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AULA PRÁTICA #1 – RESPOSTA EM FREQUÊNCIA

I) Objetivos:
• Projetar amplificador na configuração EMISSOR COMUM (EC) para atender às características especificadas.
• Estimar a resposta em frequência de amplificadores.
• Comparar o desempenho das configurações EMISSOR COMUM (EC) e CASCODE.
II) Especificações
• Circuito da fig.1, sendo: Vcc=15 V, Q1=Q2=BC546/547/548, C5=C6=10pF e VCEQ2=1,5V.
(manual: http://www.datasheetcatalog.org/datasheets/150/128424_DS.pdf)

∆ • Variação percentual da corrente de polarização

vo
• Módulo do ganho de tensão =
Av ≥ 80 V ;
vS V ∆ICQ
≤ 15% , considerando:
ICQ
• Excursão de sinal na saída ≥ 2,0 V pico; - dispersão dos valores de hFE,

- variação dos parâmetros (VBE, hFE , ICBO) com

• Z IN ≥ 3,5k Ω ; a temperatura, na faixa entre -15 e 55 C.
o

- distribuir o percentual da seguinte forma:

• Frequência de corte inferior entre 30 e 80 Hz;
devido a VBE (6%), a hFE (8%) e a ICBO (1%).

III) Projeto
• Projetar o amplificador EC da fig. 1 atendendo às especificações e escolhendo valores comerciais para os componentes;
• Utilize o manual do transistor para verificar valores de hFE e de capacitâncias parasitas.

• Adote um hFE para o projeto. Sugestão: utilizar 2 ⋅ ( hFE max ⋅ hFE min ) ( hFE max + hFE min )
hFEproj = para que a variação

percentual de ICQ2 seja simétrica com a variação de hFE para o máximo e para o mínimo.
• Somente depois de definir todos os componentes, calcular e preencher a coluna “projetado”, nas tabelas
anexas (EC e CASCODE).
VCC VCC

R3 R5 R3 R5
R1 ZOUT
ZOUT
R1
C5 C2 C5 C2

ZIN
Vo Vo
RS Q1 Q1
C1 C1
BC546B RL= 10k
BC546B RL= 10k
1k
R4 R4
C6 C6
ZIN
Q2 Q2
VS C4 RS C4
BC546B
BC546B
1k

VS
C3
R2 R6 R2
R6 C3

fig 1: Configuração Emissor Comum fig 2: Configuração Cascode

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IV) Simulações
• Todas as simulações devem ser do tipo resposta em frequência, exceto a de excursão de sinal que deve ser do tipo
resposta no tempo.
• Para o circuito da fig. 1:
o Ajustar a corrente de polarização (ICQ2) permitindo variação máxima de ±5% em relação ao valor adotado no
projeto. Se necessário, varie somente o valor de R1, podendo fazer associações de resistores comerciais para
obter o valor desejado.
• Repetir as simulações para o circuito da fig. 2.
• Para cada simulação coloque ao lado o esquema da montagem utilizada.

• Apenas simulação no Orcad : Variação de Temperatura e hFE

o Variar a temperatura e o hFE dos transistores e medir a variação percentual da corrente de polarização (ICQ2)
devido aos efeitos simultâneos da variação de VBE (efeito da temperatura) e de hFE (efeito da dispersão dos
valores de hFE). Preencher a tabela correspondente.
o Para variar o hFE é necessário saber qual valor do parâmetro BF produz o hFE desejado (hFEmin, hFEproj e hFEmax).
Deve-se fazer uma simulação com o seguinte procedimento:
- Nas definições de simulação, selecionar: análise do tipo “DC Sweep”, opção “model parameter”, “model
type (NPN)”, “Model name (transistor usado: p.ex. BC546B)”, “Parameter name (BF)”. Selecionar ainda o
tipo de varredura: “linear” na faixa desejada (valor inicial / valor final / incremento).
- Mandar plotar IC(Q2)/IB(Q2) e verificar qual valor de BF corresponde ao hFE desejado e usar estes valores
de BF para fazer simulação com a variação de hFE.

- Para fazer simulações do tipo “Time Domain (transient)” ou “AC Sweep/Noise” com variação simultânea
de hFE e temperatura, marcar as opções “Parametric Sweep” e “Temperature (Sweep)”.
Em “Parametric Sweep”, selecionar: “model parameter”, “model type (NPN)”, “Model name
(transistor usado)”, “Parameter name (BF)” e colocar o valor desejado de BF em “Value list”.
Em “Temperature (Sweep)”, indicar a temperatura desejada para a simulação.

V) Medidas
• Montagens:
o Observar que as diferenças entre os circuitos das fig.1 e fig.2 estão apenas nas ligações dos capacitores C1,
C3 e C4.
o Desenhar as montagens utilizadas para as medidas das impedâncias de entrada e de saída, justificando o
método.
• Para o circuito da fig. 1:
o Ajustar a corrente de polarização (ICQ2) permitindo variação máxima de ±5% em relação ao valor adotado no
projeto. Se necessário, varie somente o valor de R1, podendo fazer associações de resistores comerciais para
obter o valor desejado. Observe que R1 pode ser diferente do usado na simulação. O importante é deixar as
correntes de polarização aproximadamente iguais, nas três situações: projeto, simulação e montagem.
• Repetir as medidas para o circuito da fig. 2.
• Imprimir e anexar as telas das medidas no osciloscópio.

VI) Escala de valores comerciais disponíveis no laboratório:

(1,0 – 1,2 – 1,5 – 1,8 – 2,2 – 2,7 – 3,3 – 3,9 – 4,7 – 5,6 – 6,8 – 8,2 – 10,0) x 100 a 106

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Aula prática #1 (Resposta em frequência) GRUPO:

Data:____________

MEMÓRIA DE CÁLCULO
1) Especificações:

• Módulo do ganho de tensão: • Impedância de entrada: • Temperatura de operação:

∆ vo
=
Av ≥ _____ V Z IN ≥ _____ k Ω
vS V • ____ o C ≤ T ≤ ____ o C

• Frequência de corte inferior • VCEQ 2 = _____ V

• Excursão de sinal na saída:

vop ≥ _____ V pico _____ Hz ≤ f L ≤ _____ Hz • VCC = _____ V

• C=
5 C=
6 _____ pF

• Variação percentual da corrente de polarização:

∆I CQ ∆I CQ ∆I CQ
≤ _____ ≤ _____ ≤ _____
I CQ I CQ I CQ
VBE hFE I CBO

2) Informações adicionais:
Verifique qual o tipo de transistor de pequenos sinais está disponível no conjunto de componentes recebidos para as
aulas práticas.
Do manual do transistor selecione as características relacionadas a seguir:

hFE min = ______ hFE max = ______ I CBO (25o C ) = ______ nA

Tipo: BC_________
hFE min ⋅ hFE max
hFE proj =
2⋅ =
______
hFE min + hFE max =ro _______ k Ω
Considere ainda:

∆VBE mV  ∆T10max 
Tproj = 25 C o
≅ −2,5 o ∆I CBO max ≅ 2 − 1 I CBO 25 o C
∆T C  
( )

∆I CQ ∆I CQ 1 + RB 
∆V R + RE ∆I CQ  RE 
= − BE = B ∆I CBO=  ∆h
I CQ
VBE
VRE I CQ VRE
I CBO I CQ hFE
(1 + hFE max ) ⋅ hFEproj FE

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3) Determinação de R5 e I CQ 2 :
O roteiro deste projeto está baseado no método apresentado na apostila “Projeto de amplificador monoestágio” e
consiste, basicamente, de um sistema de três inequações onde cada uma delas garante o cumprimento de um ou
mais itens da especificação. São elas:

I CQ 2 ≤ (VCC − VCEQ1min − VCEQ 2 − VRE min ) ⋅ GC → (I) garante a polarização e a excursão do sinal
sem saturação

I CQ 2 ≥ ( vop + v f ) ⋅ GC + ( vop + v f ) ⋅ GL → (II) garante a excursão do sinal sem corte

K K
I CQ 2 ≥   ⋅ GC +   ⋅ GL → (III) garante o ganho de tensão
 40   40 

3.1) Inequação (I)

A corrente de polarização ( I CQ ) é definida pelo transistor Q2. A estabilidade de I CQ em relação às variações de VBE

depende de VRE (tensão sobre o resistor R6). Para obter VRE min , calcule ∆Tmax em relação à temperatura de

projeto ( Tproj = 25o C ) e use a expressão da variação percentual de I CQ devido à VBE .

∆Tmax = o
C

VRE min = V

VCEQ1min garante a não saturação do sinal de saída. Para obtê-lo, use a especificação da amplitude do sinal ( vop ).

VCEQ1min = V

I CQ 2 ≤ GC
(I) → garante a polarização e a excursão do
sinal sem saturação

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3.2) Inequação (II)

Use a especificação da amplitude do sinal ( vop ).

I CQ 2 ≥ GC + GL

(II) → garante a excursão do sinal sem corte

3.3) Inequação (III)

Use a especificações do ganho ( Av ) e da impedância de entrada ( Z IN ) para definir o valor mínimo do ganho

K = vo vB que atende à especificação.

I CQ 2 ≥ GC + GL

(III) → garante o ganho de tensão

3.4) Interpretação gráfica e cálculo de RC max

Esboce o gráfico das três inequações, indicando a região de solução.

Calcule o ponto de interseção e determine RC max = 1 GC min

I CQ 2

=
RC max kΩ
−GL GC

3.5) Escolha de I CQ 2 e R5

Escolha um valor comercial para R5 e calcule a corrente I CQ 2 e verifique se o valor escolhido para I CQ 2 pode

variar ±20% sem sair da região de solução.

=
Valores escolhidos: R 5 kΩ I CQ 2 = mA
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4) Cálculo de R6

Escolha um valor comercial para R6 , considerando R6 > VRE min I CQ 2 .

=R6 kΩ

5) Cálculo das polarizações de base

As variações percentuais de I CQ 2 devido à I CBO e hFE dependem do valor de RB adotado na polarização de base

do transistor Q2 .
Observe que o valor de RB muito alto pode prejudicar a estabilidade de I CQ 2 e o valor muito baixo pode prejudicar

a impedância de entrada Z IN .

5.1) Cálculo de RB

Calcule ∆I CBO max considerando ∆Tmax ∆I CBO max =mA

Calcule RB max I CBO

. Use a expressão da variação percentual de I CQ 2 devido à I CBO .

RB=
max I kΩ
CBO

Calcule RB max hFE

. Use a expressão da variação percentual de I CQ 2 devido à hFE .

Considere ∆hFE= hFE max − hFE proj

RB=
max h kΩ
FE

VT
Calcule rπ = h fe . Use VT = 25 mV =
e h fe h=
FE proj ______ .
I CQ 2

=rπ kΩ

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Calcule RB min de modo a garantir a especificação de Z IN .

=
RB min kΩ

5.2) Cálculo de R1 e R2

Usando as expressões abaixo, calcule R2 e escolha um valor comercial:

 V 
R2 ≤ RB max  1 − BQ 2  e =
VBQ 2 I CQ 2 R6 + VBE =R2 kΩ
 VCC 

V 
Calcule R1 =
usando a expressão: R1 R2  CC − 1
V  =R1 kΩ
 BQ 2 

Calcule RB e verifique se RB min ≤ RB ≤ RB max

=RB kΩ

5.3) Cálculo de R3 e R4

Para que as impedâncias de entrada do EC e CASCODE fiquem aproximadamente iguais, considere R4 = R2 .

=R4 kΩ

V 
Calcule R3 =
usando a expressão: R3 R4  CC − 1 , onde VBQ1 = I CQ 2 R6 + VCEQ 2 + VBE ,
V 
 BQ1 
e escolha um valor comercial.

=R3 kΩ

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6) Resumo

VCC
R1

R2 R3 R5
R1
ZOUT
C5 C2
R3
ZIN
Vo
RS Q1
C1
R4 BC546B RL= 10k

1k
R4
R5 C6

Q2
C4
R6 VS
BC546B

OBS.: Neste projeto, para simulação e montagem, o valor de R1 R2 R6

C3

deve ser ajustado para que a corrente I CQ 2 fique dentro de ±5%

do valor nominal adotado no projeto.

7) Verificação (CONFIGURAÇÃO EMISSOR COMUM)

Com os valores de todos os resistores já definidos, faça análise do circuito para verificar se todas as especificações
na banda média e polarização e foram atendidas:

7.1) Cálculo de I CQ 2

Se necessário, altere o valor de R1 (pode ser valor não comercial) para que a corrente I CQ 2 fique igual ao valor

nominal adotado no projeto. I CQ 2 = mA

7.2) Cálculo de VCEQ 2

VCEQ 2 = V

7.3) Cálculo de VCEQ1

VCEQ1 = V

7.4) Cálculo da impedância equivalente de coletor (Rac=RC//RL)

=
Rac kΩ

7.5) Cálculo da excursão máxima do sinal de saída sem corte nem saturação
Excursão máxima sem corte (vop sem corte ) :

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Excursão máxima sem saturação (vop sem saturação ) :

vop = min(vop sem corte , vop sem saturação ) vop = V

7.6) Cálculo do ganho de tensão ( Av = vo vS ) Av = V V

7.7) Cálculo da impedância de entrada ( Zin ) =Z in kΩ

7.8) Cálculo da impedância de saída ( Z out )

=
Z out kΩ

7.9) Cálculo da impedância de saída do coletor de Q1 ( RO1 )

=Ro1 kΩ
 h fe  Rb + rπ
Utilizar a expressão: RO =
 + 1 ro , onde k =
 k +1  REeq

8) Cálculo dos capacitores responsáveis pela freqüência de corte inferior

Calcule todos os capacitores considerando cada um deles como sendo responsável pela frequência de corte inferior
e os demais em curto. Escolha um valor comercial para C3.Multiplique os capacitores C1 e C2, em ordem decrescente
de valor, respectivamente, por 10 e 50. Multiplique C4 por 250.

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C1 = µF C2 = µF C3 = µF C4 = µF

9) Verificação das frequências de corte

Frequência de corte inferior fL = Hz

Frequência de corte superior

fH = kHz

10) Cálculo da variação percentual de I CQ 2 devido às variações de temperatura e hFE

∆I CQ ∆I CQ ∆I CQ ∆I CQ
= + +
I CQ I CQ I CQ I CQ
VBE I CBO hFE

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10.1) Variação percentual de I CQ 2 considerando Tmin e hFE min

∆I CQ
= %
I CQ

10.2) Variação percentual de I CQ 2 considerando Tmax e hFE max

∆I CQ
= %
I CQ

11) Verificação (CONFIGURAÇÃO CASCODE)

Com os valores de todos os resistores já definidos, faça análise do circuito para verificar se todas as especificações
na banda média e polarização e foram atendidas:

11.1) Cálculo da excursão máxima do sinal de saída sem corte nem saturação
Excursão máxima sem corte (vop sem corte ) :

Excursão máxima sem saturação (vop sem saturação ) :

vop = min(vop sem corte , vop sem saturação ) vop = V

11.2) Cálculo do ganho de tensão ( Av = vo vS )

Av = V V

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11.3) Cálculo da impedância de entrada ( Zin )

=Z in kΩ

11.4) Cálculo da impedância de saída ( Z out )

=
Z out kΩ

11.5) Cálculo da impedância de saída do coletor de Q1 ( RO1 )

=Ro1 kΩ
 h fe  Rb + rπ
Utilizar a expressão: RO =
 + 1 ro , onde k =
 k +1  REeq

12) Verificação das frequências de corte

Frequência de corte inferior

fL = Hz

Frequência de corte superior

fH = kHz

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Configuração emissor comum (EC)

Parâmetros do circuito
Unid Projetado Simulado Medido OBS
T=25 ºC hFEproj =_________

Ajustar ICQ2 (I nom

± 5% ) mA

VEQ2 V
Polarização
VCEQ1 V

VCEQ2 V

Impedância equivalente de coletor (Rac=RC//RL) kΩ X

Excursão máxima de sinal na saída (Vopmax) V

Ganho (Av=Vo/Vs) V/V

inferior (fL) Hz
Frequência de
corte
superior (fH) kHz

Impedância de entrada (Zin) kΩ

Impedância de saída (Zout) kΩ

Impedância de saída do coletor de Q1 (Ro1) kΩ X

Variação de Temperatura e hFE Unid Projetado Simulado Medido OBS

VBEQ2 V X X

Tmin=______ºC Vopmax V X X

hFEmin=_________
Ganho (Av=Vo/VS) V/V X X
BFmin=_________
ICQ2 mA X

Variação percentual de ICQ2 % X

VBEQ2 V X X

Tmax=______ºC Vopmax V X X

hFEmax=________
Ganho (Av=Vo/VS) V/V X X
BFmax=________
ICQ2 mA X

Variação percentual de ICQ2 % X

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Configuração CASCODE

Parâmetros do circuito Unid Projetado Simulado Medido OBS

Excursão máxima de sinal na saída (Vopmax) V
Ganho (Av=Vo/Vs) V/V

Frequência de inferior (fL) Hz

corte superior (fH) kHz
Impedância de entrada (Zin) kΩ
Impedância de saída (Zout) kΩ
Impedância de saída vista para dentro do
kΩ X
coletor de Q1 (Ro1)

Comparação: EC x CASCODE

Simulado Medido
Parâmetros do circuito Unid OBS
EC CASCODE EC CASCODE
Excursão máxima de sinal na saída (Vopmax) V
Ganho (Av=Vo/Vs) V/V

Freqüência de inferior (fL) Hz

corte superior (fH) kHz
Impedância de entrada (Zin) kΩ
Impedância de saída (Zout) kΩ
Impedância de saída vista para dentro do
kΩ X X
coletor de Q1 (Ro1)

Montagem para medida de impedância de entrada Montagem para medida de impedância de saída

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Comentários / Conclusão

1- Como as variações de temperatura e de hFE influenciam na máxima excursão de sinal?

Explique o mecanismo.

2- Compare as configurações CASCODE e EC quanto ao ganho, resposta em frequência e

impedância de saída do transistor Q1 (Ro). Justifique.

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13) Histórico das modificações:

Versões anteriores: JBM15/03/2006 JBM 15/08/2006 JBM 19/08/2008 JBM 28/07/2009
V7a: JBM 21/04/2010
alterado a especificação de Zin de 4k para 3,5k;
corrigida a expressão de hFEproj (sinal – trocado por +)
V7b: JBM 27/08/2010
Alteradas as especificações de: ganho de 120 para 80V/V , vop de 2,5 para 2V pico, faixa de frequência
o
de corte inferior de 30 a 60 Hz para 30 a 80 Hz e faixa de temperatura de -5 a +65 C para -15 a
+50 oC
Alterado o texto de: Apenas simulação no Orcad : Variação de Temperatura e hFE
V8: JBM 14/02/2011
Acrescentada a memória de cálculo e alterações na tabela retirando algumas tensões de polarização
V8b: JBM 26/08/2011
Pag.3 - Corrigidas as expressões de variação percentual (sinal – retirado em Icbo e hFE) e ;
acrescentado espaço para ro.
Pag. 7 - Alterado o cálculo de R1, R2, R3 e R4
Pag. 8, 9 e 11 – Acrescentadas informações para o cálculo da excursão de sinal.
Pag. 11- acrescentadas as caixas para variação perventual de ICQ

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