Módulo 11 - Amplificadores em Circuito Integrado

Amplificadores em Circuito Integrado
Prof. Carlos Fernando Teodósio Soares
UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO DE JANEIRO

ESCOLA POLITÉCNICA
Departamento de Engenharia Eletrônica e de Computação
Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 1/103

Amplificadores em Circuito Integrado Paradigmas de Projeto
Agenda da Aula
Paradigmas de Projeto de Circuitos Integrados
Polarização com Fontes de Corrente

Espelho de Corrente MOS
Espelho de Corrente Bipolar
Fontes de Corrente com Desempenho Aprimorado
Amplificadores Básicos com Carga Ativa
Amplificadores Diferenciais com Carga Ativa

Agenda da Aula


Os tamanhos extremamente reduzidos dos transistores dentro de um circuito

integrado limitam as tensões de alimentação que podem ser adotadas.


O custo de fabricação de um chip está relacionado com a área que esse circuito
ocupa em uma pastilha de silı́cio. Dessa forma, os transistores são os elementos
mais baratos de um circuito integrado.


O projetista de circuitos integrados tem liberdade de definir as dimensões fı́sicas

W e L com as quais os MOSFET’s serão construı́dos.



Elementos passivos, como resistores, capacitores e indutores, ocupam muita área

na pastilha de silı́cio e, por essa razão, são evitados sempre que possı́vel em
circuitos integrados.




Os parâmetros fı́sicos dos dispositivos integrados são normalmente muito

imprecisos, em virtude das suas dimensões extremamente reduzidas e das
variações aleatórias no processo de fabricação.




Os parâmetros fı́sicos dos dispositivos integrados são normalmente muito

imprecisos, em virtude das suas dimensões extremamente reduzidas e das
variações aleatórias no processo de fabricação.
As variações aleatórias do processo de fabricação afetam uniformemente todos os

dispositivos do mesmo tipo que são construı́dos em um mesmo chip.

Circuitos amplificadores
VDD
discretos com muitos
resistores e capacitores de
acoplamento não são RD1
adequados para a construção R1
integrada, pois ocupariam M2
uma enorme área de silı́cio. vi M1 vo
R2 RF2
RF1

Circuitos amplificadores
VDD
discretos com muitos
resistores e capacitores de
acoplamento não são
adequados para a construção IP1 Ro1 Ro1 IP1
integrada, pois ocupariam
uma enorme área de silı́cio. M3
Projetistas de circuitos v1 M1 M2 v2 vo
integrados dão preferência a
circuitos amplificadores com
estruturas diferenciais e com IP2 Ro2
fontes de corrente que são 2 IP1 Ro1
usadas para polarização e
também como cargas ativas.
VSS

Amplificadores em Circuito Integrado Fontes de Corrente
Fontes de Corrente
Fonte de Corrente Ideal:
it it
IP
vt IP
0 vt

Fontes de Corrente
it it
IP
vt IP
0 vt
Fonte de Corrente Não Ideal:
it it
IP
vt IP RP
0 vt

Fontes de Corrente
it it
IP
vt IP
0 vt
it it
IP
vt IP RP
0 vt
vt
it = IP +
RP

Fontes de Corrente
it it
IP
vt IP
0 vt
it it
IP 1
vt IP RP RP
0 vt
vt
it = IP +
RP

Fontes de Corrente
O Transistor como Fonte de Corrente:

Operação como
iD Fonte de Corrente
iD
M1 vDS
VGS
0 vDS
VGS - Vth

Fontes de Corrente

Operação como
iD
M1 vDS
VGS
0 vDS
VGS - Vth
Observações
Para exercer o papel de uma fonte de corrente, o MOSFET deve estar operando no
modo de saturação. Para que isso aconteça, devemos garantir que:
vDS ≥ VGS − Vth

Fontes de Corrente

Operação como
iD
M1 vDS
VGS
0 vDS
VGS - Vth
Observações
Para exercer o papel de uma fonte de corrente, o MOSFET deve estar operando no
modo de saturação. Para que isso aconteça, devemos garantir que:
vDS ≥ VGS − Vth
A inclinação da curva caracterı́stica no modo de saturação se deve ao Efeito de
Modulação do Comprimento de Canal. Portanto, esse efeito é o responsável pela
impedância de saı́da dessa fonte de corrente.

Construção Prática de Fontes de Corrente
As variações aleatórias no processo de fabricação tornam imprecisos os

parâmetros kN e Vth do transistor.
Polarizando o transistor com uma tensão VGS constante, a imprecisão em kN e
Vth tornará bastante imprecisa a corrente IO entregue pela fonte de corrente.
iD
IO
M1 vGS IO
VGS
vGS
VGS
1 W
IO = kN (VGS − Vth )2
2 L

As variações aleatórias no processo de fabricação tornam imprecisos os

parâmetros kN e Vth do transistor.
Polarizando o transistor com uma tensão VGS constante, a imprecisão em kN e
Vth tornará bastante imprecisa a corrente IO entregue pela fonte de corrente.
iD
IO
M1 vGS DIO IO
VGS
vGS
VGS
1 W
IO = kN (VGS − Vth )2
2 L

O problema causado pela imprecisão dos dispositivos integrados pode ser

contornado pela estrutura conhecida como Espelho de Corrente, que se baseia no
bom casamento entre dispositivos integrados.
VDD iD
IRef RD
IO IRef
M1 M2 vGS
VGS1 VGS2 VGS


VDD iD
IRef RD
IO IRef
M1 M2 vGS
VGS1 VGS2 VGS
VDD − RD IRef − VGS 1 = 0


VDD iD
IRef RD
IO IRef
M1 M2 vGS
VGS1 VGS2 VGS

VDD 1
IRef = − · VGS 1
RD RD


VDD iD
VDD 1
IRef RD RD
RD
IO IRef
M1 M2 vGS
VGS1 VGS2 VGS

VDD 1
IRef = − · VGS 1
RD RD


VDD iD
VDD 1
IRef RD RD
RD
IO DIRef IRef
M1 M2 vGS
VGS1 VGS2 VGS

VDD 1
IRef = − · VGS 1
RD RD

Amplificadores em Circuito Integrado Espelho de Corrente MOS
O Espelho de Corrente MOS
Ajustando as dimensões dos transistores M1 e M2 , é possı́vel fazer com que o

Espelho de Corrente MOS proporcione um ganho de corrente entre ID1 e ID2 .

1 W1
ID1 = kN

 (VGS 1 − Vth )2
VDD 2 L1
1 W
ID2 = kN 2 (VGS 2 − Vth )2


2 L2
ID1 RD ID2
M1 M2
VGS1 VGS2



1 W1
ID1 = kN

 (VGS 1 − Vth )2
VDD 2 L1
1 W
ID2 = kN 2 (VGS 2 − Vth )2


2 L2
ID1 RD ID2
Ganho de Corrente do Espelho MOS:
ID2
1
2
kN W2
L2
(VGS 1 − Vth )2
=
ID1 1
kN W1
(VGS 2 − Vth )2
M1 M2 2 L1
VGS1 VGS2



1 W1
ID1 = kN

 (VGS 1 − Vth )2
VDD 2 L1
1 W
ID2 = kN 2 (VGS 2 − Vth )2


2 L2
ID1 RD ID2
ID2
1 W2
k ( 2
1 − Vth )
(VGS(
((
2 N L2 ((

= 1 2
ID1 k W1 (VGS(
2 N L1 ((
(((
2 − Vth )
M1 M2
VGS1 VGS2



1 W1
ID1 = kN

 (VGS 1 − Vth )2
VDD 2 L1
1 W
ID2 = kN 2 (VGS 2 − Vth )2


2 L2
ID1 RD ID2
ID2
1 W2
k ( 2
1 − Vth )
(VGS(
((
2 N L2 ((

= 1 2
ID1 k W1 (VGS(
2 N L1 ((
(((
2 − Vth )
M1 M2
VGS1 VGS2 W2
ID2 L
= 2
ID1 W1
L1

Polarização com Espelhos de Corrente MOS
O ganho dos espelhos de corrente permite polarizar diferentes amplificadores a

partir de uma mesma referência de corrente.
VDD VDD
RC1 RC1 RC2 RC2
v1 M1 M2 v2 v3 M3 M4 v4
2 IP1 RP1 2 IP2 RP2
VSS VSS


VDD VDD VDD
RC1 RC1 RC2 RC2

RA
IR1 v1 M1 M2 v2 v3 M3 M4 v4
2 IP1 2 IP2
M7
M5 M6
VSS VSS VSS

W5 W6
L5 L6
2IP1 = W7
· IR1 2IP2 = W7
· IR1
L7 L7


VDD VDD
RC1 RC1
2 IP2 RP2
v1 M1 M2 v2
v3 M3 M4 v4
2 IP1 RP1
RC2 RC2
VSS VSS


VDD VDD
VDD VDD
RC1 RC1
RA M8
M7
2 IP2
IR1 v1 M1 M2 v2
IR2 v3 M3 M4 v4
2 IP1
M9 M6
M5 RC2 RC2
VSS VSS VSS
VSS
W5 W6 W8
L5 L6 L8
2IP1 = W9
· IR1 IR2 = W9
· IR1 2IP2 = W7
· IR2
L9 L9 L7

Parâmetros do Espelho de Corrente
io
is RS Ri iin A iin Ro RL

io
Ganho de Corrente:
1 A iin
io = · 1
RL Ro
+ R1L

io
Ganho de Corrente:
1 A iin
io = · 1
RL Ro
+ R1L
Ro
io = · A iin
RL + Ro

io
Ganho de Corrente:
1 A iin 1 is
io = · 1
iin = · 1 1
RL Ro
+ R1L Ri RS
+ Ri
Ro
io = · A iin
RL + Ro

io
Ganho de Corrente:
1 A iin 1 is
io = · 1
iin = · 1 1
RL Ro
+ R1L Ri RS
+ Ri
Ro RS
io = · A iin iin = is
RL + Ro Ri + RS

io
Ganho de Corrente:
1 A iin 1 is
io = · 1
iin = · 1 1
RL Ro
+ R1L Ri RS
+ Ri
Ro RS
RL + Ro Ri + RS
Ro RS
io = ·A· is
RL + Ro Ri + RS

io
Ganho de Corrente:
1 A iin 1 is
io = · 1
iin = · 1 1
RL Ro
+ R1L Ri RS
+ Ri
Ro RS
RL + Ro Ri + RS
Ro RS
io = ·A· is
RL + Ro Ri + RS
io Ro RS
= ·A·
is RL + Ro Ri + RS

Parâmetros do Espelho de Corrente - Ganho
io
ii Ri iin A iin Ro

Parâmetros do Espelho de Corrente - Ganho
io
ii Ri iin A iin Ro
Ganho Interno de Corrente:

io
A=
ii

Parâmetros do Espelho de Corrente - Impedância de Entrada
io

it
vt Ri iin A iin Ro RL

it
vt Ri iin A iin Ro RL
Impedância de Entrada:
vt
Ri =
it

Parâmetros do Espelho de Corrente - Impedância de Saı́da
io

it
RS Ri iin A iin Ro vt

it
RS Ri 0 A iin Ro vt

it
RS Ri 0 A iin Ro vt
Impedância de Saı́da:
vt
Ro =
it

Análise de Pequenos Sinais do Espelho MOS
VDD
ii ID1
ID2 + io
M1 M2
vGS1 vGS2

io
ii ro1 gm1vgs1 vgs1 vgs2 gm2vgs2 ro2

io
1 vgs1 vgs2
ii ro1 gm1 gm2vgs2 ro2

io
1 vgs1 vgs2
Ganho de corrente para pequenos sinais:

1
vgs2 = vgs1 = ro1 // · ii
gm1

io
1 vgs1 vgs2

1
gm1
1
vgs2 = vgs1 ≈ · ii
gm1

io
1 vgs1 vgs2

1 io = gm2 vgs2
gm1
1
gm1

io
1 vgs1 vgs2
ii

1 io = gm2 ·
gm1 gm1
1
gm1

io
1 vgs1 vgs2
ii

1 io = gm2 ·
gm1 gm1
1 io gm2
vgs2 = vgs1 ≈ · ii =
gm1 ii gm1

io
1 vgs1 vgs2
ii

1 io = gm2 ·
gm1 gm1
1 io gm2
gm1 ii gm1
io kN W2
L2
(VGS 2 − Vth )
= W
ii kN L1 (VGS 1 − Vth )
1

io
1 vgs1 vgs2
ii

1 io = gm2 ·
gm1 gm1
1 io gm2
gm1 ii gm1
W2 ( W2
k (V( 2 − Vth )
io N L ( GS(
((
2 L2
=
ii k W1
N L ((V( ((( =
1 − Vth )
GS(
W1
1 L1

it
vt 1 vgs1 vgs2
ro1 gm1 gm2vgs2 ro2

it
vt 1 vgs1 vgs2
ro1 gm1 gm2vgs2 ro2
Impedância de Entrada para pequenos sinais:

vt 1
Ri = = ro1 //
it gm1

it
vt 1 vgs1 vgs2
ro1 gm1 gm2vgs2 ro2

vt 1
Ri = = ro1 //
it gm1
1
Ri ≈
gm1

io
ii ro1 gm1vgs1 vgs1 vgs2 gm2vgs2 ro2

it
1 vgs1 vgs2
ro1 gm1 gm2vgs2 ro2 vt

it
1
ro1 gm1 0 0 gm2vgs2 ro2 vt

it
1
ro1 gm1 0 0 gm2vgs2 ro2 vt
Impedância de Saı́da para pequenos sinais:

vt
Ro = = ro2
it

Exemplo de Amplificador Polarizado com Fonte de Corrente
[Exemplo] Considere que o amplificador diferencial da figura abaixo foi construı́do

em um processo de fabricação CMOS onde kN = 200 µA/V2 , Vth = 0,5 V e λ =
0,01 V−1 . Nesse circuito, os transistores apresentam larguras de canal W1 = W2 =
40 µm, W3 = 80 µm e W4 = 20 µm, e o mesmo comprimento de canal L = 1,0 µm.
Dessa forma, calcule:
(a) As correntes de polarização VDD = + 5,0 V

em cada um dos transistores do
amplificador. RD RD
3,0 kW 3,0 kW
(b) O ganho de tensão diferencial RA vo
AVd = vo /vd , onde vd = v1 − v2 . 18 kW
M1 M2
(c) O ganho de tensão de modo
v1 v2
comum AVcm = vo /vcm .
(d) A Taxa de Rejeição ao Modo
Comum CMRR = |AVd /AVcm |. M4 M3
VSS = - 5,0 V
Exemplo - Análise de Polarização
VDD VDD
ID4 ID1 RD RD ID2
RA
M1 M2
1 0
ID3
M4 M3
VGS4 VGS3
VSS VSS

Equação da malha ¬:
VDD VDD
VDD − RA ID4 − VGS 4 = VSS
ID4 ID1 RD RD ID2
RA
M1 M2
1 0
ID3
M4 M3
VGS4 VGS3
VSS VSS

VDD VDD
ID4 ID1 RD RD ID2
VDD − VSS − VGS 4
ID4 =
RA RA
M1 M2
1 0
ID3
M4 M3
VGS4 VGS3
VSS VSS

VDD VDD
ID4 ID1 RD RD ID2
ID4 =
RA RA
M1 M2
1 0 Modelo do MOSFET:
ID3 1 W4
ID4 = kN (VGS 4 − Vth )2
2 L
M4 M3
VGS4 VGS3
VSS VSS

VDD VDD
ID4 ID1 RD RD ID2
ID4 =
RA RA
M1 M2
ID3 VDD − VSS − VGS 4

=
RA
M4 M3 1 W4
kN (VGS 4 − Vth )2
VGS4 VGS3 2 L
VSS VSS

VDD VDD
ID4 ID1 RD RD ID2
ID4 =
RA RA
M1 M2
ID3 5,0 + 5,0 − VGS 4

=
18
M4 M3 1 20
· 0,2 · (VGS 4 − 0,5)2
2 1,0
VGS4 VGS3
VSS VSS

VDD VDD
ID4 ID1 RD RD ID2
ID4 =
RA RA
M1 M2
ID3 5,0 + 5,0 − VGS 4

=
18
M4 M3 1 20
· 0,2 · (VGS 4 − 0,5)2
2 1,0
VGS4 VGS3
2
VSS VSS 36VGS 4 − 35VGS 4 − 1 = 0

VDD VDD
ID4 ID1 RD RD ID2
ID4 =
RA RA
M1 M2
ID3 5,0 + 5,0 − VGS 4

=
18
M4 M3 1 20
· 0,2 · (VGS 4 − 0,5)2
2 1,0
VGS4 VGS3
2
VSS VSS 36VGS 4 − 35VGS 4 − 1 = 0
(
0
VGS 4 = + 1,0 V
00
VGS 4 = − 0,028 V

VDD VDD
ID4 ID1 RD RD ID2
ID4 =
RA RA
M1 M2
ID3 5,0 + 5,0 − VGS 4

=
18
M4 M3 1 20
· 0,2 · (VGS 4 − 0,5)2
2 1,0
VGS4 VGS3
2
VSS VSS 36VGS 4 − 35VGS 4 − 1 = 0
(
0
VGS 4 = + 1,0 V 5,0 + 5,0 − 1,0
00
→ ID4 = = 0,5 mA
VGS 4 = − 0,028 V 18

Corrente de Referência:
VDD VDD
ID4 = 0,5 mA
ID4 ID1 RD RD ID2
RA
M1 M2
1 0
ID3
M4 M3
VGS4 VGS3
VSS VSS

VDD VDD
ID4 = 0,5 mA
ID4 ID1 RD RD ID2
Ganho de espelhamento:
RA W3
L
M1 M2 ID3 = W4
· ID4
1 0 L
ID3
M4 M3
VGS4 VGS3
VSS VSS

VDD VDD
ID4 = 0,5 mA
ID4 ID1 RD RD ID2
RA W3
L
M1 M2 ID3 = W4
· ID4
1 0 L
ID3 W3
ID3 = · ID4
W4
M4 M3
VGS4 VGS3
VSS VSS

VDD VDD
ID4 = 0,5 mA
ID4 ID1 RD RD ID2
RA W3
L
M1 M2 ID3 = W4
· ID4
1 0 L
80
ID3 ID3 = · 0,5 = 2,0 mA
20
M4 M3
VGS4 VGS3
VSS VSS

VDD VDD
ID4 = 0,5 mA
ID4 ID1 RD RD ID2
RA W3
L
M1 M2 ID3 = W4
· ID4
1 0 L
80
ID3 ID3 = · 0,5 = 2,0 mA
20
M4 M3
VGS4 VGS3 Simetria do par M1 e M2 :
VSS VSS ID3

ID1 = ID2 = = 1,0 mA
2

Exemplo - Análise de Pequenos Sinais
VDD VDD
RD RD
vo
RA
M1 M2
v1 v2
M4 M3
VSS VSS
Parâmetros de Pequenos Sinais:

r
W 1
gm = 2 kN ID ro =
L λ ID

Transistores M1 e M2 :
VDD VDD
(
gm1 = gm2 = 4,0 mA/V
RD RD ro1 = ro2 = 100 kΩ
vo
RA
M1 M2
v1 v2
M4 M3
VSS VSS

r
W 1
gm = 2 kN ID ro =
L λ ID

VDD VDD
(
gm1 = gm2 = 4,0 mA/V
vo
RA
M1 M2 Transistor M3 :
v1 v2 (
gm3 = 8,0 mA/V
ro3 = 50 kΩ
M4 M3
VSS VSS

r
W 1
gm = 2 kN ID ro =
L λ ID

VDD VDD
(
gm1 = gm2 = 4,0 mA/V
vo
RA
v1 v2 (
gm3 = 8,0 mA/V
ro3 = 50 kΩ
M4 M3
Transistor M4 :
VSS VSS (
gm4 = 2,0 mA/V
Parâmetros de Pequenos Sinais: ro4 = 200 kΩ
r
W 1
gm = 2 kN ID ro =
L λ ID

(
gm1 = gm2 = 4,0 mA/V
vo
RA
v1 v2 (
gm3 = 8,0 mA/V
ro3 = 50 kΩ
M4 M3
Transistor M4 :
(
gm4 = 2,0 mA/V
Parâmetros de Pequenos Sinais: ro4 = 200 kΩ
r
W 1
gm = 2 kN ID ro =
L λ ID

RD RD
vo
v1 vgs1 gmvgs1 ro ro gmvgs2 vgs2 v2
RA ro4 gm4vgs4 vgs4 vgs3 gm3vgs3 ro3

RD RD
vo
1 vgs4 vgs3 gm3vgs3

RA ro4 gm4 ro3

RD RD
vo
1 gm3vgs3
RA ro4 gm4 0 0 ro3

RD RD
vo
ro3

Exemplo - Análise Diferencial
RD RD
vo
vd vd
+ vgs1 gmvgs1 ro ro gmvgs2 vgs2 -
2 2
ro3

RD RD
vo
vd vd
2 2
0
0 ro3

RD RD
vo
vd vd
2 2
0
0 ro3
Ganho de Tensão Diferencial para pequenos sinais:
vo = − gm vgs2 · RD //ro

RD RD
vo
vd vd
2 2
0
0 ro3
vo = − gm vgs2 · RD //ro
v
d
vo = − gm − · RD //ro
2

RD RD
vo
vd vd
2 2
0
0 ro3
vo = − gm vgs2 · RD //ro vo 1
AVd = = gm RD //ro
v vd 2
d
vo = − gm − · RD //ro
2

RD RD
vo
vd vd
2 2
0
0 ro3
vo = − gm vgs2 · RD //ro vo 1
AVd = = gm RD //ro
v vd 2
d
vo = − gm − · RD //ro AVd = + 5,83 V/V
2

Exemplo - Análise de Modo Comum
RD RD
vo
vcm vgs1 gmvgs1 ro ro gmvgs2 vgs2 vcm

vs
ro3

RD RD
vo

vs
2 ro3 2 ro3

RD RD
vo

vs
2 ro3 0 2 ro3

RD RD
vo

vs
2 ro3 0 2 ro3
Ganho de Tensão de Modo Comum para pequenos sinais:

vo vo − vs
+ + gm vgs2 = 0
RD ro

RD RD
vo

vs
2 ro3 0 2 ro3

vo vo − vs vs vs − vo
+ + gm vgs2 = 0 + − gm vgs2 = 0
RD ro 2 ro3 ro

RD RD
vo

vs
2 ro3 0 2 ro3

vo vo − vs vs vs − vo
+ + gm (vcm − vs ) = 0 + − gm (vcm − vs ) = 0
RD ro 2 ro3 ro

RD RD
vo

vs
2 ro3 0 2 ro3

v
o vo − vs
 + + gm (vcm − vs ) = 0
RD ro

 vs + vs − vo − gm (vcm − vs ) = 0

2 ro3 ro

RD RD
vo

vs
2 ro3 0 2 ro3

v
o vo − vs vo gm RD //ro
 + + gm (vcm − vs ) = 0 =−
RD ro

vcm 1 + 2 ro3 gm + r1o RD//ro
RD
 vs + vs − vo − gm (vcm − vs ) = 0

2 ro3 ro

RD RD
vo

vs
2 ro3 0 2 ro3

v
o vo − vs vo gm RD //ro
 + + gm (vcm − vs ) = 0 =−
RD ro

vcm 1 + 2 ro3 gm + r1o RD//ro
RD
 vs + vs − vo − gm (vcm − vs ) = 0

2 ro3 ro AVcm = − 0,0298 V/V

Exemplo - Taxa de Rejeição ao Modo Comum
Taxa de Rejeição ao Modo Comum (CMRR):

1

AVd
gm RD //ro
CMRR = = 2
AVcm gm RD //ro

RD//ro
1 + 2 ro3 gm + r1o RD


1

AVd
gm RD
//r

o
CMRR = = 2
AVcm g
m R//r

D o
RD//ro
1 + 2 ro3 gm + r1o RD


1

AVd
gm RD
//r

o
CMRR = = 2
AVcm g
m R//r

D o
RD//ro
1 + 2 ro3 gm + r1o RD

1 1 RD //ro
CMRR = + ro3 gm +
2 ro RD


1

AVd
gm RD
//r

o
CMRR = = 2
AVcm g
m R//r

D o
RD//ro
1 + 2 ro3 gm + r1o RD

1 1 RD //ro
CMRR = + ro3 gm +
2 ro RD

1 RD //ro
CMRR ≈ ro3 gm +
ro RD


1

AVd
gm RD
//r

o
CMRR = = 2
AVcm g
m R//r

D o
RD//ro
1 + 2 ro3 gm + r1o RD

1 1 RD //ro
CMRR = + ro3 gm +
2 ro RD

1 RD //ro
CMRR ≈ ro3 gm +
ro RD
Taxa de Rejeição expressa em decibéis (dB):

AVd
CMRR = 20 · log = 45,83 dB
AVcm

Observação - Análise para Pequenos Sinais
A análise para pequenos sinais pode ser bastante simplificada se substituirmos a

fonte de corrente pelo seu circuito equivalente de Norton:
VDD VDD
RD RD
vo
RA
M1 M2
v1 v2
M4 M3
VSS VSS


VDD
RD RD
vo
M1 M2
v1 v2
ID3 ro3
VSS


RD RD
vo
M1 M2
v1 v2
ro3


RD RD
vo
ro3

Amplificadores em Circuito Integrado Espelho de Corrente Bipolar
Agenda da Aula


A estrutura do espelho de corrente apresentada anteriormente para o MOSFET

também pode ser utilizada com transistores bipolares de junção para a
construção de fontes de corrente:
VCC
IRef RC
IO
Q1 Q2 VCE2
VBE1 VBE2
IO
≈1
IRef

A estrutura do espelho de corrente apresentada anteriormente para o MOSFET

também pode ser utilizada com transistores bipolares de junção para a
construção de fontes de corrente:
VCC VCC
IRef IRef RC IO
RC
IO
Q1 Q2 VCE2 Q1 Q2
VBE1 VBE2 VBE1 VBE2
IO IO
≈1 ≈N
IRef IRef

O maior problema dos espelhos de corrente construı́dos com transistores

bipolares está no erro de espelhamento causado pelas correntes de base:
VCC
(N+1)IC I O = N IC
IRef RC b
IC
IC
Q1 Q2
IC N IC
b b


IO N IC
VCC =
IRef (N + 1)IC
IC +
I O = N IC β
(N+1)IC
IRef RC b
IC
IC
Q1 Q2
IC N IC
b b


VCC IO NI
C
=
IRef (N + 1)
I
C
I
C +
I O = N IC β

(N+1)IC
IRef RC b
IC
IC
Q1 Q2
IC N IC
b b


VCC IO NI
C
=
IRef (N + 1)
I
C
I
C +
I O = N IC β

(N+1)IC
IRef RC b IO
=
N
IC IRef (N + 1)
1+
IC β
Q1 Q2
IC N IC
b b


VCC IO NI
C
=
IRef (N + 1)
I
C
I
C +
I O = N IC β

(N+1)IC
IRef RC b IO
=
N
IC IRef (N + 1)
1+
IC β
Q1 Q2 IO
≈N
IRef
IC N IC
b b

O erro de espelhamento causado pelas correntes de base pode ser compensado

com a adição de um transistor auxiliar (beta helper):
VCC
IRef
IO
RC
Q3
Q1 Q2


VCC
IRef
(N+1)IC IO = N IC
RC (b+1)b
(N+1)IC IC
IC b
Q1 Q2
IC N IC
b b


VCC IO N IC
IRef =
IRef (N + 1)IC
(N+1)IC IO = N IC IC +
(β + 1)β
RC (b+1)b
(N+1)IC IC
IC b
Q1 Q2
IC N IC
b b


VCC IO N I
C
IRef =
IRef (N + 1)I
C
(N+1)IC IO = N IC I
C +
(β + 1)β
RC (b+1)b
(N+1)IC IC
IC b
Q1 Q2
IC N IC
b b


VCC IO N I
C
IRef =
IRef (N + 1)I
C
(N+1)IC IO = N IC I
C +
(β + 1)β
RC (b+1)b
(N+1)IC IC IO N
=
IC b IRef
1+
(N + 1)
(β + 1)β
Q1 Q2
IC N IC
b b


VCC IO N I
C
IRef =
IRef (N + 1)I
C
(N+1)IC IO = N IC I
C +
(β + 1)β
RC (b+1)b
(N+1)IC IC IO N
=
IC b IRef
1+
(N + 1)
(β + 1)β
Q1 Q2
IO
IC N IC ≈N
IRef
b b

Análise de Pequenos Sinais do Espelho Bipolar
VCC
ii IRef
IC2 + io
Q1 Q2
vBE1 vBE2

io
ii ro1 gm1vbe1 vbe1 rp1 rp2 vbe2 gm2vbe2 ro2

io
1
ii ro1 gm1 vbe1 rp1 rp2 vbe2 gm2vbe2 ro2

io
1

1
vbe2 = vbe1 = ro1 // //rπ1 //rπ2 · ii
gm1

io
1

1
vbe2 = vbe1 = ro1 // //rπ1 //rπ2 · ii
gm1
1
vbe2 = vbe1 ≈ · ii
gm1

io
1

io = gm2 vbe2
1
vbe2 = vbe1 = ro1 // //rπ1 //rπ2 · ii
gm1
1
gm1

io
1

ii

1
io = gm2 ·
vbe2 = vbe1 = ro1 // //rπ1 //rπ2 · ii gm1
gm1
1
gm1

io
1

ii

1
io = gm2 ·
gm1
io gm2
=
1 ii gm1
gm1

io
1

ii

1
io = gm2 ·
gm1
io gm2
=
1 ii gm1
gm1 IC 2
io vT IC 2
= IC 2
=
ii vT
IC 1

it
1
vt ro1 gm1 vbe1 rp1 rp2 vbe2 gm2vbe2 ro2

it
1

vt 1
Ri = = ro1 // //rπ1 //rπ2
it gm1

it
1

vt 1
Ri = = ro1 // //rπ1 //rπ2
it gm1
1
Ri ≈
gm1

io
ii ro1 gm1vbe1 vbe1 rp1 rp2 vbe2 gm2vbe2 ro2

it
1 vt
ro1 gm1 vbe1 rp1 rp2 vbe2 gm2vbe2 ro2

it
1 vt
ro1 gm1 0 rp1 rp2 0 gm2vbe2 ro2

it
1 vt
ro1 gm1 0 rp1 rp2 0 gm2vbe2 ro2

vt
Ro = = ro2
it

Exemplo de Polarização com Fonte de Corrente Bipolar
[Exemplo] O amplificador diferencial da figura abaixo foi construı́do com

transistores bipolares com ganho de corrente β = 100 e tensão de joelho |VBE | =
0,6 V. Além disso, a referência da fonte de corrente de polarização emprega um diodo
zener Z1 , com tensão de ruptura VZ = 6,0 V. Dessa forma, calcule as correntes de
polarização IC 1 e IC 2 nos terminais de coletor dos transistores do par diferencial.
VCC = + 5,0 V
RE RC RC
Z1 2,7 kW 3,0 kW vo1 vo2 3,0 kW
Q6 Q1 Q2
v1 v2
R1 Q5
4,0 kW
Q4 Q3
VEE = - 5,0 V
VCC VCC
IC1 RC RC IC2
VZ RE
Q6 Q1 Q2
R1 Q5
Q4 Q3
VEE VEE

VCC VCC
1 IE6
IC1 RC RC IC2
VZ RE
VEB
Q6 Q1 Q2
IC6
R1 Q5
Q4 Q3
VEE VEE
Cálculo da corrente de referência:
VCC − RE IE 6 − VEB + VZ = VCC

VCC VCC
1 IE6
IC1 RC RC IC2
VZ RE
VEB
Q6 Q1 Q2
IC6
R1 Q5
Q4 Q3
VEE VEE
− RE IE 6 − VEB + VZ =
VCC VCC


VCC VCC
1 IE6
IC1 RC RC IC2
VZ RE
VEB
Q6 Q1 Q2
IC6
R1 Q5
Q4 Q3
VEE VEE
− RE IE 6 − VEB + VZ = VZ − VEB
VCC
VCC
∴ IE 6 =
RE

VCC VCC
1 IE6
IC1 RC RC IC2
VZ RE
VEB
Q6 Q1 Q2
IC6
R1 Q5
Q4 Q3
VEE VEE
− RE IE 6 − VEB + VZ = 6,0 − 0,6

VCC
VCC
∴ IE 6 = = 2,0 mA
2,7

VCC VCC
1 IE6
IC1 RC RC IC2
VZ RE
VEB
Q6 Q1 Q2
IC6
R1 Q5
Q4 Q3
VEE VEE
β
IC 6 = α IE 6 ∴ IC 6 = IE 6
β+1

VCC VCC
1 IE6
IC1 RC RC IC2
VZ RE
VEB
Q6 Q1 Q2
IC6
R1 Q5
Q4 Q3
VEE VEE
100
IC 6 = α IE 6 ∴ IC 6 = · 2,0 = 1,98 mA
100 + 1

VCC VCC
1 IE6
IC1 RC RC IC2
VZ RE
VEB
Q6 2IC4
(b+1)b Q1 Q2
IC6
R1 Q5 IC3 = IC4
IC4
Q4 Q3
IC4 IC4
VEE b b VEE
Cálculo da corrente de polarização do par diferencial:

VCC VCC
1 IE6
IC1 RC RC IC2
VZ RE
VEB
Q6 2IC4
(b+1)b Q1 Q2
IC6
R1 Q5 IC3 = IC4
IC4
Q4 Q3
IC4 IC4
VEE b b VEE
IC 4 IC 4
=
IC 6 2IC 4
IC 4 +
(β + 1)β

VCC VCC
1 IE6
IC1 RC RC IC2
VZ RE
VEB
Q6 2IC4
(b+1)b Q1 Q2
IC6
R1 Q5 IC3 = IC4
IC4
Q4 Q3
IC4 IC4
VEE b b VEE
IC 4 IC4
=
IC 6 2IC
4
IC
4 +
(β + 1)β

VCC VCC
1 IE6
IC1 RC RC IC2
VZ RE
VEB
Q6 2IC4
(b+1)b Q1 Q2
IC6
R1 Q5 IC3 = IC4
IC4
Q4 Q3
IC4 IC4
VEE b b VEE
1
IC 4 = · IC 6
2
1+
(β + 1)β

VCC VCC
1 IE6
IC1 RC RC IC2
VZ RE
VEB
Q6 2IC4
(b+1)b Q1 Q2
IC6
R1 Q5 IC3 = IC4
IC4
Q4 Q3
IC4 IC4
VEE b b VEE
1 1
IC 4 = · IC 6 ∴ IC 4 = · 1,98 = 1,9796 mA
2 2
1+ 1+
(β + 1)β (100 + 1) · 100

VCC VCC
1 IE6
IC1 RC RC IC2
VZ RE
VEB
Q6 2IC4
(b+1)b Q1 Q2
IC6
R1 Q5 IC3 = IC4
IC4
Q4 Q3
IC4 IC4
VEE b b VEE
1 1
IC 4 = · IC 6 ∴ IC 4 = · 1,98 ≈ 1,98 mA
2 2
1+ 1+
(β + 1)β (100 + 1) · 100

VCC VCC
1 IE6
IC1 RC RC IC2
VZ RE
VEB
Q6 2IC4
(b+1)b Q1 Q2
IC6
R1 Q5 IC3 = IC4
IC4
Q4 Q3
IC4 IC4
VEE b b VEE
Em virtude da simetria entre Q1 e Q2 , teremos:
IC 3
IC 1 = IC 2 = ∴ IC 1 = IC 2 = 0,99 mA
2

Observação - Espelho sem Transistor Auxiliar
VCC VCC
IC1 RC RC IC2
Z1 RE
Q6 Q1 Q2
R1
Q4 Q3
VEE VEE

VCC VCC
1 IE6
IC1 RC RC IC2
VZ RE
VEB
Q6 Q1 Q2
IC6
R1
Q4 Q3
VEE VEE

VCC VCC
1 IE6
IC1 RC RC IC2
VZ RE
VEB
Q6 Q1 Q2
IC6
R1
Q4 Q3
VEE VEE
Corrente de referência:
VZ − VEB 6,0 − 0,6
IE 6 = ∴ IE 6 = = 2,0 mA
RE 2,7

VCC VCC
1 IE6
IC1 RC RC IC2
VZ RE
VEB
Q6 Q1 Q2
IC6
R1
Q4 Q3
VEE VEE
β
IC 6 = α IE 6 ∴ IC 6 = IE 6
β+1

VCC VCC
1 IE6
IC1 RC RC IC2
VZ RE
VEB
Q6 Q1 Q2
IC6
R1
Q4 Q3
VEE VEE
100
IC 6 = α IE 6 ∴ IC 6 = · 2,0 = 1,98 mA
100 + 1

VCC VCC
1 IE6
IC1 RC RC IC2
VZ RE
VEB
2IC4
Q6 Q1 Q2
b
IC6
R1 IC4 IC3 = IC4
Q4 Q3
IC4 IC4
VEE b b VEE
Corrente de polarização do par diferencial:
IC 4 IC 4
=
IC 6 2IC 4
IC 4 +
β

VCC VCC
1 IE6
IC1 RC RC IC2
VZ RE
VEB
2IC4
Q6 Q1 Q2
b
IC6
R1 IC4 IC3 = IC4
Q4 Q3
IC4 IC4
VEE b b VEE
IC 4 IC
4
=
IC 6 2
IC
4
IC
4 +
β

VCC VCC
1 IE6
IC1 RC RC IC2
VZ RE
VEB
2IC4
Q6 Q1 Q2
b
IC6
R1 IC4 IC3 = IC4
Q4 Q3
IC4 IC4
VEE b b VEE
1
IC 4 = · IC 6
2
1+
β

VCC VCC
1 IE6
IC1 RC RC IC2
VZ RE
VEB
2IC4
Q6 Q1 Q2
b
IC6
R1 IC4 IC3 = IC4
Q4 Q3
IC4 IC4
VEE b b VEE
1 1
IC 4 = · IC 6 ∴ IC 4 = · 1,98 = 1,94 mA
2 2
1+ 1+
β 100

VCC VCC
1 IE6
IC1 RC RC IC2
VZ RE
VEB
2IC4
Q6 Q1 Q2
b
IC6
R1 IC4 IC3 = IC4
Q4 Q3
IC4 IC4
VEE b b VEE
Em virtude da simetria entre Q1 e Q2 , teremos:
IC 3
IC 1 = IC 2 = ∴ IC 1 = IC 2 = 0,97 mA
2

Amplificadores em Circuito Integrado Espelhos de Corrente Aprimorados
Agenda da Aula


Problema – Polarização de Amplificadores Operacionais Integrados
Uma das caracterı́sticas ideais de um amplificador operacional é a sua altı́ssima

impedância de entrada.
Para obter uma elevadı́ssima impedância de entrada diferencial em com um par
diferencial bipolar, é necessário adotar uma baixı́ssima corrente de polarização.
VCC VCC
Impedância de Entrada
IRef
RC RC Rid = 2 rπ1
vo1 vo2
R1
Q1 Q2
v1 v2
IP
Q4 Q3
VEE VEE


VCC VCC
IRef
RC RC Rid = 2 rπ1
vo1 vo2
R1 β
Rid = 2
Q1 Q2 gm1
v1 v2
IP
Q4 Q3
VEE VEE


VCC VCC
IRef
RC RC Rid = 2 rπ1
vo1 vo2
R1 β
Rid = 2
Q1 Q2 gm1
v1 v2 vT
IP Rid = 2 β ·
IC 1
Q4 Q3
VEE VEE

Exemplo de Projeto - Espelho Simples

[Exemplo 01] Dimensione a fonte de Solução
corrente bipolar representada abaixo de
modo a produzir uma corrente de
polarização IP = 10 µA. Neste projeto,
considere que os transistores apresentam
VBE = 0,6 V quando IC = 1,0 mA e que
o circuito integrado é alimentado com
VCC = 5,0 V e VEE = − 5,0 V.
VCC
IRef
R1
IP
Q1 Q2
VBE1 VBE2
VEE VEE

Dimensionando a fonte com
IRef = IP = 10 µA, teremos a
seguinte tensão VBE :
VBE = 0,6 V quando IC = 1,0 mA e que IC = IS · e VBE /vT
VCC = 5,0 V e VEE = − 5,0 V.
VCC
IRef
R1
IP
Q1 Q2
VBE1 VBE2
VEE VEE

VCC = 5,0 V e VEE = − 5,0 V. (
1,0 = IS · e 0,6/vT
V 0,010 = IS · e VBE /vT
CC
IRef
R1
IP
Q1 Q2
VBE1 VBE2
VEE VEE

VCC = 5,0 V e VEE = − 5,0 V. (
1,0 = IS · e 0,6/vT
V 0,010 = IS · e VBE /vT
CC
1,0 IS · e 0,6/vT
=
IRef 0,01 IS · e VBE /vT
R1
IP
Q1 Q2
VBE1 VBE2
VEE VEE

VCC = 5,0 V e VEE = − 5,0 V. (
1,0 = IS · e 0,6/vT
V 0,010 = IS · e VBE /vT
CC
1,0 IS · e 0,6/vT
=
R1
IP 100 = e (0,6−VBE )/vT
Q1 Q2
VBE1 VBE2
VEE VEE

VCC = 5,0 V e VEE = − 5,0 V. (
1,0 = IS · e 0,6/vT
V 0,010 = IS · e VBE /vT
CC
1,0 IS · e 0,6/vT
=
R1
IP 100 = e (0,6−VBE )/vT
VBE = 0,6 − vT ln(100)

Q1 Q2
VBE1 VBE2
VEE VEE

VCC = 5,0 V e VEE = − 5,0 V. (
1,0 = IS · e 0,6/vT
V 0,010 = IS · e VBE /vT
CC
1,0 IS · e 0,6/vT
=
R1
IP 100 = e (0,6−VBE )/vT
VBE = 0,6 − vT ln(100)

Q1 Q2
VBE1 VBE2 VBE = 0,48 V
VEE VEE

Cálculo da resistência R1 :
polarização IP = 10 µA. Neste projeto, VCC − (VEE + VBE 1 )
considere que os transistores apresentam R1 =
IRef
VCC = 5,0 V e VEE = − 5,0 V.
VCC
IRef
R1
IP
Q1 Q2
VBE1 VBE2
VEE VEE

IRef
o circuito integrado é alimentado com 5,0 − (− 5,0 + 0,48)
VCC = 5,0 V e VEE = − 5,0 V. R1 =
0,01
VCC
IRef
R1
IP
Q1 Q2
VBE1 VBE2
VEE VEE

IRef
o circuito integrado é alimentado com 5,0 − (− 5,0 + 0,48)
VCC = 5,0 V e VEE = − 5,0 V. R1 =
0,01
VCC R1 = 952 kΩ
IRef
R1
IP
Q1 Q2
VBE1 VBE2
VEE VEE
Exemplo de Projeto - Espelho de Widlar

[Exemplo 01] Repita o mesmo projeto Solução
para a fonte de corrente de Widlar
representada abaixo de modo a produzir
uma corrente de polarização IP = 10 µA.
VCC
IRef
RA
IP
Q1 Q2
VBE1 VBE2
RB
VEE VEE


Neste projeto, adotaremos:
uma corrente de polarização IP = 10 µA. (
IRef = 1,0 mA
V IP = 10 µA
CC
IRef
RA
IP
Q1 Q2
VBE1 VBE2
RB
VEE VEE


IRef = 1,0 mA
V IP = 10 µA
CC
Projeto de RA :
IRef
RA VCC − (VEE + VBE 1 )
RA =
IP IRef
Q1 Q2
VBE1 VBE2
RB
VEE VEE


IRef = 1,0 mA
V IP = 10 µA
CC
Projeto de RA :
IRef
RA =
IP IRef
5,0 − (− 5,0 + 0,6)

RA =
Q1 Q2 1
VBE1 VBE2
RB
VEE VEE


IRef = 1,0 mA
V IP = 10 µA
CC
Projeto de RA :
IRef
RA =
IP IRef
5,0 − (− 5,0 + 0,6)

RA =
Q1 Q2 1
VBE1 VBE2
RB RA = 9,4 kΩ
VEE VEE


IRef = 1,0 mA
V IP = 10 µA
CC
Projeto de RB :
IRef
RA VBE 1 − VBE 2
RB ≈
IP IP
Q1 Q2
VBE1 VBE2
RB
VEE VEE


IRef = 1,0 mA
V IP = 10 µA
CC
Projeto de RB :
IRef
RA VBE 1 − VBE 2
RB ≈
IP IP
0,6 − 0,48
RB ≈
Q1 Q2 0,01
VBE1 VBE2
RB
VEE VEE


IRef = 1,0 mA
V IP = 10 µA
CC
Projeto de RB :
IRef
RA VBE 1 − VBE 2
RB ≈
IP IP
0,6 − 0,48
RB ≈
Q1 Q2 0,01
VBE1 VBE2 RB = 12 kΩ
RB
VEE VEE

Impedância de Saı́da do Espelho de Widlar
A resistência de degeneração no Espelho de Widlar cria uma realimentação

negativa que permite aumentar a impedância de saı́da da fonte de corrente.
A realimentação negativa faz com que a impedância de saı́da do Espelho de
Widlar seja significativamente maior que a impedância de um espelho simples.
VCC
IRef
RA
IO
Q1 Q2 VO
VBE1 VBE2
RB VRB
VEE VEE

A resistência de degeneração no Espelho de Widlar cria uma realimentação

negativa que permite aumentar a impedância de saı́da da fonte de corrente.
A realimentação negativa faz com que a impedância de saı́da do Espelho de
Widlar seja significativamente maior que a impedância de um espelho simples.
VCC Impedância de Saı́da

∆vo
IRef Ro =
RA ∆io
IO + Dio
Q1 Q2 VO + Dvo
VBE1 VBE2 - Dv
RB VRB + Dv
VEE VEE

io
RA ro1 gm1vbe1 vbe1 rp1 rp2 ib2 b ib2 ro2 vo
RB

io
1 ib2
RA ro1 gm1 vbe1 rp1 rp2 b ib2 ro2 vo
RB

io
1 ib2
≈ g rp2 b ib2 ro2 vo
m1
RB

io
1 ib2
m1
ib2 + io RB io - b ib2

io
1 ib2
m1

1
RB (ib2 + io ) + rπ2 + ib2 = 0
gm1

io
1 ib2
m1

1
RB (ib2 + io ) + rπ2 + ib2 = 0
gm1
RB (ib2 + io ) + rπ2 ib2 ≈ 0

io
1 ib2
m1

1
RB (ib2 + io ) + rπ2 + ib2 = 0
gm1
RB (ib2 + io ) + rπ2 ib2 ≈ 0
RB
ib2 = − · io
rπ2 + RB

io
1 ib2
m1

1 RB (ib2 + io ) + ro2 (io − β ib2 ) = vo
RB (ib2 + io ) + rπ2 + ib2 = 0
gm1
RB (ib2 + io ) + rπ2 ib2 ≈ 0
RB
ib2 = − · io
rπ2 + RB

io
1 ib2
m1

1 RB (ib2 + io ) + ro2 (io − β ib2 ) = vo
RB (ib2 + io ) + rπ2 + ib2 = 0
gm1

RB
RB (ib2 + io ) + rπ2 ib2 ≈ 0 RB io − · io +
rπ2 + RB

RB RB
ib2 = − · io ro2 io + β · io = vo
rπ2 + RB rπ2 + RB

io
1 ib2
m1

RB rπ2 RB
io β ro2 + ro2 + = vo
rπ2 + RB rπ2 + RB

io
1 ib2
m1

RB rπ2 RB
io β ro2 + ro2 + = vo
rπ2 + RB rπ2 + RB
vo rπ2 //RB
Ro = ∴ Ro = β ro2 + ro2 + rπ2 //RB
io rπ2

Impedância de Saı́da do Espelho de Widlar - Exemplo


VCC = + 5,0 V β = 100

vT = 25 mV

IRef VA = 100 V

RA 1,0 mA IP
9,4 kW 10 mA
Ro
Q1 Q2
VBE1 VBE2
RB
12 kW
VEE = - 5,0 V



VCC = + 5,0 V β = 100

vT = 25 mV

IRef VA = 100 V

RA 1,0 mA IP
9,4 kW 10 mA gm1 = IvCT1 = 40 mA/V




β
Ro Q1 rπ1 = gm1 = 2,5 kΩ


 VA
Q1 Q2 ro1 = IC 1 = 100 kΩ
VBE1 VBE2 
gm2 = IvCT2 = 0,4 mA/V
RB 

12 kW

β
Q2 rπ2 = gm2 = 250 kΩ

VEE = - 5,0 V

ro2 = IVCA2 = 10 MΩ




VCC = + 5,0 V β = 100

vT = 25 mV

IRef VA = 100 V

RA 1,0 mA IP
9,4 kW 10 mA gm1 = IvCT1 = 40 mA/V




β
Ro Q1 rπ1 = gm1 = 2,5 kΩ


 VA
Q1 Q2 ro1 = IC 1 = 100 kΩ
VBE1 VBE2 
gm2 = IvCT2 = 0,4 mA/V
RB 

12 kW

β
Q2 rπ2 = gm2 = 250 kΩ

VEE = - 5,0 V

ro2 = IVCA2 = 10 MΩ

Impedância de Saı́da do Espelho de Widlar:

rπ2 //RB
Ro = β ro2 + ro2 + rπ2 //RB = 55,8 MΩ
rπ2

Espelho de Corrente Cascode
O efeito de realimentação negativa usado para aumentar a impedância de saı́da

também pode ser conseguido através do cascateamento de dois transistores.
Estrutura Cascode (Cascaded Electrode):
IO
M2 VO
VG2 VGS2
M1 VDS1
VG1 VGS1


IO + Dio
M2 VO + Dvo
VG2 VGS2 - Dv
M1 VDS1 + Dv Impedância de Saı́da

VG1 VGS1 Ro =
∆vo
∆io


IO + Dio iD
Dio
M2 VO + Dvo
0 vDS
Dv
VG2 VGS2 - Dv
M1 VDS1 + Dv Impedância de Saı́da

VG1 VGS1 Ro =
∆vo
∆io


VDD
IRef IO
RA
VO
M4 M2
vGS4 vGS2
M3 M1
vGS3 vGS1


Usualmente, os espelhos cascode são

VDD
projetados com:
IRef IO IO
W1
L1
W2
L2
RA = W3
= W4
IRef L3 L4
VO vGS 1 = vGS 3 e vGS 2 = vGS 4
M4 M2
vGS4 vGS2
M3 M1
vGS3 vGS1



VDD
projetados com:
IRef IO IO
W1
L1
W2
L2
RA = W3
= W4
IRef L3 L4
M4 M2 Faixa de operação:
vGS4 vGS2 vDS 2 ≥ vGS 2 − Vth
M3 M1
vGS3 vGS1



VDD
projetados com:
IRef IO IO
W1
L1
W2
L2
RA = W3
= W4
IRef L3 L4
vD2 − vS 2 ≥ vG2 − vS 2 − Vth

M3 M1
vGS3 vGS1



VDD
projetados com:
IRef IO IO
W1
L1
W2
L2
RA = W3
= W4
IRef L3 L4
vD2 − S 2 ≥ vG2 −
v S 2 − Vth
v
M3 M1
vGS3 vGS1



VDD
projetados com:
IRef IO IO
W1
L1
W2
L2
RA = W3
= W4
IRef L3 L4
vD2 − S 2 ≥ vG2 −
v S 2 − Vth
v
M3 M1
vGS3 vGS1 VO ≥ vGS 3 + vGS 4 − Vth

Impedância de Saı́da do Espelho Cascode
VDD
IRef
RA IO + io
M4 M2 VO + vo
vGS4 vGS2
M3 M1
vGS3 vGS1

RA io
M4 M2 vo
vgs4 vgs2
M3 M1
vgs3 vgs1

io
RA ro4 gm4vgs4 vgs4 vgs2 gm2vgs2 ro2 vo
ro3 gm3vgs3 vgs3 vgs1 gm1vgs1 ro1

io
1 vgs4 vgs2
RA ro4 gm4 gm2vgs2 ro2 vo
1 vgs3 vgs1
ro3 gm3 gm1vgs1 ro1

io
1 vgs2
RA ro4 gm4 0 gm2vgs2 ro2 vo
io
1
ro3 gm3 0 0 gm1vgs1 ro1

io
1 vgs2
io
1
vo = ro1 io + ro2 [io − gm2 vgs2 ]

io
1 vgs2
io
1
vo = ro1 io + ro2 [io − gm2 (0 − ro1 io )]

io
1 vgs2
io
1
vo = ro1 io + ro2 [io − gm2 (0 − ro1 io )]
vo = io (ro1 + ro2 + gm2 ro1 ro2 )

io
1 vgs2
io
1
Impedância de Saı́da do Espelho Cascode:

vo
Ro = ∴ Ro = ro1 + ro2 + gm2 ro1 ro2
io

Espelho de Corrente de Wilson
Um Espelho de Corrente Cascode construı́do com transistores bipolares

apresentaria um grande erro de espelhamento, causado pelas correntes de base.
Esse problema pode ser resolvido com o Espelho de Wilson:
VCC
IRef RC IB2 + IB4

IO
Q4 Q2
IB1 + IB3
Q3 Q1


VCC
IRef RC
Q2
IO
Q3 Q1


VCC
IO
IRef RC
Q2
Q3 Q1


VCC
(
IC 1 +
2
b ) IO
IRef RC (b+1)
Q2
IC
2IC
b (
IC 1 +
2
b )
IC
Q3 Q1
IC IC
b b


2
!
VCC 1+ β
β IC
(
IC 1 +
2
b ) IO
IO
IRef
=
β+1
1+ 2
!
IRef RC (b+1) β
IC + IC
β+1
Q2
IC
2IC
b (
IC 1 +
2
b )
IC
Q3 Q1
IC IC
b b


2
!
VCC 1+ β
β I
C
(
IC 1 +
2
b ) IO
IO
IRef
=
β+1
1 + β2
!
IRef RC (b+1) I
C + I
C
β+1
Q2
IC
2IC
b (
IC 1 +
2
b )
IC
Q3 Q1
IC IC
b b


2
!
VCC 1+ β
β I
C
(
IC 1 +
2
b ) IO
IO
IRef
=
β+1
1 + β2
!
IRef RC (b+1) I
C + I
C
β+1
Q2 1
IO
IC
2IC
b (
IC 1 +
2
b ) IRef
=
1+
2
IC β(β + 2)
Q3 Q1
IC IC
b b


2
!
VCC 1+ β
β I
C
(
IC 1 +
2
b ) IO
IO
IRef
=
β+1
1 + β2
!
IRef RC (b+1) I
C + I
C
β+1
Q2 1
IO
IC
2IC
b (
IC 1 +
2
b ) IRef
=
1+
2
IC β(β + 2)
IO
Q3 Q1 ≈1
IRef
IC IC
b b

Impedância de Saı́da do Espelho de Wilson
O efeito de realimentação negativa que proporciona uma elevada impedância de

saı́da também está presente no Espelho de Wilson.
VCC
IO
RC VRC
Q2 VO
VBE2
IC
IC
Q3 Q1
VBE1



IO + Dio
∆vo
Ro =
RC VRC + Dvc ∆io
Q2 VO + Dvo
VBE2 - Dv
IC + Dic
IC + Dic
Q3 Q1
VBE1 + Dvbe



IO + Dio
∆vo
Ro =
RC VRC + Dvc ∆io
ro2
Q2 VO + Dvo Ro ≈ β
2
VBE2 - Dv
IC + Dic
IC + Dic
Q3 Q1
VBE1 + Dvbe

Espelho de Corrente de Wilson com MOSFET
Também é possı́vel construir um Espelho de Corrente de Wilson usando

MOSFET’s. Entretanto, para evitar a ocorrência de um erro de espelhamento
entre IRef e IO , devemos atentar para as tensões vDS 1 e vDS 3 dos transistores.
VDD
IRef IO
RA
VO
M2
vGS2
vDS3 M3 M1 vDS1
vGS3 vGS1


Descasamento entre as tensões dos

VDD
transistores M1 e M3 :
IRef
(
IO vDS 1 = vGS 1
RA
vDS 3 = vGS 1 + vGS 2
VO
M2
vGS2
vDS3 M3 M1 vDS1
vGS3 vGS1


Descasamento entre as tensões dos

VDD
IRef
(
IO vDS 1 = vGS 1
RA
vDS 3 = vGS 1 + vGS 2
VO
iD
M2 IRef
vGS2 IO
vDS3 M3 M1 vDS1 0 vDS

vDS1 vDS3
vGS3 vGS1


Casamento entre as tensões dos

VDD
IRef
(
IO vDS 1 = vGS 1
RA
vDS 3 = vGS 1 + vGS 2 − vGS 4
VO
M4 M2
vGS4 vGS2
vDS3 M3 M1 vDS1
vGS3 vGS1



VDD
IRef
(
IO vDS 1 = vGS 1
RA
vDS 3 = vGS 1 + vGS 2 − vGS 4
VO
W1 W2
IO L1 L2
M4 M2 = W3
= W4
IRef L3 L4
vGS4 vGS2
vDS3 M3 M1 vDS1
vGS3 vGS1



VDD
IRef
(
IO vDS 1 = vGS 1
RA
vDS 3 = vGS 1 + 2 −
vGS vGS
4
VO
W1 W2
IO L1 L2
M4 M2 = W3
= W4
IRef L3 L4
vGS4 vGS2
vDS3 M3 M1 vDS1
vGS3 vGS1



VDD
IRef
(
IO vDS 1 = vGS 1
RA
vDS 3 = vGS 1 + 2 −
vGS vGS
4
VO
W1 W2
IO L1 L2
M4 M2 = W3
= W4
IRef L3 L4
vGS4 vGS2
iD
IO = IRef
vDS3 M3 M1 vDS1
vGS3 vGS1
0 vDS
vDS1 = vDS3

Impedância de Saı́da do Espelho de Wilson MOS
VDD
IRef
RA IO + io
M4 M2 VO + v o
vGS4 vGS2
M3 M1
vGS3 vGS1

RA io
M4 M2 vo
vgs4 vgs2
M3 M1
vgs3 vgs1

io
RA ro4 gm4vgs4 vgs4 vgs2 gm2vgs2 ro2 vo

io
1 vgs4 vgs2
RA ro4 gm4 gm2vgs2 ro2 vo
vgs3 vgs1 1
ro3 gm3vgs3 gm1 ro1

io
1 vgs4 vgs2
RA ≈ g gm2vgs2 ro2 vo
m4
vgs3 vgs1 1
ro3 gm3vgs3 ≈ g
m1

vg4
io
iA 1 vgs4 vgs2
m4
io io - gm2vgs2
vgs3 vgs1 1
ro3 gm3vgs3 ≈ g
m1

vg4
io
iA 1 vgs4 vgs2
m4
io io - gm2vgs2
vgs3 vgs1 1
ro3 gm3vgs3 ≈ g
m1
1
RA + g 1
m4
iA = 1 1 · gm3 vgs3
ro3
+
RA + g 1
m4

vg4
io
iA 1 vgs4 vgs2
m4
io io - gm2vgs2
vgs3 vgs1 1
ro3 gm3vgs3 ≈ g
m1
ro3
iA = · gm3 vgs3
1
ro3 + RA + gm4

vg4
io
iA 1 vgs4 vgs2
m4
io io - gm2vgs2
vgs3 vgs1 1
ro3 gm3vgs3 ≈ g
m1
ro3
iA = · gm3 vgs3
1
ro3 + RA + gm4
ro3
iA ≈ · gm3 vgs3
ro3 + RA

vg4
io
iA 1 vgs4 vgs2
m4
io io - gm2vgs2
vgs3 vgs1 1
ro3 gm3vgs3 ≈ g
m1
ro3
iA = · gm3 vgs3
1
ro3 + RA + gm4

ro3 io
iA ≈ · gm3
ro3 + RA gm1

vg4
io
iA 1 vgs4 vgs2
m4
io io - gm2vgs2
vgs3 vgs1 1
ro3 gm3vgs3 ≈ g
m1
ro3 io
iA = · gm3 vgs3 vgs2 = vg4 −
1 gm1
ro3 + RA + gm4

ro3 io
iA ≈ · gm3
ro3 + RA gm1

vg4
io
iA 1 vgs4 vgs2
m4
io io - gm2vgs2
vgs3 vgs1 1
ro3 gm3vgs3 ≈ g
m1
ro3 io
iA = · gm3 vgs3 vgs2 = − RA iA −
1 gm1
ro3 + RA + gm4

ro3 io
iA ≈ · gm3
ro3 + RA gm1

vg4
io
iA 1 vgs4 vgs2
m4
io io - gm2vgs2
vgs3 vgs1 1
ro3 gm3vgs3 ≈ g
m1
ro3 io
1 gm1
ro3 + RA + gm4

ro3

io
ro3 io io
iA ≈ · gm3 vgs2 = − RA · · gm3 −
ro3 + RA gm1 ro3 + RA gm1 gm1

vg4
io
iA 1 vgs4 vgs2
m4
io io - gm2vgs2
vgs3 vgs1 1
ro3 gm3vgs3 ≈ g
m1
ro3 io
1 gm1
ro3 + RA + gm4
io
ro3 io vgs2 = − (ro3 //RA · gm3 + 1)
iA ≈ · gm3 gm1
ro3 + RA gm1

vg4
io
iA 1 vgs4 vgs2
m4
io io - gm2vgs2
vgs3 vgs1 1
ro3 gm3vgs3 ≈ g
m1
io
vo = + ro2 [io − gm2 vgs2 ]
gm1

vg4
io
iA 1 vgs4 vgs2
m4
io io - gm2vgs2
vgs3 vgs1 1
ro3 gm3vgs3 ≈ g
m1

io io
vo = + ro2 io + gm2 (gm3 · ro3 //RA + 1)
gm1 gm1

vg4
io
iA 1 vgs4 vgs2
m4
io io - gm2vgs2
vgs3 vgs1 1
ro3 gm3vgs3 ≈ g
m1

io io
vo = + ro2 io + gm2 (gm3 · ro3 //RA + 1)
gm1 gm1
vo 1 gm2
Ro = ∴ Ro = + ro2 + (gm3 · ro3 //RA + 1) ro2
io gm1 gm1

Amplificadores em Circuito Integrado Amplificadores Básicos com Carga Ativa
Agenda da Aula


Motivação para Amplificadores com Carga Ativa
Usar fontes de corrente como carga ativa permite substituir os resistores por
transistores no circuito do amplificador, os quais ocupam menor área de silı́cio.
As elevadas impedâncias de saı́da das fontes de corrente usadas como carga ativa
proporcionam maiores ganhos de tensão aos amplificadores.
VDD
iD RD
vo
M1 vDS
vin vGS
VGS

VDD Exemplo
Dimensione o amplificador da figura ao
lado, calculando a resistência RD e as
iD RD tensões de polarização VDD e VGS , de
modo a polarizar o transistor M1 com
vo ID = 1,0 mA e obter um ganho de
tensão |vo /vin | = 100 V/V.
M1 vDS Nesse projeto, considere um processo de
fabricação CMOS com os parâmetros
vin vGS kN = 100 µA/V2 e Vth = 0,5 V.
Considere também que o transistor M1
VGS apresenta largura de canal W1 = 20 µm
e comprimento de canal L1 = 1,0 µm.

VDD Cálculo da tensão VGS :

1 W1
ID = kN (VGS − Vth )2
2 L1
iD RD
vo
M1 vDS
vin vGS
VGS


1 W1
2 L1
iD RD
s
vo 2ID
VGS = Vth ±
kN W
L1
1
M1 vDS
vin vGS
VGS


1 W1
2 L1
iD RD
s
vo 2ID
VGS = Vth +
kN W
L1
1
M1 vDS
vin vGS
VGS


1 W1
2 L1
iD RD
s
vo 2ID
VGS = Vth +
kN W
L1
1
M1 vDS s
2 · 1,0
vin vGS VGS = 0,5 + 20
0,1 · 1,0
VGS VGS = 1,5 V

VDD Cálculo da transcondutância gm :

r
W1
gm = 2 kN ID
iD RD L1
vo
M1 vDS
vin vGS
VGS

VDD Cálculo da transcondutância gm :

r
W1
gm = 2 kN ID
iD RD L1
r
vo gm = 2 · 0,1 ·
20
· 1,0
1,0
M1 vDS gm = 2,0 mA/V
vin vGS
VGS

VDD Cálculo da Resistência RD :

vo
vin = gm RD

iD RD
vo
M1 vDS
vin vGS
VGS


vo
vin = gm RD

iD RD

vo 1 vo
RD =
gm vin
M1 vDS
vin vGS
VGS


vo
vin = gm RD

iD RD

vo 1 vo
RD =
gm vin
M1 vDS 100
RD = = 50 kΩ
vin vGS 2,0
VGS

VDD Cálculo da Alimentação VDD :
VDD = RD ID + VDS
iD RD
vo
M1 vDS
vin vGS
VGS

VDD = RD ID + VDS
iD RD
VDD = 50 · 1,0 + VDS
vo
M1 vDS
vin vGS
VGS

VDD = RD ID + VDS
iD RD
VDD = 50 · 1,0 + VDS
vo
M1 vDS VDD > 50 V

vin vGS
VGS

VDD iD
iD RD
vo
M1 vDS
vin vGS vDS
VGS
VDD = RD iD − vDS

VDD iD
iD RD
vo
M1 vDS
vin vGS vDS
VGS VDD 1
iD = − vDS
RD RD

VDD iD
VDD
RD
iD RD
vo Q
ID
M1 vDS
vin vGS vDS
VDS VDD
VGS VDD 1
iD = − vDS
RD RD

VDD iD
iD RD
VDD Q
vo RD
M1 vDS
vin vGS vDS
VDS VDD
VGS VDD 1
iD = − vDS
RD RD

VDD VDD iD
M3 M2 vDS - VDD
VDD Q
vo RD
IRef M1 vDS
vin vGS vDS
VDS VDD
VGS VDD 1
iD = − vDS
RD RD

VDD VDD iD
M3 M2 vDS - VDD
vo Q
IRef M1 vDS
vin vGS vDS
VDS VDD
VGS

Amplificador em Fonte Comum com Carga Ativa
VDD VDD
M3 M2
vo
IRef M1
vin vGS
VGS

vo
vin vgs1 gm1vgs1 ro1

1 vgs3 vgs2
ro3 gm3 gm2vgs2 ro2
vo

1 0 0
ro3 gm3 gm2vgs2 ro2
vo

vo
vin vgs1 gm1vgs1 ro1 ro2

vo
Ganho de Tensão:
vo = − gm1 vgs1 · ro1 //ro2

vo
Ganho de Tensão:
vo = − gm1 vin · ro1 //ro2

vo
Ganho de Tensão:
vo = − gm1 vin · ro1 //ro2
vo
= − gm1 · ro1 //ro2
vin

it vo
vt vgs1 gm1vgs1 ro1 ro2
vt
Ri = ∴ Ri → ∞
it

vo

it
vgs1 gm1vgs1 ro1 ro2 vt
vt
Ro =
it

it
0 gm1vgs1 ro1 ro2 vt
vt
Ro =
it

it
vt
Ro =
it
Ro = ro1 //ro2

Como os transistores são aproximados por modelos linearizados para pequenos

sinais, é possı́vel simplificar a análise substituindo os circuitos das fontes de
corrente por seus equivalentes de Norton:
VDD VDD
M3 M2
vo
IRef M1
vin vGS
VGS


VDD
ID2 ro2
vo
M1
vin vGS
VGS


ro2
vo
M1
vin vgs


vo

Amplificador em Porta Comum com Carga Ativa
VDD VDD
M3 M2
vo
IRef M1
VGS vGS
vin

VDD
ID2 ro2
vo
M1
VGS vGS
vin

ro2
vo
M1
vgs
vin

vo
vgs1 gm1vgs1 ro1 ro2
vin

vo
vin
Ganho de Tensão:
vo vo − vin
+ gm1 vgs1 + =0
ro2 ro1

vo
vin
Ganho de Tensão:
vo vo − vin
+ gm1 (0 − vin ) + =0
ro2 ro1

vo
vin
Ganho de Tensão:
vo vo − vin
+ gm1 (0 − vin ) + =0
ro2 ro1

1 1 1
vo + = vin gm1 +
ro1 ro2 ro1

vo
vin
Ganho de Tensão:
vo vo − vin
+ gm1 (0 − vin ) + =0
ro2 ro1

1 1 1
vo + = vin gm1 +
ro1 ro2 ro1

vo 1
= gm1 + · ro1 //ro2
vin ro1

vo
vin
Ganho de Tensão:
vo vo − vin
+ gm1 (0 − vin ) + =0
ro2 ro1

1 1 1
vo + = vin gm1 +
ro1 ro2 ro1
vo
≈ gm1 · ro1 //ro2
vin

it
it gm1vgs1 + it
vt

it
it gm1vgs1 + it
vt
vt = ro1 [gm1 vgs1 + it ] + ro2 it

it
it gm1vgs1 + it
vt
vt = ro1 [gm1 (0 − vt ) + it ] + ro2 it

it
it gm1vgs1 + it
vt
vt = ro1 [gm1 (0 − vt ) + it ] + ro2 it
vt (gm1 ro1 + 1) = it (ro1 + ro2 )

it
it gm1vgs1 + it
vt
vt = ro1 [gm1 (0 − vt ) + it ] + ro2 it
vt (gm1 ro1 + 1) = it (ro1 + ro2 )

vt ro1 + ro2
Ri = ∴ Ri =
it gm1 ro1 + 1

it
it gm1vgs1 + it
vt
vt = ro1 [gm1 (0 − vt ) + it ] + ro2 it
vt (gm1 ro1 + 1) = it (ro1 + ro2 )

vt 1 ro2
Ri = ∴ Ri ≈ 1+
it gm1 ro1

vo
vin

it
vgs1 gm1vgs1 ro1 ro2 vt
vt
Ro =
it

it
vt
Ro =
it

it
vt
Ro =
it
Ro = ro1 //ro2

Amplificador em Dreno Comum com Carga Ativa
VDD VDD
IRef M1
vin vGS
vo
M3 M2
VSS VSS

VDD
M1
vin vGS vo
ID2 ro2
VSS

M1
vin vgs vo
ro2


vo
ro2

vin vgs1 gm1vgs1

vo
ro2 ro1

vin vgs1 gm1vgs1

vo
ro2 ro1
Ganho de Tensão:
vo = gm1 vgs1 · ro1 //ro2

vin vgs1 gm1vgs1

vo
ro2 ro1
Ganho de Tensão:
vo = gm1 (vin − vo ) · ro1 //ro2

vin vgs1 gm1vgs1

vo
ro2 ro1
Ganho de Tensão:
vo (1 + gm1 · ro1 //ro2 ) = vin (gm1 · ro1 //ro2 )

vin vgs1 gm1vgs1

vo
ro2 ro1
Ganho de Tensão:
vo (1 + gm1 · ro1 //ro2 ) = vin (gm1 · ro1 //ro2 )
vo gm1 · ro1 //ro2

=
vin 1 + gm1 · ro1 //ro2

it
vt vgs1 gm1vgs1 ro1
vo
ro2
vt
Ri = ∴ Ri → ∞
it


vo
ro2

vgs1 gm1vgs1 ro1

it
ro2 vt
vt
Ro =
it

vgs1 1
gm1 ro1
it
ro2 vt
vt
Ro =
it

vgs1 1
gm1 ro1
it
ro2 vt
vt
Ro =
it
1
Ro = ro1 //ro2 //
gm1

Amplificadores em Circuito Integrado Amplificadores Diferenciais com Carga Ativa
Agenda da Aula


Amplificador Diferencial com Carga Ativa
VDD VDD
VDD
M2 M2
M5
IR1 vo1 vo2

M1 M1
IR2
v1 v2
M4 M3
VSS VSS VSS

Polarização do Amplificador
VDD VDD
VDD
M2 M2
M5
ID1 ID1
IR1
M1 M1
IR2
2ID1
M4 M3
VSS VSS VSS
Para garantir a correta polarização do amplificador, uma das correntes de

referência IR1 ou IR2 deve ter um sistema de ajuste automático, enquanto a
outra é mantida fixa.

Análise para Pequenos Sinais do Amplificador
VDD
ID1 ro2 ro2 ID1
vo1 vo2
M1 M1
v1 v2
2ID1 ro3
VSS

ro2 ro2
vo1 vo2
M1 M1
v1 v2
ro3

ro2 ro2
vo1 vo2
v1 ’
vgs1 ’
gm1vgs1 ro1 ro1 ”
gm1vgs1 ”
vgs1 v2
ro3

Análise Diferencial para Pequenos Sinais
ro2 ro2
vo1 vo2
vd vd
+ ’
vgs1 ’
gm1vgs1 ro1 ro1 ”
gm1vgs1 ”
vgs1 -
2 2
ro3

ro2 ro2
vo1 vo2
vd vd
+ ’
vgs1 ’
gm1vgs1 ro1 ro1 ”
gm1vgs1 ”
vgs1 -
2 2
0
0 ro3

ro2 ro2
vo1 vo2
vd vd
+ ’
vgs1 ’
gm1vgs1 ro1 ro1 ”
gm1vgs1 ”
vgs1 -
2 2
0
0 ro3
Ganho de Tensão Diferencial:

0 00
vo1 = − gm1 vgs1 · ro1 //ro2 vo2 = − gm1 vgs1 · ro1 //ro2

ro2 ro2
vo1 vo2
vd vd
+ ’
vgs1 ’
gm1vgs1 ro1 ro1 ”
gm1vgs1 ”
vgs1 -
2 2
0
0 ro3

v v
d d
vo1 = − gm1 − 0 · ro1 //ro2 vo2 = − gm1 − − 0 · ro1 //ro2
2 2

ro2 ro2
vo1 vo2
vd vd
+ ’
vgs1 ’
gm1vgs1 ro1 ro1 ”
gm1vgs1 ”
vgs1 -
2 2
0
0 ro3

v v
d d
vo1 = − gm1 − 0 · ro1 //ro2 vo2 = − gm1 − − 0 · ro1 //ro2
2 2
vo1 1 vo2 1
= − gm1 ro1 //ro2 = + gm1 ro1 //ro2
vd 2 vd 2

Análise de Modo Comum para Pequenos Sinais
ro2 ro2
vo1 vo2
vcm ’
vgs1 ’
gm1vgs1 ro1 ro1 ”
gm1vgs1 ”
vgs1 vcm
vs
ro3

ro2 ro2
vo1 vo2
vcm ’
vgs1 ’
gm1vgs1 ro1 ro1 ”
gm1vgs1 ”
vgs1 vcm
vs
2 ro3 2 ro3

ro2 ro2
vo1 vo2
vcm ’
vgs1 ’
gm1vgs1 ro1 ro1 ”
gm1vgs1 ”
vgs1 vcm
vs
2 ro3 0 2 ro3

ro2 ro2
vo1 vo2
vcm ’
vgs1 ’
gm1vgs1 ro1 ro1 ”
gm1vgs1 ”
vgs1 vcm
vs
2 ro3 0 2 ro3
Ganho de Tensão de Modo Comum:

vo1 vo1 − vs 0
+ + gm1 vgs1 =0
ro2 ro1

ro2 ro2
vo1 vo2
vcm ’
vgs1 ’
gm1vgs1 ro1 ro1 ”
gm1vgs1 ”
vgs1 vcm
vs
2 ro3 0 2 ro3

vo1 vo1 − vs 0 vs vs − vo1 0
+ + gm1 vgs1 =0 + − gm1 vgs1 =0
ro2 ro1 2 ro3 ro1

ro2 ro2
vo1 vo2
vcm ’
vgs1 ’
gm1vgs1 ro1 ro1 ”
gm1vgs1 ”
vgs1 vcm
vs
2 ro3 0 2 ro3

vo1 vo1 − vs vs vs − vo1
+ + gm1 (vcm − vs ) = 0 + − gm1 (vcm − vs ) = 0
ro2 ro1 2 ro3 ro1

ro2 ro2
vo1 vo2
vcm ’
vgs1 ’
gm1vgs1 ro1 ro1 ”
gm1vgs1 ”
vgs1 vcm
vs
2 ro3 0 2 ro3

v
o1 vo1 − vs
 + + gm1 (vcm − vs ) = 0
ro2 ro1

 vs + vs − vo1 − gm1 (vcm − vs ) = 0


2 ro3 ro1

ro2 ro2
vo1 vo2
vcm ’
vgs1 ’
gm1vgs1 ro1 ro1 ”
gm1vgs1 ”
vgs1 vcm
vs
2 ro3 0 2 ro3

v
o1 vo1 − vs vo1 gm1 ro1 //ro2
 + + gm1 (vcm − vs ) = 0 =−
ro2 ro1

vcm 1 + 2 ro3 gm1 + ro1 1 ro1//ro2
 vs + vs − vo1 − gm1 (vcm − vs ) = 0
 ro2
2 ro3 ro1

ro2 ro2
vo1 vo2
vcm ’
vgs1 ’
gm1vgs1 ro1 ro1 ”
gm1vgs1 ”
vgs1 vcm
vs
2 ro3 0 2 ro3

vo1 vo2 gm1 ro1 //ro2
= =−
vcm vcm 1 + 2 ro3 gm1 + ro1 1 ro1//ro2
ro2

Exemplo de Amplificador com Carga Ativa

[Exemplo] O amplificador diferencial da figura abaixo foi construı́do em um processo de
fabricação CMOS onde kN = 200 µA/V2 , kP = 50 µA/V2 , |Vth | = 0,5 V, λ = 0,01 V−1 ,
VDD = 5,0 V e VSS = −5,0 V. Nesse circuito, os transistores apresentam larguras de canal
W1 = W2 = 40 µm, W3 = W4 = W5 = 80 µm e W6 = 20 µm, e o mesmo comprimento de
canal L = 1,0 µm. Dessa forma, calcule o ganho de tensão diferencial AVd = vo /vd .
VDD VDD VDD
M2 M2
RD RD
RA M4
18 kW 50 kW 50 kW
M1 M1
vo
v1 v2
M3
M6 M5
VSS VSS VSS

VDD VDD VDD
M2 M2
0
ID1 RD RD ID1
RA M4
ID1
0
ID6 M1 M1
ID5
ID3 = 2ID1
M6 M5
M3
VSS VSS VSS

VDD
RA
1 ID6
0
M6
VGS6
VSS

VDD Escrevendo a equação da malha ¬:
RA
1 ID6
0
M6
VGS6
VSS


ID6 =
RA
RA
1 ID6
0
M6
VGS6
VSS


ID6 =
RA
RA
Substituindo no modelo do MOSFET:
1 ID6
1 W6
ID6 = kN (VGS 6 − Vth )2
2 L
0
M6
VGS6
VSS


ID6 =
RA
RA
1 ID6
VDD − VSS − VGS 6 1 W6
= kN (VGS 6 − Vth )2
RA 2 L
0
M6
VGS6
VSS


ID6 =
RA
RA
1 ID6
RA 2 L
0
M6 5,0 − (−5,0) − VGS 6 1 20
= · 0,2 · (VGS 6 − 0,5)2
18 2 1,0
VGS6
VSS


ID6 =
RA
RA
1 ID6
RA 2 L
0
M6 5,0 − (−5,0) − VGS 6 1 20
= · 0,2 · (VGS 6 − 0,5)2
18 2 1,0
VGS6
VSS 2
36VGS 6 − 35VGS 6 − 1 = 0


ID6 =
RA
RA
1 ID6
RA 2 L
0
M6 5,0 − (−5,0) − VGS 6 1 20
= · 0,2 · (VGS 6 − 0,5)2
18 2 1,0
VGS6
VSS 2
36VGS 6 − 35VGS 6 − 1 = 0
(
0
VGS 6 = + 1,0 V
00
VGS 6 = − 0,028 V


ID6 =
RA
RA
1 ID6
RA 2 L
0
M6 5,0 − (−5,0) − VGS 6 1 20
= · 0,2 · (VGS 6 − 0,5)2
18 2 1,0
VGS6
VSS 2
36VGS 6 − 35VGS 6 − 1 = 0
(
0
VGS 6 = + 1,0 V 5,0 + 5,0 − 1,0
00
→ ID6 = = 0,5 mA
VGS 6 = − 0,028 V 18

VDD VDD VDD
M2 M2
0
ID1 RD RD ID1
RA M4
ID1
0
ID6 M1 M1
ID5
ID3 = 2ID1
M6 M5
M3
VSS VSS VSS

VDD VDD VDD
M2 M2
0
ID1 RD RD ID1
RA M4
ID1
0
ID6 M1 M1
ID5
ID3 = 2ID1
M6 M5
M3
VSS VSS VSS
W3
L
ID3 = W6
· ID6
L

VDD VDD VDD
M2 M2
0
ID1 RD RD ID1
RA M4
ID1
0
ID6 M1 M1
ID5
ID3 = 2ID1
M6 M5
M3
VSS VSS VSS
W3
L
ID3 = W6
· ID6
L
ID3 = 2,0 mA

VDD VDD VDD
M2 M2
0
ID1 RD RD ID1
RA M4
ID1
0
ID6 M1 M1
ID5
ID3 = 2ID1
M6 M5
M3
VSS VSS VSS
W3
L
ID3
ID3 = · ID6 ID1 =
W6 2
L
ID3 = 2,0 mA

VDD VDD VDD
M2 M2
0
ID1 RD RD ID1
RA M4
ID1
0
ID6 M1 M1
ID5
ID3 = 2ID1
M6 M5
M3
VSS VSS VSS
W3
L
ID3
ID3 = · ID6 ID1 =
W6 2
L
ID3 = 2,0 mA ID1 = 1,0 mA

VDD VDD VDD
M2 M2
0
ID1 RD RD ID1
RA M4
ID1
0
ID6 M1 M1
ID5
ID3 = 2ID1
M6 M5
M3
VSS VSS VSS
W3 W5
L
ID3 L
ID3 = · ID6 ID1 = ID5 = · ID6
W6 2 W6
L L
ID3 = 2,0 mA ID1 = 1,0 mA

VDD VDD VDD
M2 M2
0
ID1 RD RD ID1
RA M4
ID1
0
ID6 M1 M1
ID5
ID3 = 2ID1
M6 M5
M3
VSS VSS VSS
W3 W5
L
ID3 L
ID3 = · ID6 ID1 = ID5 = · ID6
W6 2 W6
L L
ID3 = 2,0 mA ID1 = 1,0 mA ID5 = 2,0 mA

VDD VDD VDD

1,5 V 1,5 V
0,5 mA M2 M2
RD RD 0 1,5 V
RA 1 mA M4
1 mA
0
M1 M1
1,0 V 1,0 V 2 mA
2 mA
M6 M5
M3
1,0 V 1,0 V 1,0 V
VSS VSS VSS
W3 W5
L
ID3 L
ID3 = · ID6 ID1 = ID5 = · ID6
W6 2 W6
L L
ID3 = 2,0 mA ID1 = 1,0 mA ID5 = 2,0 mA

Exemplo - Parâmetro para Pequenos Sinais
Parâmetros do modelo para pequenos sinais do MOSFET:

r
W 1
gm = 2 kN ID e ro =
L λ ID

Exemplo - Parâmetro para Pequenos Sinais
Parâmetros do modelo para pequenos sinais do MOSFET:

r
W 1
gm = 2 kN ID e ro =
L λ ID
Parâmetros dos transistores do circuito:
( (
gm1 = 4,0 mA/V gm2 = 2,0 mA/V
M1 M2
ro1 = 100 kΩ ro2 = 100 kΩ
( (
gm3 = 8,0 mA/V gm4 = 4,0 mA/V
M3 M4
ro3 = 50 kΩ ro4 = 50 kΩ
( (
gm5 = 8,0 mA/V gm6 = 2,0 mA/V
M5 M6
ro5 = 50 kΩ ro6 = 200 kΩ

Exemplo - Análise para Pequenos Sinais
VDD VDD VDD
M2 M2
RD RD vo1
RA M4
M1 M1
vo
v1 v2
M3
M6 M5
VSS VSS VSS

VDD VDD
M2 M2
RD RD vo1
M4
M1 M1
vo
v1 v2
2ID1 ro3 ID5 ro5
VSS VSS

M2 M2
RD RD vo1
M4
M1 M1
vo
v1 v2
ro3 ro5

Exemplo - Análise para Pequenos Sinais do 2º Estágio
0 vo
vo1 vgs4 gm4vgs4 ro4 ro5

0 vo
Ganho de Tensão do 2º Estágio:

0 vo
vo = − gm4 vo1 · ro4 //ro5

0 vo
vo = − gm4 vo1 · ro4 //ro5
vo
= − gm4 · ro4 //ro5
vo1

0 vo
vo = − gm4 vo1 · ro4 //ro5
vo
= − gm4 · ro4 //ro5
vo1
vo
= − 100 V/V
vo1

M2 M2
RD RD vo1
M4
M1 M1
vo
v1 v2
ro3 ro5

ro2 gm2vgs2
’ vgs2
’ vgs2
” gm2vgs2
” ro2
RD RD
vo1
v1 ’
vgs1 ’
gm1vgs1 ro1 ro1 ”
gm1vgs1 ”
vgs1 v2
ro3

ro2 gm2vgs2
’ vgs2
’ vgs2
” gm2vgs2
” ro2
RD RD
vo1
vd vd
+ ’
vgs1 ’
gm1vgs1 ro1 ro1 ”
gm1vgs1 ”
vgs1 -
2 2
ro3

ro2 gm2vgs2
’ 0 0 gm2vgs2
” ro2
RD RD
vo1
0
vd vd
+ ’
vgs1 ’
gm1vgs1 ro1 ro1 ”
gm1vgs1 ”
vgs1 -
2 2
0
0 ro3

ro2 gm2vgs2
’ 0 0 gm2vgs2
” ro2
RD RD
vo1
0
vd vd
+ ’
vgs1 ’
gm1vgs1 ro1 ro1 ”
gm1vgs1 ”
vgs1 -
2 2
0
0 ro3
00
vo1 = − gm1 vgs1 · ro1 //ro2 //RD

ro2 gm2vgs2
’ 0 0 gm2vgs2
” ro2
RD RD
vo1
0
vd vd
+ ’
vgs1 ’
gm1vgs1 ro1 ro1 ”
gm1vgs1 ”
vgs1 -
2 2
0
0 ro3
v
d
vo1 = − gm1 − − 0 · ro1 //ro2 //RD
2

ro2 gm2vgs2
’ 0 0 gm2vgs2
” ro2
RD RD
vo1
0
vd vd
+ ’
vgs1 ’
gm1vgs1 ro1 ro1 ”
gm1vgs1 ”
vgs1 -
2 2
0
0 ro3
vo1 1
= gm1 · ro1 //ro2 //RD
vd 2

ro2 gm2vgs2
’ 0 0 gm2vgs2
” ro2
RD RD
vo1
0
vd vd
+ ’
vgs1 ’
gm1vgs1 ro1 ro1 ”
gm1vgs1 ”
vgs1 -
2 2
0
0 ro3
vo1 1 vo1
= gm1 · ro1 //ro2 //RD ∴ = 50 V/V
vd 2 vd

Exemplo - Ganho Diferencial do Amplificador
VDD VDD VDD
M2 M2
RD RD
RA M4
18 kW 50 kW 50 kW
M1 M1
vo
v1 v2
M3
M6 M5
VSS VSS VSS

Ganho Diferencial do Amplificador:
vo vo1 vo
AVd = ∴ AVd = · = − 5000 V/V
vd vd vo1

Módulo 11 - Amplificadores em Circuito Integrado

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Amplificadores em Circuito Integrado

Prof. Carlos Fernando Teodósio Soares

UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO DE JANEIRO

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 1/103

Paradigmas de Projeto de Circuitos Integrados

Polarização com Fontes de Corrente

Fontes de Corrente com Desempenho Aprimorado

Amplificadores Básicos com Carga Ativa

Amplificadores Diferenciais com Carga Ativa

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Polarização com Fontes de Corrente

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Amplificadores Básicos com Carga Ativa

Amplificadores Diferenciais com Carga Ativa

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Paradigmas de Projeto de Circuitos Integrados

Os tamanhos extremamente reduzidos dos transistores dentro de um circuito

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Os tamanhos extremamente reduzidos dos transistores dentro de um circuito

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Paradigmas de Projeto de Circuitos Integrados

Os tamanhos extremamente reduzidos dos transistores dentro de um circuito

O projetista de circuitos integrados tem liberdade de definir as dimensões fı́sicas

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Os tamanhos extremamente reduzidos dos transistores dentro de um circuito

O projetista de circuitos integrados tem liberdade de definir as dimensões fı́sicas

Elementos passivos, como resistores, capacitores e indutores, ocupam muita área

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Os tamanhos extremamente reduzidos dos transistores dentro de um circuito

O projetista de circuitos integrados tem liberdade de definir as dimensões fı́sicas

Elementos passivos, como resistores, capacitores e indutores, ocupam muita área

Os parâmetros fı́sicos dos dispositivos integrados são normalmente muito

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Os tamanhos extremamente reduzidos dos transistores dentro de um circuito

O projetista de circuitos integrados tem liberdade de definir as dimensões fı́sicas

Elementos passivos, como resistores, capacitores e indutores, ocupam muita área

Os parâmetros fı́sicos dos dispositivos integrados são normalmente muito

As variações aleatórias do processo de fabricação afetam uniformemente todos os

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Paradigmas de Projeto de Circuitos Integrados

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Fonte de Corrente Ideal:

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O Transistor como Fonte de Corrente:

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O Transistor como Fonte de Corrente:

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Construção Prática de Fontes de Corrente