função dos parâmetros do circuito. Portanto, o objetivo desta seção é mostrar ao
leitor como calcular os limites de excursão de sinal que um amplificador pode apresentar na saı́da
sem que o transistor deixe de operar no modo ativo.
Como estamos interessados em obter a amplitude do sinal na saı́da em que o transistor deixa de
operar de forma aproximadamente linear, esse cálculo não pode ser realizado usando a superposição
para separar as parcelas de polarização e de pequenos sinais, pois essa propriedade é exclusiva de
circuitos lineares. Por essa razão, as análises apresentadas nesta seção levarão em conta polarização
e sinais atuando ao mesmo tempo sobre o circuito amplificador.
No amplificador em emissor comum da Fig. III.83, a tensão na saı́da vO é composta pela tensão
de polarização no coletor VC e pela parcela de sinal vo , onde vO = VC + vo . No semiciclo positivo
do sinal senoidal vo , a diferença de tensão sobre o resistor RC vai diminuindo à medida que a tensão
no coletor vai aumentando. Essa redução na tensão sobre o resistor RC faz com que a corrente total
no coletor também seja progressivamente reduzida. Entretanto, a corrente no coletor de Q1 não
pode ser reduzida indefinidamente. Caso a tensão na saı́da vO seja grande o suficiente para zerar a
corrente de coletor, o transistor entrará em corte, conforme ilustrado na Fig. III.83. Dessa forma,
a máxima excursão positiva de sinal na saı́da que faz com que o transistor entre no modo de corte
é dada pela tensão vomax em que a corrente total no coletor de Q1 é:
VCC − vO
iC = 0 ∴ =0
RC
Assim, quando o transistor entrar em corte, teremos que:
VCC − (VC + vomax )

=0
RC

Capı́tulo III 112
vomax = VCC − VC (III.110)
Portanto, a máxima parcela positiva de sinal permitida na saı́da é igual à diferença entre as tensões
de polarização VCC e VC .
Já no semiciclo negativo da parcela de sinal vo , é a tensão vCE entre os terminais de coletor e
emissor que vai diminuindo à medida que a tensão total no coletor é reduzida abaixo da polarização
VC . O limite para essa redução acontece quando vCE = 0,2 V e o transistor entra no modo de
saturação. A partir desse ponto, o sinal na saı́da também será distorcido, conforme ilustrado na
Fig. III.83. Dessa forma, a mı́nima excursão negativa de sinal na saı́da que faz com que o transistor
entre no modo de saturação é dada pela tensão vomin em que:
vCE = VCEsat ∴ vO − vE = 0,2 V
Nessa equação temos que vO = VC + vomin e que vE = VE 4 , pois não há tensão de sinal no emissor
de um amplificador em emissor comum. Então, quando o transistor entrar no modo de saturação
teremos que:
(VC + vomin ) − VE = 0,2
vomin = − (VC − VE − 0,2)
vomin = − (VCE − 0,2) (III.111)
Portanto, a mı́nima parcela negativa de sinal permitida na saı́da depende diretamente da diferença
entre as tensões de polarização nos terminais de coletor e emissor do transistor.
Tipicamente, os sinais processados pelos amplificadores apresentam excursões positiva e negativa
iguais em módulo — ou seja, os sinais apresentam excursão simétrica. Portanto, a prática usual no
projeto de amplificadores é dimensionar o circuito de modo que:
vomax = |vomin |
No caso do amplificador em emissor comum da Fig. III.83, seria recomendável polarizar o circuito
de maneira que:
VCC − VC = (VC − VE ) − 0,2
VCC + VE + 0,2 = 2 VC
Como no circuito da Fig. III.83 temos que VE = 0, podemos escrever que:
VCC + 0,2
VC =
2
Isso significa que, para obter limites excursão de sinal simétricos na saı́da do amplificador, devemos
estabelecer a tensão de polarização de coletor VC no ponto médio entre VCC e VCEsat = 0,2 V. Essa
situação também está ilustrada na Fig. III.83.
Finalmente, devemos mencionar que a metodologia apresentada aqui para obter os limites de
excursão de sinal na saı́da do circuito básico da Fig. III.83 também pode ser adotada para calcular-
mos os limites de excursão na saı́da de outros amplificadores. A seguir será mostrado como calcular
os limites de excursão para um amplificador em emissor comum prático e também para as demais
configurações de amplificador que empregam o transistor bipolar.
4 No circuito da Fig. III.83, temos que V = 0. Entretanto, essa relação não é válida para todos os amplificadores
E
em emissor comum. Assim, para tornar mais gerais os resultados apresentados aqui, vamos representar a tensão de
polarização no emissor simplesmente por VE .

Capı́tulo III 113
Limites de Excursão do Amplificador em Emissor Comum
Na Fig. III.84 é apresentado o mesmo amplificador na configuração emissor comum estudado na

Seção III.8.3, onde o transistor Q1 foi polarizado usando o esquema do divisor de tensão resistivo.
Nessa figura também são exibidas as formas de onda das tensões medidas nos terminais de coletor
(vC ) e emissor (vE ) do transistor Q1 e na saı́da (vo ) do amplificador. Essas formas de onda mostram
o que aconteceria se um sinal senoidal vs fosse aplicado à entrada do amplificador com amplitude
grande o suficiente para levar o transistor Q1 a operar nos modos de corte e de saturação durante
alguns trechos do perı́odo da senoide.
vC
VCC
VC
t
R iRC
R1 v
vC v v
R iC
R iL 0 t
Q1
vE v
v
R2 vE
R
VE
t
Figura III.84: Amplificador em emissor comum com o sinal na saı́da vo atingindo os limites de excursão
de sinal vomax e vomin em que o transistor bipolar entra em corte e em saturação, respectivamente.
Observe que o gráfico da tensão vE no terminal de emissor é constante. Isso é uma consequência
do capacitor de bypass conectado a esse terminal, que é o responsável por anular a parcela de sinal
nesse nó do circuito — pois o capacitor opera como um curto-circuito para a terra na faixa de
frequências do sinal. Assim, a tensão no terminal de emissor apresenta apenas a sua parcela de
polarização DC, ou seja, vE = VE .
Por outro lado, a Fig. III.84 mostra que a forma de onda da tensão vC no coletor do transistor é
composta pelas suas parcelas de polarização e de sinal. Como o capacitor de acoplamento conectado
à saı́da do amplificador opera como um curto-circuito para a faixa de frequências do sinal, temos
que a parcela de sinal em vC é igual à forma de onda da tensão na saı́da vo . Entretanto, como o
capacitor de acoplamento atua como um circuito aberto para a parcela de polarização, a forma de
onda da tensão na saı́da não apresenta nenhuma parcela DC. Desse modo, temos que vC = VC + vo .
Para analisar o comportamento do circuito da Fig. III.84, vamos considerar que inicialmente a
tensão de sinal na saı́da é vo = 0. Dessa forma, a corrente na carga será iL = 0 e a corrente de
coletor iC será composta apenas pela parcela de polarização IC . Consequentemente, a corrente que
circula pelo resistor RC será inicialmente iRC = iC = IC .
Quando o sinal na saı́da vo começa a crescer, durante o seu semiciclo positivo, a tensão no coletor
vC também cresce, provocando uma progressiva redução na corrente que circula pelo resistor RC ,
pois iRC = (VCC − vC )/RC . Por outro lado, conforme a tensão de sinal vo vai crescendo, a corrente
drenada pela carga RL também vai aumentando, pois iL = vo /RL . Então, em virtude da diminuição
de iRC e do aumento de iL , a corrente no coletor iC = iRC − iL vai progressivamente decrescendo
conforme a tensão de sinal vo vai aumentando. Essa situação só pode ser mantida enquanto iRC > iL ,
pois quando a corrente iL atingir o mesmo valor que iRC , teremos iC = iRC − iL = 0 e o transistor
entrará em corte.

Capı́tulo III 114
Portanto, quando a tensão de sinal na saı́da atingir o seu valor máximo positivo vomax em que
o transistor entra no modo de corte, nós teremos que:
iC = 0
iRC − iL = 0
VCC − vC vomax
− =0
RC RL
Como a tensão no coletor é dada por vC = VC + vo , quando a tensão na saı́da atingir seu limite
máximo positivo, teremos que vo = vomax . Assim, podemos reescrever a equação acima da seguinte
forma:
VCC − (VC + vomax ) vomax
− =0
RC RL

VCC − VC 1 1
= vomax · +
RC RC RL
Com o objetivo de tornar a expressão acima mais concisa, podemos usar o fato de que a corrente
de polarização DC no coletor do transistor é IC = (VCC − VC )/RC . Assim, a expressão acima pode
ser reescrita como:
vomax
IC =
RC //RL
Dessa forma, o limite máximo de excursão positiva para o sinal na saı́da do amplificador em emissor
comum da Fig. III.84 será:
vomax = RC //RL · IC (III.112)
Observe que a resistência de carga afeta o limite de excursão de sinal do amplificador, pois a
corrente iL drenada pela carga contribui para a redução da corrente que vai para o coletor de Q1 ,
aproximando-o da operação no modo de corte. É também muito importante notar que quanto menor
for a resistência de carga RL , maior será a corrente que ela drenará do circuito e, consequentemente,
menor será o limite máximo de excursão de sinal do amplificador.
Observação
Caso a saı́da do amplificador da Fig. III.84 estivesse em aberto — o que equivale a RL → ∞ —, o

limite máximo vomax dado em (III.112) passará a ser:
vomax = RC · IC
Como a corrente de polarização no coletor IC = (VCC − VC )/RC , a expressão acima equivale a:
VCC − VC
vomax = RC · = VCC − VC
RC
Portanto, se o amplificador da Fig. III.84 operar sem a carga RL , seu limite máximo de excursão de
sinal será igual àquele obtido em (III.110) para o circuito básico da Fig. III.83.
No circuito da Fig. III.84, quando a tensão vo estiver decrescendo durante o seu semiciclo
negativo, a tensão vC no coletor de Q1 também irá decrescer na mesma proporção. Assim, a tensão
vCE entre os terminais de coletor e emissor também será progressivamente diminuı́da, pois a tensão
vE = VE é mantida constante pelo capacitor de bypass. Essa situação só poderá ser mantida
enquanto o transistor estiver operando no modo ativo, ou seja, enquanto vCE > VCEsat . Quando

Capı́tulo III 115
a tensão vCE atingir o valor de VCEsat = 0,2 V, o transistor entrará no modo de saturação e,
consequentemente, a tensão de sinal vo não poderá continuar decrescendo além desse limite inferior.
Portanto, quando a tensão de sinal na saı́da atingir o seu valor mı́nimo negativo vomin em que
o transistor entra no modo de saturação, nós teremos que:
vCE = VCEsat
vC − vE = VCEsat
(VC + vomin ) − VE = VCEsat
Dessa forma, o limite mı́nimo de excursão negativa para o sinal na saı́da do amplificador em emissor
vomin = − (VCE − VCEsat ) (III.113)
Note que o limite negativo de excursão de sinal não depende da carga RL e é exatamente igual
àquele obtido em (III.111) para o circuito básico do amplificador em emissor comum da Fig. III.83.
Limites de Excursão do Amplificador em Base Comum
Na Fig. III.85 é apresentado o mesmo amplificador na configuração base comum estudado na

Seção III.8.4, juntamente com as formas de onda das tensões medidas nos terminais de coletor (vC )
e emissor (vE ) do transistor Q1 e na saı́da (vo ) do amplificador.
vC
VCC
VC
t
R iRC v
R1 v
vC v
iC 0 t
R iL
Q1 v
R
vE
R2 vE
R v
VE
t
Figura III.85: Amplificador em base comum com o sinal na saı́da vo atingindo os limites de excursão de
sinal vomax e vomin em que o transistor bipolar entra em corte e em saturação, respectivamente.
Diferentemente do que foi verificado na Fig. III.84 para o amplificador em emissor comum, a
tensão vE no nó de emissor do circuito em base comum não é constante, pois o sinal de entrada é
aplicado justamente a esse terminal. Entretanto, devido ao elevado ganho do amplificador em base
comum, a amplitude da parcela de sinal na entrada é tipicamente muito pequena em comparação
com a amplitude do sinal na saı́da e é também muito menor que a parcela VE da polarização DC
no emissor. Dessa forma, podemos considerar que vE ≈ VE e, então, assumir que o amplificador
em base comum se comporta aproximadamente da mesma forma que o seu equivalente em emissor
comum quando os limites de excursão de sinal são atingidos.
Assim, os limites de excursão de sinal do amplificador em base comum da Fig. III.85 serão
aproximadamente iguais aos obtidos em (III.112) e (III.113) para o amplificador em emissor comum.

Capı́tulo III 116
Limites de Excursão do Amplificador em Coletor Comum
Na Fig. III.86 é apresentado o mesmo amplificador na configuração coletor comum estudado na

Seção III.8.5, juntamente com as formas de onda das tensões medidas nos terminais de coletor (vC )
e emissor (vE ) do transistor Q1 e na saı́da (vo ) do amplificador.
VCC vC
VCC
R1 t v
vC v
R
Q1 0 t
vE iE v v
v
R2 iL vE
iRE R R
VE
t
Figura III.86: Amplificador em coletor comum com o sinal na saı́da vo atingindo os limites de excursão
de sinal vomax e vomin em que o transistor bipolar entra em saturação e em corte, respectivamente.
Neste amplificador, a tensão vC no terminal de coletor é constante e igual a VCC , já que este
terminal está conectado diretamente à fonte de polarização do circuito. Por outro lado, a forma de
onda da tensão vE no terminal de emissor é composta pelas suas parcelas de polarização e de sinal.
Como o capacitor de acoplamento conectado à saı́da do amplificador opera como um curto-circuito
para a faixa de frequências do sinal, temos que a parcela de sinal em vE é igual à forma de onda da
tensão na saı́da vo . Desse modo, temos que vE = VE + vo .
Na análise do comportamento do circuito da Fig. III.86 também vamos considerar a condição
inicial em que a tensão de sinal na saı́da é vo = 0. Dessa forma, a corrente na carga será iL = 0
e a corrente de emissor iE será composta apenas pela parcela de polarização IE , resultando em
iRE = iE = IE .
Quando o valor da tensão vo estiver crescendo durante o seu semiciclo positivo, a tensão vE no
emissor de Q1 também irá crescer na mesma proporção. Consequentemente, a tensão vCE = vC −vE
será progressivamente diminuı́da, pois a tensão vC é mantida constante pela fonte de alimentação
VCC . Essa situação só poderá ser mantida enquanto o transistor estiver operando no modo ativo, ou
seja, enquanto vCE > VCEsat . Quando a tensão vCE atingir o valor de VCEsat = 0,2 V, o transistor
entrará no modo de saturação e, consequentemente, a tensão de sinal vo não poderá continuar
aumentando além desse limite inferior.
Portanto, quando a tensão de sinal na saı́da atingir o seu valor máximo positivo vomax em que
o transistor entra no modo de saturação, nós teremos que:
vCE = VCEsat
vC − vE = VCEsat
VCC − (VE + vomax ) = VCEsat
Dessa forma, o limite máximo de excursão positiva para o sinal na saı́da do amplificador em coletor

Capı́tulo III 117
vomax = (VCC − VE ) − VCEsat

(III.114)
= VCE − VCEsat
Já no semiciclo negativo (vo < 0), quando o sinal na saı́da começa a decrescer, a tensão no
emissor vE também decresce na mesma proporção, provocando uma progressiva redução na corrente
que circula pelo resistor RE , pois iRE = vE /RE . Por outro lado, conforme a tensão de sinal vo vai
decrescendo no semiciclo negativo, a corrente drenada pela carga RL se torna negativa — isto é,
inverte o seu sentido em relação ao que está ilustrado na Fig. III.86 — e também vai aumentando em
módulo, pois iL = vo /RL e vo < 0. Então, em virtude da diminuição de iRE e do aumento no módulo
de iL , a corrente no emissor iE = iRE + iL = iRE − |iL | vai progressivamente decrescendo conforme
a tensão de sinal vo vai diminuindo. Essa situação só pode ser mantida enquanto iRE > |iL |, pois
quando |iL | atingir o mesmo valor que iRE , teremos iE = iRE − |iL | = 0 e o transistor entrará em
corte.
Portanto, quando a tensão de sinal na saı́da atingir o seu valor mı́nimo negativo vomin em que
o transistor entra no modo de corte, nós teremos que:
iE = 0
iRE + iL = 0
vE vomin
+ =0
RE RL
Como a tensão no emissor é dada por vE = VE + vo , quando a tensão na saı́da atingir seu limite
mı́nimo negativo, teremos que vo = vomin . Assim, podemos reescrever a equação acima da seguinte
forma:
VE + vomin vomin
+ =0
RE RL

VE 1 1
= − vomin · +
RE RE RL
Para tornar a expressão acima mais concisa, podemos usar o fato de que IE = VE /RE . Assim, a
expressão acima pode ser reescrita como:
vomin
IE = −
RE //RL
Dessa forma, o limite mı́nimo de excursão negativa para o sinal na saı́da do amplificador em coletor
vomin = − RE //RL · IE (III.115)
Tipicamente, em virtude do elevado ganho de corrente dos transistores bipolares, podemos considerar
que IE ≈ IC . Assim, podemos fazer vomin ≈ − RE //RL · IC .
Observe que os mecanismos que limitam a excursão de sinal na saı́da do amplificador em coletor
comum são muito semelhantes àqueles estudados para o amplificador em emissor comum. A principal
diferença está no fato de que no amplificador em coletor comum o transistor satura quando a tensão
na saı́da atinge vomax e entra em corte quando a saı́da chega em vomin , enquanto que no amplificador
em emissor comum a situação é exatamente oposta.

Capı́tulo III 118
Observação
É importante que o leitor tenha em mente que, apesar das diferenças entre as configurações amplifi-
cadoras, as análises apresentadas nesta seção possuem uma caracterı́stica em comum: os limites de
excursão foram definidos como sendo os nı́veis de sinal na saı́da em que o transistor deixa de operar
no modo ativo e passa a operar no modo de corte ou de saturação.
Assim, independentemente da configuração e do circuito amplificador, o limite de excursão de sinal
que corresponde ao transistor entrando no modo de corte é calculado como sendo o nı́vel de sinal na
saı́da em que a corrente total — polarização + sinal — no coletor do transistor seja:
iC = 0.
Já o limite de excursão que corresponde ao transistor entrando no modo de saturação é definido
como sendo o nı́vel de sinal na saı́da em que a diferença de potencial total entre os terminais de
coletor e emissor é:
vCE = VCEsat ,
onde VCEsat = 0,2 V para o transistor NPN e VCEsat = - 0,2 V para o PNP.
Portanto, os limites de excursão de sinal na saı́da de qualquer circuito amplificador construı́do com
transistores bipolares podem ser calculados a partir dessas duas condições.
III.9 - Simulações Spice de Circuitos com Transistor Bipolar
Simulações Spice são uma excelente forma de se prever o comportamento de circuitos com tran-
sistores bipolares, pois os modelos matemáticos empregados para descrever o comportamento do
transistor são bem mais precisos que aqueles adotados nos cálculos realizados à mão. Além disso,
a análise dos resultados obtidos por simulação nos permitirá observar diversos aspectos do compor-
tamento não linear de circuitos com transistores bipolares, que seriam muito difı́ceis de perceber
através das complexas equações exponenciais do Modelo de Ebers-Moll.
III.9.1 - Modelo Spice para o Transistor Bipolar

Na Fig. III.87 é apresentada uma versão simplificada do circuito equivalente utilizado pelos
simuladores Spice para modelar o comportamento fı́sico de um transistor bipolar discreto. O circuito
equivalente empregado para modelar transistores em circuitos integrados inclui também o terminal
de substrato e vários outros parâmetros não mostrados na figura.
No circuito da Fig. III.87, os diodos modelam as junções PN base-coletor e base-emissor do
transistor bipolar. A fonte de corrente ice é calculada através das correntes ibc e ibe , empregando
os ganhos de corrente β e βR do transistor. Além disso, a corrente ice também é calculada levando-
se em consideração o Efeito Early. Os capacitores CBC e CBE representam as capacitâncias não
lineares das junções, as quais foram apresentadas na Seção III.7.8. Finalmente, os resistores RC , RB
e RE representam as resistências ôhmicas dos terminais de coletor, base e emissor, respectivamente.
Os principais parâmetros adotados nas equações do modelo Spice do transistor bipolar estão
listados na Tabela III.3. Esses não são os únicos parâmetros adotados pelo modelo Spice. Existem
ainda vários outros que são utilizados para descrever como os parâmetros principais variam com res-
peito à temperatura e polarização. No entanto, esses parâmetros adicionais não serão apresentados
aqui, pois essa modelagem está muito além do escopo deste livro.
Os fatores de idealidade nF e nR mencionados na Tabela III.3, são utilizados para corrigir o

Capı́tulo III 119
C
RC
CBC ibc
RB
B ice
CBE ibe
RE
E
Figura III.87: Versão simplificada do modelo adotado por simuladores Spice para descrever o
comportamento fı́sico de transistores bipolares discretos.
modelo exponencial das junções PN do transistor bipolar e dependem do tipo de semicondutor e da

dopagem utilizados na construção da junção. Essa correção é aplicada às equações (III.10) e (III.11)
do modelo de Ebers-Moll, as quais passam a ser, respectivamente, escritas como:

IDE = ISE eVBE /(nF vT ) − 1 ,
Tabela III.3: Principais parâmetros do Modelo Spice para o Transistor Bipolar de Junção e seus valores
padrão (default).
Parâmetro Descrição Unidade Valor Padrão
IS Corrente de Saturação IS (III.13) A 10−16

BF Ganho de Corrente Direto β ou βF (III.5) - 100
BR Ganho de Corrente Reverso βR (III.8) - 1
NF Fator de Idealidade na Condução Direta nF - 1
NR Fator de Idealidade na Condução Reversa nR - 1
VAF Tensão de Early VA no Sentido Direto (III.28) V ∞
VAR Tensão de Early VAR no Sentido Reverso V ∞
RC Resistência Ôhmica de Coletor RC Ω 0
RB Resistência Ôhmica de Base RB Ω 0
RE Resistência Ôhmica de Emissor RE Ω 0
TF Tempo de Trânsito de Base Direto τF (III.68) s 0
TR Tempo de Trânsito de Base Reverso τR s 0
CJE Capacitância Cje0 da Junção BE com VBE = 0 (III.71) F 0
MJE Coeficiente m de Graduação da Junção BE (III.71) - 0,33
VJE Tensão Interna V0E da Junção BE (III.71) V 0,75
CJC Capacitância Cjc0 da Junção BC com VBC = 0 (III.72) F 0
MJC Coeficiente m de Graduação da Junção BC (III.72) - 0,33
VJC Tensão Interna V0C da Junção BC (III.72) V 0,75

Capı́tulo III 120

IDC = ISC eVBC /(nR vT ) − 1 .
Por fim, é bastante instrutivo que o leitor reconheça todos os parâmetros listados na Tabela
III.3. Para isso, a tabela também indica as equações em que esses parâmetros foram apresentados
ao leitor ao longo deste capı́tulo.
III.9.2 - Simulação da Polarização DC

Primeiramente, vamos simular os circuitos de polarização projetados na Seção III.6 para verifi-
car se a corrente de polarização estabelecida no coletor está efetivamente dentro da faixa de erro
aceitável. Para isso, realizamos simulações Spice do tipo Bias Point (.OP) para calcular o ponto de
operação DC de cada um dos circuitos analisados.
O circuito projetado no Exemplo III.11 foi simulado com o transistor BC546A. Os resultados
obtidos para as tensões e as correntes de polarização nesse circuito estão apresentados na Fig. III.88.
Note que a corrente obtida no coletor foi de 1,952 mA, o que corresponde a um erro de apenas 2,4%
em relação ao valor especificado de 2,0 mA, ou seja, o erro ficou dentro da margem de 5% especificada
no enunciado do Exemplo III.11. Além disso, as tensões de polarização nos terminais de coletor e
emissor também ficaram razoavelmente próximas das especificações VC = 7,0 V e VE = 3,0 V.
10.00V
1.952mA
136.0uA R3 R3
R1 1.5k R1 1.5k
47k 47k
Vcc Vcc 7.072V

Q1 Q1
10V 1.952mA 10V
10.76uA
3.607V
2.088mA BC546A BC546A
125.3uA -1.963mA 0V
R2 R2 2.944V
0 28.8k 1.963mA 0 28.8k
R4 R4
1.5k 1.5k
0V
0V
0 0 0 0
(a) (b)
Figura III.88: Resultados obtidos por simulação para as correntes (a) e tensões (b) de polarização para o
circuito projetado no Exemplo III.11.
É importante mencionar que a corrente de emissor é apresentada na Fig. III.88 com um sinal
negativo. Isso aconteceu porque o simulador Spice considera como positiva toda corrente que entra
pelo terminal. Como a corrente de emissor em um transistor NPN no modo ativo deve sair desse
terminal, o Spice indica esse sentido com um sinal negativo.
O circuito projetado no Exemplo III.12 também foi simulado com o transistor BC546A, e os
resultados obtidos para as suas tensões e as correntes de polarização estão apresentados na Fig.
III.89. Nesse caso, a corrente obtida no coletor foi de 1,824 mA, o que corresponde a um erro de
8,8% em relação ao valor especificado de 2,0 mA. Note que esse erro é menor que os 10% previstos
pelo método de cálculo usado no projeto do Exemplo III.12. Além disso, é importante que o leitor
observe que os desvios verificados entre os resultados obtidos por simulação e as especificações de
projeto são maiores que aqueles observados na Fig. III.88. Essa diferença é uma consequência de
o procedimento de cálculo adotado no Exemplo III.11 ser mais criterioso do que aquele adotado no
projeto do Exemplo III.12.
Com o objetivo de avaliar a estabilidade térmica do esquema de polarização, o circuito projetado
no Exemplo III.11 foi simulado empregando uma varredura de temperatura (Temperature Sweep).

Capı́tulo III 121
10.00V
1.824mA
199.6uA R3 R3
R1 1.5k R1 1.5k
33k 33k
Vcc Vcc 7.263V

Q1 Q1
10V 1.824mA 10V
9.996uA
3.413V
2.024mA BC546A BC546A
189.6uA -1.834mA 0V
R2 R2 2.752V
0 18k 1.834mA 0 18k
R4 R4
1.5k 1.5k
0V
0V
0 0 0 0
(a) (b)
Figura III.89: Resultados obtidos por simulação para as correntes (a) e tensões (b) de polarização para o
circuito projetado no Exemplo III.12.
Os resultados obtidos para cada temperatura estão resumidos na Tabela III.4, onde podemos notar
que os desvios verificados para a corrente de coletor ficaram abaixo de 5% em relação ao valor
especificado de 2,0 mA. Se o leitor lembrar da variação da curva caracterı́stica IC × VBE com a
temperatura, conforme foi mostrado na Fig. III.21, irá recordar que o aumento da temperatura leva
a um aumento na corrente IC . Para que a corrente de polarização fique estável com a temperatura,
o resistor de emissor foi adicionado ao circuito. Desse modo, quando a corrente IC tende a aumentar
com a temperatura, a tensão sobre o resistor de emissor também aumenta, reduzindo a tensão VBE .
Assim, a progressiva redução da tensão VBE , também observada na Tabela III.4, evita que a corrente
de polarização no coletor aumente demasiadamente, mesmo quando o transistor é submetido a uma
ampla variação de temperatura.
Tabela III.4: Efeito da temperatura sobre a polarização do circuito projetado no Exemplo III.11.
Temperatura (◦ C) - 10 0 10 20 30 40 50 60 70 80
IC (mA) 1,91 1,92 1,93 1,94 1,96 1,97 1,98 1,99 2,00 2,01
VBE (V) 0,73 0,71 0,69 0,67 0,66 0,64 0,62 0,60 0,59 0,57
Por fim, é bastante instrutivo calcular a sensibilidade da corrente de polarização no coletor IC

com respeito aos principais parâmetros do circuito. Com esses resultados, poderemos inferir se a
corrente de polarização realmente apresenta baixa sensibilidade com respeito, por exemplo, ao ganho
de corrente β do transistor.
O cálculo de sensibilidade é realizado através da opção .SENSI da simulação Bias Point do Spice.
Como desejamos calcular a sensibilidade de uma variável de corrente, é necessário incluir uma fonte
de tensão nula em série com o ramo por onde a corrente desejada irá circular — como a fonte de
tensão é nula, ela funcionará como um curto-circuito, sem alterar o comportamento do circuito de
polarização. Essa situação é ilustrada na Fig. III.90(a) para o circuito do Exemplo III.11, onde a
fonte Vc foi incluı́da no circuito para realizar a medição da corrente de coletor. Assim, o comando
.SENSI I(Vc) instrui o Spice a calcular as sensibilidades da corrente que circula pela fonte Vc em
relação a diversos parâmetros do circuito. Os resultados obtidos com essa análise são listados no
arquivo de saı́da da simulação, cuja reprodução é mostrada na Fig. III.90(b).
Na lista de sensibilidades exibida na Fig. III.90(b), as primeiras seis linhas da tabela mostram
as sensibilidades da corrente IC com respeito a cada um dos componentes do circuito, como os

Capı́tulo III 122
Vc
0Vdc R3
R1 1.5k
47k
Vcc
Q1
10V
BC546A
R2
0 28.8k
R4
1.5k
0 0
(a)
**** DC SENSITIVITY ANALYSIS TEMPERATURE = 27.000 DEG C
******************************************************************
DC SENSITIVITIES OF OUTPUT I(V_Vc)
ELEMENT ELEMENT ELEMENT NORMALIZED

NAME VALUE SENSITIVITY SENSITIVITY
(AMPS/UNIT) (AMPS/PERCENT)
R_R1 4.700E+04 -3.166E-08 -1.488E-05
R_R2 2.880E+04 4.758E-08 1.370E-05
R_R3 1.500E+03 -3.943E-09 -5.914E-08
R_R4 1.500E+03 -1.206E-06 -1.809E-05
V_Vcc 1.000E+01 2.348E-04 2.348E-05
V_Vc 0.000E+00 -2.020E-06 0.000E+00
Q_Q1
RB 1.000E+00 -6.593E-09 -6.593E-11
RC 6.508E-01 -3.943E-09 -2.566E-11
RE 6.395E-01 -1.206E-06 -7.714E-09
BF 1.787E+02 7.115E-07 1.271E-06
ISE 7.932E-16 -6.563E+08 -5.206E-09
BR 8.628E+00 -2.458E-15 -2.121E-16
ISC 8.305E-14 1.194E+01 9.914E-15
IS 1.533E-14 1.068E+09 1.637E-07
NE 1.436E+00 6.464E-06 9.282E-08
NC 1.207E+00 -8.214E-13 -9.914E-15
IKF 1.216E-01 1.803E-05 2.192E-08
IKR 1.121E-01 -1.698E-16 -1.903E-19
VAF 6.970E+01 -1.004E-07 -6.997E-08
VAR 4.470E+01 4.666E-08 2.086E-08
(b)
Figura III.90: Incluindo uma fonte de tensão nula VC ao circuito (a), é possı́vel configurar o Spice para
gerar um relatório (b) com os cálculos de sensibilidade da corrente de coletor IC com respeito a vários
parâmetros do circuito.
resistores R1 , R2 , RC e RE , e a fonte de alimentação VCC . Já as demais linhas mostram as

sensibilidades calculadas com respeito a cada um dos parâmetros relevantes do transistor Q1 . Nessa
tabela, a primeira coluna corresponde ao nome do componente ou parâmetro com respeito ao qual
cada sensibilidade foi calculada. Na segunda coluna, temos os valores nominais que cada parâmetro
assumiu na simulação. A terceira coluna indica a derivada da corrente IC com respeito a cada um
dos parâmetros, ou seja, ∂IC /∂x, onde x representa cada um dos parâmetros listados na tabela.
Por fim, na última coluna temos os valores da sensibilidade normalizada, dada por ∂IC /(∂x/x),
onde ∂x/x representa a variação percentual do parâmetro x. Assim, de acordo com os resultados da
Fig. III.90(b), a sensibilidade da corrente IC com relação ao parâmetro β (BF) do transistor será:
∂IC
IC ∂IC 1 1
SIβC = = · = −1,271 · 10−6 · = −0,000651
∂β
β
∂β
β
IC 1,952 · 10−3
Nesse cálculo, usamos IC = 1,952 mA, conforme obtido na Fig. III.88(a).

Capı́tulo III 123
Assim, de acordo com o resultado acima, mesmo que o parâmetro β apresente uma variação de
500%, a corrente IC apresentará uma variação de apenas 500 · SIβC = −0,326%.
Portanto, a partir dos resultados de simulação obtidos acima, verificamos que o nosso circuito
efetivamente estabelece uma corrente de polarização precisa, com estabilidade térmica e com uma
baixı́ssima sensibilidade em relação ao ganho de corrente β do transistor!
III.9.3 - Simulação de Amplificadores

Após verificar o desempenho do esquema de polarização discutido na Seção III.6, chegou a vez
de avaliar o desempenho dos circuitos amplificadores estudados nos Exemplos III.15, III.17 e III.19.
Para isso, iremos realizar simulações do tipo Transient (.TRANS) com o objetivo de verificar como
as três configurações de amplificadores se comportam mediante a aplicação de um sinal variante no
tempo.
Nas análises quantitativas realizadas na Seção III.8, empregamos uma aproximação linear para
descrever o comportamento do transistor bipolar para pequenos sinais. Já nesta seção, o simulador
irá avaliar o desempenho das configurações amplificadoras utilizando um modelo não linear para
descrever o comportamento dos transistores com mais precisão. Assim, a partir dos resultados
obtidos através dessas simulações, poderemos inferir se as análises aproximadas da Seção III.8 foram
capazes de prever com razoável precisão o comportamento dos circuitos amplificadores. Além disso,
com o simulador poderemos avaliar a influência do comportamento não linear do transistor sobre
o desempenho de cada uma das configurações amplificadoras, o que seria extremamente complexo
para nós realizarmos através de cálculos manuais.
Amplificador em Emissor Comum
Iniciando com o amplificador em emissor comum analisado no Exemplo III.15, os resultados

obtidos para a polarização daquele circuito estão na Fig. III.91. Note que a corrente de polarização
no coletor IC = 2,01 mA apresentou um desvio de apenas 0,5% em relação à previsão teórica de
2,0 mA. Além disso, o leitor deve atentar para o fato de que as correntes de polarização DC nos
ramos com capacitores de acoplamento são nulas, conforme esperávamos.
2.010mA Vcc
203.2uA Rc 9V
R1 1.5k
31k Cc 2.213mA
Vo
0
10u
Rs Cb 2.010mA
10.17uA Q1 RL
0A BC546A 10k
50 10u
-2.020mA
0A
Vs 0A
VOFF = 0 193.0uA
VAMPL = 1mV R2 2.020mA
FREQ = 1k 14k Re Ce 0
1k 270u
0
0 0 0
Figura III.91: Polarização do amplificador em emissor comum estudado no Exemplo III.15.
No que diz respeito aos capacitores de acoplamento, o leitor não deve se preocupar com os
valores de capacitâncias apresentados na Fig. III.91. Esses valores foram calculados de modo a
garantir que esses capacitores apresentem uma impedância bem menor que as demais impedâncias

Capı́tulo III 124
do circuito para sinais com componentes de frequência acima dos 100 Hz. Assim, como os sinais de
entrada adotados nas simulações desta seção possuem uma frequência de 1,0 kHz, a influência das
impedâncias dos capacitores de acoplamento no desempenho do amplificador será desprezı́vel.
Ao realizar a análise do ponto de operação DC do transistor, através do comando .OP, o simulador
Spice produz no arquivo de saı́da um pequeno relatório com o cálculo dos parâmetros de pequenos
sinais do transistor para aquele ponto de operação. No caso do circuito da Fig. III.91, o relatório
produzido pelo Spice está reproduzido na Fig. III.92. Nesse relatório, as duas primeiras linhas
especificam o nome do transistor a que os resultados se referem e o modelo utilizado. Nas cinco
linhas seguintes, temos os valores de correntes e tensões de polarização do transistor. Já as demais
linhas listam os parâmetros de pequenos sinais calculados para o ponto de polarização em questão.
**** OPERATING POINT INFORMATION TEMPERATURE = 27.000 DEG C
*******************************************************************
**** BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS
NAME Q_Q1
MODEL BC546A
IB 1.12E-05
IC 2.01E-03
VBE 6.64E-01
VBC -3.28E+00
VCE 3.95E+00
BETADC 1.81E+02
GM 7.65E-02
RPI 2.33E+03
RX 1.00E+00
RO 3.57E+04
CBE 9.18E-11
CBC 1.22E-12
BETAAC 1.78E+02
Figura III.92: Reprodução do arquivo de saı́da da simulação Spice, listando o cálculo dos parâmetros de
pequenos sinais do transistor bipolar relativos ao seu ponto de operação DC.
De acordo com os resultados apresentados na Fig. III.92, o transistor Q1 apresenta uma trans-
condutância gm = 76,5 mA/V (GM), uma resistência rπ = 2,33 kΩ (RPI) e uma resistência de
Efeito Early ro = 35,7 kΩ (RO). Além disso, o simulador também calcula os parâmetros de peque-
nos sinais referentes ao modelo π-hı́brido de altas frequências apresentado anteriormente na Fig.
III.55. Assim, o transistor Q1 apresenta uma resistência de contato de base rx = 1,0 Ω (RX), uma
capacitância parasita entre os terminais de base e emissor Cπ = 91,8 pF (CBE) e uma capacitância
entre os terminais de base e coletor Cµ = 1,22 pF (CBC).
Observação
Os ganhos de corrente BETADC e BETAAC listados no relatório da Fig. III.92 se referem ao ganho
β do transistor, onde BETADC é o ganho βDC = IC /IB verificado para o transistor operando em
corrente contı́nua (DC). Já o ganho BETAAC corresponde à derivada βAC = ∂iC /∂iB no ponto de
polarização do transistor, o que corresponderia ao valor de β para pequenos sinais (AC - Alternating
Current). Alguns autores fazem essa distinção entre os ganhos de corrente do transistor bipolar.
No presente texto, entretanto, optamos por não fazer distinção entre esses dois ganhos β por dois
motivos: primeiramente porque o ganho de corrente de um transistor bipolar não é um parâmetro
preciso; segundo, porque os valores de βDC e βAC são muito próximos — conforme o leitor pode
confirmar através dos resultados exibidos na Fig. III.92 — e a diferença entre eles é muito menor
que a variação de β observada entre transistores do mesmo modelo.

Capı́tulo III 125
Na primeira simulação do amplificador em emissor comum no domı́nio do tempo, aplicamos como

entrada um sinal de tensão senoidal com frequência de 1,0 kHz e amplitude de 1,0 mV. As formas
de onda com a evolução no tempo da tensão na entrada e na saı́da do amplificador da Fig. III.91
estão exibidas nas Fig. III.93(a) e III.93(b), respectivamente. Observe que a senoide da tensão
na saı́da está defasada de 180◦ em relação à entrada, em virtude da caracterı́stica inversora do
amplificador em emissor comum. Medindo a amplitude dos sinais de saı́da e de entrada, verificamos
que o amplificador em questão exibe um ganho de −94,4 V/V, o que corresponde a uma diferença
de 2,98% em comparação com o ganho de −97,3 V/V previsto através dos cálculos realizados com
a aproximação de pequenos sinais.
4
3
S in a l d e E n tra d a (m V )
2
1
0
-1
-2
-3
-4
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 0
T e m p o (m s)
(a)
1 5 0
1 0 0
Sinal na Saída (mV)
5 0
-5 0
-1 0 0
-1 5 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 0
T e m p o (m s)
(b)
Figura III.93: Formas de onda obtidas para a tensão de sinal na entrada (a) e na saı́da (b) do
amplificador em emissor comum da Fig. III.91.
Por outro lado, se aplicarmos um sinal de entrada com amplitude de 10 mV, a forma de onda
do sinal na saı́da será aquela mostrada na Fig. III.94(a), onde o ganho de tensão observado é de
−93,3 V/V. Observe que, ao aumentar a amplitude do sinal de entrada, a diferença entre o ganho
obtido por simulação e aquele obtido no Exemplo III.15 através do modelo linearizado aumentou
para 4,11%. Essa diferença é consequência do fato de que o erro que cometemos ao aproximar o
comportamento não linear do transistor bipolar por um modelo linear cresce conforme a amplitude
do sinal de entrada aumenta.
O comportamento não linear do transistor fica bastante evidente se observarmos o Espectro
de Fourier da forma de onda da tensão na saı́da, mostrado na Fig. III.94(b). Nesse espectro,
vemos claramente que o sinal na saı́da não é uma senoide pura, mas sim um sinal composto pela
componente fundamental, na frequência de 1,0 kHz, juntamente com as componentes de segundo e
terceiro harmônicos.
A distorção provocada pelo comportamento não linear do transistor também pode ser observada

Capı́tulo III 126
1 .0
Sinal na Saída (V)
0 .5
0 .0
- 0 .5
- 1 .0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 0
T e m p o (m s)
(a)
0
1 0
-1
1 0
A m p litu d e (V )
-2
1 0
-3
1 0
-4
1 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 0
Frequência (kHz)
(b)
Figura III.94: Forma de onda obtida para a tensão de sinal na saı́da (a) do amplificador em emissor
comum quando um sinal senoidal com amplitude de 10 mV é aplicado na entrada, juntamente com seu
Espectro de Fourier (b), evidenciando a distorção provocada pela não linearidade do transistor.
diretamente no gráfico da Fig. III.94(a), onde a amplitude do semiciclo positivo da forma de onda da
tensão na saı́da é menor que a amplitude do semiciclo negativo. A razão para esse comportamento
pode ser visualizada na Fig. III.95, onde vemos uma comparação entre a curva exponencial do
transistor e a reta correspondente ao modelo linearizado para pequenos sinais. Note que quando
vBE > VBE — ou seja, no semiciclo positivo da parcela do sinal de entrada vbe — a derivada da curva
Derivada (ganho) maior

iC que a aproximação linear
ic
IC
vBE
VBE
Derivada (ganho) menor
que a aproximação linear
vbe
Figura III.95: Comparação entre a curva exponencial e o modelo linearizado de pequenos sinais do
transistor bipolar, evidenciando a diferença de ganho observada para os semiciclos positivo e negativo do
sinal de entrada vbe .

Capı́tulo III 127
exponencial é maior que a inclinação da reta. Consequentemente, o ganho real que o amplificador
fornece ao sinal de entrada no semiciclo positivo é maior que o previsto pelo modelo de pequenos
sinais. Como a configuração em emissor comum é inversora, esse maior ganho aplicado ao semiciclo
positivo de vbe resulta em uma amplitude maior no semiciclo negativo da tensão na saı́da. Já no
semiciclo negativo do sinal de entrada vbe a situação se inverte, pois a derivada da curva exponencial
é menor que a inclinação da reta correspondente ao modelo de pequenos sinais. Assim, esse menor
ganho resulta em uma amplitude menor no semiciclo positivo do sinal na saı́da.
A distorção piora bastante se aplicarmos um sinal de entrada com uma amplitude de 100 mV.
Além de não satisfazer à condição de pequenos sinais (III.49), essa amplitude é suficiente para fazer
com que a tensão na saı́da do amplificador atinja os seus limites de excursão. O resultado dessa
simulação é apresentado na Fig. III.96.
5
4
3
Sinal na Saída (V)
2
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 0
T e m p o (m s)
Figura III.96: Forma de onda obtida para a tensão de sinal na saı́da do amplificador em emissor comum
quando um sinal senoidal com amplitude de 100 mV é aplicado na entrada.
De acordo com as expressões obtidas em (III.112) e (III.113), os limites teóricos para a excursão
de sinal na saı́da do amplificador em emissor comum da Fig. III.91 são
vomax = RC //RL · IC = 2,61 V,
vomin = − (VCE − VCEsat ) = −3,8 V.
Tais previsões estão bastante de acordo com os limites vomax = 2,61 V e vomin = −3,89 V obtidos
a partir do gráfico exibido na Fig. III.96.
Amplificador em Base Comum
Para o amplificador em base comum analisado no Exemplo III.17, os resultados obtidos para a
polarização daquele circuito estão na Fig. III.97 e são exatamente os mesmos obtidos anteriormente
para o amplificador em emissor comum da Fig. III.91, pois os circuitos de polarização são os mesmos.
Aplicamos, então, um sinal de entrada senoidal com frequência de 1,0 kHz e amplitude de 1,0 mV,
onde essa amplitude foi escolhida com o objetivo de reduzir a distorção causada pela não linearidade
do transistor. Assim, as formas de onda com a evolução no tempo das tensões na entrada e na saı́da
do amplificador da Fig. III.97 são mostradas na Fig. III.98. Observe que a senoide da tensão na
saı́da está em fase com a tensão de entrada, pois a configuração base comum não é inversora.
Medindo as amplitudes dos sinais de saı́da e de entrada na Fig. III.98, verificamos que o ampli-
ficador em questão exibe um ganho de 20,1 V/V, o que corresponde a uma diferença de 1,99% em
comparação com o ganho de 20,5 V/V previsto através dos cálculos realizados com a aproximação
de pequenos sinais.

Capı́tulo III 128
2.010mA
203.2uA Rc
R1 1.5k Vcc
31k Cc 9V
Vo
2.213mA
10u
Cb 2.010mA
10.17uA Q1 RL 0
BC546A 10k
10u Ce
-2.020mA Rs
0A
0 193.0uA 0A
50
R2 2.020mA 0A
Vs
14k Re 270u VOFF = 0 0
1k VAMPL = 1mV
FREQ = 1k
0 0 0
Figura III.97: Polarização do amplificador em base comum estudado no Exemplo III.17.
Aplicando agora um sinal de entrada com amplitude de 500 mV, faremos a tensão na saı́da atingir
os seus limites de excursão de sinal. Nessa simulação, a forma de onda obtida para o sinal na saı́da
do amplificador ficará conforme mostrado na Fig. III.99. De acordo com esse resultado, concluı́mos
que os limites máximo e mı́nimo de excursão de sinal na saı́da do amplificador são, respectivamente,
vomax = 2,61 V e vomin = −4,17 V. Note que, conforme já era esperado, esses limites são muito
semelhantes àqueles obtidos para o amplificador em emissor comum. A diferença mais marcante
entre os limites de excursão da configuração em base comum e aqueles obtidos para o amplificador
4
3
S in a l d e E n tra d a (m V )
2
1
0
-1
-2
-3
-4
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 0
T e m p o (m s)
(a)
3 0
2 0
Sinal na Saída (mV)
1 0
-1 0
-2 0
-3 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 0
T e m p o (m s)
(b)
amplificador em base comum da Fig. III.97.

Capı́tulo III 129
5
4
Sinal na Saída (V) 3
2
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 0
T e m p o (m s)
Figura III.99: Forma de onda obtida para a tensão de sinal na saı́da do amplificador em base comum
quando um sinal senoidal com amplitude de 500 mV é aplicado na entrada.
em emissor comum está no limite mı́nimo inferior. Isso acontece porque esse limite é ligeiramente
afetado pelo sinal de entrada na configuração em base comum, onde a entrada é aplicada ao circuito
de emissor.
Amplificador em Coletor Comum
Para o amplificador em coletor comum analisado no Exemplo III.19, os resultados obtidos para a
polarização daquele circuito estão na Fig. III.100. Devemos observar que a corrente de polarização
no coletor IC = 2,07 mA apresentou um desvio de apenas 3,4% em relação à previsão teórica de
2,0 mA.
207.0uA
R1 Vcc
15k 9V
2.281mA
Rs Cb 2.074mA
10.49uA Q1 0
0A BC546A
1k 10u Ce
-2.085mA
0A
Vs Vo
VOFF = 0 196.5uA
VAMPL = 1 R2 2.085mA
FREQ = 1k Re 270u RL
30k
2.5k 1k
0A
0
0 0 0
Figura III.100: Polarização do amplificador em coletor comum estudado no Exemplo III.19.
Aplicando um sinal de entrada senoidal com frequência de 1,0 kHz e amplitude de 1,0 V, conforme
mostrado na Fig. III.101(a), a forma de onda da tensão na saı́da do amplificador da Fig. III.100
fica conforme mostrado na Fig. III.101(b). Observe que a senoide da tensão na saı́da também está
em fase com a tensão de entrada, pois a configuração coletor comum não é inversora. Medindo
a amplitude dos sinais de saı́da e de entrada, verificamos que o amplificador exibe um ganho de
0,884 V/V, o que corresponde a uma diferença de apenas 0,11% em comparação com o ganho de
0,883 V/V previsto com a aproximação de pequenos sinais.
Neste ponto, o leitor deve estar se perguntando: como pode um sinal de entrada com uma
amplitude bem maior que aquelas adotadas nas simulações anteriores não resultar em uma tensão
distorcida na saı́da? A resposta para essa questão é simples. Como o ganho de tensão entre os
terminais de base e emissor do amplificador em coletor comum é muito próximo da unidade, teremos

Capı́tulo III 130
1 .5
1 .0
Sinal na Saída (V)
0 .5
0 .0
- 0 .5
- 1 .0
- 1 .5
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 0
T e m p o (m s)
(a)
1 .5
1 .0
Sinal na Saída (V)
0 .5
0 .0
- 0 .5
- 1 .0
- 1 .5
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 0
T e m p o (m s)
(b)
amplificador em coletor comum da Fig. III.100.
que a parcela de sinal da tensão no emissor será muito próxima da parcela de sinal na base. Isso faz
com que a diferença de tensão vbe entre base e emissor seja muito pequena, o que satisfaz à condição
de pequenos sinais vbe vT (III.49). Para o amplificador em questão, as expressões obtidas em
(III.105) e (III.107) nos permitem escrever a tensão vbe = vin − vo da seguinte forma:
R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )

vbe = · vs
RS + R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )
R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL ) (β + 1) RE //RL
− · · vs

R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL ) (β + 1) RE //RL
vbe = · 1− · vs
Usando os parâmetros do Exemplo III.19, obteremos que:
vbe = 0,0153 · vs .
Como a amplitude do sinal de entrada adotado nesta simulação foi de 1,0 V, então, a amplitude
da parcela de sinal da tensão efetivamente aplicada entre os terminais de base e emissor será vbe =
15,3 mV, o que satisfaz razoavelmente à condição de pequenos sinais (III.49).
Aplicando agora um sinal de entrada com amplitude de 7,0 V, faremos a tensão na saı́da atingir
os seus limites de excursão de sinal. Assim, obteremos o gráfico da Fig. III.102 para a forma de onda
do sinal na saı́da do amplificador. De acordo com esse resultado, concluı́mos que os limites máximo
e mı́nimo de excursão de sinal na saı́da do amplificador são, respectivamente, vomax = 3,72 V e

Capı́tulo III 131
Sinal na Saída (V) 4
-2
-4
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 0
T e m p o (m s)
Figura III.102: Forma de onda obtida para a tensão de sinal na saı́da do amplificador em coletor comum
quando um sinal senoidal com amplitude de 7,0 V é aplicado na entrada.
vomin = −1,49 V.
De acordo com (III.114) e (III.115), as estivativas teóricas para os limites de excursão de sinal
na saı́da do amplificador em coletor comum da Fig. III.100 são:
vomax = VCE − VCEsat = 3,8 V,
vomin = − RE //RL · IE = −1,43 V.
Note que essas estimativas estão bastante de acordo com os resultados obtidos através da simulação.
III.10 - Projeto de Amplificadores Básicos
Na Seção III.8 foi apresentado um estudo das configurações básicas de amplificadores construı́dos
com o transistor bipolar. Naquela ocasião, realizamos a análise das três configurações básicas com
o objetivo de caracterizá-las quanto ao ganho de tensão e impedâncias de entrada e de saı́da. Nesta
seção, nosso objetivo é apresentar ao leitor alguns exemplos de como dimensionar amplificadores
básicos de modo a satisfazer a um conjunto de especificações de projeto.
Ao contrário do procedimento de análise, que possui sempre uma solução única, o problema de
projeto pode apresentar mais de uma solução possı́vel. Isso acontece porque o número de especifi-
cações de um projeto é, em geral, insuficiente para determinar univocamente todos os componentes
do circuito. Para entender o motivo disso, considere como exemplo o problema de dimensionar o
amplificador em emissor comum da Fig. III.69. Digamos que precisamos projetar esse amplificador
de modo a obter um determinado ganho de tensão Av , uma impedância de entrada Ri e que o
circuito deve estar submetido a uma tensão de alimentação VCC . Nesse problema de projeto temos
apenas três especificações, mas o circuito da Fig. III.69 é composto por quatro resistências que pre-
cisam ser dimensionadas — R1 , R2 , RC e RE . Evidentemente, haverá uma infinidade de maneiras
diferentes de se dimensionar as resistências do amplificador de modo a satisfazer a esse conjunto de
especificações.
A multiplicidade de soluções admitidas para um mesmo problema de projeto está ilustrada na Fig.
III.103. Neste ponto, é importante deixar claro para o leitor que não há um procedimento único
e padronizado para realizar o projeto de circuitos analógicos. Como há várias soluções possı́veis
para o mesmo conjunto de especificações, diferentes circuitos podem ser obtidos dependendo da
metodologia adotada pelo projetista.
Muitos projetistas analógicos usualmente adotam critérios adicionais para selecionar a alternativa
mais adequada entre todas as soluções possı́veis para o projeto. Tais critérios podem não estar

Capı́tulo III 132
Especificações Circuitos
Av
Ri
VCC
Av
Ro
IC
Figura III.103: Ilustração mostrando a multiplicidade de circuitos que satisfazem ao mesmo conjunto de
especificações de projeto.
listados nas especificações originais do problema, mas são parâmetros de desempenho que tornam
uma solução de projeto melhor do que a outra. No projeto do amplificador em emissor comum,
por exemplo, podemos citar o consumo de potência e a sensibilidade aos parâmetros do transistor
como sendo dois critérios adicionais que o projetista poderia adotar. Se compararmos todos os
circuitos que satisfazem às especificações originais de ganho, tensão de alimentação e impedância de
entrada, é claro que aquela solução que consumir menos energia e apresentar menor sensibilidade aos
parâmetros do transistor será a preferida pelo projetista. A escolha dos critérios a serem adotados
na seleção da solução mais adequada de um problema de projeto ficam a cargo do próprio projetista
e dependem bastante da experiência e do conhecimento desse profissional.
Também é necessário lembrar ao leitor que o projeto de um amplificador não significa apenas di-
mensionar o circuito para satisfazer às especificações de pequenos sinais. Um projeto de polarização
também deve ser executado de modo a garantir um ponto de operação adequado para a operação do
transistor como elemento amplificador. Frequentemente estudantes inexperientes concentram todos
os seus esforços em satisfazer às especificações de desempenho para pequenos sinais — ganho de
tensão e impedâncias de entrada e de saı́da — e acabam negligenciando a polarização do transistor.
Essa prática acaba resultando em um circuito que não funciona adequadamente como um amplifi-
cador, impedindo que as especificações de pequenos sinais sejam plenamente satisfeitas. Portanto,
ao desenvolver o projeto de um circuito amplificador, também devemos lançar mão das técnicas de
projeto de polarização estudadas na Seção III.6.
A seguir, são apresentados alguns exemplos de projeto para ilustrar como esse tipo de problema
pode ser resolvido. Evidentemente, as soluções apresentadas aqui não são únicas e a abordagem do
problema não precisa ser sempre a mesma. O projetista tem a liberdade de adotar a metodologia de
solução que a sua criatividade permitir, desde que os objetivos do projeto sejam alcançados. Nesta
seção, apresentamos problemas de projeto com diferentes conjuntos de especificações e procuramos
seguir as mais variadas metodologias de solução para dar ao leitor uma ampla visão de como um
projeto de amplificador pode ser realizado.
Exemplo iii.20
Considere que o amplificador em emissor comum da figura a seguir será construı́do com um transistor
com VBE = 0,6 V, vT = 25 mV e um parâmetro β que pode assumir valores entre 100 e 800. Dessa forma,
projete o amplificador de modo a satisfazer às seguintes especificações:
• Ganho de tensão vo /vin = −100 V/V;
• Impedância de entrada Ri > 2,0 kΩ;
• Excursão de sinal simétrica na saı́da;

Capı́tulo III 133
• Impedância de carga RL = 5,0 kΩ.
VCC
RC
R1
vo
vin Q1 RL
5,0 k
R2 RE
Solução:
O primeiro passo de um projeto consiste em analisar o circuito a ser projetado de modo a obter as expres-
sões analı́ticas para os parâmetros de desempenho especificados. No caso deste projeto, foram especificados
o ganho de tensão, a impedância de entrada e os limites de excursão de sinal na saı́da.
Para obter o ganho de tensão e a impedância de entrada, usamos o circuito equivalente para pequenos
sinais do amplificador, ilustrado na figura abaixo.
v v
R1 R2 r v gm vbe R R
Ri
Nesse circuito, o ganho de tensão vo /vin é dado por:
vo = − gm vbe · RC //RL = − gm vin · RC //RL
vo
Av = = − gm · RC //RL .
vin
Através de uma simples inspeção do circuito acima, podemos concluir que a impedância de entrada é
dada por:
Ri = R1 //R2 //rπ .
No que diz respeito aos limites de excursão de sinal, os resultados obtidos em (III.112) e (III.113) nos
mostraram que
vomax = RC //RL · IC ,
vomin = − (VCE − VCEsat ).
Uma vez obtidas as expressões analı́ticas para os parâmetros especificados, podemos proceder ao dimen-
sionamento do circuito de modo a satisfazer às seguintes especificações:
Av = − gm · RC //RL = − 100 V/V, (III.116)
Ri = R1 //R2 //rπ > 2,0 kΩ, (III.117)
vomax = − vomin . (III.118)
Para resolver problemas como este, em que temos mais variáveis que equações e expressões matemáticas
não lineares, é frequentemente útil fazermos algumas aproximações para viabilizar a obtenção de uma solução

Capı́tulo III 134
através de cálculos manuais. Essas aproximações são feitas com base na experiência do projetista e no seu
conhecimento acerca do circuito em questão.
Tome, por exemplo, a especificação (III.117). Nessa expressão, sabemos, por experiência, que os resistores
de polarização da base R1 e R2 são usualmente dezenas de vezes maiores que rπ . Isso normalmente é
verdade, porque esses resistores são dimensionados de modo a não drenar muita corrente elétrica da fonte
de alimentação VCC . Assim, espera-se consumir pouca potência para simplesmente estabelecer uma tensão
de polarização na base do transistor — lembre-se da Seção III.6. Dessa forma, se considerarmos R1 rπ e
R2 rπ , podemos aproximar (III.117) da seguinte maneira:
−1
1 1 1 ∼
R1 //R2 //rπ = + + = rπ > 2,0 kΩ.
R1 R2 rπ
Lembrando que a resistência de pequenos sinais rπ = β/gm e que gm = IC /vT , podemos reescrever a
relação acima como:
β vT
rπ = =β > 2,0 kΩ.
gm IC
De acordo com essa expressão, verificamos que a impedância de entrada do amplificador depende fortemente
do ganho β do transistor, o qual pode assumir valores em uma faixa que vai de 100 até 800. Nessas condições,
se garantirmos que Ri > 2,0 kΩ para β = 100, certamente essa mesma desigualdade será satisfeita para
β > 100. Portanto, considerando como pior caso β = 100 e também vT = 25 mV, teremos que
vT 0,025
β = 100 · > 2,0 kΩ
IC IC
IC < 1,25 mA.
Para este projeto, vamos escolher IC = 1,0 mA. Assim, uma vez definida a corrente de polarização,
teremos que a transcondutância de pequenos sinais do transistor para esse ponto de operação será
IC 1,0
gm = = = 40 mA/V.
vT 0,025
Neste ponto, já estamos aptos a dimensionar o resistor de coletor RC de modo a satisfazer à especificação
(III.116) para o ganho de tensão do amplificador:
− gm · RC //RL = − 100 V/V,
gm 1
=
100 RC //RL
gm 1 1
= +
100 RC RL
1 gm 1 40 1
= − = −
RC 100 RL 100 5
RC = 5,0 kΩ.
Uma vez satisfeitas as especificações (III.116) e (III.117), resta-nos agora garantir a excursão de sinal
simétrica na saı́da, ou seja:
vomax = − vomin
RC //RL · IC = VCE − VCEsat .
Considerando que o transistor bipolar apresenta VCEsat = 0,2 V quando operando no modo de saturação,
teremos que:
VCE = RC //RL · IC + VCEsat = 2,7 V.
Neste ponto do projeto, já calculamos todas as condições que devem ser atendidas para satisfazer às
especificações do projeto. Entretanto, ainda falta dimensionar os resistores RE , R1 e R2 , e também definir
a tensão de alimentação VCC . Esses componentes serão dimensionados de modo a estabelecer o ponto de
polarização do transistor com IC = 1,0 mA e VCE = 2,7 V.
Em virtude do capacitor de bypass conectado ao terminal de emissor, temos que o resistor RE não

Capı́tulo III 135
exercerá nenhuma influência sobre o comportamento do circuito para pequenos sinais. A influência de RE
sobre o comportamento do circuito está restrita à tensão de polarização no emissor de Q1 :
VE = RE · IE .
Como não há nenhuma especificação de projeto que nos permita determinar a tensão de polarização
VE , poderemos escolhê-la livremente. Entretanto, tal escolha deve ser feita de forma criteriosa, de forma
a garantir um bom desempenho do circuito projetado. Um critério que pode ser adotado nessa escolha foi
mencionado na Seção III.6, onde vimos que a sensibilidade da corrente de polarização IC com respeito à
tensão VBE do transistor é dada por (III.35):
VBE
SIVCBE = − .
VE
Considerando o valor tı́pico VBE = 0,6 V, uma boa escolha para a tensão de polarização do emissor seria VE
= 2,0 V. Tal escolha resultaria em uma sensibilidade |SIVCBE | = 0,3 — ou seja, se a tensão VBE experimentar
uma variação de 10%, teremos como resultado uma variação de apenas 3% na corrente de polarização IC do
transistor.
Adotando, então, VE = 2,0 V, teremos que o resistor RE deverá apresentar a seguinte resistência:
VE ∼ VE
RE = = = 2,0 kΩ.
IE IC
Uma vez definida a tensão de polarização VE , estamos aptos a definir qual tensão de alimentação VCC
deveremos utilizar em nosso projeto. Em virtude do circuito empregado na polarização do amplificador, a
tensão de alimentação deve ser tal que
VCC = RC · IC + VCE + RE · IE
∼
= 5,0 · 1,0 + 2,7 + 2,0 · 1,0
= 9,7 V.
Como engenheiros adoram números redondos, vamos adotar neste projeto VCC = 10 V.
Note que se tivéssemos escolhido uma tensão de polarização VE maior que 2,0 V, a sensibilidade SIVCBE
seria menor. Entretanto, o preço a se pagar por essa menor sensibilidade seria uma tensão de alimentação
VCC maior. Como a tensão de alimentação VCC tem impacto direto sobre o consumo de potência do
amplificador, decidimos que não vale a pena gastar mais energia apenas para conseguir uma sensibilidade
SIVCBE menor que 0,3. Portanto, ao adotarmos VE = 2,0 V, estamos estabelecendo um bom compromisso
entre a sensibilidade da polarização e o consumo de potência do amplificador.
Por fim, resta apenas dimensionar os resistores R1 e R2 de modo a estabelecer a tensão de polarização
no terminal de base do transistor, onde
VB = VE + VBE = 2,6 V.
Usando a mesma metodologia apresentada na Seção III.6, vamos dimensionar esses resistores de modo que a
corrente de polarização circulando através deles seja aproximadamente igual a 10% da corrente IC , ou seja,
∼ IR2 = 0,1 IC . Assim, teremos que:
IR1 =
VCC − VB 10 − 2,6
R1 = = = 74 kΩ,
0,1 IC 0,1
VB 2,6
R2 = = = 26 kΩ.
0,1 IC 0,1
É importante que o leitor se recorde que a regra de projeto IR1 ∼
= IR2 = 0,1 IC foi estabelecida de modo a
conseguirmos uma boa relação de compromisso entre o consumo de potência do amplificador e a obtenção de
uma baixı́ssima sensibilidade do ponto de polarização com respeito às variações do parâmetro β do transistor.
Neste ponto, precisamos conferir se os valores obtidos para R1 e R2 são suficientemente elevados para

Capı́tulo III 136
que a aproximação R1//R2//rπ ∼ = rπ , feita no inı́cio deste projeto, seja razoável. Para isso, temos que verificar
se a especificação (III.117) é satisfeita.
Com uma transcondutância gm = 40 mA/V e um ganho β = 100, teremos que rπ = β/gm = 2,5 kΩ.
Consequentemente, a impedância de entrada do amplificador será
Ri = R1 //R2 //rπ = 2,21 kΩ.
Para β = 800, teremos rπ = 20 kΩ, o que resulta em
Ri = R1 //R2 //rπ = 9,8 kΩ.
Assim, temos que o amplificador projetado apresentará uma impedância de entrada na faixa que vai de 2,21
até 9,8 kΩ, satisfazendo à especificação de projeto segundo a qual devemos ter Ri > 2,0 kΩ.
Com isso, finalizamos o projeto do amplificador. Convidamos agora o leitor a simular o amplificador
projetado de modo a conferir se o funcionamento do circuito está de acordo com as especificações de projeto.
Evidentemente, o projeto acima poderia ser feito de maneira diferente e, mesmo assim, satisfazer
às especificações. O projetista poderia, por exemplo, escolher outra tensão de polarização no emissor
diferente de 2,0 V. Além disso, o projetista poderia usar uma regra de projeto diferente de IR1 ∼ =
IR2 = 0,1 IC para dimensionar os resistores R1 e R2 . Contudo, o leitor deve estar atento para o
fato de que essas escolhas foram feitas no exemplo acima com o objetivo de encontrar o melhor
compromisso entre duas importantes variáveis de projeto: consumo de potência e sensibilidade.
Embora esses parâmetros de desempenho não tenham sido especificados, um bom projetista sabe
que deve buscar o menor consumo de potência possı́vel e obter um circuito cujas caracterı́sticas
sejam pouco sensı́veis aos parâmetros do transistor. Consequentemente, as decisões de projeto do
exemplo acima foram tomadas com esses objetivos em mente.
A seguir, apresentamos um exemplo de projeto de um amplificador em coletor comum, com um
conjunto de especificações ligeiramente diferente do exemplo anterior.
Exemplo iii.21
Considere que o amplificador em coletor comum

da figura ao lado será construı́do com um transistor VCC = 12 V
com VBE = 0,6 V, vT = 25 mV e um parâmetro
β que pode assumir valores entre 100 e 800. Dessa
forma, projete o amplificador de modo a satisfazer
R1
às seguintes especificações:
• Impedância de saı́da Ro < 15 Ω;

vin Q1
• Tensão de alimentação VCC = 12 V;

v
R2 R
• Excursão de sinal simétrica na saı́da; R
5,0 k
• Impedância de carga RL = 5,0 kΩ.
Solução:
Para este projeto, foi especificada a impedância de saı́da do amplificador e também os limites de excursão
de sinal. Para obter uma expressão analı́tica para a impedância de saı́da do amplificador, empregamos o
circuito equivalente de pequenos sinais apresentado abaixo. Nesse circuito, a tensão de sinal na entrada foi

Capı́tulo III 137
zerada — isto é, vin foi substituı́da por um curto-circuito para a terra — e uma fonte de teste vt foi aplicada
à saı́da.
ib r
R1 R2 r ib
( +1) it
it
RE vt
RE vt
Ro
Ro
A impedância de saı́da Ro do amplificador pode ser obtida calculando-se a corrente it entregue pela
fonte vt e fazendo Ro = vt /it . Alternativamente, podemos usar a regra de reflexão de impedância, conforme
ilustrado na figura acima, de onde podemos concluir que

rπ
Ro = RE // .
β+1
No que diz respeito aos limites de excursão de sinal na saı́da, os resultados obtidos em (III.114) e (III.115)
nos mostram que
vomax = VCE − VCEsat ,
vomin = − RE //RL · IE .
Assim, de acordo com as especificações do projeto, devemos dimensionar o amplificador em coletor

comum de modo que
rπ
Ro = RE // < 15 Ω, (III.119)
β+1
vomax = − vomin . (III.120)
Começando pela especificação da impedância de saı́da, podemos facilitar bastante nossos cálculos se
nós lembrarmos que tipicamente RE rπ /(β + 1), em virtude dos elevados valores que o parâmetro β
pode assumir no transistor adotado neste projeto. Assim, a desigualdade (III.119) pode ser aproximada da
seguinte forma:
−1
1 β+1 ∼ rπ
+ = < 15 Ω.
RE rπ β+1
Lembrando que rπ = β/gm e que gm = IC /vT , podemos reescrever a inequação acima como:
β vT
· < 15 Ω.
β + 1 IC
Como o ganho β do transistor utilizado neste projeto pode assumir valores entre 100 e 800, o pior valor
que esse parâmetro pode assumir para que a desigualdade acima seja satisfeita é β = 800. Portanto,
dimensionaremos a corrente de polarização IC de modo que a condição acima seja verdadeira para β = 800,
o que resulta em
β vT
IC > · = 1,66 mA.
β + 1 15
Para este projeto, adotaremos IC = 1,7 mA. Note que este valor não é muito maior que 1,66 mA para evitar
um consumo desnecessário de potência para simplesmente polarizar o transistor.
Uma vez definida a corrente de polarização, vamos agora calcular o que é necessário para satisfazer à
especificação da excursão de sinal na saı́da. A partir de (III.120), temos que
VCE − VCEsat = RE //RL · IE .

Capı́tulo III 138
Sabendo-se que VCE = VCC − RE IE no circuito em questão, e que podemos aproximar IE ∼

= IC , então
VCC − RE IC − VCEsat = RE //RL · IC

1 1
(VCC − RE IC − VCEsat ) · + = IC
RE RL

IC 2 VCC − VCEsat
RE + 2 IC − RE − (VCC − VCEsat ) = 0.
RL RL
Substituindo os valores na equação acima e considerando que VCEsat = 0,2 V, obteremos a seguinte equação
quadrática:
2
0,34 RE + 1,04 RE − 11,8 = 0,
cujas soluções são 

R0 = 4,6 kΩ
E
R00 = −7,6 kΩ
E
Evidentemente, a solução adequada para o projeto é RE = 4,6 kΩ.
Por fim, resta apenas dimensionar os resistores R1 e R2 responsáveis por estabelecer a tensão de polari-
zação no terminal de base do transistor, cujo valor deverá ser igual a
VB = RE IE + VBE ∼
= 4,6 · 1,7 + 0,6 = 8,42 V.
Usando a mesma metodologia apresentada na Seção III.6, vamos dimensionar esses resistores de modo que a
corrente de polarização circulando através deles seja aproximadamente igual a 10% da corrente IC , ou seja,
∼ IR2 = 0,1 IC . Assim, teremos que:
IR1 =
VCC − VB 12 − 8,42
R1 = = = 21 kΩ,
0,1 IC 0,17
VB 8,42
R2 = = = 49,5 kΩ.
0,1 IC 0,17
Por fim, resta-nos verificar se a nossa aproximação inicial RE //(rπ /(β + 1)) ∼
= rπ /(β + 1) efetivamente
nos permitiu satisfazer à especificação da impedância de saı́da. Para o caso em que β = 100, teremos que

rπ
Ro = RE // = 14,5 Ω.
β+1
Já para β = 800, teremos que

rπ
Ro = RE // = 14,6 Ω.
β+1
Portanto, a especificação de que Ro < 15 Ω é plenamente satisfeita pelo circuito projetado.
Um ponto que merece ser destacado em ambos os exemplos de projeto apresentados acima é o fato
de que algumas aproximações foram feitas para facilitar os cálculos de projeto. Esse é um artifı́cio
frequentemente adotado por projetistas analógicos para facilitar seus cálculos feitos manualmente.
Além disso, deve ser mencionado que existem projetos em que os cálculos de dimensionamento dos
componentes é impossı́vel de ser realizado analiticamente, sem lançar mão de aproximações. Nesses
casos, se o uso de aproximações não for possı́vel, o projetista precisará resolver o problema através
de métodos numéricos executados em um computador.
No projeto acima, por exemplo, tı́nhamos duas expressões resultantes das especificações:

rπ
RE // < 15 Ω,
β+1

Capı́tulo III 139
VCC − RE IC − VCEsat = RE //RL · IC .

rπ
Caso o projetista abordasse o problema considerando que RE // β+1 = 15 Ω para o pior caso de
β, terı́amos, então, um sistema com duas equações

RE // β · vT = 15 Ω
β+1 IC
CC − RE IC − VCEsat − RE //RL · IC = 0
V
e duas incógnitas: IC e RE . Evidentemente, essa abordagem resultaria em uma solução perfei-

tamente viável para o projeto. Contudo, os cálculos ficariam mais complexos ao adotarmos esse
caminho. Resolvendo esse sistema de equações com o auxı́lio de um computador, obtemos como
resultado IC = 1,66 mA e RE = 4,7 kΩ, cujos valores são razoavelmente próximos daqueles obtidos
no exemplo acima.
No próximo exemplo, temos um problema de projeto onde todas as especificações são expressas
por meio de inequações — esta situação é a mais frequentemente encontrada pelos projetistas.
O primeiro passo para resolver esse tipo de problema consiste em definir o espaço de soluções
que atendem ao conjunto de especificações. Depois, o projetista deve utilizar algum critério para
selecionar qual solução será adotada no projeto.
Exemplo iii.22
Considere que o amplificador em emissor comum VCC = 12 V

da figura ao lado será construı́do com um transistor
que apresenta VBE ∼ = 0,6 V, vT = 25 mV à tempe-
RC
ratura ambiente (27◦ C) e um parâmetro β que pode R1
assumir valores entre 100 e 800. Além disso, consi- vo
dere que o circuito será alimentado com uma fonte vin Q1 RL
de tensão VCC = 12 V e que a impedância de carga 10 k
será RL = 10 kΩ. Dessa forma, projete o amplifica- R2 RE

dor de modo a satisfazer às seguintes especificações:
• Ganho de tensão |Av | > 150 V/V;
• Excursão de sinal na saı́da maior que 3,0 V;
• Variação de até 5% na corrente de polarização IC devido a uma variação de temperatura de até 50◦ C
em relação à temperatura ambiente;
• Variação menor que 5% na corrente de polarização IC caso o ganho de corrente β do transistor assuma
valores na faixa de 100 a 800;
• A corrente de polarização do transistor Q1 deve ser menor que 5,0 mA.
Solução:
A primeira especificação do projeto diz respeito ao ganho de tensão de pequenos sinais vo /vin do circuito.
Para o amplificador em emissor comum da figura acima, a expressão analı́tica para esse ganho de tensão é
Av = − gm · RC //RL .
De acordo com a primeira especificação do projeto, devemos ter |Av | > 150 V/V. Dessa forma, devemos
garantir que
gm · RC //RL > 150

Capı́tulo III 140
150
gm > .
RC //RL
Lembrando que gm = IC /vT e que (RC //RL )−1 = 1/RC + 1/RL , podemos reescrever a expressão acima da
seguinte forma:
IC 1 1
> 150 + .
vT RC RL
Para facilitar a notação matemática e, consequentemente, nossos cálculos, vamos definir as condutâncias
GC = 1/RC e GL = 1/RL . Dessa maneira, a inequação acima pode ser expressa da seguinte forma:
IC > 150 vT (GC + GL ) . (III.121)
A segunda especificação do projeto diz respeito aos limites de excursão de sinal na saı́da vo . No caso do
amplificador em emissor comum em questão, os resultados obtidos em (III.110) e (III.111) nos indicam que
esses limites são dados por
vomax = IC · RC //RL
vomin = −(VCE − VCEsat ).
De acordo com as especificações do projeto, o amplificador deverá ser capaz de produzir sinais na saı́da vo
com amplitudes maiores que 3,0 V. Dessa forma, precisamos garantir que vomax > 3,0 V e vomin < −3,0 V.
No que diz respeito à vomax , teremos que
IC · RC //RL > 3,0

1 1
IC > 3,0 + .
RC RL
Se adotarmos novamente as condutâncias GC = 1/RC e GL = 1/RL , a expressão acima poderá ser expressa
da seguinte forma:
IC > 3,0 (GC + GL ) . (III.122)
Por outro lado, no que diz respeito ao limite vomin , teremos que
−(VCE − VCEsat ) < −3,0
VCE > 3,0 + VCEsat .
A partir do circuito de polarização do amplificador, temos que a tensão VCE é dada por
VCE = (VCC − RC IC ) − VE .
Então, em nosso projeto, devemos garantir que
(VCC − RC IC ) − VE > 3,0 + VCEsat
1
IC < (VCC − VE − 3,0 − VCEsat ) .
RC
Mais uma vez, adotando a condutância GC = 1/RC , poderemos expressar a condição acima de maneira
mais simples:
IC < (VCC − VE − 3,0 − VCEsat ) GC . (III.123)
A terceira especificação do projeto trata da sensibilidade da corrente de polarização IC com respeito ao

valor da temperatura. Conforme mencionado na Seção III.4, a tensão de joelho da curva IC × VBE diminui
a uma taxa de 2,0 mV por cada grau Celsius de aumento na temperatura. Sendo assim, uma variação de
50◦ C na temperatura acarretará em uma variação de 100 mV na tensão de polarização VBE .
Uma variação em VBE certamente terá impacto na corrente de polarização IC . Para quantificar esse

Capı́tulo III 141
impacto, vamos usar a expressão da sensibilidade de IC em relação à VBE (III.35):
∆IC
IC VBE
SIVCBE = = − .
∆VBE VE
VBE

De acordo com a especificação deste projeto, precisamos garantir que ∆I ≤ 5% na ocorrência de uma
C
IC
variação |∆VBE | = 0,1 V na tensão VBE do transistor. Sendo assim:

∆IC VBE ∆VBE
IC = VE
·
≤ 0,05.
VBE
Como VBE > 0 no transistor NPN, podemos escrever que
|∆VBE |
≤ 0,05
VE
|∆VBE |
VE ≥ .
0,05
Dessa forma, para |∆VBE | = 0,1 V, devemos garantir que VE ≥ 2,0 V. Entretanto, devemos ter em mente
que a excursão de sinal na saı́da do amplificador ficaria comprometida ao adotarmos valores elevados para
essa tensão de polarização. Portanto, com o objetivo de não sacrificar a excursão de sinal, adota-se prefe-
rencialmente o valor mı́nimo VE = 2,0 V no projeto.
Finalmente, a última especificação do projeto exige que a corrente de polarização no coletor do transistor
não ultrapasse o limite de 5,0 mA. Dessa forma, essa especificação pode ser expressa matematicamente da
seguinte forma:
IC < 5,0 mA. (III.124)
Assim, a partir das expressões obtidas em (III.121) até (III.124), temos o seguinte conjunto de condições
que o amplificador em emissor comum deve satisfazer:
(a) IC > 150 vT (GC + GL )
(b) IC > 3,0 (GC + GL )
(c) IC < (VCC − VE − 3,0 − VCEsat ) GC
(d) IC < 5,0 mA
Sabendo-se que nas expressões acima temos vT = 25 mV, GL = 1/RL = 0,1 mA/V, VCC = 12 V, VE =
2,0 V e VCEsat = 0,2 V, podemos reescrever as restrições de projeto da seguinte forma:
(a) IC > 3,75 (GC + 0,1)
(b) IC > 3,0 (GC + 0,1)
(c) IC < 6,8 GC
(d) IC < 5,0 mA
Tal conjunto de inequações delimita um espaço de soluções viáveis para o projeto em questão. Esse espaço
está representado graficamente na figura a seguir, onde a região colorida representa a interseção entre as
quatro inequações listadas acima. O leitor pode observar que, ao expressarmos as restrições de projeto acima
em função das condutâncias GC = 1/RC e GL = 1/RL , o espaço de soluções viáveis pôde ser facilmente
obtido a partir do traçado de retas no gráfico IC × GC .
Uma vez identificado o espaço de soluções viáveis para o presente projeto, precisamos agora escolher
um ponto dentro dessa região para finalmente estabelecermos os valores de resistência que os resistores do

Capı́tulo III 142
IC
ICmax
IC + IC
IC
IC IC
GC
GL GCmin GC
amplificador deverão assumir. Uma escolha bastante tentadora seria adotar GC = GCmin , onde GCmin é
o menor valor que a condutância GC pode assumir de modo que todas as especificações de projeto sejam
satisfeitas — veja a figura acima. A grande vantagem dessa solução está no fato de que ela corresponde ao
menor valor que a corrente de polarização IC pode assumir e, consequentemente, trata-se da solução com o
menor consumo de potência. Entretanto, ao fixarmos GC = GCmin , qualquer desvio verificado no valor da
corrente de polarização IC — causado por variações no ganho β e na tensão VBE do transistor — fará com
que o circuito opere fora da região de soluções viáveis. Portanto, a melhor decisão de projeto seria escolher
um ponto que permaneça dentro da região de soluções viáveis, mesmo na ocorrência de um desvio ∆IC na
corrente de polarização IC do transistor — conforme está ilustrado na figura acima.
Para este projeto, foi especificada uma tolerância de 5% para o valor da corrente de polarização IC
na ocorrência de variações no ganho β ou na tensão VBE do transistor. Dessa forma, com o objetivo de
assegurar que o ponto de polarização do transistor esteja dentro da região de soluções viáveis mesmo na
ocorrência de variações simultâneas em β e VBE , adotaremos em nossos cálculos de projeto um desvio ∆IC
igual a 10% de IC — ou seja, a soma dos desvios em IC causados pelas variações em β e VBE isoladamente.
Note, caro leitor, que isso é uma decisão de projeto e que outro projetista poderia arbitrar um ∆IC diferente.
Todavia, se optarmos por adotar um ∆IC maior que 10% de IC , a figura acima nos mostra que a corrente
de polarização IC será maior, elevando o consumo de potência do amplificador. Portanto, a escolha de ∆IC
passa pelo estabelecimento de um compromisso o consumo de potência e a tolerância no valor de IC .
Uma vez definido que adotaremos neste projeto ∆IC = 0,1 IC , vamos agora calcular os valores de GC e
IC que satisfazem a essa condição. De acordo com a figura acima, o ponto de coordenadas (GC , IC − ∆IC )
está localizado exatamente sobre a reta definida pela condição (a), ou seja:
IC − ∆IC = 3,75 (GC + 0,1).
Por outro lado, o ponto (GC , IC + ∆IC ) pertence à reta definida pela condição (c). Dessa forma, teremos
que
IC + ∆IC = 6,8 GC .
Substituindo ∆IC = 0,1 IC em ambas as equações, obteremos um sistema linear com duas equações e duas
incógnitas: 
0,9 IC = 3,75 GC + 0,375
1,1 IC = 6,8 GC
Resolvendo esse sistema de equações, obtemos como resultado 1/GC = RC = 4,8 kΩ e IC = 1,3 mA.
Neste exemplo, vamos considerar que o circuito será construı́do com resistores comerciais cuja tolerância
é de 5%. Sendo assim, o valor comercial mais adequado para realizar o resistor RC será de 4,7 kΩ.
Uma vez determinada a corrente de polarização do transistor para este projeto, estamos aptos a deter-
minar o resistor RE :
VE ∼ 2,0
RE = = ∴ RE = 1,5 kΩ.
IE 1,3
Por fim, resta-nos dimensionar os resistores R1 e R2 de modo a estabelecer a tensão de polarização da
base do transistor Q1 e, ao mesmo tempo, satisfazer à especificação de projeto que requer uma tolerância

Capı́tulo III 143
de 5% no valor da corrente de polarização IC , caso o ganho β do transistor assuma valores na faixa que vai
de 100 a 800. Para isso, adotaremos a mesma metodologia de projeto já estudada na Seção III.6.
No circuito de polarização do amplificador, vamos substituir o divisor de tensão resistivo formado por
R1 e R2 pelo seu equivalente de Thévenin, onde
R2 R1 R2
VT H = · VCC e RT H = R1 //R2 = .
R1 + R2 R1 + R2
Assim, no circuito equivalente da figura abaixo, a corrente de polarização no coletor de Q1 será dada por:
VT H − VBE
IC = β · .
RT H + (β + 1)RE
VCC VCC
IC R IC R
R1
R TH
Q1 Q1
VTH IB
R2
R R
Para que a corrente de polarização apresente uma variação de até 5% em seu valor, devemos garantir que
a equação acima produza IC = 1,3 − 0,05 · 1,3 = 1,235 mA quando β = 100 e IC = 1,3 + 0,05 · 1,3 = 1,365 mA
quando β = 800. Dessa forma, teremos o seguinte sistema de equações:

 VT H − 0,6
1,235 = 100 ·


RT H + 101 · 1,5

 VT H − 0,6
1,375 = 800 ·

RT H + 801 · 1,5
Resolvendo o sistema acima, obtemos como solução VT H = 2,679 V e RT H = 16,82 kΩ.
Assim, usando as expressões de VT H e RT H , teremos que
VCC 12
R1 = RT H · = 16,82 · = 75,3 kΩ.
VT H 2,679
Se construirmos esse circuito usando resistores com tolerância de 5%, o valor comercial mais adequado seria
R1 = 75 kΩ. Observe que escolher o valor comercial imediatamente abaixo do valor calculado tornará a
corrente de polarização menos sensı́vel às variações do ganho β do transistor.
Para calcular o resistor R2 , usamos
VT H 2,679
R2 = R1 · = 75 · = 21,6 kΩ.
VCC − VT H 12 − 2,679
Deve-se salientar que usamos o valor comercial de R1 na expressão acima para reduzir o erro do divisor
resistivo ao estabelecer a tensão VT H . No caso do resistor R2 , a escolha mais adequada de valor comercial
seria R2 = 22 kΩ.
Assim, finalizamos o nosso projeto do amplificador em emissor comum com R1 = 75 kΩ, R2 = 22 kΩ,
RC = 4,7 kΩ e RE = 1,5 kΩ. Com o objetivo de conferir nossos resultados, vamos analisar o amplificador
projetado e verificar se as especificações do projeto são adequadamente atendidas. Considerando um ganho

Capı́tulo III 144
β mı́nimo igual a β = 100, teremos que o amplificador projetado apresentará
IC = 1,26 mA
IC
gm = = 50,4 mA/V
vT
Av = −gm · RC //RL = −161,1 V/V
vomax = IC · RC //RL = 4,03 V
vomin = −(VCE − VCEsat ) = −3,99 V.
Por outro lado, se o ganho de corrente do transistor apresentar o seu valor máximo permitido pelo fabricante
β = 800, obteremos:
IC = 1,39 mA
IC
gm = = 55,6 mA/V
vT
Av = −gm · RC //RL = −177,8 V/V
vomax = IC · RC //RL = 4,44 V
vomin = −(VCE − VCEsat ) = −3,18 V.
Portanto, mesmo na ocorrência de variações no valor de parâmetro β do transistor, o amplificador projetado

continua satisfazendo às especificações do projeto.

Ccapitulo 03 - Revisão de Semicondutore

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Capı́tulo III

O transistor é considerado uma das maiores invenções da humanidade, pois revolucionou os

III.1 - Modos de Operação do Transistor Bipolar de Junção

III.1.1 - Transistor no Modo de Corte

• Junção Base-Emissor Reversamente Polarizada

• Junção Base-Coletor Reversamente Polarizada

Figura III.3: Transistor NPN operando no modo de corte.

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III.1.2 - Transistor no Modo Ativo

• Junção Base-Emissor Diretamente Polarizada

• Junção Base-Coletor Reversamente Polarizada

Concentração de Elétrons na Base

Figura III.4: Transistor NPN operando no modo ativo.

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Aplicando (III.1) em (III.2), obtém-se

A relação (III.3) também pode ser reescrita da seguinte forma:

onde o parâmetro β é dado por

Como a constante α é usualmente da ordem de 0,99, a constante β assumirá valores da ordem de

Usualmente, os manuais de fabricantes de transistor informam apenas o valor do parâmetro β,

a qual foi obtida a partir de manipulações algébricas aplicadas a (III.5).

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III.1.3 - Transistor no Modo Ativo Reverso

• Junção Base-Emissor Reversamente Polarizada

• Junção Base-Coletor Diretamente Polarizada

Figura III.5: Transistor NPN operando no modo ativo reverso.

Em virtude da polarização direta, a junção base-coletor conduz corrente elétrica. Entretanto,

Aplicando a Lei das Correntes de Kirchhoff, teremos que:

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III.1.4 - Transistor no Modo de Saturação

• Junção Base-Emissor Diretamente Polarizada

• Junção Base-Coletor Diretamente Polarizada

No modo de saturação ambas as junções PN do transistor estarão diretamente polarizadas,

Figura III.6: Transistor NPN operando no modo de saturação.

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III.2 - O Transistor PNP

Figura III.7: Transistor PNP operando no modo de corte.

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Figura III.8: Transistor PNP operando no modo ativo.

Figura III.9: Transistor PNP operando no modo ativo reverso.

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Figura III.10: Transistor PNP operando no modo de saturação.

Tabela III.1: Modos de operação dos transistores bipolares de junção.

Corte Reversamente Reversamente VC > VB e VE > VB VB > VC e VB > VE

Ativo Diretamente Reversamente VC > V B > V E VE > VB > VC

Ativo Reverso Reversamente Diretamente VC < V B < V E VE < VB < VC

Saturação Diretamente Diretamente VC < VB e VE < VB VB < VC e VB < VE

III.3 - Modelagem Matemática dos Transistores Bipolares

III.3.1 - Modelo de Ebers-Moll

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IDC IDE IDC IDE

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A corrente de coletor, por sua vez, é dada por

Por fim, a corrente de base será

onde temos que

III.3.2 - Transistor Operando em Corte

III.3.3 - Transistor Operando no Modo Ativo

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IC = IS eVBE /vT ; (III.23)

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III.3.4 - Transistor Operando no Modo de Saturação

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No caso do transistor PNP, o resultado é análogo.

III.4 - Curvas Caracterı́sticas do Transistor Bipolar

IS VBC /vT IS (VBE −VCE )/vT

Escrevendo, agora, a equação da malha :