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1) Projetar um amplificador de dois estágios utilizando transistores bipolares e JFETs (um estágio com
bipolar e outro com JFET) nas configurações básicas (Emissor Comum - EC, Base Comum – BC,
Coletor Comum – CC, Fonte Comum, Porta Comum ou Dreno Comum). Utilize transistores de sinal
para uso geral (P. Ex.: 2N3904, 2N3906, BC548, BC558, BF245, etc.). Não deixe de indicar no
relatório os valores dos componentes utilizados no projeto.
1.1) Classifique os transistores quanto aos seus Parâmetros H (hie, hfe, hoe e hre) e π (gm, gos), teóricos.
1.2) Calcule e meça, quando possível, os valores de ganho de tensão, ganho de corrente, ganho de
transadmitância (Ay = GM = io/vi = Av/RL; Ays = GMS = io/vs = Avs/RL), ganho de transimpedância (Az =
RM = vo/ii = Zi*Av; Azs = RMS = vo/is = Rs*Avs), impedâncias de entrada e de saída, frequências de corte
inferior e superior.
1.3) Faça a simulação do circuito desenvolvido utilizando o TINA-TI da Texas Instruments, disponível
em: http://www.ti.com/tool/TINA-TI ou outros simuladores (por exemplo: o PSpice ou o Multisim).
Mostre o esquemático do circuito, as curvas de resposta em frequência (AC Sweep/Noise) (vide Figura
1) em três pontos (sinal de entrada, entre os estágios e na carga) e os sinais no domínio do tempo (Time
Domain – Transient) para os mesmos pontos (faça a simulação para uma frequência na faixa de
médias do circuito). Veja as instruções de simulação no Item 6.
45
40
35
30
Av (dB)
25
20
15
10
5
0
0,01 0,1 1 10 100 1000 10000
f (kHz)
1
3) Faça uma discussão sobre os itens anteriores. Poderá ser feita a comparação das curvas de resposta
em frequência em função dos ganhos dos amplificadores.
5) Conclusão final.
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6) INSTRUÇÕES PARA UTILIZAR OS SIMULADORES:
Acesso TINA: http://www.ti.com/tool/TINA-TI
As instruções básicas para instalação e uso do TINA estão disponíveis na página da Texas. Lá é
possível encontrar vídeos com tutoriais de utilização e também, depois de instalar o programa, é
possível carregar exemplos de vários tipos de circuitos já disponíveis no programa.
R8 750
R1 64k
R3 300k
R7 3k
V1 15
C2 270n C3 1,5u
C1 10u
V2 15 T1 2N3904 T2 BF245B
R5 10k
RS 50
+
+
V V
RE 750
R10 900
R2 11k
R4 75k
+
Vs 0
CE 100u
C5 100u
+
-15 V VM2
V VM3
VM1
(a)
T 60.00 VM1
VM2
50.00 VM3
40.00
Gain (dB)
30.00
20.00
10.00
0.00
-10.00
10 100 1k 10k 100k 1MEG 10MEG 100MEG
Frequency (Hz)
(b)
2
T 2.00m
VM1
-2.00m
3.40
VM2
2.60
2.00
VM3
-2.00
0.00 2.50u 5.00u 7.50u 10.00u
(c)
Figura 2: Exemplos: (a) Esquemático do circuito projetado e simulado; (b) Curvas de resposta em
frequência para o sinal de entrada (VM1), entre os estágios (VM2) e na saída (VM3); c) Sinais no
domínio do tempo para a entrada (VM1), entre os estágios (VM2)) e na saída (VM3).
3
Eletrônica Geral 2 – EEE32
Prof. Joaquim Miguel Maia
Projeto 1 – Amplificadores Mono e Multiestágios
Equipe: _____________________________________________________________________
_____________________________________________________________________
_____________________________________________________________________
1) Circuito Projetado.
4
1.2) Parâmetros teóricos e experimentais (quando possível)
Teórico Experimental
Ganho de tensão
Ganho de corrente
Ganho de transadmitância (Ay)
Ganho de transimpedância (Az)
Impedância de entrada
Impedância de saída
Frequência de corte inferior
Frequência de corte superior Não é necessário calcular
Equações utilizadas para cálculo dos valores teóricos
5
1.3) Resultados das simulações mostrando as curvas de resposta em frequência dos estágios isolados e,
do circuito completo, sinais no domínio do tempo. Coloque as curvas de resposta dos sinais de entrada,
entre os dois estágios e de saída (em um mesmo gráfico) e os sinais no domínio do tempo para uma
frequência de médias.
1.3.1) Curva de resposta em frequência e sinais no domínio do tempo para o primeiro estágio
1.3.2) Curva de resposta em frequência e sinais no domínio do tempo para o segundo estágio
1.3.3) Curva de resposta em frequência e sinais no domínio do tempo para o circuito completo
6
2) Circuitos Projetados para os ganhos de tensão: 10 V/V e -10 V/V
Esquemático dos circuitos projetados
2.1) Curvas de resposta em frequência de cada um dos estágios e do circuito completo obtidas no TINA
para os ganhos de tensão: +10 V/V e -10 V/V
7
2.2) Circuitos projetados para os ganhos de tensão: +100 V/V e -100 V/V
Esquemático dos circuitos projetados
Curvas de resposta em frequência de cada um dos estágios e do circuito completo obtidas no TINA
para os ganhos de tensão: +100 V/V e -100 V/V
8
3) Discussão dos resultados
4) Dificuldades Encontradas
5) Conclusão final