Introdução à Eletrônica Básica

ELETRÔNICA BÁSICA
171
7 ELETRÔNICA BÁSICA
Esta disciplina foi elaborada de forma simplificada, porém muito compreensível, de

modo a proporcionar uma base sólida dos dispositivos fundamentais da Eletrônica e
abordando algumas aplicações práticas dos mesmos. Os aspectos abordados neste curso
foram divididos de forma que os assuntos tratados obedecem a uma sequência lógica na
aprendizagem técnica.
Inicia-se por um histórico de Eletrônica e a Estrutura Atômica da Matéria. Em

seguida tratam-se dos conceitos referentes aos dispositivos semicondutores e os processos
de construção e funcionamento de diodos, circuitos com diodos e transistores bipolares e
uma abordagem sintetizada dos amplificadores operacionais.
Toda essa base em eletrônica permitirá o leitor entender a construção,

funcionamento e aplicações dos Controladores Lógicos Programáveis (CLPs), que serão
objetos de estudo nos próximos módulos.
7.1 Introdução à Eletrônica
Hoje em dia se tem um entendimento muito restrito do que seja a eletrônica. Já se

ouviu falar em engenheiros eletrônicos, técnicos em eletrônica ou até operadores em
eletrônica, mas pouco se tem a real dimensão do trabalho executado por esses profissionais,
uma vez que não há, em verdade, o entendimento total da Ciência Eletrônica.
A eletrônica se desenvolveu a partir de uma simples experiência, até constituir uma

ciência que afetou todas as áreas, atingindo por completo o dia a dia da humanidade. A
válvula foi inventada pelo inglês J. A. Fleming, por meio da experiência realizada por Thomas
Edson com a sua lâmpada de filamento. Paralelamente, vinham sendo desenvolvidos os
resistores, capacitores e indutores. A primeira válvula construída foi o diodo, constituída de
dois eletrodos encerrados em uma ampola de vidro sob vácuo, cujas conexões prolongam-se
para o exterior na forma de pinos de ligação onde é, então, iniciada a exploração do
fenômeno da emissão termo iônicos. Logo após, foram desenvolvidas as válvulas tríodos,
tetrodo e pêntodo; com 3,4 e 5 eletrodos, respectivamente, ou seja, foram incorporadas
uma, duas e três grades ao primitivo diodo.
Muito embora as válvulas sejam uma conquista relativamente recente, já estão

obsoletas. Com minúsculos dispositivos elaborados a base de matérias a semicondutores,
como diodos, transistores e circuitos integrados, é possível a construção de circuitos muitas
vezes menores e mais econômicos e de eficiência superior aos circuitos construídos por
válvulas.
O transistor surgiu após a Segunda Guerra Mundial e valeu um prêmio Nobel aos
seus inventores: Bardeen, Brattain e Shockley, todos pesquisadores dos laboratórios da Bell
Telephone nos Estados Unidos. Os transistores nasceram da necessidade que surgiu durante
a guerra, de desenvolver novos sistemas de radar. Trata-se de substitutos ideais das válvulas
termo iônicas, com vida útil muito longa, menor desprendimento de calor, mais resistentes a
choques mecânicos e com pequeno volume.
ELETROTÉCNICA MÓDULO II
172
Apenas em algumas aplicações específicas as válvulas ainda sobrepujam os
dispositivos semicondutores, como nos cinescópios (tubos de imagem) dos receptores de
televisão. Hoje, com o avanço do desenvolvimento, os tubos de televisões já são substituídos
por uma placa fina e sólida, também elaborada a base de semicondutores. O funcionamento
dos transistores está intimamente ligado com o fenômeno da semicondutividade, que ocorre
em certas substâncias como é o caso do germânio e do silício.
Dentro da ciência eletrônica há três tipos básicos de circuitos:
a) inicialmente, as chamadas fontes de alimentação, vital para qualquer circuito

eletrônico;
b) os amplificadores, tanto para frequência de áudio como também para a
radiofrequência; e, ainda,
c) os circuitos osciladores, que possuem vasta aplicação no campo das
transmissões, sejam elas por linha física, tropodifusão ou por micro-ondas;
enfim, todo e qualquer tipo de transmissão.
Em cada tipo desses circuitos citados, ter-se-á a aplicação de dispositivos

semicondutores, como também os elementos: capacitores, indutores e resistores.
Como se sabe, a eletrônica oferece um vasto campo de atuação na atualidade, como:
a) áudio: onde pessoas do mais alto gabarito técnico, até apreciadores e

aficionados, atuam, conseguindo bons resultados, tanto nos ramos das gravações,
como no da reprodução, principalmente em fitas;
b) técnica digital: com a utilização dos circuitos integrados em computadores,
favorecendo, assim, amplamente o processamento de dados:
c) telefonia: onde é amplamente aplicada e difundida, baseadas principalmente na
utilização de dispositivos discretos e também integrados, tornando seus circuitos
mais eletrônicos e menos mecânicos. Recentes desenvolvimentos incorporaram
as técnicas digitais, criando uma nova geração de centrais telefônicas (centrais de
programas armazenados):
d) indústria: onde é largamente utilizada, operando comandos de maquinários, seja
por controle remoto, como também por programação;
e) eletromedicina: onde a eletrônica contribui de maneira decisiva, aplicada à
dispositivos de análises e avaliações de sintomas, como também para
acompanhamento e/ou controle de partes do organismo humano; e,
f) telecomunicações: a grande expansão neste campo exige o emprego de novos
equipamentos e sistemas, combinando diversas tecnologias no sentido de buscar
as melhores condições de comunicação à distancia.
7.2 Estrutura Atômica da Matéria
A curiosidade humana sobre a constituição da matéria é muito antiga. E tentando

compreender as coisas que o cercavam foi que o homem chegou ao conceito de átomo. Essa
palavra teve origem na Grécia antiga, e surgiu de indagações a respeito da solidez da
matéria, sobre o que poderia ocorrer ao se dividirem objetos em pequenos pedaços. Os
MÓDULO II ELETROTÉCNICA
173
pensadores daquela época, neste processo contínuo, chegariam à menor partícula da
matéria, a qual não poderia ser mais dividida, e a chamariam de átomo (grego= indivisível).
Com o tempo, o homem foi observando fenômenos que envolviam materiais

diferentes e tal fato levou ao conceito de Eletricidade e de Cargas Elétricas. O átomo de
qualquer elemento consta de partículas chamadas elétrons, prótons e nêutrons, conforme
ilustra a Figura 1 abaixo. Os prótons e nêutrons constituem o núcleo do átomo. Os prótons
têm carga elétrica positiva (+1,6 10 C) e os nêutrons não possuem cargas elétricas. Os
elétrons são pequenas partículas que giram em órbitas circulares em torno do núcleo e
possuem carga elétrica negativa (-1,6 10 C). A figura abaixo ilustra esquematicamente um
átomo.
Figura 1- Representação de um átomo
Fonte: Elaborada pelo autor (2014)
A representação abaixo foi adotada para exprimir o átomo de um determinado

elemento. X ZA , onde X = símbolo do elemento; A = no de massa; e Z = no de átomos.
Exemplos:
a) (Hélio)= 2 elétrons, 2 prótons, 2 nêutrons;

b) (Silício) = 14 elétrons, 14 prótons, 14 nêutrons.
Os elementos se distribuem em camadas a partir do núcleo e em cada camada há

um número máximo permissível de elétrons que não pode ser ultrapassado, como indica a
Figura 2 a seguir.
174
Figura 2- Distribuição dos elétrons na camada
É importante observar que, embora esse número não possa ser ultrapassado,
podem existir menos elétrons que este máximo, dizendo-se, então, que a camada não está
saturada. Veja na Tabela 1 as estruturas de alguns átomos.
Tabela 1- Estrutura de alguns átomos
CAMADA
ELEMENTO
K L M N O P R
Cobre 2 8 18 1
Prata 2 8 18 18 1
Carbono 2 4
Germânio 2 8 18 4
Silício 2 8 4
Índio 2 8 18 18 3
Fósforo 2 8 5
Alumínio 2 8 3
Dessa forma, pode-se concluir que alguns materiais têm elétrons facilmente
removíveis. Estes materiais são chamados de condutores. Os materiais que oferecem muita
dificuldade à remoção de elétrons são chamados de isolantes. Em circuitos eletrônicos, os
condutores mais usados são: o cobre, o alumínio e ouro. O cobre é usado principalmente sob
a forma de fios, cabo e pistas de circuitos impressos. O ouro é usado sob a forma de
camadas de proteção antioxidação, em pinos e superfícies de contato, em conexões
elétricas. O alumínio é usado em bombinhas móveis, onde é desejada pequena massa móvel.
Como isolantes são usados vários tipos de plásticos, borrachas e resinas sintéticas. Na
cobertura de cabos e fios, é utilizada a borracha sintética, borracha vulcanizada, borracha
acompanhada de trança de nylon e plásticos.
7.3 Dispositivos Semicondutores
A revolução ocorrida na eletrônica durante a segunda metade do século XX se deve

à tecnologia dos semicondutores, que substituíram as válvulas na vasta maioria das
aplicações, com menor custo, menos consumo de energia, maior compactação e
175
confiabilidade. Uma enorme variedade de dispositivos é fabricada, mas o elemento básico
de todos eles é a junção PN, formada por dois materiais semicondutores com propriedades
elétricas opostas.
7.3.1 Classificação
a) diodo retificador: é um dispositivo semicondutor de dois terminais, anodo e

catodo, que permite a passagem de corrente elétrica apenas em um sentido. A
corrente de elétrons flui do catodo para o anodo, já a corrente convencional flui
do anodo para o catodo. O catodo é marcado no invólucro do diodo;
b) diodo zener: é um tipo de diodo usado para estabilizar ou limitar tensões, cujos
valores são determinados pelos fabricantes;
c) LED: é um diodo emissor de luz. Emite luz ao ser percorrido por uma corrente
elétrica;
d) transistores: são dispositivos de três terminais com a propriedade de
amplificação, isto é, um sinal elétrico na entrada, controla um sinal de potência
maior na saída. Conforme a constituição interna, os transistores se subdividem
em diversas categorias: transistores bipolares (BJT), transistores de efeitos de
campo (JFET, IGFET ou MOSFET) e transistores de unijunção (UJT);
e) tiristores: são dispositivos de dois, três ou quatro terminais, usados como chaves
eletrônicas em aplicações de potência. Os mais importantes são os retificadores
controlados (SCR), os TRIACS e DIACS. Todos eles se destinam a fechar ou
interromper circuitos de potência de acordo com certas tensões ou correntes de
controle;
f) circuitos integrados: o desenvolvimento de tecnologia de semicondutores levou
ao aparecimento, em 1958, dos circuitos integrados, onde diodos, transistores,
resistores e capacitores são incorporados em um pequeno bloco de um material
semicondutor, constituindo um circuito completo de alta confiabilidade e
compactação. Os circuitos integrados podem ser de três ou mais terminais
contendo circuitos de uso específico, por exemplo: regulador de tensão
amplificador operacional, temporizadores, etc.;
g) circuitos impresso: é um conjunto de parte(s) isolante(s) e parte(s) condutora(s),
cuja função básica é prover suporte para os dispositivos de circuitos
eletroeletrônicos e as suas conexões elétricas.
7.3.2 Estudo dos Semicondutores
Os semicondutores são materiais de características atômicas instáveis, por

possuírem quatro elétrons na última camada de valência. A estabilidade ocorre com o
agrupamento de seus átomos, permitindo formar duas bandas de energia: valência e
condução. O movimento dos elétrons neste meio acontece em função da variação da
temperatura, ou seja, à medida que este material é aquecido alguns elétrons são deslocados
da banda de valência para a banda de condução. Assim, os semicondutores são sólidos
capazes de mudar sua condição de isolante para condutores com grande facilidade,
bastando para isso, controlar a sua temperatura de trabalho e, assim utilizá-los na fabricação
de componentes eletrônicos como, por exemplo, diodos e transistores.
176
 Ligações químicas:
À medida que as camadas se afastam do núcleo de um átomo, os elétrons vão

ficando mais fracamente ligados ao mesmo. São exatamente os elétrons da camada mais
externa que normalmente tomam parte nas reações químicas. Esta ultima camada é
chamada de camada de valência (união), e os elétrons da mesma são chamados de elétrons
de valência.
Os átomos, ao interagirem entre si, procuram uma configuração estável

(configuração atômica dos gases nobres), para isso, os átomos cedem, ganham ou
compartilham elétrons da camada de valência. Observa-se na Tabela 2 abaixo, a
configuração eletrônica de alguns gases nobres.
Tabela 2- Configuração eletrônica de alguns gases nobres
Camadas
Gases nobres
K L M
Hélio (He) 2
Neônio (Ne) 2 8
Argônio (Ar) 2 8 8
Isto significa que todos os outros elementos se combinam até 2 ou 8 elétrons na

camada de valência.
 Ligação eletrovalente ou iônica:
Ocorre quando os átomos cedem e recebem elétrons para adquirirem estabilidade,

conforme ilustrada pela Figura 3 a seguir.
Figura 3- Ligação eletrovalente ou iônica
K L M K L M
2 8 1 2 8 7
O que acontece é que o elétron de valência do Sódio é doado ao Cloro. Quando isto
ocorre o átomo de Cloro que era neutro, fica um íon negativo (ânion) e, o átomo de Sódio
que perdeu elétron fica um íon positivo (cátion).
177
 Ligação covalente:
Ocorre quando átomos compartilham elétrons para garantir uma estabilidade. Um

exemplo deste tipo de ligação é a molécula do gás hidrogênio, composta por dois átomos de
hidrogênio que compartilham seus elétrons e adquirem a configuração do gás hélio, como se
pode observar na Figura 4 a seguir.
Figura 4- Ligação covalente
 Estrutura cristalina e conceito de lacuna:
O silício (Si) e o germânio (Ge) são elementos químicos semicondutores. Observe-se

a constituição dos seus átomos a seguir:
K L M K L M M
2 8 4 2 8 18 4
Verifica-se que existem quatro elétrons de valência em comum nestes átomos. No

estado sólido e sobre condições adequadas, os átomos semicondutores constituem uma
rede cristalina, onde cada átomo tem quatro átomos vizinhos equidistantes e interligados
por pontes de pares de elétrons (ligação covalente). Observam-se as ilustrações
representadas pela Figura 5 abaixo.
Figura 5- Ligação covalente
Se for aplicado um campo elétrico ao cristal, um elétron pode abandonar a ligação

covalente e ficar faltando “um” nesse lugar o que constitui numa lacuna.
178
O conceito de lacuna descreve uma partícula fictícia, de propriedades análogas a do
elétron, mas, de carga positiva, esta aparece quando um elétron é libertado da rede, como
se pode observar na Figura 6 ilustrada a seguir.
Figura 6- Surgimento de lacuna
 Impurezas no semicondutor:
O semicondutor intrínseco é aquele que depende das características próprias do

semicondutor e não das impurezas. Existe também o extrínseco, cujas características são
alternadas pela introdução de substâncias estranhas na rede do semicondutor. E a
introdução ou acréscimo proposital de impurezas é chamado de dopagem.
 Impurezas doadoras:
Considere-se que um átomo de fósforo vai ocupar o lugar de um átomo de silício na

rede cristalina. A constituição do átomo de fósforo é:
K L M
2 8 5
Os quatro elétrons participam da ligação com os átomos vizinhos e um quinto

elétron se liga muito fracamente ao átomo de fósforo, ficando praticamente livre. Por isso
essas impurezas são chamadas de doadoras, e o cristal dopado com as mesmas é chamado
do tipo N, devido à condutividade ser influenciada por elétrons (negativos), como ilustra a
Figura 7 a seguir.
179
Figura 7- Condutividade
 Impurezas aceitadoras:
Considera-se que um átomo de alumínio vai ocupar o lugar de um átomo de silício

na rede cristalina. A sua constituição é:
K L M
Al
2 8 3
A inclusão deste átomo na rede deixa uma ligação covalente incompleta, o que
origina a lacuna, como se observa na Figura 8 abaixo.
Figura 8- Ligação covalente incompleta e lacuna
Por isso essas impurezas são chamadas de aceitadoras e o cristal desejado com as
mesmas é chamado tipo P, devido à condutividade ser influenciada por lacunas (positivas),
como se observa no Quadro 1 a seguir.
Quadro 1- Portadores de carga em um semicondutor
Material tipo N Elétrons - Portadores em maioria

(P, As, Sb) Lacunas - Portadores em minoria
Material tipo P Elétrons - Portadores em maioria
(B, Al, In) Lacunas - Portadores em minoria
Fonte: ElaboradO pelo autor (2014)
180
A Figura 9 (a e b) que se seguem mostra um semicondutor tipo P, obtido pela
introdução de impurezas com o átomo de boro (B).
Figura 9- Semicondutor tipo P obtido pelas impurezas com o átomo de boro
A Figura 10 (a e b) abaixo mostra um semicondutor tipo N, obtido pela introdução

de impurezas com o átomo de fósforo (P).
Figura 10- Semicondutor tipo N obtido pelas impurezas com o átomo de fósforo
 A junção PN:
A junção PN é a base para atender o funcionamento dos componentes eletrônicos.

Como já se sabe, os semicondutores tipo P e tipo N são obtidos por meio da colocação de
impurezas no semicondutor. Dessa forma, o átomo da impureza doadora se torna um íon
positivo, assim que seus elétrons escapem, e o átomo aceitador passa a ser um íon negativo,
assim que recebe um elétron. A junção PN é quando colocamos estes blocos semicondutores
em contato. No lado N há muito mais elétrons que no lado P, enquanto no lado P há muito
mais lacunas que no lado N.
O que ocorre ao longo da junção é que os elétrons do lado N, junto à junção, irão
migrar para a região P. Essa difusão de elétrons se deve à procura de estabilidade. Quando
isso ocorre, os átomos aceitadores viram íons negativos e os átomos doadores viram íons
181
positivos. A região próxima à junção que passa a ser formada por íons é chamada de região
de transição, e a mesma é responsável pela anulação de processo de difusão. O acúmulo de
íons (positivos e negativos) gera uma diferença de potencial , como representado na
Figura 11 abaixo.
Figura 11- Acúmulo de íons gerando diferença de potencial V0
Na temperatura ambiente, esta barreira de potencial é igual a 0,7V para junções de

Silício e 0,3 para junções de Germânio.
 Polarização inversa:
A polarização inversa ocorre quando se coloca uma bateria externa, como mostra a
Figura 12 abaixo, com o positivo da bateria no lado N e o negativo no lado P da junção.
Esse tipo de polarização impede o deslocamento de portadores majoritários pela

junção, aumenta a região de transição e a resistência da junção, permitindo apenas a
circulação de uma corrente de portadores minoritários, que é chamada de corrente de fuga.
182
 Polarização direta:
Nesta polarização, a bateria externa é colocada da seguinte forma: o positivo da

bateria no lado P e o negativo no lado N da junção, como mostra a Figura 13 abaixo.
Este tipo de polarização permite a circulação de portadores majoritários, dando

origem à corrente direta ( ), diminui a resistência e a região de transição da junção, e a
corrente de fuga é anulada.
7.4 Estudo do Diodo de Junção
A polarização inversa de uma junção PN se comporta como um dispositivo de alta

resistência, pois não permite a passagem de corrente elétrica; já em polarização direta
possui uma baixa resistência, permitindo a passagem de corrente.
Esta junção de matérias semicondutoras gerou o dispositivo conhecido por diodo de

junção, onde a região P corresponde ao terminal anodo e a região N ao terminal catodo,
como ilustra a Figura 14 a seguir.
Figura 14- Diodo de junção
183
 Diodo retificador:
Um diodo ideal age como uma chave. Quando o diodo está polarizado diretamente
é como se fosse uma chave fechada, e se estiver polarizado inversamente é como uma chave
aberta, como ilustra a Figura 15 a seguir.
Figura 15 - Diodo retificador
A Figura 16 a seguir mostra curva características dos diodos de Silício e Germânio, à

temperatura ambiente.
Figura 16 - Curva de diodos de silício e germânio
 Diodo zener:
O diodo polarizado inversamente pode atingir o ponto de ruptura da junção

(aumento brusco da corrente inversa) quando atinge um determinado nível de tensão. Este
nível de tensão sendo atingido no diodo retificador danificará o mesmo. No entanto, existem
diodos especialmente fabricados para trabalhar nesta região, são os diodos reguladores de
tensão, normalmente chamados de diodo zener.
O efeito consiste em elétrons livres, que vão sendo acelerados sob ação do campo
elétrico atuante na junção, e que ao atingirem energia cinética suficiente, irão arrancar
elétrons de valência quando se chocarem com eles. Esses novos elétrons livres passam a ser
acelerados e o processo vai, assim, desenvolvendo se formando uma avalanche de elétrons
que termina por ocasionar a ruptura. A Figura 17 a seguir ilustra a diferença entre o diodo
retificador e o diodo de zener.
184
Figura 17- Diferenças básicas entre o diodo retificador e o diodo de zener
 Circuitos retificadores:
São circuitos que convertem tensão alternada em tensão contínua. Os diodos

empregados para essa conversão são chamados de diodos retificadores.
 Retificador de meia onda:
O retificador de meia onda é um circuito série de um diodo e um resistor de carga

( ), ligado a uma fonte de tensão senoidal, como se observa na Figura 18 (a, b, c, d) a
seguir.
Figura 18- Retificador de meia onda
Durante o semiciclo positivo da tensão senoidal (A positivo em relação a B) o diodo

está polarizado, diretamente passando a circular corrente em todo o circuito e provocando
uma queda de tensão na carga com intensidade e polaridade que se vê no diagrama.
185
Quando acontece o semiciclo negativo da tensão senoidal (A negativo em relação a
B), o diodo está polarizado inversamente, não circulando corrente no circuito. Toda tensão
aparece agora por meio do diodo, conforme mostra o diagrama. Se se considerar o diodo
ideal, obter-se-ão as seguintes expressões.
Carga Diodo
Vdc = Vdc =
Idc = Idc = Idc.( )
Imax = TIP = - Vmax (tensão inv. máxima)
 Retificador de onda completa:
a) retificador com derivação central (center-tap):
Neste circuito, o transformador tem uma derivação central no secundário e todas as

tensões sãs medidas em relação ao ponto central, que é o ponto de retorno comum do
circuito retificador. Isto significa que de A para B e de C para B, tem-se a mesma intensidade
de tensão, defasada 180 graus elétrico, como se observa na Figura 19 abaixo.
Figura 19 - Ratificador com derivação central
Quando a tensão do ponto A for positiva em relação a B, a tensão do ponto C será

negativa em relação a B. Com isso, o diodo D1 conduz e o D2 corta. A condução D1 faz
circular corrente na carga , provocando uma queda de tensão na carga, como mostra a
Figura 20 a seguir.
186
Figura 20 - Esquema com dois diodos (1)
Quando a tensão do ponto A for negativa em relação a B, a tensão do ponto C será

positiva em relação a B. Com isso o diodo D1 corta e o D2 conduz. A condução D2 faz circular
corrente na carga, provocando novamente uma tensão sobre a carga com a mesma
polaridade da condição anterior, como mostra a Figura 21 abaixo.
Figura 21 - Esquema com dois diodos (2)
Se se considerarem diodos ideais, ter-se-ão as seguintes expressões.
Carga Diodo
Vdc = Vdc =
Idc = Idc = Idc.(R)
Imax = TIP = - Vmax (tensão inv. máxima)
187
b) retificador de onda direta em ponte:
A Figura 22 abaixo mostra a configuração do retificador de onda direta em ponte.
Figura 22 - Configuração do retificador de onda direta em ponte
A ação do retificador em ponte pode ser mais bem entendida pelos circuitos
equivalentes para cada semiciclo, mostrado na Figura 23 abaixo.
Figura 23- Ação do retificador em ponte com circuitos equivalentes
Quando o terminal A for positivo em relação a B (semiciclo positivo), haverá uma

circulação de corrente direta de A para B por meio dos diodos D2, D4 e a carga ,
provocando tensão sobre está carga. Quando o terminal A for negativo em relação a B
(semiciclo negativo), haverá uma circulação de corrente direta de B para A através de D1, D2
e a carga , provocando uma tensão sobre a carga com a mesma polaridade.
Assim sendo, temos dois pulsos de corrente CC através de para cada ciclo
completo de fonte CA.
As formas de onda deste retificador são idênticas ao do retificador com derivação

central, com exceção da intensidade TIP, que para este retificador é: TIP =2 Vmax. As
fórmulas também são as mesmas considerando os diodos ideais.
188
 Retificadores com filtro:
A saída dos retificadores sem filtro tem uma aplicação limitada à carga de baterias,
alimentação de motores CC e algumas outras. Para maioria dos circuitos eletrônicos é
necessária uma tensão CC constante. Há a necessidade do uso de um filtro. Neste sentido,
uma forma simples de filtro é o uso de capacitor, que é um elemento que armazena cargas
elétricas. O mesmo deve ser colocado após a retificação de meia onda e em paralelo com a
resistência de carga . Assim, obter-se-á o circuito ilustra pela Figura 24 a seguir, e as
respectivas formas de onda que iremos explicar.
Figura 24- Retificadores com filtro
A função do capacitor é procurar manter a tensão elétrica em cima da resistência

, nos períodos em que a tensão retificada seguiria para zero, de acordo com a onda
senoidal, caso não houvesse o capacitor.
No trecho de 0 a A (primeiro semiciclo), da tensão na carga, o capacitor foi

carregado até a tensão Vmax. A partir daí, a tensão senoidal que está sendo aplicada começa
a decair. No instante em que esta tensão, que está aplicada ao anodo do diodo, decai, faz
com que a tensão no anodo seja menor que a tensão no capacitor (tensão no catodo do
diodo) e o diodo fica polarizado inversamente e não conduz, como ilustra o circuito da Figura
25 abaixo.
Figura 25- Polarização do diodo
189
Dessa forma, o capacitor vai descarregar sua carga elétrica a partir do resistor . A
tensão Vr (tensão no resistor de carga ) vai caindo até atingir o valor correspondente ao
instante de tempo B do gráfico das figuras anteriores, onde a tensão senoidal aplicada ao
anodo do diodo se torna maior que a tensão no capacitor. O diodo, então, conduz e a tensão
senoidal passa a ser aplicada novamente ao capacitor, dando-lhe nova carga até atingir
Vmax.
Quanto maior for o valor do capacitor, mais carga ele poderá armazenar e mais
lenta é a descarga por meio do resistor de carga , e melhor será a filtragem (tensão mais
constante). Este tipo de filtro é chamado de “RC”. Existe um compromisso com a resistência
R: quanto menor o valor de R, mais rápida é a descarga do capacitor e, portanto, pior a
filtragem. O produto da resistência R pelo valor do capacitor C é chamado constante de
tempo, e quanto maior for esta constante de tempo, mais lenta é a descarga do capacitor e,
assim, melhor é a filtragem, como ilustra a Figura 26 a seguir.
Figura 26- Carga e descarga do capacitor num circuito RC
Outra forma de reduzir a ondulação ou Ripple é usar um retificador de onda

completa, aí a frequência da ondulação é duplicada. Nesse caso, o capacitor é carregado com
uma frequência duas vezes maior e tem somente metade do tempo de descarga. Em
consequência disto, tal como ilustra a Figura 27 abaixo, a ondulação é menor e a tensão de
saída CC se aproxima mais da tensão de pico (Vmax).
Figura 27- Carga e descarga do capacitor com retificador de onda completa
O valor aproximado da tensão na carga e da ondulação ou Ripple é:
Onde K= 2, se o retificador for de meia onda e K= 4, se o retificador for de onda

completa.
190
7.5 Transistor de Junção Bipolar
Um transistor bipolar consiste em um cristal de silício (ou germânio) no qual existe

uma camada de silício do tipo N entre duas camadas de silício do tipo P, ou uma camada P
entre duas N. No primeiro caso, tem-se um transistor PNP e, no segundo, um transistor NPN,
como mostra a Figura 28 abaixo.
Figura 28- Transistor de junção bipolar
Os dois desenhos relativos aos transistores NPN e PNP são apenas simbólicos e para
fins didáticos. Na verdade, existe uma diferença física entre as três camadas. Serão
apresentadas a seguir as principais diferenças e um desenho mais real das proporções em
um transistor, como ilustra a Figura 29.
Figura 29- Transistores NPN e PNP
a) a camada central (base) é muito mais estreita que duas camadas externas
(coletor e emissor);
b) a camada do coletor tem uma área de contato com a base maior que a do
emissor, a fim de permitir captar melhor os portadores vindos do emissor;
c) o coletor e o emissor é mais dopado que a base. E a camada que forma o emissor
é muito mais dopada que a do coletor.
Os tipos e formatos de invólucros variam muito de acordo com as condições para as

quais foram projetadas. Os invólucros são sempre em função da potência que o transistor vai
dissipar.
191
7.5.1 Polarização e Funcionamento
Observa-se agora como se comportam duas junções PN (Base-emissor e Base-

coletor) quando são polarizados simultaneamente.
 Polarização direta das junções:
Conforme ilustra a Figura 30, há duas correntes diretas praticamente

independentes, onde se conclui que uma variação na tensão V1 não influencia na corrente
I2, e por isso não existe a característica de amplificação. Com este tipo de polarização nas
junções diz-se que o transistor está saturado.
Figura 30- Polarização direta das junções
 Polarização inversa das junções:
No caso da Figura 31, só irão circular correntes de fuga pelas junções e que são
totalmente independentes, o que leva a afirmar que não existe amplificação. Com este tipo
de polarização diz-se que o transistor está cortado.
Figura 31- Polarização inversa das junções
 Junção B-E direta e junção B-C inversa:
Observando-se a Figura 32, vê-se que as lacunas que são emitidas em direção à
base, provenientes do emissor, sofrerão poucas recombinações, devido à base ser estreita e
pouco dopada, acarretando em uma grande corrente no coletor.
192
Figura 32- Junção B-E direta e junção B-C inversa
Com esta explicação, pode-se verificar que aumentando V1, um número maior de
lacunas será emitido em direção à base, fazendo aumentar a corrente no coletor. Por outro
lado, abrindo a malha do emissor, nenhuma lacuna será emitida e a corrente do coletor será
igual a corrente de fuga.
Para o transistor PNP, têm-se as correntes indicadas no circuito da Figura 33. Com
este tipo de polarização o transistor obtém características de amplificação e diz-se que o
mesmo está operando na região linear ou ativa.
Figura 33- Operação linear do transistor
Aplicando a LKC ao nó 1 no circuito anterior, tem-se: Ie = IC + Ib
 Convenções no transistor:
Em esquemas eletrônicos os transistores têm a representação simbólica mostrada

na Figura 34 seguir
Figura 34- Transistores em esquemas eletrônicos
Nesta representação, a única diferença é o sentido da seta que representa o

emissor. As convenções de corrente e tensão são necessárias, pois são utilizados pelos
193
fabricantes para representar um transistor nas folhas de dados. Apresenta-se a seguir o
circuito da Figura 35 e as suas convenções para o mesmo.
Figura 35- Convenções nos transistores

Convenções:
a) Veb > 0
b) Vcb < 0
c) Ie > 0, pois entra no dispositivo.
d) Ic e Ib < 0, pois saem do dispositivo.
Analisando este circuito, tem-se: V1 = Ie.Re + Veb  Ie=
A relação entre a corrente de saída (Ic) e a corrente de entrada (Ic) é chamada de

ganho de corrente estático e representada por (alfa). Então: = (Dados do fabricante).
Como Ie > Ic, pode-se concluir que < 1 e que esta configuração do transistor
(base-comum) não amplifica corrente. A relação entre a tensão de saída (Vcb) e a tensão de
entrada (Veb) é chamada de ganho de tensão estático (Av). Então: Av = = =
Como Rcb > Reb e 1, pode-se concluir que Av > 1.
7.5.2 Configuração do transistor
As três maneiras de se ligar um transistor num circuito estão representadas na

Figura 36 a seguir.
194
Figura 36- Configuração do transistor
A configuração de transistor mais utilizado é sem dúvida a configuração Emissor-

comum, como mostra a Figura 37.
Figura 37- Transistor com configuração emissor-comum
As equações do circuito são:
 Malha (Entrada): Vbb = (Ib.Rb )+ Vbe Ib =
Onde, Vbe é conhecido a partir do tipo de transistor.
 Malha (Saída): Vcc = (Ic.Rc) + Vce Sabemos que: Ic = .Ie e Ie = Ic + Ib

Então: Ic = .(Ic + Ib)  Ic = .Ic + .Ib  Ic = .Ic = Ib  Ic - .Ic = .Ib  Ic.(1- ) = .Ib
195
Ic = . Ib  Ic= .Ib
7.6 Amplificadores Operacionais
Os amplificadores operacionais têm como objetivo analisar o funcionamento de um

amplificador operacional e seus principais parâmetros.
7.6.1 Introdução teórica
O nome amplificador operacional (também denominado op-amp ou amp op) é

usado quando muitos amplificadores convencionais são necessários para implementar uma
grande variedade de operações lineares ou não lineares. Neste caso, constrói-se um circuito
básico cujas operações poderão ser agilizadas bastando para tanto, proceder apenas
pequenas modificações externas ao circuito como a introdução ou alteração de resistores,
capacitores, indutores, etc.
Existe atualmente uma grande variedade de amplificadores operacionais,

geralmente encerrados em um único chip (pastilha), resultando em um custo de fabricação
muito baixo. O símbolo de um op-amp é mostrado na Figura 38 abaixo.
Figura 38- Amplificador operacional op-amp
a) um sinal aplicado na entrada + aparecerá amplificado na saída e com a mesma

fase;
b) um sinal aplicado na entrada - aparecerá amplificado na saída, porém, defasado
180º.
Para a construção de op-amps, utiliza-se tanto a tecnologia bipolar como a unipolar,

sendo esta última recomendável quando se desejam altíssimas impedâncias de entrada.
Além da alta impedância de entrada, outra característica importante do op-amp é o

seu ganho elevado, que em malha aberta pode chegar a 100.000 (DC) e, em última análise,
196
pode ser considerado infinito. Os fabricantes especificam esse ganho como: A VOL (ganho de
tensão para grandes sinais) = 100V/mV = 100.000 = 100dB.
A quantidade de componentes dentro de um chip de um op-amp (transistores,

resistores, diodos, etc.), determina sua escala de integração. A Figura 39 (11) abaixo
mostra um chip LM339 que contém quatro op-amps.
Figura 39- Chip LM339 com quatro op-amps
Observa-se na Figura 40 abaixo o esquema de cada um dos op-amps contidos no

LM339:
Figura 40- Esquema dos op-amps contidos em LM339
7.6.2 Parâmetros Elétricos DC:
 Ganho de tensão diferencial - ganho para grandes sinais: AVOL
Geralmente esse ganho é fornecido em decibéis, sendo a relação entre a tensão de

Vo
saída e a tensão de entrada. Pode ser assim calculado: AdB = 20 log Av = 20 log
Vi
Como exemplo, um ganho de tensão de 500 é a mesma coisa que: A dB = 20 log500 =

20(2,69897) = 53,98dB.
60
Por outro lado, uma ganho de 60dB corresponde a: = logAv  3 = logAv, onde
20
197
AV = antilog4 3 = 1.000.
Observam-se os seguintes exemplos:
a) um amplificador operacional possui um ganho de tensão igual a 820. Calcular o

ganho em dB. Solução: AdB = 20 log820 = 20(2,914) = 58,28dB
b) sabe-se que um amplificador operacional tem um ganho de 50dB. Calcule o

50
ganho em tensão. Solução: 50 = 20 logAV  = logAv, onde Av = antilog 2,5 =
20
102,5 = 316,22
 Resistência de entrada simples: RIN
É a resistência medida em cada um dos terminais de entrada. Trata-se de um

parâmetro muito importante quando vários estágios são interligados. Os op-amps fabricados
com a tecnologia bipolar têm uma resistência de entrada típica de 1M, enquanto que na
tecnologia bipolar essa resistência varia entre 1012 a 1015 .
 Resistência de saída: RO
A resistência típica é da ordem de 100, a qual depende do estágio de saída usado

para fornecer sinal à carga. O amplificador operacional possui um estágio de entrada, o
qual recebe o sinal e um estágio de saída para fornecer o sinal à carga; em alguns casos,
possui também um estágio intermediário, conforme ilustra o diagrama de blocos ilustrado
pela Figura 41 abaixo.
Figura 41- Resistência de saída RO
O estágio intermediário serve para compensar eventuais distúrbios operacionais

entre entrada e saída, como perda de amplitude de sinal, casamento de impedâncias, etc.
Observam-se a seguir alguns estágios de saída usados nos op-amps, ilustrados pela Figura
42.
4 3
antilog de 3 é a mesma coisa que 10 .
198
Figura 42- Estágios de saída usados nos op-amps
 Taxa de rejeição em modo comum (Common Mode Rejection Ratio - CMRR):
É definida como a relação do ganho de tensão diferencial com o ganho de tensão

em modo comum.
Ad Ad
CMRR =  CMRR = 20 log dB
Ac Ac
Para um valor de CMRR = 80, corresponde a:
Ad CMRR(dB) 80
= antilog = antilog = 104 = 10.000
Ac 20 20
Isto significa que o sinal comum ou de mesma polaridade é amplificado com um

ganho 10.000 vezes menor do que as entradas diferenciais ou de polaridades opostas. Por
exemplo: em um amplificador operacional de CMRR = 120dB, aplica-se nas entradas um sinal
comum (mesma polaridade) de 1V. Qual será a saída?
Ad 120
Solução: = antilog = antilog 6 = 106 = 1.000.000
Ac 60
1
VO = = 1V
1000
. .000
A taxa de rejeição de modo comum sofre interferência da frequência, isto é, tende a

diminuir com o aumento da frequência, conforme pode ser observado no gráfico a seguir,
ilustrado pela Figura 43.
199
Figura 43 (11)- Taxa de rejeição comum
 Tensão de offset (entrada): VOS
É definida como sendo a tensão diferencial necessária entre as entradas de um

amplificador diferencial para forçar a saída em 0V. No caso ideal V OS, deveria ser de 0V, mas
na prática é de alguns mV. Quando o op-amp opera com grandes sinais, esta pequena tensão
de offset é aceitável, mas em pequenos sinais pode implicar em erros consideráveis.
Portanto, quando um op-amp for utilizado para operar com sinais muito baixos, deve-
se escolher um com tensão de offset desprezível ou que permita o ajuste desta tensão, como
no caso do op-amp LM357 mostrado na Figura 44 a seguir.
Figura 44 - Tensão de offset em um op-amp
O fabricante recomenda o uso de um trimpot ou potenciômetro de 25k entre os

pinos 1 e 5, que deve ser ajustado até que a saída seja 0V com os terminais de entrada
aterrados (Vd = 0V).
 Corrente de polarização: IPOLARIZAÇÃO
Para que o CI de um op-amp opere adequadamente, é necessário fornecer-lhe uma

corrente de polarização, de acordo com as especificações do fabricante. Para CIs fabricados
com a tecnologia bipolar, essa corrente é da ordem da microampères, e para os fabricados
200
segundo a tecnologia unipolar essa corrente é da ordem de nanoampères, e em alguns casos
picoampères.
Geralmente os fabricantes especificam essa corrente à temperatura de 25ºC, no

entanto, aumenta bastante com a temperatura. O gráfico abaixo, ilustrado pela Figura 45, dá
uma ideia da variação da corrente com a temperatura para um op-amp fabricado segundo a
tecnologia unipolar.
Figura 45- Corrente de polarização em um op-amp
 Desvio:
É o termo que descreve a mudança na tensão de saída em função da variação da

temperatura, mesmo quando esta é ajustada em 0V à temperatura ambiente. O desvio da
tensão de offset é dado por VOS / T e em geral varia entre 5 e 40V/ ºC. Adota-se como
regra geral uma variação da ordem de 3,3V/ ºC para cada mV da tensão de offset original.
A corrente de offset também sofre desvio em função da temperatura. O valor típico

desse desvio (IOS / T) é da ordem 0,01 a 0,5nA / ºC.
7.6.3 Parâmetros Elétricos AC:
 Banda passante: B:
A banda passante do ganho unitário de um op-amp especifica a frequência superior

na qual o ganho se reduz à unidade (ganho = 1), devido às capacitâncias resultantes da
fabricação do circuito. A banda passante é especificada por alguns fabricantes como largura
de banda, do inglês BW - Bandwidth. À medida que o ganho aumenta a banda passante
diminui, conforme ilustra a Figura 46.
201
Figura 46- Banda passante B em um op-amp
Observa-se que na frequência de 100Hz o ganho está ao redor de 100dB enquanto

que ao redor de 30kHz o ganho cai para 70dB; em 10MHz o ganho cai para 0dB. A banda
passante pode ser especificada pelo tempo de subida: tr onde B = 0,35 / tr
Se o fabricante especificar um tempo de subida (rise time) t r = 0,25s, o valor da

banda passante será: B = 0,35 / 0,25s = 1,4MHz.
O ganho está relacionado com a banda passante (B) e a faixa de passagem (FP). A
faixa de passagem representa a máxima frequência que um op-amp pode responder em
B B
função do ganho. Assim: G =  FP =
FP G
Se um op-amp operar com um ganho de 100 e se tr = 0,4s, a FP será:
B = 0,35 / 0,4s = 875kHz
875kHz
FP = = 8,75kHz
100
Isto significa que com ganho igual a 100, a máxima frequência fica limitada a
8,75kHz. Operando com um ganho menor, por exemplo, 20, a FP aumentará: FP = 875kHz =
20
47,75kHz. Observem-se os seguintes exemplos:
a) um op-amp tem um tr = 0,12s. Qual deverá ser o ganho para uma faixa de
passagem de 40kHz?
Solução: B = 0,35 / 0,12s = 2,92MHz

2,92 MHz
G= = 73
0,04 MHz
b) um op-amp cujo tr = 0,35s deve operar com ganho igual a 50. Qual é a faixa de
passagem para esse ganho?
202
Solução: B = 0,35 / 0,35s = 1MHz
1 MHZ
FP = = 20kHz
50
 Taxa de variação: SR (Slew Rate):
A taxa de variação é um parâmetro que indica quão rápido a tensão de saída muda
com o tempo. Os valores típicos vão de 0,5V/s a 50V/s, sendo que valores maiores
indicam maior velocidade de operação do dispositivo. Quando essa taxa de variação é muito
baixa, em frequências mais altas ocorre uma distorção entre os sinais de entrada e saída,
conforme ilustra a Figura 47 a seguir.
Figura 47- Taxa de variação SR em um op-amp
Observa-se que o sinal de saída não acompanhou a variação relativa ao sinal de

entrada, apresentando distorção.
7.6.4 Análise do op-amp
Analisar-se-á neste momento o comportamento de um op-amp em função de

componentes externos que lhes são adicionados: resistores, capacitores, fontes de
alimentação, etc. O circuito equivalente típico de um op-amp é mostrado a seguir, na Figura
48:
Figura 48- Convenções nos transistores
 Análise do op-amp inversor:
Tome-se como exemplo o circuito abaixo e respectivo circuito equivalente:
203
Observação: R2 é o resistor de realimentação
 Cálculo do ganho: AV
Vi  Vd  Vd  Vo
Analisando o circuito equivalente tem-se: i1 = = i2 =
R1 R2
Vi _ Vo
Contudo, Vd = Vo/Ad e no op-amp ideal Vd = 0, logo: =
R1 R2
Vo _ R2
Ter-se-á, então: Av = =
Vi R1
Isto implica que a relação entre a tensão de entrada e a tensão de saída depende da
relação entre R2 e R1. Neste sentido, como exemplo, qual o ganho do circuito abaixo?
Solução: Av = 100k 2 k = 50
 Impedância de entrada: ri
Vi
Tendo-se ri = ; aplicando LKT: Vi = R1i1 – Vd; levando-se em conta que num op-
i1
amp ideal Vd = 0, então: ri  R1. A impedância de entrada pode ser calculada pela fórmula:
R2  Ro
ri = R1 +
1  Ad
204
 Impedância de saída: RO
A impedância de saída pode ser calculada pela fórmula:
Ro
ro =
1  ( R1 Ad )
( R1  R2)
Como exemplo, pode-se calcular Av, ri e ro no circuito abaixo.
Solução:
R2 50k
Av = - = = - 50
R1 1k
R2  Ro 50.000  100
ri = R1 + = 1.000 + = 1.000 + 0,5 = 1.005 
1  Ad 1  100.000
Logo, pode-se considerar ri = R1
Ro 100
ro = = = 0,05 
1  ( R1 Ad ) 1  (1000
. x100.000)
( R1  R2) 51000
.
 Análise do op-amp não inversor:
O circuito básico é mostrado abaixo, na Figura 49.
Figura 49- Análise do op-amp não inversor
Ganho: Av
Av = 1 + R 2 R1
205
Neste caso, o ganho será sempre maior do que 1 (Av > 1). Para o ganho se tornar
igual a 1 (Av = 1), caracterizando, assim, um seguidor de tensão, R2 deve ser curto-circuitado
e R1 removido. O circuito a seguir, ilustrado pela Figura 50 mostra um seguidor de
tensão (Av = 1), muito útil como casador de impedâncias.
Figura 50- Seguir de tensão (Av=1)
 Impedância de entrada: ri
AdRi
ri =
R2
1
R1
 Impedância de saída: ro
( R1Ad )
1 1 ( R1  R2) 1
= +
ro Ro R1  R2
Como exemplo, sugere-se que se calcule Av, ri e ro no circuito abaixo:
Solução:
10.000
Av = 1 + R 2 R1 = 1 + = 1 + 10 = 11
1000
.
AdRi 100.000 x100.000

ri = = = 1010 / 11  1G 
R2 10.000
1 1
R1 1000
.
( R1Ad )
1 1 ( R1  R2) 1
= +
ro Ro R1  R2
206
1  100.000 x100.00011000
. 1
= + = 9,1 x 103
100 11000
.
1
= 9,1 x 103  ro = 1/9,1 x 103 = 1,09 x 10-4   0 
ro
EXERCÍCIOS PROPOSTOS
1- Com o auxílio do seu professor desenvolva uma fonte retificadora e execute outros experimentos
básicos de eletrônica.
2- Um amplificador diferencial é utilizado como estágio de entrada de:

a) microprocessadores
b) amplificadores classe AB
c) uma porta lógica
d) amplificadores push-pull
e) nenhuma das respostas anteriores
3- No circuito abaixo, qual é a tensão de saída (Vo), considerando o op-amp ideal?
a) 0V
b) +15V
c) -15V
d) 30V
e) n.r.a.
4- No circuito abaixo, qual é a tensão de saída (Vo), considerando o op-amp ideal?
a) -15V
b) -1V
c) 0V
d) tende ao infinito
e) n.r.a.
5- Calcule o ganho do op-amp abaixo:
a) -11
b) -10
c) 10
d) 11
e) 0
f) n.r.a.
6-
207
7- Qual é a tenso de saída (Vo) no circuito abaixo:
a) 8V
b) 5V
c) - 5V
d) 40V
e) - 40V
f) - 8V
g) n.r.a.
8- No circuito abaixo, sabe-se que Vi = 0,5V e Vo = 10V e o op-amp é ideal. Qual é o ganho em dB?
a) 20dB
b) 26dB
c) - 26dB
d) - 20dB
e) 52dB
f) n.r.a.
9- Qual é a finalidade do resistor de realimentação que liga a saída de um op-amp à sua entrada
inversora?
208
REFERÊNCIAS
GUSSOW, M. Eletricidade básica. São Paulo: Makron Books, 1997.
LEÃO, F. B.; KUROKAWA, S. Introdução a medidas elétricas. Departamento de Engenharia

Elétrica da Universidade Estadual Paulista. São Paulo: Unesp, 2005.
NEGRI, L. Eletrônica básica. Publicado no Portal InfoEscola: navegando e aprendendo,

novembro de 2013. Disponível em: http://www.infoescola.com/fisica/eletronica-basica/
Acesso em março de 2014.
RESUMO ESCOLAR. Eletricidade: eletrostática, eletrodinâmica e eletromagnetismo.

Publicado no Portal Resumo Escolar, janeiro de 2014. Disponível em:
http://www.resumoescolar.com.br/fisica/eletricidade-eletrostatica-eletrodinamica-e-
eletromagnetismo/ Acesso em março de 2014.
209
ANOTAÇÕES:
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________

Introdução à Eletrônica Básica

Enviado por

Dados do documento

Descrição original:

Título original

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Introdução à Eletrônica Básica

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

ELETRÔNICA BÁSICA

Esta disciplina foi elaborada de forma simplificada, porém muito compreensível, de

Inicia-se por um histórico de Eletrônica e a Estrutura Atômica da Matéria. Em

Toda essa base em eletrônica permitirá o leitor entender a construção,

7.1 Introdução à Eletrônica

Hoje em dia se tem um entendimento muito restrito do que seja a eletrônica. Já se

A eletrônica se desenvolveu a partir de uma simples experiência, até constituir uma

Muito embora as válvulas sejam uma conquista relativamente recente, já estão

Dentro da ciência eletrônica há três tipos básicos de circuitos:

a) inicialmente, as chamadas fontes de alimentação, vital para qualquer circuito

Em cada tipo desses circuitos citados, ter-se-á a aplicação de dispositivos

Como se sabe, a eletrônica oferece um vasto campo de atuação na atualidade, como:

a) áudio: onde pessoas do mais alto gabarito técnico, até apreciadores e

7.2 Estrutura Atômica da Matéria

A curiosidade humana sobre a constituição da matéria é muito antiga. E tentando

Com o tempo, o homem foi observando fenômenos que envolviam materiais

Figura 1- Representação de um átomo

Fonte: Elaborada pelo autor (2014)

A representação abaixo foi adotada para exprimir o átomo de um determinado

a) (Hélio)= 2 elétrons, 2 prótons, 2 nêutrons;

Os elementos se distribuem em camadas a partir do núcleo e em cada camada há

Fonte: Elaborada pelo autor (2014)

Tabela 1- Estrutura de alguns átomos

7.3 Dispositivos Semicondutores

A revolução ocorrida na eletrônica durante a segunda metade do século XX se deve

a) diodo retificador: é um dispositivo semicondutor de dois terminais, anodo e

7.3.2 Estudo dos Semicondutores

Os semicondutores são materiais de características atômicas instáveis, por

À medida que as camadas se afastam do núcleo de um átomo, os elétrons vão

Os átomos, ao interagirem entre si, procuram uma configuração estável

Tabela 2- Configuração eletrônica de alguns gases nobres

Isto significa que todos os outros elementos se combinam até 2 ou 8 elétrons na

 Ligação eletrovalente ou iônica:

Ocorre quando os átomos cedem e recebem elétrons para adquirirem estabilidade,

Figura 3- Ligação eletrovalente ou iônica

Fonte: Elaborada pelo autor (2014)

Ocorre quando átomos compartilham elétrons para garantir uma estabilidade. Um

Figura 4- Ligação covalente

Fonte: Elaborada pelo autor (2014)

 Estrutura cristalina e conceito de lacuna:

O silício (Si) e o germânio (Ge) são elementos químicos semicondutores. Observe-se

Verifica-se que existem quatro elétrons de valência em comum nestes átomos. No

Figura 5- Ligação covalente

Fonte: Elaborada pelo autor (2014)

Se for aplicado um campo elétrico ao cristal, um elétron pode abandonar a ligação

Figura 6- Surgimento de lacuna

Fonte: Elaborada pelo autor (2014)

O semicondutor intrínseco é aquele que depende das características próprias do

Considere-se que um átomo de fósforo vai ocupar o lugar de um átomo de silício na

Os quatro elétrons participam da ligação com os átomos vizinhos e um quinto

Fonte: Elaborada pelo autor (2014)

Considera-se que um átomo de alumínio vai ocupar o lugar de um átomo de silício

Figura 8- Ligação covalente incompleta e lacuna

Fonte: Elaborada pelo autor (2014)

Quadro 1- Portadores de carga em um semicondutor

Material tipo N Elétrons - Portadores em maioria

Figura 9- Semicondutor tipo P obtido pelas impurezas com o átomo de boro

Fonte: Elaborada pelo autor (2014)

A Figura 10 (a e b) abaixo mostra um semicondutor tipo N, obtido pela introdução

Fonte: Elaborada pelo autor (2014)

A junção PN é a base para atender o funcionamento dos componentes eletrônicos.

Figura 11- Acúmulo de íons gerando diferença de potencial V0