Curso de Especialização Tecnológica:

Automação, Robótica e Controlo Industrial

UFCD 5126 Eletrónica Industrial

(Transístor Bipolar)

Formador: Jorge Oliveira

Dezembro de 2018

CFPIC – Academia do Design e Calçado

1. INTRODUÇÂO 3
1.1 O PROBLEMA 3
1.2 AS VÁLVULAS 3
1.3 NOVOS PROBLEMAS 4
1.4 A DESCOBERTA 4
1.5 SILÍCIO 4
1.6 SEMICONDUTORES 4
1.7 SEMICONDUTORES P E N 6
1.8 O TRANSÍSTOR 8
2. CARACTERÍSTICAS DOS BJT 10
2.1 CONSTITUIÇÃO 10
2.2 PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO 11
2.3 CORRENTES E TENSÕES NUM TRANSÍSTOR 13
2.4 PARÂMETROS ALFA E BETA 14
3. ANÁLISE DE CIRCUITOS COM TRANSÍSTORES 16
3.1 MONTAGEM EMISSOR COMUM 16
3.2 M ALHA DE ENTRADA 17
3.3 CARACTERÍSTICAS DE ENTRADA 17
3.4 M ALHA DE SAÍDA E CARACTERÍSTICA DE SAÍDA 18
4. ZONAS DE FUNCIONAMENTO DO BJT 21
4.1 ZONAS DE FUNCIONAMENTO 21
4.2 ESQUEMAS SIMPLIFICADOS 22
4.3 POLARIZAÇÃO DO TRANSÍSTOR. RETA DE CARGA. 23
5. CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO 25
5.1 POLARIZAÇÃO FIXA DE BASE 25
5.2 POLARIZAÇÃO DE BASE 25
5.3 POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO 27
5.4 POLARIZAÇÃO POR RESISTÊNCIA ENTRE O COLETOR E BASE 28
6. MONTAGEM EC, CC, BC 29
6.1 MONTAGEM EMISSOR COMUM 29
6.2 MONTAGEM COLETOR COMUM 30
6.3 MONTAGEM BASE COMUM 31
7. TRANSISTOR EM COMUTAÇÃO 32
7.1 GENERALIDADES 32
7.2 CONDIÇÕES DO TRANSÍSTOR NA SATURAÇÃO 32
7.3 CONDIÇÕES DO TRANSÍSTOR NO CORTE 35
7.4 CARACTERÍSTICAS DOS CIRCUITOS EM COMUTAÇÃO 35

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1. INTRODUÇÂO
A pesquisa que levou à descoberta do transístor buscava um substituto para as válvulas eletrónicas. O transístor é justamente
isto: um substituto das válvulas. Ele é mais eficiente, mais barato, menor e gasta muito menos energia do que sua
antecessora. Mas, então, para que serviam as válvulas?

1.1 O PROBLEMA
No fim do século XIX, começaram as primeiras pesquisas com transmissão de ondas de rádio. Os cientistas conseguiam
codificar sons em uma onda eletromagnética (é o que faz um microfone) e transmitir essa onda. Para detetá-la á distância,
porém, havia dois problemas. O primeiro era a retirar a informação da onda que a carregava. O segundo problema era que a
onda chegava muito fraca.

A solução para o primeiro problema consistia, basicamente em transformar uma corrente alternada ( a onda que chegava ) em
corrente contínua, que poderia ir para um fone de ouvidos ou alto-falante. O problema foi inicialmente solucionado por cristais.
O físico alemão Ferdinand Braun havia descoberto, em 1874, que cristais, sob certas condições, conduziam corrente elétrica
em apenas um sentido. Esse fenómeno, chamado de retificação, era capaz de separar a informação da onda recebida.

Vinha então o segundo problema: as primeiras experiências somente conseguiam restituir o som original em fones de
ouvidos, muito fracamente. O desafio era então aumentar o volume dos sons recebidos; para usar o termo que seria adotado
futuramente, faltava amplificar o sinal recebido.

1.2 AS VÁLVULAS
As válvulas substituíram os cristais, com maior eficiência e prática. A válvula díodo, criada pelo inglês John Ambrose Fleming,
retificava a onda e entregava a informação de volta. O americano Lee De Forest criou a válvula tríodo, que amplificava a
informação, gerando o som novamente em volume suficiente para ser utilizado em aplicações
práticas.

Figura 1 - Válvula

Começava a era da eletrónica. A partir das válvulas surgiram o rádio, a televisão e os computadores. O ENIAC "Electronic
Numerical Integrator And Computer", o pai de todos os computadores, possuía 17.468 válvulas ( além de 6.000 chaves

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manuais, através das quais ele era programado ) e media cerca de 50 metros. Mas os fundamentos estavam plantados. O
transístor permitiu um salto tecnológico semelhante ao causado pelas válvulas, mas ele desempenha, com muito mais
eficiência, a mesma função desempenhada pelas válvulas.

1.3 NOVOS PROBLEMAS

Às conhecidas desvantagens das válvulas (tamanho, consumo de energia etc ), logo juntou-se sua incapacidade de lidar com
altas frequências. As pesquisas ligadas à guerra exigiam equipamentos menores e que operassem a frequências mais
elevadas. Três cientistas dos laboratórios Bell (John Bardeen, Walter Brattain e William Shockley) resolveram "voltar no
tempo", na época dos antigos rádios a cristal. Ao contrário dos equipamentos a válvula, os velhos rádios experimentais a
cristal eram capazes de detetar as altas frequências. O interesse deslocou-se, então, para a descoberta de Ferdinand Braun,
que dizia que cristais podiam transmitir eletricidade num único sentido. Aí poderia estar um substituto para as válvulas.

1.4 A DESCOBERTA
O caminho mostrou-se correto. A equipa conseguiu produzir o primeiro transístor em 1947, após 11 anos de pesquisas. Em
poucos anos o invento se disseminaria por todo o parque industrial e permitiria uma onda de inovações tecnologias sem
precedentes. Os rádios portáteis, então tornados possíveis, traziam estampada a expressão "Solid State" (estado sólido), em
referência à ausência de válvulas, já que seus circuitos eram construídos com cristais ( sólidos, sem vácuo ou preenchimento
com gases ).

1.5 SILÍCIO
As pesquisas começaram com cristais de silício e germânio. Quem já ouviu falar do Vale do Silício (Califórnia, Estados
Unidos), pode facilmente deduzir qual deles ganhou a preferência dos cientistas. E foi por uma questão simples: o silício é
muito barato. Ele é o segundo elemento mais abundante na Terra, perdendo apenas para o oxigénio. Cerca de 28% de toda a
crosta terrestre é formada de silício. Mas ele não é encontrado em estado puro. A sua forma mais comum são os óxidos
(silício combinado com oxigénio - SiO2). Nesta combinação ele compõe uma família de minerais chamada silicatos. O quartzo
é o silicato mais conhecido.

Quando purificado, o silício é cinza-escuro. Para a produção de transístores e circuitos integrados em geral, o silício não é
extraído de nenhum mineral. Ele é produzido artificialmente, em equipamentos de alta pressão chamados autoclaves. Ele é
produzido em lingotes circulares, que são posteriormente "fatiados".

A fabricação de transístores exige uma pureza de 99,999999%, isto significa um átomo estranho presente em cada 10 bilhões
de átomos de silício.

1.6 SEMICONDUTORES
Silício e Germânio são materiais semicondutores. Semicondutor significa quase condutor. Os semicondutores são materiais
em um estado intermediário entre os condutores de energia elétrica, como o cobre, alumínio, ouro, prata etc., e os não-
condutores, ou isolantes, como a borracha e o vidro, por exemplo.

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A energia elétrica é como sabemos, o movimento dos eletrões. Para que um elemento seja um bom condutor é necessário
que possua muitos eletrões livres.

Observemos o modelo do átomo. Os eletrões ficam em órbitas ao redor do núcleo. Essas órbitas têm números máximos de
eletrões, determinados pela conjunção da força de atração do núcleo, por um lado, e da força centrífuga, causada pela
rotação do eletrão, de outra. Caso o átomo não tenha a sua última camada totalmente preenchida, ele tende a uma de duas

situações: perder os eletrões de sua camada "incompleta" ou capturar eletrões de outro átomo para preencher sua última
camada. Como os eletrões da última camada estão mais afastados do núcleo, eles estão sob menor atração desse núcleo;
portanto, é mais fácil para eles escapar do átomo. Uma pequena energia é capaz de arrancá-los de suas órbitas. Estando
livres, esses eletrões determinam a facilidade de condução de um elemento: quanto menor a energia necessária para
arrancar os eletrões de um átomo e, portanto, quanto mais eletrões livres, maior a capacidade de condução de um elemento.

Figura 2 - Distribuição eletrónica de um átomo

Uma situação comum é o compartilhar: ao invés de retirar o eletrão de outros átomos, dois átomos compartilham os seus
eletrões, utilizando-os para preencher sua última camada. Esse compartilhar é chamado de ligação covalente. O silício possui
4 eletrões na sua 3ª e última órbita, sendo por isto chamado de tetravalente. Desta forma, cada átomo de silício pode
estabelecer até 4 ligações covalentes com outros átomos. Unindo-se entre si desta forma, os átomos de silício formam uma
rede cristalina cúbica, semelhante à do diamante, muito estável. O cristal de silício assim formado tem cor cinza escuro.

Figura 3 - Átomo de silício

Mas se a eletricidade é o movimento dos eletrões, como pode haver condução elétrica num elemento onde os eletrões estão
todos presos em uma forte estrutura cristalina?

 O eletrão tem carga elétrica negativa;

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  Suponhamos que um eletrão escape do seu átomo. Ele deixa o átomo carregado positivamente (se o átomo perdeu
uma carga negativa, ele passa a ter mais carga positiva). Esse átomo recebe o nome de ião e possui uma lacuna,
um buraco onde cabe mais um eletrão.

 Ao encontrar uma lacuna vizinha, um outro eletrão tende a deixar sua posição para ocupar a lacuna. Ele então “salta”
para a lacuna, deixando seu lugar livre.

Ocorrendo esse movimento sucessivamente, verifica-se a ocorrência de corrente elétrica. Por convenção, estabeleceu-se que
a condução elétrica se dá, na verdade, pela movimentação das lacunas. Esse movimento das lacunas também ocorre nos
materiais condutores mas, como existem muitos eletrões livres naqueles materiais, o movimento das lacunas é desprezível.
Num semicondutor, porém, vimos que, para cada eletrão que se liberta, há uma lacuna correspondente. Portanto, o
movimento das lacunas é muito importante.

1.7 SEMICONDUTORES P E N
No caso anterior, supomos que um eletrão saia da rede cristalina. Isso acontece normalmente, em pequena escala, pela ação
do calor à temperatura ambiente. É possível aumentar a ocorrência dessas “saídas” através de uma técnica chamada
dopagem. Dopar um cristal significa introduzir um elemento estranho na sua rede cristalina. O elemento estranho é chamado
de elemento dopante.

Como vimos, o silício é chamado de tetravalente por possuir 4 eletrões na sua última órbita. O que acontecerá se
introduzirmos no cristal um átomo de elemento pentavalente - 5 eletrões na última camada?

O novo átomo encaixar-se-á na estrutura, ligando-se a quatro átomos de silício. E sobrará um eletrão livre. Com um número
adequado de átomos dopantes teremos um cristal com mais eletrões do que lacunas. Ou seja, esse cristal terá energia
predominantemente negativa, devido a carga do eletrão. Um cristal desse tipo recebe a denominação N (de negativo).

Figura 4 - Semicondutor do tipo N

O que acontecerá agora se doparmos o cristal com um elemento trivalente - 3 átomos na última camada? Obviamente, o
inverso ocorrerá: o elemento dopante conseguirá estabelecer apenas três ligações com outros átomos. Um átomo de silício
ficará, portanto, com uma lacuna a mais. Com o número adequado de átomos trivalentes, teremos um cristal com mais
lacunas do que eletrões. Esse cristal terá energia predominantemente positiva. Um cristal desse tipo recebe a denominação P
(de positivo).

Figura 5 - Semicondutor do tipo P

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Os elementos pentavalentes (5 átomos na última órbita) mais utilizados na construção de cristais N são o arsénio, o antimónio
e o fósforo.

Os elementos trivalentes (3 átomos na última órbita) mais utilizados na construção de cristais P são o alumínio, o boro e o
gálio.

Os semicondutores começam a substituir as válvulas no momento em que se une um pedaço de material do tipo N com um
pedaço de material do tipo P. Essa junção forma um componente eletrónico chamado díodo, que substitui a válvula de mesmo
nome. Como vimos, a válvula díodo possibilita fazer a retificação, ou seja, a transformação da corrente alternada em corrente
contínua, permitindo separar-se o som da onda que o carrega. O mesmo pode ser feito com o díodo semicondutor.

A característica básica do díodo é permitir a condução da corrente elétrica em apenas um sentido.

Ao juntar-se um elemento P a um elemento N, temos a seguinte situação: o elemento P tem excesso de lacunas; o elemento
N tem excesso de eletrões. No ponto onde os dois cristais se tocam, tende a haver uma migração de eletrões e lacunas, até
que se estabeleça um equilíbrio.

Figura 6 – Formação da barreira de potencial

Observa-se que se forma um equilíbrio na região da junção, deixando de existir portadores maioritários (eletrões livres ou
lacunas). Essa camada, chamada de barreira de potencial impede que se gere um equilíbrio completo entre os cristais P e N.
Isto porque os eletrões do cristal N não encontram lacunas para se movimentar através da barreira de potencial. O mesmo
ocorre com as lacunas que ficaram isoladas no lado P. Ou seja, a barreira de potencial é uma espécie de "zona neutra" onde
não há espaço para movimentação de eletrões e lacunas.

Vamos agora submeter este díodo a uma tensão, ou seja, colocar uma bateria nos seus terminais. Vamos ligar o terminal
negativo (fluxo de eletrões) da bateria à porção N do díodo e o terminal positivo ( fluxo de lacunas ) à porção P. Desta forma,
a região N, com excesso de eletrões, recebe ainda mais eletrões, e a porção P recebe ainda mais lacunas.

Figura 7 – Polarização direta

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Os eletrões do lado N recebem toda a energia do pólo negativo da fonte, ganhando força suficiente para expulsar os eletrões
que estão alojados na barreira de potencial. Rompendo essa camada, eles encontram um terreno fértil em lacunas no lado P.
Mas não param por aí, como eles são atraídos pelo pólo positivo da fonte, eles continuam a “saltar” de lacuna em lacuna,
abrindo espaço para que outros eletrões possam vir atrás deles. Com esse movimento, forma- - se uma corrente elétrica. O
semicondutor passa a se comportar como um condutor normal.

Vamos agora inverter a polaridade da bateria. Vamos ligar o terminal positivo da bateria à porção N do díodo e o terminal
negativo à porção P. Desta forma, os eletrões da região N são atraídos pelas lacunas do pólo positivo da bateria e as lacunas
da região P são completadas pelos eletrões do pólo negativo. Observe o que acontece:

Figura 8 – Polarização inversa

A barreira de potencial aumenta sensivelmente. Se ela já dificultava a passagem de corrente, agora torna-se virtualmente
impossível transpô-la. Os portadores maioritários de cada lado ficam ainda mais isolados. O semicondutor, então, passa a
comportar-se como um isolante. Não há passagem de corrente elétrica. Esse foi um grande passo no desenvolvimento da
eletrónica. As válvulas díodo puderam ser substituídas com muitas vantagens pelo díodo semicondutor. E foi dado o passo
definitivo para a construção do transístor.

1.8 O TRANSÍSTOR
Como vimos no início do texto, à válvula díodo seguiu-se a válvula tríodo, que amplificava os sinais elétricos. Esse é o papel
do transístor: ele é um amplificador. Da mesma forma que o díodo semicondutor substituiu a válvula díodo, o transístor
substituiu a válvula tríodo.

Vimos que, quando polarizado diretamente, o díodo conduz eletricidade. O transístor introduz uma capacidade nova, que é a
possibilidade de se controlar a quantidade de eletricidade conduzida. Tudo começa quando se acrescenta uma camada
adicional a um díodo. Ao invés de duas porções, P e N, de silício, vamos verificar o que acontece quando juntamos três
porções, fazendo um “sanduíche” de uma porção N.

Figura 9 – Transístor PNP

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Cada uma dessas camadas tem as suas características:

 a primeira camada P (da esquerda) tem largura média e é fortemente dopada, ou seja, tem muitos átomos
trivalentes. Isto torna essa camada um fornecedor de lacunas (cargas positivas). Por isso ela é chamada emissor.

 a camada central N é muito fina e tem uma dopagem média. Como ela é fina, ela não representa uma barreira muito
grande para as cargas que vêm do emissor. Esta camada é chamada base.

 a camada da direita é bastante larga em relação às demais e é fracamente dopada. Por ser responsável por receber
os eletrões que saem do emissor e atravessam a base, esta camada é chamada coletor.

Como se pode observar na figura, o transístor resulta da união de dois díodos. Apenas com a ressalva de que ambos os
díodos compartilham a base, ou seja, o elemento N nesse caso. Há nele, portanto, duas junções. Como é de esperar, em
cada uma das junções forma-se uma barreira de potencial, em que os eletrões e lacunas se equilibram.

Analisemos o funcionamento do transístor. Vamos colocar uma bateria entre o emissor e a base. Para fazer uma polarização
direta, ligamos o terminal negativo (fluxo de eletrões) da bateria á base (porção N - excesso de eletrões) e o terminal positivo
(fluxo de lacunas) ao emissor (porção P - excesso de lacunas). Desta forma, a região N, com excesso de eletrões, recebe
ainda mais eletrões, e a porção P recebe ainda mais lacunas.

Figura 10 – Polarização direta emissor - base

Como vimos no caso do díodo, a polarização direta faz com que a porção emissor - base comporta-se exatamente como um
condutor.

Ao mesmo tempo, vamos polarizar inversamente o conjunto base - coletor. Para isso, conectamos o terminal positivo (fluxo de
lacunas) da bateria á base (porção N - excesso de eletrões) e o terminal negativo (fluxo de eletrões) ao coletor (porção P -
excesso de lacunas). Desta forma, os eletrões da base serão atraídos pelas lacunas do pólo positivo da bateria e as lacunas
do coletor serão completadas pelos eletrões do pólo negativo. Como também vimos no caso do díodo, essa polarização
inversa faz com que a porção base - coletor não conduza corrente.

Vejamos agora a parte mais importante: foi dito que iríamos fazer as duas polarizações anteriores simultaneamente.

Observemos o efeito que obtemos:

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 Figura 11 – Polarização direta BE e polarização inversa BC

Na polarização emissor - base as lacunas dirigiam-se para a base, atraídos pelo pólo negativo da bateria. Mas agora o
coletor, que é bem maior e está com energia extra vinda do pólo negativo da bateria, exerce uma atração muito maior sobre
essas lacunas. Como a base é muito fina, as lacunas tendem muito mais a atravessar a base e ir para o coletor do que fluir
pela base para o pólo negativo da bateria. Desta forma, uma pequena parte da corrente fluirá pela base; a maior parte da
corrente fluirá para o coletor. Este é o fenómeno da amplificação. Vamos perceber porquê:

Se aumentarmos a corrente que flui pela base (emissor - base), haverá um aumento na corrente que flui pelo coletor. Ou seja,
podemos controlar a corrente vinda do emissor para o coletor agindo sobre a corrente da base. Noutras palavras: a corrente
da base controla a corrente entre o emissor e o coletor.

Como a corrente da base é muito pequena, basta aplicarmos uma pequena variação na corrente da base para obtermos uma
grande variação na corrente do coletor. Introduzimos uma pequena corrente na base e obtemos uma grande corrente no
coletor.

2. CARACTERÍSTICAS DOS BJT

2.1 CONSTITUIÇÃO
O transístor possui três regiões como ilustra a figura 12. A região em baixo chama-se emissor, a do meio designa-se por base
e a de cima diz-se coletor. O transístor ilustrado é um dispositivo NPN, porque existe uma região P entre duas regiões N.
Recorde-se que os portadores maioritários são os eletrões livres no material tipo N e as lacunas no material tipo P.

Figura 12 - Transístor NPN

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Os transístores também são fabricados como dispositivos PNP. Um transístor PNP possui uma região N entre duas regiões P.

Como foi referido atrás, o emissor é muito dopado, pelo contrário, a base encontra-se pouco dopada. O nível de dopagem do
coletor é intermédio, entre a forte dopagem do emissor e a fraca dopagem da base. O coletor apresenta-se fisicamente como
a maior das três regiões.

O transístor exibe duas junções: Uma entre o emissor e a base – junção BE, e outra entre o coletor e a base – junção BC. O
transístor é constituído como dois díodos refletidos entre si.

2.2 PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO

Considerando a figura 13 e, tendo em conta o apreendido no capítulo anterior, os eletrões livres na região N difundem-se
através da junção e recombinam-se com as lacunas da região P.

O resultado destas recombinações corresponde a duas barreiras de potencial, como se pode observar na figura seguinte. O
potencial da barreira de potencial é aproximadamente igual a 0,7 V a 25 ºC num transístor de silício ( 0,3 V a 25 ºC num
transístor de germânio ).

Figura 13 - Camadas de depleção ou barreiras de potencial

Passaremos de seguida a polarizar o transístor. A figura seguinte ilustra um transístor polarizado. A junção BE está
polarizada diretamente e a junção BC está polarizada inversamente.

Os sinais menos ( - ) na figura representam eletrões livres. O emissor fortemente dopado exerce a seguinte função: emitir os
seus eletrões livres na base. A base fracamente dopada tem uma finalidade bem definida: passar eletrões emitidos do
emissor para o coletor. Denomina-se coletor porque recolhe ou junta a maioria dos eletrões a partir da base.

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 Figura 14 - Polarização do transístor

No instante em que se aplica a polarização direta á junção BE os eletrões no emissor ainda não entraram na região da base.
Se a tensão UBB for maior que o potencial da barreira emissor – base os eletrões do emissor entrarão na região da base,
como se pode observar na figura seguinte. Teoricamente, estes eletrões livres podem fluir em cada um dos dois sentidos. Em
primeiro lugar, podem ir para a esquerda a partir da base, passando através de R B a caminho do terminal positivo da fonte.
Em segundo lugar, poderão passar para o coletor.

Contudo, a maioria destes eletrões livres vão para o coletor uma vez que a base é fracamente dopada e muito fina. Esta
dopagem fraca significa que os eletrões livres têm uma longa duração de vida nesta região. A base muito fina exprime que os
eletrões livres apenas têm uma curta distância até atingirem o coletor.

Figura 15 - Emissão de eletrões na base

Quase todos os eletrões livres vão para o coletor, como podemos visualizar na figura seguinte. Uma vez no coletor, esses
eletrões são atraídos pela fonte de tensão UCC. Por isso, os eletrões livres passam através do coletor e de R C até atingirem o
terminal positivo da fonte de alimentação do coletor.

Figura 16 - Fluência dos eletrões livres da base para o coletor

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 2.3 CORRENTES E TENSÕES NUM TRANSÍSTOR
A figura seguinte ilustra a representação esquemática dos transístores. A seta indica o sentido convencional da corrente
elétrica. Uma mnemónica será fixar que a seta do transístor indica sempre uma região do tipo N.

Figura 17 - Simbologia dos transístores NPN ( à esquerda ) e PNP ( à direita )

A corrente de emissor arbitra-se de modo a sair do emissor e as correntes de base e de coletor a entrarem nos respetivos
terminais.

Num transístor, e relembrando a lei dos nós, que estabelece que a soma de todas as correntes que convergem num ponto ou
nó é igual á soma das correntes que saem desse ponto ou nó, teremos que a corrente de emissor é sempre a soma das
correntes de base e de coletor.

IE= IB + IC

A corrente de base é muito pequena quando comparada com as correntes de emissor e coletor, podemos inferir:

IB << IC ⇒ IC ≈ IE

As tensões, além do símbolo U, têm dois índices: o primeiro é o do terminal sobre o qual a tensão é medida e o segundo é o
terminal de referência. Assim teremos:

UCE – tensão coletor - emissor

UCB – tensão coletor - base

UBE – tensão base - emissor

Podemos ainda observar a seguinte igualdade:

UCE = UCB + UBE

As tensões contínuas de alimentação são indicadas por repetição do índice: UBB, UCC e UEE

No transístor NPN as tensões e as correntes arbitradas são positivas. No transístor PNP as tensões e as correntes
convencionais são contrárias às arbitradas

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 Figura 18 - Sentido convencionais das correntes e das tensões

2.4 PARÂMETROS ALFA E BETA

O alfa - α - representa a parte de corrente do emissor que chega ao coletor. Define-se pela razão entre a corrente contínua do
coletor e a corrente contínua de emissor. Como a corrente de coletor é quase igual á corrente de emissor, o valor de alfa em
corrente contínua é ligeiramente menor que 1. Por exemplo num transístor de baixa potência o alfa é tipicamente de 0,99.
Num transístor de grande potência, o valor típico do alfa é maior que 0,95.

O alfa não tem unidades, uma vez que é dado pela divisão de duas grandezas com a mesma unidade S.I.

O beta em corrente contínua ou também chamado de h FE ( em analise dos parâmetros h ) dá-nos o ganho em corrente do
transístor, uma vez que uma pequena corrente de base dá origem a uma corrente de coletor muito maior.

O ganho de corrente constitui a principal vantagem de um transístor, tendo conduzido a inúmeros tipos de aplicações.

A relação da corrente de base e da corrente de coletor é definida por:

IC= β. IB

que nos indica que a corrente de coletor é igual á corrente de base multiplicada pelo ganho em corrente do transístor.

Nos transístores de baixa potência ( abaixo de 1 W ) o ganho em corrente é tipicamente entre 100 e 300, podendo contudo
variar para valores de 100 a 800. Os transístores de grande potência ( acima de 1 W ) geralmente possuem ganhos de
corrente de 20 a 100.

Figura 19 - Extrato da folha de dados do transístor BC 548 ( NPN ) onde se realça o ganho β ( h FE )

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 EXERCICIO RESOLVIDO

1. Um transístor possui uma corrente de coletor de 1 mA e uma corrente de base de 40 μA. Calcule o ganho de corrente do
transístor em questão.

O ganho do transístor é de 250.

EXERCICIOS DE APLICAÇÃO – TRANSÍSTOR BIPOLAR

1. Considere um transístor com um ganho de 175. Se a corrente de base for de 0,1 mA, indique o valor da corrente de
coletor.

2. Um transístor apresenta uma corrente de base de 20 μA, quando a corrente do emissor é de 2 mA. Calcular os valores da
corrente do coletor e do parâmetro α.

3. Sabendo que a corrente de base de um transístor bipolar de junção é de 0,4 mA e a de coletor de 32 mA, o valor do
ganho β tomará o valor de:

a. β = 80

b. β = 80 mA

c. β = 80 A

d. β = 0,0125

e. β = 12,5 mA

4. Um transístor polarizado na região ativa apresenta:

a. qualquer tipo de polarização uma vez que, não necessita de nenhuma polarização específica nesta região.

b. a junção BE polarizada inversamente e a junção BC polarizada diretamente.

c. a junção BE polarizada diretamente e a junção BC polarizada diretamente.

d. a junção BE polarizada inversamente e a junção BC polarizada inversamente.

e. a junção BE polarizada diretamente e a junção BC polarizada inversamente.

5. Num transístor bipolar de junção a corrente de emissor é dada pela expressão:

a. IE= β.IB

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 b. IE= β.IB+ IB

c. IE= IB - IC

d. IE= IB / IC

e. IE= IB / UC

6. O transístor esquematizado na figura seguinte é:

a. PNP

b. PNPN

c. PN

d. NPN

e. NNP

3. ANÁLISE DE CIRCUITOS COM TRANSÍSTORES

3.1 MONTAGEM EMISSOR COMUM

Existem três montagens para conectar um transístor: Montagem emissor comum; montagem coletor comum e montagem
base comum. Passaremos a analisar a montagem mais utilizada com os transístores BJT, a montagem emissor comum.

Na figura seguinte está representado um transístor ligado em emissor comum uma vez que o emissor é comum ao circuito de
entrada do transístor BE e ao circuito de saída CE sendo assim ligado à massa. Esta é das três montagens a mais utilizada
devido ás suas características.

Figura 20 - Montagem emissor comum

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 3.2 MALHA DE ENTRADA
A corrente de entrada IB e a tensão de entrada UBE, em conjunto com a corrente de saída I C e a tensão de saída UCE,
definem perfeitamente o estado elétrico do transístor.

Verifique-se que a fonte de tensão UBB polariza diretamente a junção BE, com RB a fazer de resistência limitadora de corrente.
Variando UBB ou RB varia - se a corrente de base. Pela variação da corrente de base será variada a corrente de coletor, uma
vez que: IC= β . IB.

No circuito de entrada o poderemos aplicar a lei das malhas, que estabelece que a soma algébrica das tensões ao longo de
um circuito fechado ou malha é nula, obtendo assim a equação da malha de entrada:

- UBB + RB. IB + UBE = 0

De realçar que a tensão UBE para que a junção BE inicia a condução é de 0,7 V ( segunda aproximação).

Analisando o circuito de saída verifica-se que a tensão UCC da fonte polariza inversamente à junção BC através de RC. A
tensão UCC deve conceder a polarização inversa á junção correspondente, caso contrário o transístor não funciona
convenientemente já que, o coletor não recolhe os eletrões livres injetados na base. Analogamente poderemos aplicar a lei
das malhas, obtendo a malha de saída:

- UCC + RC.IC + UCE = 0

3.3 CARACTERÍSTICAS DE ENTRADA

Passaremos a analisar as características de entrada também denominada por características de base. A curva descrita por I B
em função de UBE é idêntica á característica de um díodo vulgar, uma vez que a junção BE comportasse dessa forma

Figura 21 - Curva característica de entrada ( IB ; UBE )

Aplicando a lei de ohm ou através da equação da malha de entrada deduz-se que:

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17
 EXERCICIOS DE APLICAÇÃO – TRANSÍSTOR DE JUNÇÂO BIPOLAR

1. O circuito eletrónico esquematizado na figura seguinte integra um transístor NPN com ganho em corrente β de 200.
Sabendo que a tensão UBE para que a junção BE comece a conduzir é de 0,7 V defina a tensão nos terminais da
resistência de base RB e a corrente no coletor.

3.4 MALHA DE SAÍDA E CARACTERÍSTICA DE SAÍDA

Para definirmos a curva característica da saída, poderemos proceder da seguinte forma: Variamos a tensão UBB e a tensão
UCC de tal que obtemos diferentes correntes e tensões no transístor. Medindo I C e UCE obtêm-se os dados necessários ao
traçado da curva característica de IC em função de UCE.

Figura 22 - Curva característica de saída ( IC ; UCE ) - transístor 2N3904

Consideremos, por exemplo, que se varia a tensão U BB de maneira a obtermos IB de 10 μA. Com este valor fixo da corrente de
base, pode-se variar agora UCC e medir IC e UCE. A representação gráfica dos respetivos valores dá origem à curva da figura
acima – figura 22.( De realçar que os valores variam de transístor para transístor, contudo a forma da curva é semelhante ).

Analisando o gráfico verifica-se que quando UCE é igual a zero a junção BC não está polarizado inversamente, logo a
característica mostra uma corrente de coletor nula. Se U CE aumentar a partir de zero a subida da corrente é íngreme até U CE
atingir as décimas de volt, tornando-se, a partir deste ponto, quase constante e no exemplo igual a 1 mA.

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18
A zona de corrente constante relaciona-se com a análise anterior acerca do comportamento de transístor. Depois da junção
BC ficar polarizada inversamente, o coletor recolhe todos os eletrões que chegam à sua camada de depleção. Ao aumentar a
tensão UCE a corrente IC permanece constante, uma vez que, o coletor só recolhe os eletrões que o emissor emite na base.
A quantidade destes eletrões injetados apenas depende do circuito de entrada ( base ) e não do circuito de saída (
coletor). É por esta razão que o gráfico da figura 22 exibe uma corrente de coletor constante entre U CE superior a 1V e inferior
a 40 V.

Se UCE for superior a 40 V a junção BC entra em rutura e perde-se o comportamento normal do transístor. Não se pretende
que o transístor funcione na zona de disrupção. Por isso, um dos valores estipulados máximos é a tensão de rutura ou
disrupção coletor-emissor UCE, max. Se o transístor ultrapassar este valor ficará danificado.

De salientar pela sua importância a potência do coletor, uma vez que esta se reflete na temperatura da junção e por
conseguinte do transístor.

Considerando a malha de saída teremos:

Realizando uma pequena transformação na expressão da direita verificamos que a tensão coletor-emissor é igual á diferença
entre a tensão da fonte do coletor e a queda de tensão na resistência de coletor. A potência de dissipação do transístor será
dada por:

Esta potência de perdas provoca aumento da temperatura da junção BC. Quanto maior for a potência dissipada maior será a
temperatura da junção.

Os transístores queimam-se quando a temperatura da junção se encontrar entre 150ºC e 200 ºC. Uma das informações mais
importantes de uma folha de dados é a potência estipulada máxima PD, max . potência de dissipação dada pela expressão
acima deverá ser menor que a potência estipulada máxima, caso contrario o transístor danificar-se-á.

Figura 23 - Extrato da folha de dados do transístor 2N3904 ( NPN )

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19
 EXERCICIOS DE APLICAÇÃO – TRANSÍSTOR DE JUNÇÂO BIPOLAR

1. Considere o circuito esquematizado na figura seguinte constituído por um transístor com ganho de corrente β de 300.
Calcule IC, IB, IE, UCE e PD. Considere UBE = 0,7 V.

2. Determine a tensão coletor-emissor no circuito eletrónico seguinte. O transístor NPN apresenta um ganho β em corrente
contínua de 100. Considere a segunda aproximação para a tensão base-emissor.

3. Um transístor BC 548 apresenta uma tensão UCE de 10 V e uma corrente IC de 20 mA. Determine a potência de
dissipação e verifique se se encontra dentro dos parâmetros de segurança comparando-a com a potência máxima
estipulada.

4. Qual das curvas características, relativas a um transístor bipolar, se encontra representada no diagrama da figura?

a. Curvas de comando de corrente.

b. Curvas de comando de tensão.

c. Curvas de saída com UBE como parâmetro.

d. Curvas de entradas

e. Curvas de saída com IB como parâmetro.

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20
4. ZONAS DE FUNCIONAMENTO DO BJT

4.1 ZONAS DE FUNCIONAMENTO

A característica da figura seguinte tem diferentes zonas de comportamento do transístor. Ampliando as características de
saída, para tal bastaria efetuar mais medições de IC e UCE para diferentes valores de IB, a representação gráfica seria a
seguinte

Figura 24 - Curva característica de saída ( IC ; UCE )

A primeira é a zona média,com UCE superior a algumas décimas de Volt, que representa a operação normal do transístor.
Nesta zona a junção BE está polarizada diretamente e a junção BC está polarizada inversamente. Esta zona designa-
se por zona ativa ou zona linear. Nesta zona o transístor funciona como amplificador, onde as variações do sinal de
entrada produzem variações proporcionais no sinal de saída.

A segunda zona é caracterizada por ter a corrente de base igual a zero, e uma corrente de coletor muito pequena,
próxima de zero. O desenho da característica inferior está exagerado, aparecendo maior do que é habitual. Esta curva inferior
define a chamada zona de corte ou bloqueio do transístor e a sua pequena corrente de coletor designa-se por corrente de
corte ou bloqueio do coletor. Nesta região ambas as junções estão polarizadas inversamente.

A terceira zona é definida por uma subida da característica, com UCE a variar entre 0 e algumas décimas de volt. Esta
parte da característica denomina-se por zona de saturação. Nesta região a junção BC tem uma tensão insuficiente para
recolher todos os eletrões livres injetados na base, a corrente de base é maior que o valor normal e o ganho de corrente é
menor que o normal, assim teremos:

Nesta zona ambas as junções estão polarizadas diretamente.

As zonas de saturação e de corte são úteis em circuitos digitais, como nos computadores, referidos por circuitos de
comutação

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21
 4.2 ESQUEMAS SIMPLIFICADOS
Na maioria das vezes torna-se desnecessário a utilização de duas fontes de alimentação para a polarização do transístor. Se
a tensão UBB for igual á tensão UCC, utiliza-se apenas uma fonte de tensão para a polarização do transístor. Vejamos na figura
seguinte como um caso concreto.

Figura 25 - Esquema com duas fontes de alimentação ( á esquerda ) e esquema simplificado com uma fonte de alimentação

( á direita )

EXERCICIOS DE APLICAÇÃO – TRANSÍSTOR DE JUNÇÂO BIPOLAR

2. O circuito da figura seguinte foi analisado num programa de simulação de circuitos eletrónicos. O transístor é um BC
548C. Calcule o ganho em corrente β do transístor.

3. O ponto de funcionamento do transístor como amplificador encontra-se:

a. Situado na zona de corte.

b. Situado alternadamente na zona ativa e na zona de corte.

c. Situado alternadamente na zona de corte e na zona de saturação.

d. Situado na zona ativa.

e. Situado na zona de saturação.

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22
 4.3 POLARIZAÇÃO DO TRANSÍSTOR. RETA DE CARGA.
Até agora limitamo-nos a calcular os parâmetros de funcionamento pré estabelecidos de um transístor integrado num circuito.
Passaremos de seguida a definir esses parâmetros de funcionamento ou por outras palavras analisaremos quais os
procedimentos de polarização do transístor.

A polarização dum transístor consiste na obtenção das condições de funcionamento correspondente ao ponto de
funcionamento ou repouso.

Admitimos que são fixadas as grandezas IC, IB, UBE, UCE, correspondentes ao ponto de funcionamento. O transístor funciona
mais linearmente na zona ativa. Será então necessário estabelecer potenciais e correntes apropriadas, usando fontes
exteriores.

As grandezas do ponto de funcionamento na zona ativa são limitadas pelo valor máximo da potência dissipada no coletor,
representado na figura em baixo pela respetiva hipérbole de dissipação máxima e pelos valores máximos da tensão coletor-
emissor e da corrente de coletor, que delimitam as zonas dos possíveis pontos de funcionamento.

Figura 26 - Circuito emissor comum e respetivas curvas da característica de saída

Uma das aplicações mais vulgares do transístor é a amplificação, na qual o circuito recebe um sinal de entrada que se
sobrepõe aos valores contínuos da corrente e tensão de entrada, produzindo na saída um sinal, também sobreposto aos
valores contínuos da corrente e tensão de saída.

A análise das condições de funcionamento podem então ser divididas em duas partes:

 O funcionamento em corrente contínua é respeitante ao ponto de funcionamento.

 O funcionamento em corrente alternada é respeitante ao sinal a ser amplificado.

Nesta fase analisaremos o ponto de funcionamento. A analise das condições de funcionamento poderão ser realizadas
recorrendo a um método gráfico baseado na reta de carga.

Comecemos por definir os parâmetros de saída: IC; UCE . A equação da malha de saída contém os parâmetros:

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23
Para definirmos uma reta será necessário obtermos dois pontos ( um no eixo dos xx ou das tensões e outro no eixo do yy ou
das correntes) , para tal iremos igualar alternadamente a tensão e a corrente a zero, uma vez que serão os pontos de mais
fácil analise, assim:

1. Quando IC = 0 , virá:

encontramos assim a coordenada ( UCC , 0 ).

2. Quando UCE = 0, teremos:

definimos a segunda coordenada ( 0 , VCC/RC).

O ponto de funcionamento estará na reta de carga assim definida, como podemos observar na figura 27.

Figura 27 - Reta de carga e ponto de funcionamento

No gráfico podemos visualizar que ao ponto de funcionamento Q1 corresponde uma corrente de base I B = 40 μA. Se
escolhermos IB = 60 μA, o ponto de funcionamento será o Q2.

Normalmente, o ponto de funcionamento é definido a meio da reta de carga fazendo-se UCC / 2, de modo a permitir que por
ação de uma corrente sinusoidal de entrada, a corrente de coletor possa ter uma expedição máxima para cada um dos lados
relativamente ao ponto de funcionamento.

O ponto de funcionamento Q1 determina IC e UCE.

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24
 EXERCICIOS DE APLICAÇÃO – RETA DE CARGA

1. O No circuito da figura seguinte o transístor de silício apresenta um h FE de 75. Sabendo que UBB = 1,5 V; UCC = 12V e RC
=1,5 KΩ, calcule:

O valor de RB para que a corrente de base seja IB = 40 μA.

A equação da reta de carga e os pontos da sua interseção com os eixos.

5. CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO

5.1 POLARIZAÇÃO FIXA DE BASE

Nos circuitos analisados até então temos utilizado um tipo de polarização denominada de polarização fixa de base. Este tipo
de polarização define uma corrente de base constante, conseguida unicamente por uma resistência

Figura 28 - Circuito de polarização - Polarização fixa

5.2 POLARIZAÇÃO DE BASE

Nos amplificadores são necessários circuitos cujos pontos de funcionamento Q sejam imunes a variações do ganho de
corrente. A figura seguinte esquematiza um circuito deste tipo.

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25
 Figura 29 - Circuito de polarização - Polarização de emissor

Como se vê a resistência foi deslocada do circuito da base para o circuito de emissor. Esta única alteração origina uma
grande diferença. O ponto Q do novo circuito está agora fixo. Quando o ganho de corrente variar, por exemplo, de 50 para
150, o ponto Q quase não se desloca ao longo da reta de carga.

Aplica-se a tensão de alimentação diretamente na base. O emissor deixa de estar ligado á massa, possuindo este uma tensão
igual a:

Esta tensão obtém-se nos terminais da resistência de emissor, pelo que por aplicação da lei de Ohm se define o valor da
corrente de emissor:

Isto significa que a corrente de coletor tem aproximadamente este valor, uma vez que, como IB é muito pequena teremos que:

Sendo assim definimos o valor da tensão em RC já que:

Continuando os nossos cálculos podemos determinar a tensão no coletor U C em relação á massa:

Por último, calculamos a tensão coletor-emissor:

Assim obtemos o ponto de funcionamento Q do transístor com as suas coordenadas: U CE ; IC.

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26
O circuito é imune ás variações do ganho β uma vez que, nos cálculos efetuados anteriormente nunca foi necessário recorrer
ao valor de β. Como não foi utilizado na realização de todos os cálculos deixa de ser relevante o seu valor exato.

Ao deslocar-se a resistência de base para o circuito do emissor faz-se com que a tensão entre a base e a massa seja igual á
tensão da fonte de alimentação. Anteriormente, esta tensão estava quase toda nos terminais da resistência de base, impondo
uma corrente fixa de base, neste momento, a tensão de alimentação menos 0,7 V estará toda nos terminais da resistência de
emissor, estabelecendo uma corrente fixa de emissor.

5.3 POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO

Este é o circuito de polarização mais utilizado. O nome do circuito advém do circuito de base possuir um divisor de tensão
constituído pelas resistências R1 e R2.

Figura 30 - Circuito de polarização - Polarização por divisor de tensão

Num circuito divisor de tensão bem dimensionado, a corrente de base é muito menor que a corrente através do divisor de
tensão.

Como a corrente de base tem um efeito desprezável no divisor de tensão, concebe-se mentalmente o circuito aberto entre o
divisor de tensão e a base do transístor de tal forma a obtermos o esquema da figura 31 a saída do divisor de tensão neste
circuito fica definida por:

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27
 Figura 31 - Divisor de tensão

A análise do restante circuito é análogo ao elaborado para o circuito de polarização de emissor. Assim teremos para a
corrente de emissor:

sendo:

A tensão em RC será dada pela lei de Ohm:

A tensão no coletor UC em relação à massa virá:

Por último, calculamos a tensão coletor-emissor:

5.4 POLARIZAÇÃO POR RESISTÊNCIA ENTRE O COLETOR E BASE

O princípio fundamental será o mesmo dos circuitos anteriores, estabilizar o ponto de funcionamento Q. Este processo utiliza
a realimentação de uma tensão na base com vista a neutralizar qualquer variação na corrente de coletor.

Figura 32 - Circuito de polarização - Polarização por resistência entre o coletor e a base

Por exemplo: admita-se que a corrente de coletor aumenta. Então aumenta a tensão na resistência de coletor, que faz
diminuir a tensão na resistência da base. Por sua vez, a corrente de base, devido á diminuição da tensão, irá diminuir,
opondo-se ao crescimento inicial da corrente do coletor.

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28
Este circuito utiliza a realimentação negativa para tentar diminuir a variação inicial da corrente de coletor.

EXERCICIOS DE APLICAÇÃO – CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO

1. Considere o circuito eletrónico constituído por um transístor polarizado por resistência de emissor. Calcule o valor da
corrente IC e a tensão UCE correspondentes ao ponto de funcionamento Q.

2. O circuito da figura seguinte é constituído por um transístor polarizado por divisor de tensão. Por aplicação do teorema de
Thévenin na base calcule a tensão UCE, sabendo que o transístor é de silício.

a. Considerando a igualdade IC ≈ IE.

b. Não considerando a igualdade imposta anteriormente, sabendo que o transístor tem um ganho de corrente β de
100.

6. MONTAGEM EC, CC, BC

6.1 MONTAGEM EMISSOR COMUM

De seguida, apresenta-se as características gerais da montagem emissor comum analisada ao longo dos itens anteriores.

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29
 Figura 33 - Montagem emissor comum

6.2 MONTAGEM COLETOR COMUM

Esta montagem tem o coletor comum ao circuito de entrada e ao circuito de saída, como podemos visualizar na figura
seguinte.

Figura 34 - Montagem coletor comum

Uma corrente de base pequena comanda uma corrente de emissor bastante maior, contudo, à custa de uma tensão base -
coletor praticamente igual à tensão coletor-emissor.

Na entrada, o transístor comporta-se como tendo uma resistência grande, enquanto no circuito de saída se comporta como
tendo uma resistência pequena. As características desta montagem encontram-se referidas no quadro seguinte:

___
30
 6.3 MONTAGEM BASE COMUM
Analogamente ás outras montagens, esta montagem é chamada de base comum por ter a base como elemento comum ao
circuito de entrada e ao circuito de saída.

Figura 35 - Montagem base comum

A corrente de entrada IE produz a corrente de saída, em que o parâmetro α é definido como o ganho de corrente contínua da
montagem base comum.

Como no circuito de entrada, o transístor apresenta a tensão UEB de pequeno valor, para o gerador o transístor apresenta uma
resistência de entrada pequena. No circuito de saída o transístor comporta-se como tendo uma resistência grande. As
características desta montagem salientam-se de seguida:

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31
7. TRANSISTOR EM COMUTAÇÃO

7.1 GENERALIDADES
Como vimos anteriormente existem dois tipos de circuitos com transístores: Circuitos de amplificação e circuitos de
comutação. Nos circuitos de amplificação o ponto de funcionamento Q permanece na zona linear sob qualquer condição de
operação. Se tal condição não se verificar o sinal de saída será distorcido no pico em que ocorre a saturação e o corte.

Quando se pretende que o transístor funcione como um circuito de comutação alterna-se o seu funcionamento entre a região
de saturação e a região de corte.

7.2 CONDIÇÕES DO TRANSÍSTOR NA SATURAÇÃO

Admita-se que o transístor NPN de silício da figura seguinte tem uma tensão de rutura ou disrupção superior a 20 V. Constata-
se desta forma que o transístor não está a funcionar na região de disrupção. Também podemos verificar que o transístor não
opera na zona de corte, devido às tensões de polarização. Contudo, não podemos inferir se o transístor está a funcionar na
zona linear ou na zona de saturação.

Figura 36 - Verificação da zona de funcionamento do transístor

Para se constatar qual a zona em que o transístor está a funcionar utilizamos um dos seguintes métodos:

MÈTODO 1

1. Admite-se que o transístor está a funcionar na zona ativa.

2. Efetuam-se os cálculos das correntes e das tensões.

3. Se ocorrer um resultado impossível em qualquer cálculo, a hipótese admitida é falsa, estando o transístor a funcionar
na zona de saturação.

MÉTODO 2

1. Admite-se que o transístor está a funcionar na zona de saturação.

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 2. Define-se qual a corrente de coletor de saturação.

3. Calcula-se qual a corrente de base mínima necessária á saturação.

4. Compara-se com a corrente de base no circuito. Se esta for superior á definida em 3 a hipótese é verdadeira, caso
contrário o transístor está a funcionar na zona ativa.

CONDIÇÔES DE SATURAÇÃO DE UM TRANSÌSTOR DE SÍLICIO:

UBE, sat = 0,8 V

UCE, sat = 0,2 V

Análise do circuito (MÉTODO 1)

NOTA : Por facilidade de cálculo considere-se a junção BE ideal ou seja, UBE = 0 V. Comecemos por calcular a corrente de
base:

Como o ganho de corrente contínua β = 50, temos que :

IC= β x IB = 50 x 0,1 = 5 mA

A tensão coletor-emissor, virá:

- UCC + RC.x IC + UCE = 0 ⇒ UCE = UCC - RC.x IC = 20 – ( 10 x 5 ) = - 30 V

Resultado impossível, logo a hipótese que o transístor admitida, que o transístor estava a funcionar na zona ativa, é
falsa. O transístor está saturado.

Análise do circuito (MÉTODO 2)

Calculemos a corrente no coletor admitindo o transístor saturado, aplicando a condição U CE, sat = 0,2 V :

Considerando o transístor a operar na zona de saturação temos que IC < β . IB , logo:

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33
Ficando assim definido o valor de I B mínimo necessário para o transístor entrar em saturação. Se no circuito I B for superior a
este valor a hipótese do circuito estar saturado é verdadeira. A corrente de base no circuito, considerando a junção BE ideal,
será:

Como o transístor só necessitava de 0,0396 mA para estar saturado e a corrente de base no circuito é de 0,1 mA,
podemos concluir que a hipótese avançada, que o transístor estava saturado, é verdadeira.

Para se garantir que um circuito está completamente saturado, ou também denominado circuito em saturação rígida, utiliza-se
a seguinte regra: Dimensiona-se a resistência de base de tal forma que produza um ganho de corrente β igual a 10.

No circuito anterior, figura 36 podemos verificar esta analogia:

O ganho em corrente do transístor da figura β é de 50, isto significa que a corrente de coletor é amplificada 50 vezes
relativamente á corrente de base, isto se o transístor funcionar na zona ativa.

Contudo, se o transístor estiver na zona de saturação o ganho de corrente é menor que o ganho em corrente na zona ativa.
Podemos calcular o ganho de corrente na região de saturação:

NOTA : Por facilidade de cálculos considere-se UCE = 0 V.

Aplicando a regra definida acima, faremos β igual a 10, basta para tal aumentar a corrente de base para 0,2 mA, que será o
mesmo que diminuir a resistência de base para 50 KΩ, assim:

Como no circuito a corrente de base que leva o transístor á saturação é dado por:

Portanto, uma corrente de base de 0,2 mA fará com que o transístor entre muito na saturação.

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A saturação rígida é importante uma vez o ganho de corrente varia com a corrente de coletor, a variação de temperatura e de
transístor para transístor. Para garantir que o transístor não saia da saturação em nenhuma condição, utiliza-se então a
saturação rígida, garantindo assim a permanência do transístor nesta zona em qualquer condição de operação.

O reconhecimento direta da saturação rígida poderá ser analisado diretamente num circuito se a tensão UBB for igual á
tensão UCC e a resistência de base for 10 vezes superior á resistência de coletor, será de esperar que haja saturação.

7.3 CONDIÇÕES DO TRANSÍSTOR NO CORTE

Para que o circuito esteja bloqueado basta fazer UBE = 0, uma vez que leva IB a zero. Como:

IC = β x IB

Deduzimos que também IC será nulo, estando o transístor na zona de corte ou bloqueio.

CONDIÇÔES DE CORTE DE UM TRANSÌSTOR DE SÍLICIO:

UBE, corte = 0,0 V

IB, corte = 0,0 mA

7.4 CARACTERÍSTICAS DOS CIRCUITOS EM COMUTAÇÃO

Os circuitos em comutação são úteis como vimos em circuitos digitais uma vez que operam na região de corte e saturação.
Por outras palavras, têm uma tensão de saída baixa ou alta. Estes circuitos não utilizam nenhum dos pontos de

funcionamento entre a saturação e o corte, isto significa que não é relevante as variações do ponto de funcionamento Q, pis o
transístor permanece na saturação ou ao corte quando o ganho de corrente varia.

O circuito da figura 37 representa um transístor em saturação rígida. Analisando o circuito, a tensão de saída U OUT é
aproximadamente zero (0,2 V). Quer isto dizer, que o ponto de funcionamento está na extremidade superior da reta de carga.

Figura 37 - Circuito em saturação rígida e respetiva reta de carga

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Quando o interruptor abre a corrente de base reduz-se a zero. Logo, a corrente de coletor anula-se. Sem corrente através da
resistência de coletor a tensão aos seus terminais será nula aparecendo toda a tensão de alimentação aos terminais CE do
transístor. Por conseguinte, a tensão de saída sobe para +10 V. O ponto Q encontra-se na extremidade inferior da reta de
carga.

O circuito só pode ter duas tensões de saída : 0 V ou + 10 V. É desta forma que se poderá reconhecer um circuito digital.
Este apenas possui dois níveis de saída: baixo ou alto. Os valores exatos destas duas tensões de saída não são importantes,
o importante é que estas duas tensões se distingam.

Muitas vezes os circuitos digitais são designados por circuitos de comutação, porque o respetivo ponto de funcionamento Q
comuta entre dois pontos da reta de carga. Outro termo usado para este tipo de circuitos é circuitos de dois estados, que
correspondem às saídas baixa e alta.

EXERCICIOS DE APLICAÇÃO – TRANSÍSTOR EM COMUTAÇÃO

1. Considere Indique quais as zonas de funcionamento do transístor. Para cada zona de operação defina,
convenientemente, a ( s ) característica ( s ) fundamental ( ais ).

2. Indique as condições necessárias para que um transístor se encontre em comutação.

3. O circuito da figura que se segue representa um circuito composto por um transístor de silício que tem um ganho em
corrente β igual a 100.

Verifique se o transístor se encontra saturado.

Alterando a resistência RC para 1 KΩ, verifique se o transístor esta em saturação.

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4. O transístor representado na figura ao lado faz parte de um circuito digital de comando pela tensão Uin que só pode ter
duas tensões possíveis: 0 V e + 5 V.

Pretende-se obter na saída UOUT, ou uma tensão de + 10 V ou uma tensão

praticamente nula. Dimensione, convenientemente, a resistência de base
RB necessária, sabendo que transístor de silício tem um ganho de corrente
β compreendido entre 100 e 400, segundo dados do fabricante.

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