Módulo 04 - Amplificadores BJT

Transistor Bipolar como Amplificador
Prof. Carlos Fernando Teodósio Soares
UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO DE JANEIRO

ESCOLA POLITÉCNICA
Departamento de Engenharia Eletrônica e de Computação
Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 1/70

Transistor Bipolar como Amplificador Obtendo Amplificação com o Transistor Bipolar
Agenda da Aula - Capı́tulo III
Obtendo Amplificação com o Transistor Bipolar
Modelo para Pequenos Sinais do Transistor Bipolar
Configurações Básicas de Amplificadores

Amplificador em Emissor Comum
Amplificador em Base Comum
Amplificador em Coletor Comum
Limites de Excursão de Sinal na Saı́da

Agenda da Aula - Capı́tulo III (Seção III.7)


O Transistor Bipolar como Elemento Amplificador
vbe
iC
t vo
Q1 RC
vbe
No modo ativo, o transistor bipolar opera como uma fonte de corrente

controlada pela tensão vBE :
iC = IS e vbe /vT

vbe
iC
t vo
Q1 RC
vbe

iC = IS e vbe /vT

VCC
vbe
iC
RC
t
vo
Q1
vbe

iC = IS e vbe /vT

VCC
vbe
iC
RC
t
vo
Q1
vbe

iC = IS e vbe /vT

VCC iC
vbe
iC
RC
t t
vo
Q1
vbe

iC = IS e vbe /vT

VCC iC
vbe
iC
RC
t t
vo
Q1 vo
vbe
VCC

iC = IS e vbe /vT

VCC
vBE
iC
vbe RC
VBE
t
vo
Q1
vbe vBE
VBE

iC = IS e vBE /vT

VCC iC
vBE
iC ic
vbe RC IC
VBE
vo t
t
Q1
vbe vBE
VBE

iC = IS e vBE /vT

VCC iC
vBE
iC ic
vbe RC IC
VBE
vo t
t
Q1 vC
vbe vBE vo
VC
VBE
t

iC = IS e vBE /vT ∴ vC = VCC − RC · IS e vBE /vT

Convenção de Notação
Convenção de Notação
VCC
Como as tensões e as correntes elétricas em circuitos
amplificadores apresentam parcelas de polarização DC e
iC de sinal variante no tempo, convenciona-se a notação
RC abaixo, ilustrada pela tensão entre base e emissor:
vo vBE
Q1 vbe
vbe vBE VBE
VBE t
VBE → Parcela de Polarização DC.

vbe → Parcela de sinal, com nı́vel médio zero.
vBE → Tensão total, com a superposição das duas
parcelas: vBE = VBE + vbe .

Obtendo Amplificação Aproximadamente Linear
VCC
iC
iC
RC
vo
Q1 vBE
vbe vBE
VBE
Caso o sinal de entrada vbe seja suficientemente pequeno, poderemos considerar

que a curva caracterı́stica iC × vBE é aproximadamente linear no entorno do
ponto quiescente Q (ou ponto de polarização).

VCC
iC
iC
RC Q
IC
vo
Q1 vBE
vbe vBE VBE
VBE


VCC
iC
iC ic
RC Q
IC
vo
Q1 vBE
vbe vBE VBE
VBE vbe


VCC
iC
iC ic
RC Q
IC
vo
Q1 vBE
vbe vBE VBE
VBE vbe


Aproximação Linear para Pequenos Sinais
Considerando que o sinal de entrada é

iC suficientemente pequeno, podemos aproximar
o modelo exponencial do transistor:
Q iC = IS e vBE /vT
IC
vBE
VBE


Q iC = IS e vBE /vT
IC
A aproximação linear pode ser obtida a partir

vBE da expansão em Série de Taylor de iC (vBE ):
VBE
1 d 2 iC

diC
iC (vBE ) = iC |Q + · (vBE − VBE ) + · 2
· (vBE − VBE )2
dvBE Q 2! dvBE Q
1 d 3 iC

+ · 3
(vBE − VBE )3 + . . .
3! dvBE Q


Q iC = IS e vBE /vT
IC

VBE
1 d 2 iC

diC
iC (vBE ) = iC |Q + · (vBE − VBE ) + · 2
· (vBE − VBE )2
dvBE Q 2! dvBE Q
1 d 3 iC

+ · 3
(vBE − VBE )3 + . . .
3! dvBE Q
2
1 1 1
iC = IS e VBE /vT + IS e VBE /vT · vbe + IS e VBE /vT 2
· vbe
vT 2! vT
3
1 1
+ IS e VBE /vT 3
· vbe + ...
3! vT

Q iC = IS e vBE /vT
IC

VBE
2 3
vbe 1 vbe 1 vbe
iC = IS e VBE /vT +IS e VBE /vT + IS e VBE /vT + IS e VBE /vT +. . .
vT 2! vT 3! vT


Q iC = IS e vBE /vT
IC

VBE
2 3
vbe 1 vbe 1 vbe
vT 2! vT 3! vT
Se considerarmos que |vbe | vT , podemos fazer a seguinte aproximação:

vbe
iC ≈ IS e VBE /vT + IS e VBE /vT
vT


Q iC = IS e vBE /vT
IC

VBE
2 3
vbe 1 vbe 1 vbe
vT 2! vT 3! vT
Se considerarmos que |vbe | vT , podemos fazer a seguinte aproximação:

vbe
iC ≈ IS e VBE /vT + IS e VBE /vT
vT
IC
iC ≈ IC + · vbe
vT

Ganho de Tensão do Amplificador
VCC iC
vBE
iC ic
vbe RC IC
VBE
vo t
t
Q1 vC
vbe vBE vo
VC
VBE
t
Usando a aproximação linear, teremos que:

IC
iC ≈ IC + · vbe
vT

VCC iC
vBE
iC ic
vbe RC IC
VBE
vo t
t
Q1 vC
vbe vBE vo
VC
VBE
t

IC IC
iC ≈ IC + · vbe ∴ vC = VCC − RC IC + · vbe
vT vT

VCC iC
vBE
iC ic
vbe RC IC
VBE
vo t
t
Q1 vC
vbe vBE vo
VC
VBE
t

IC IC
iC ≈ IC + · vbe ∴ vC = VCC − RC IC − RC · vbe
vT vT

VCC iC
vBE
iC ic
vbe RC IC
VBE
vo t
t
Q1 vC
vbe vBE vo
VC
VBE
t

IC IC
iC ≈ IC + · vbe ∴ vC = VCC − RC IC − RC · vbe
vT | {z } vT
VC | {z }
vo

VCC iC
vBE
iC ic
vbe RC IC
VBE
vo t
t
Q1 vC
vbe vBE vo
VC
VBE
t
Ganho de tensão de sinal proporcionado pelo amplificador:

IC
vo −R C vT
· vbe
AV = ∴ AV =
vbe vbe

VCC iC
vBE
iC ic
vbe RC IC
VBE
vo t
t
Q1 vC
vbe vBE vo
VC
VBE
t
Ganho de tensão de sinal proporcionado pelo amplificador:

IC
vo −R C vT
· v
be
IC
AV = ∴ AV = = −RC
vbe v
be vT

VCC iC
vBE
iC ic
vbe RC IC
VBE
vo t
t
Q1 vC
vbe vBE vo
VC
VBE
t
Exemplo
Em um amplificador polarizado com IC = 2,0 mA e com RC = 1,5 kΩ, obterı́amos
um ganho de sinal:
IC 2,0
AV = −RC = −1,5 · = −120 V/V
vT 0,025
Transistor Bipolar como Amplificador Modelo para Pequenos Sinais


Modelo Linearizado para Pequenos Sinais
VCC
iC
iC ic
RC Q
IC
vo
Q1 vBE
vbe vBE VBE
VBE vbe

VCC
iC
iC ic
RC Q
IC
vo
Q1 vBE
vbe vBE VBE
VBE vbe
Caso |vbe | vT , podemos aproximar o comportamento fı́sico do transistor

bipolar por um modelo linear:

diC IC
iC (vBE ) ≈ iC |Q + · (vBE − VBE ) ∴ iC ≈ IC + · vbe
dvBE Q vT

VCC
iC
iC ic
RC Q
IC
vo
Q1 vBE
vbe vBE VBE
VBE vbe
IC
Definindo a Transcondutância para Pequenos Sinais gm = vT
, podemos escrever a
aproximação linear da seguinte forma:
iC ≈ IC + gm vbe

Separando as Análises por Superposição
VCC
iC RC
vC
Q1
vbe
VBE
iC = IC + gm vbe
vC = VC + vo


VCC
IC RC
Análise da
Polarização DC
VC
VCC
Q1
iC RC VBE
vC
Q1
vbe
VBE
iC = IC + gm vbe
vC = VC + vo


VCC
IC RC
Análise da
Polarização DC
VC
VCC
Q1
iC RC VBE
vC
Q1
vbe
VBE gmvbe
RC
vo
Análise de
iC = IC + gm vbe Pequenos Sinais Q1
vC = VC + vo
vbe

C
ib ic = gm vbe
ic Modelo de
ib B
Pequenos Sinais
C
B
ie ie
E E
Modelo linearizado equivalente para pequenos sinais:

ic = gm vbe



ic gm vbe


ib = =

 β β
i g vbe



i = = c m
e
α α

Modelo p-Híbrido
C
B C
ic
ib vbe
rp gm vbe
B
ie
E E
vbe

vbe
ic = gm vbe
 rπ = =
ib gm vbe


ic gm vbe


ib = = β

 β β
i g vbe



i = = c m
e
α α

Modelo p-Híbrido
C
B C
ic
ib vbe
rp gm vbe
B
ie
E E
v

vbe
ic = gm vbe be
 rπ = =
ib gm
v

be

ic gm vbe


ib = = β

 β β
i g vbe



i = = c m
e
α α

Modelo p-Híbrido
C
B C
ic
ib vbe
rp gm vbe
B
ie
E E
v

vbe
ic = gm vbe be
 rπ = =
ib gm
v

be

ic gm vbe


ib = = β

 β β

 ic gm vbe β

i = = rπ =
e
α α gm

Modelo p-Híbrido
C
B C
ic
ib ib
rp  ib
B
ie
E E
v

vbe
ic = gm vbe be
 rπ = =
ib gm
v

be

ic gm vbe


ib = = β

 β β

 ic gm vbe β

i = = rπ =
e
α α gm

C Modelo T
ic gm vbe
ib vbe
B C E
ie re
B
E
vbe

vbe
ic = gm vbe
 re = =
ie gm vbe


ic gm vbe


ib = = α

 β β
i g vbe



i = = c m
e
α α

C Modelo T
ic gm vbe
ib vbe
B C E
ie re
B
E
v

vbe
ic = gm vbe be
 re = =
ie gm
v

be

ic gm vbe


ib = = α

 β β
i g vbe



i = = c m
e
α α

C Modelo T
ic gm vbe
ib vbe
B C E
ie re
B
E
v

vbe
ic = gm vbe be
 re = =
ie gm
v

be

ic gm vbe


ib = = α
β β
α


i g vbe re =


 c m
i = =
e gm
α α

C Modelo T
ib
ic a ie ie
B C E
ie re
B
E
v

vbe
ic = gm vbe be
 re = =
ie gm
v

be

ic gm vbe


ib = = α
β β
α


i g vbe re =


 c m
i = =
e gm
α α


VCC
IC RC
Análise da
Polarização DC
VC
VCC
Q1
iC RC VBE
vC
Q1
vbe
VBE gmvbe
RC
vo
Análise de
iC = IC + gm vbe Pequenos Sinais Q1
vC = VC + vo
vbe


VCC
IC RC
Análise da
Polarização DC
VC
VCC
Q1
iC RC VBE
vC
Q1
Análise de
vbe Pequenos Sinais
VBE
vo
vbe rp vbe gmvbe RC

iC = IC + gm vbe
vC = VC + vo

Análise para Pequenos Sinais
vo
vbe rp vbe gmvbe RC

vo
vbe rp vbe gmvbe RC

vo Tensão de pequenos sinais na saı́da do

amplificador:
vbe rp vbe gmvbe RC
vo = − gm vbe · RC


amplificador:
vbe rp vbe gmvbe RC
Ganho de tensão do amplificador para pequenos sinais:

vo (− gm vbe · RC )
AV = ∴ AV =
vbe vbe


amplificador:
vbe rp vbe gmvbe RC

vo (− gmbe · RC )
v
AV = ∴ AV =
vbe v
be

AV = − gm RC


amplificador:
vbe rp vbe gmvbe RC

vo (− gmbe · RC )
v
AV = ∴ AV =
vbe v
be

AV = − gm RC
IC
Considerando que a transcondutância de pequenos sinais é gm = vT
:
IC
AV = − · RC
vT

Transistor Bipolar como Amplificador Modelo para Pequenos Sinais do Transistor PNP
Modelo para Pequenos Sinais do Transistor PNP
Assim como no caso do transistor bipolar NPN, também é possı́vel obter um

modelo para pequenos sinais para o PNP.
vEB
iC
iC = IS e vEB /vT


vBE
iC
iC = - IS e- vBE /vT


vBE iC
vBE
iC


vBE iC
VBE
vBE
iC
Q IC


vBE iC
VBE
vBE
iC
Q IC
Aproximação
Linear
Modelo
Não Linear


vBE iC
VBE
vBE
iC
Q IC
Aproximação
Linear
Modelo
Não Linear
Caso |vbe | vT , também podemos aproximar o comportamento fı́sico do

transistor PNP por um modelo linear:

diC
iC (vBE ) ≈ iC |Q + · (vBE − VBE )
dvBE Q


vBE iC
VBE
vBE
iC
Q IC
Aproximação
Linear
Modelo
Não Linear


diC
dvBE Q

1
iC ≈ − IS e −VBE /vT − IS e −VBE /vT − · vbe
vT


vBE iC
VBE
vBE
iC
Q IC
Aproximação
Linear
Modelo
Não Linear


diC
dvBE Q
IC
iC ≈ − IC + · vbe
vT


vBE iC
VBE
vBE
iC
Q IC
Aproximação
Linear
Modelo
Não Linear
Definindo a Transcondutância para Pequenos Sinais gm = vICT , podemos escrever a


diC
dvBE Q
iC ≈ − IC + gm vbe


vBE B C
rp vbe gm vbe
iC
E

diC
dvBE Q


vBE gm vbe vbe

C E
iC re
iC = - IS e- vBE /vT B


diC
dvBE Q

Análise do Amplificador com Transistor PNP
VCC
vBE
Q1
vi VC + vo
VB RC
- IC + gmvbe

VCC
VBE
Análise da
Polarização DC Q1
VB VC
VCC
vBE RC IC
Q1
vi VC + vo
VB RC
- IC + gmvbe

VCC
VBE
Análise da
Polarização DC Q1
VB VC
VCC
vBE RC IC
Q1
vi VC + vo
VB RC
- IC + gmvbe vbe
Q1
vi vo
Análise de
Pequenos Sinais RC gmvbe

VCC
VBE
Análise da
Polarização DC Q1
VB VC
VCC
vBE RC IC
Q1
vi VC + vo
VB RC
- IC + gmvbe
vo
vi rp vbe gmvbe RC
Análise de
Pequenos Sinais

Transistor Bipolar como Amplificador Considerando o Efeito Early
Considerando o Efeito Early no Modelo para Pequenos Sinais
O modelo linearizado do transistor bipolar pode ser modificado para levar em

consideração o Efeito Early.
iC iC
vCE
vBE
vCE


iC
vCE
vCE iC = IS e vBE /vT 1 +
( )
VA
vBE


iC
vCE
( )
VA
vBE
O modelo de pequenos sinais será obtido através da Série de Taylor de duas

variáveis, truncada nos termos de primeira ordem:
∂f ∂f
f (x , y) = f (x0 , y0 ) + (x0 , y0 ) · (x − x0 ) + (x0 , y0 ) · (y − y0 )
∂x ∂y
2
1 ∂ f ∂2f
+ · 2
(x0 , y0 ) · (x − x0 )2 + 2 (x0 , y0 ) · (x − x0 )(y − y0 )
2! ∂x ∂x ∂y
∂2f

2
+ (x 0 , y 0 ) · (y − y0 ) + ...
∂y 2


iC
vCE
( )
VA
vBE

∂f ∂f
f (x , y) ≈ f (x0 , y0 ) + (x0 , y0 ) · (x − x0 ) + (x0 , y0 ) · (y − y0 )
∂x ∂y


iC
vCE
( )
VA
vBE


∂iC ∂iC
iC (vBE , vCE ) ≈ iC |Q + · (vBE − VBE ) + · (vCE − VCE )
∂vBE Q ∂vCE Q


iC
vCE
( )
VA
vBE


∂iC ∂iC
iC (vBE , vCE ) ≈ iC |Q + · (vBE − VBE ) + · (vCE − VCE )
∂vBE Q ∂vCE Q
IS e VBE /vT IS e VBE /vT

VCE VCE
iC ≈ IS e VBE /vT 1+ + 1+ vbe + vce
VA vT VA VA


iC
vCE
( )
VA
vBE

IC IC
iC ≈ IC + · vbe + · vce
vT VA


iC
vCE
vCE iC = IS e vBE /vT 1 + ( )
VA
vBE

IC IC
vT VA
IC
iC ≈ IC + gm vbe + · vce
VA
| {z }
ic


iC B C
IC v
vCE rp vbe gmvbe ce
VA
vBE
E
IC IC
vT VA
IC
VA
| {z }
ic


iC B C
vCE rp vbe gmvbe ro

vBE
E
IC IC
vT VA
1
ro
| {z }
ic

Parâmetros Hı́bridos para Pequenos Sinais
Também é possı́vel aproximar o comportamento do transistor bipolar para

pequenos sinais usando parâmetros hı́bridos.
ib ic
ib hie
B C
vce
vbe hre vce hfe ib hoe vce
E E


ib ic
ib hie
B C
vce
E E
Correspondência entre os modelos para pequenos sinais do transistor bipolar:


vbe = hie ib + hre vce
ic = hfe ib + hoe vce


ib ic
ib hie
B C
vce
E E


hre ≈ 0


ib ic
ib
B C
vce
vbe hie hfe ib hoe vce
E E


hre ≈ 0


ib ic
ib
B C
vce
E E

 hie = rπ
hre ≈ 0


ib ic
ib
B C
vce
E E

 hie = rπ
hfe = β
hre ≈ 0


ib ic
ib
B C
vce
E E

 hie = rπ
hfe = β
hre ≈ 0 1
hoe =
ro

Transistor Bipolar como Amplificador Modelo para Altas Frequências
Comportamento do Transistor em Altas Frequências
VCC |(jw)| (dB)
IC ic (t) 20 log(0)
Q1
ib (t) IB  (log)
0
P T
O ganho de corrente β proporcionado

pelo transistor bipolar diminui para
sinais de alta frequência.
A resposta em frequência do
transistor é causada por efeitos
capacitivos internos do transistor que
degradam o seu desempenho para
sinais de altas frequências.

Capacitâncias Internas do Transistor Bipolar
B
N++ P+ N Capacitâncias de Junção Cje e Cjc .
Cje Cjc
E C

B
Cje Cjc
E C
Capacitâncias de Junção:
Cje0 Cjc0
Cje = !m e Cjc = !m
VBE VCB
1− 1+
V0E V0C

B
Cje Cjc
E C
Capacitâncias de Junção:
Cje0 Cjc0
Cje = !m e Cjc = !m
VBE VCB
1− 1+
V0E V0C
Índice de graduação da junção:

(
m = 12 → Junções Abruptas
m = 13 → Junções Graduais

B
E
Cje Cjc Capacitância de Difusão ou de
C
Carregamento da Base Cdb .
Cdb
Capacitâncias de Difusão ou de Carregamento da Base:
Cdb = τF · gm

B
E
C
Cdb
Capacitâncias de Difusão ou de Carregamento da Base:
Cdb = τF · gm
Tempo de trânsito de base direto:

W
τF =
2 DN

Modelo de Pequenos Sinais para Altas Frequências
B
E
C
Cdb
Modelo π-Hı́brido para altas frequências:
B C
r vbe gm vbe ro

B
E
C
Cdb
B C
r vbe C gm vbe ro
E
Cπ = Cje + Cdb

B
E
C
Cdb
C
B C
E
Cπ = Cje + Cdb e Cµ = Cjc

B
E
C
Cdb
rx C
B C
E
Cπ = Cje + Cdb e Cµ = Cjc

Transistor Bipolar como Amplificador Amplificadores com Transistor Bipolar


Amplificador Prático com Transistor Bipolar
Para a construção de um amplificador prático com o transistor bipolar, é

necessário adotar um circuito de polarização adequado para a obtenção de um
ponto de operação estável e preciso.
VCC
RC
vo
Q1
vin
VBE


VCC
RC
R1
Q1
R2
RE


VCC
RC
R1
vo
Q1
vin
R2
RE


VCC
RC
vin R1
t
vo
Q1
vin
R2
RE


VCC vo
RC t
vin R1
t
vo
Q1
vin
R2
RE

Emprego de Capacitores de Acoplamento
VCC vo
vin
t R1 t
CA
vo
vin R2
Usar um capacitor de acoplamento CA permite superpor o sinal vin na entrada

do amplificador com a tensão de polarização da base, estabelecida pelo divisor de
tensão resistivo.

VCC vo
VO
R1 t
VO
R2
Com o circuito operando em corrente contı́nua a impedância do capacitor de

acoplamento é equivalente a de um circuito aberto:
1
ZCA (j ω) = ∴ ZCA (0) → ∞
j ω CA

vo
vin
t
t R1
vo
vin R2
O capacitor de acoplamento CA deve ser projetado de modo a apresentar uma

impedância muito menor que as demais resistências do circuito:

1 1
j ω CA R1 //R2 ∴ ω

R1 //R2 · CA

VCC vo
vin VO
t R1 t
CA
vo
vin R2
O capacitor de acoplamento CA deve ser projetado de modo a apresentar uma

impedância muito menor que as demais resistências do circuito:

1 1
j ω CA R1 //R2 ∴ ω

R1 //R2 · CA

Empregando capacitores de acoplamento, é possı́vel aplicar e extrair sinais

elétricos a um circuito amplificador sem perturbar a polarização do transistor.
VCC
RC
R1
CB
vo
Q1
vin
R2
RE


VCC
RC
vin R1
CB
vo
t
Q1
vin
R2
RE


vB
VB VCC
t
RC
vin R1
CB
vo
t
Q1
vin
R2
RE


vB
VB VCC
t
RC
vin R1
CB
vo
t
Q1
vin
R2
RE
CE


vB
VB VCC
t
RC
vin R1
CB
vo
t
Q1
vin
R2
RE vE
CE
VE
t


vB
VB VCC
t
RC
vin R1 CC
CB
vo
t
Q1 RL
vin
R2
RE vE
CE
VE
t


vB vC
VB VCC VC
t
t
RC
vin R1 CC
CB
vo
t
Q1 RL
vin
R2
RE vE
CE
VE
t


vB vC
VB VCC VC
t
t
RC
vin R1 CC
CB
vo vo
t
Q1 RL t
vin
R2
RE vE
CE
VE
t

Análise por Superposição
VCC
RC
R1 CC
CB
vo
Q1 RL
vin R2
RE
CE


VCC
Análise da RC
R1 0
Polarização DC
VCC Q1 RL
0
RC R2
R1 CC RE 0
CB
vo
Q1 RL
vin R2
RE
CE


VCC
Análise da RC
R1
Polarização DC
VCC Q1
RC R2
R1 CC RE
CB
vo
Q1 RL
vin R2
RE
CE


VCC
Análise da RC
R1
Polarização DC
VCC Q1
RC R2
R1 CC RE
CB
vo
Q1 RL
vin R2 RC
RE R1
CE
vo
Q1 RL
vin R2
Análise de
RE
Pequenos Sinais


VCC
Análise da RC
R1
Polarização DC
VCC Q1
RC R2
R1 CC RE
CB
vo
Q1 RL
vin R2
RE
CE
vo
Análise de vin R1 R2 rp vbe gmvbe RC RL

Pequenos Sinais

Resposta em Frequência de um Amplificador
|AV (j)| (dB)

20 log(AV)
 (log)
0
L H
O limite inferior da banda passante ωL é estabelecido pelos capacitores de

acoplamento. O ganho na banda passante é atingido para frequências onde a
impedância desses capacitores se torna desprezı́vel em relação às demais
impedâncias do circuito.
O limite superior da banda passante ωH é definido pelas capacitâncias internas
Cπ e Cµ do transistor bipolar.



Análise de Circuitos Amplificadores
Circuito equivalente de um amplificador linear:
Ro
Ri vin A vin

Rs Ro
vs Ri vin A vin RL vo
Ganho de tensão do amplificador:

RL
vo = · A vin
Ro + RL

Rs Ro

RL
vo = · A vin
Ro + RL
RL Ri
vo = ·A· · vs
Ro + RL RS + Ri

Rs Ro

RL
vo = · A vin
Ro + RL
RL Ri
vo = ·A· · vs
Ro + RL RS + Ri
vo RL Ri
= ·A·
vs Ro + RL RS + Ri

it Ro
vt Ri vin A vin RL vo
Impedância de Entrada do amplificador:

vt
Ri =
it

Rs Ro
it
Ri vin 0 vt
Impedância de Saı́da do amplificador:

vt
Ro =
it


[Exemplo] Considere que o amplificador em emissor comum abaixo foi construı́do
com um transistor bipolar com ganho β = 100, tensão de joelho VBE = 0,6 V e
tensão térmica vT = 25 mV. Para esse amplificador, calcule:
(a) O ganho de tensão AV = vo /vs para pequenos sinais.
(b) As impedâncias de entrada e de saı́da.
VCC = 9,0 V
RC
R1 1,5 k
31 k
vo
RS
Q1 RL
50  10 k
vs R2
14 k RE
1,0 k

Amplificador em Emissor Comum - Análise de Polarização
VCC
IC RC
R1
Q1
R2
RE

Circuito Equivalente de Thévenin:

VCC
R2
VTH = · VCC = 2,8 V
R1 + R2
IC RC
R1
Q1
R2
RE


VCC
R2
VTH = · VCC = 2,8 V
R1 + R2
IC RC
R1 RTH = R1 //R2 = 9,64 kΩ
Q1
R2
RE


VCC
R2
VTH = · VCC = 2,8 V
R1 + R2
IC RC
RTH = R1 //R2 = 9,64 kΩ
IB RTH
Q1
VTH VBE
IE RE


VCC
R2
VTH = · VCC = 2,8 V
R1 + R2
IC RC
RTH = R1 //R2 = 9,64 kΩ
IB RTH
Q1 Equação de malha:
VTH VBE VTH − RTH IB − VBE − RE IE = 0
IE RE


VCC
R2
VTH = · VCC = 2,8 V
R1 + R2
IC RC
RTH = R1 //R2 = 9,64 kΩ
IB RTH
VTH VBE VTH − RTH IB − VBE − RE (β + 1)IB = 0
IE RE


VCC
R2
VTH = · VCC = 2,8 V
R1 + R2
IC RC
RTH = R1 //R2 = 9,64 kΩ
IB RTH
IE RE VTH − VBE
IB =
RTH + (β + 1)RE


VCC
R2
VTH = · VCC = 2,8 V
R1 + R2
IC RC
RTH = R1 //R2 = 9,64 kΩ
IB RTH
IE RE VTH − VBE
IB =
RTH + (β + 1)RE
VTH − VBE
IC = β · = 2 mA
RTH + (β + 1)RE

Parâmetros do Modelo de Pequenos Sinais:

VCC
IC 2
gm = = = 80 mA/V
vT 0,025
IC RC
IB RTH
Q1
VTH VBE
IE RE


VCC
IC 2
gm = = = 80 mA/V
vT 0,025
IC RC β 100
rπ = = = 1,25 kΩ
gm 80
IB RTH
Q1
VTH VBE
IE RE

Amplificador em Emissor Comum - Análise de Pequenos Sinais
VCC
RC
R1
vo
RS
Q1 RL
vs
R2
RE

RC
R1
vo
RS
Q1 RL
vs
R2
RE

RS
vo
vs R1 R2 rp vbe gmvbe RC RL

RS
vo
Ganho de tensão para pequenos sinais:
vo = − gm vbe · RC //RL

RS
vo

R1 //R2 //rπ
vo = − gm · vs · RC //RL
RS + R1 //R2 //rπ

RS
vo

R1 //R2 //rπ
RS + R1 //R2 //rπ
vo R1 //R2 //rπ
= − gm · RC //RL ·
vs RS + R1 //R2 //rπ

RS
vo

R1 //R2 //rπ
RS + R1 //R2 //rπ
vo R1 //R2 //rπ
= − gm · RC //RL ·
vo
AV = = − 97,3 V/V
vs

it vo
vt R1 R2 rp vbe gmvbe RC RL

it vo

vt
Ri = = R1 //R2 //rπ
it

it vo

vt
Ri = = R1 //R2 //rπ
it
Ri = 1,11 kΩ

RS
vo

RS
it
R1 R2 rp vbe gmvbe RC vt

RS
it
R1 R2 rp 0 gmvbe RC vt

RS
it

vt
Ro = = RC
it

RS
it

vt
Ro = = RC
it
Ro = 1,5 kΩ

Amplificador em Emissor Comum - Observação
Comparação entre os resultados obtidos para o amplificador em emissor comum

e o modelo genérico de um amplificador:
Rs Ro
Ganho de tensão do amplificador genérico:

vo Ri RL
= ·A·
vs RS + Ri Ro + RL
Ganho de tensão do amplificador em emissor comum:


Rs Ro

vo Ri RL
= ·A·
vs RS + Ri Ro + RL
vo R1 //R2 //rπ
=− · gm · RC //RL


Rs Ro

vo Ri RL
= ·A·
vs RS + Ri Ro + RL
vo R1 //R2 //rπ RC RL
=− · gm ·
vs RS + R1 //R2 //rπ RC + RL


Rs Ro

vo Ri RL
= ·A·
vs RS + Ri Ro + RL
vo R1 //R2 //rπ RL
= · (− gm RC ) ·
vs RS + R1 //R2 //rπ RC + RL




[Exemplo] Considere que o amplificador em base comum abaixo foi construı́do com
um transistor bipolar com ganho β = 100, tensão de joelho VBE = 0,6 V e tensão
térmica vT = 25 mV. Para esse amplificador, calcule:
VCC = 9,0 V
RC
R1 1,5 k
31 k vo
RL
Q1 10 k
RS
R2
14 k RE 50 
vs
1,0 k

Amplificador em Base Comum - Análise de Polarização
O circuito de polarização é exatamente o

VCC mesmo do amplificador em emissor comum.
Dessa forma, teremos que:
IC RC IC = 2,0 mA
R1
IC 2
Q1 gm = = = 80 mA/V
vT 0,025
β 100
rπ = = = 1,25 kΩ
R2 gm 80
RE α 0,99
re = = = 12,4 Ω
gm 80

Amplificador em Base Comum - Análise de Pequenos Sinais
VCC
RC
R1
vo
Q1 RL
RS
R2
RE vs

RC
R1
vo
Q1 RL
RS
R2
RE vs

gm vbe
RS vbe
vo
re
vs RE RC RL

gm vbe
RS vbe
vo
re
vs RE ic RC RL

gm vbe
RS vbe
vo
re
vs vin RE ic RC RL
vo = − gm (− vin ) · RC //RL

gm vbe
RS vbe
vo
re
vs vin RE ic RC RL

RE //re
vo = − gm − · vs · RC //RL
RS + RE //re

gm vbe
RS vbe
vo
re
vs vin RE ic RC RL

RE //re
vo = − gm − · vs · RC //RL
RS + RE //re
vo RE //re
= gm · RC //RL ·
vs RS + RE //re

gm vbe
RS vbe
vo
re
vs vin RE ic RC RL

RE //re
vo = − gm − · vs · RC //RL
RS + RE //re
vo RE //re
= gm · RC //RL ·
vs RS + RE //re
vo
AV = = 20,5 V/V
vs

gm vbe
vbe
it vo
re
vt RE RC RL

gm vbe
vbe
it vo
re
vt RE RC RL

vt
Ri = = RE //re
it

gm vbe
vbe
it vo
re
vt RE RC RL

vt
Ri = = RE //re
it
Ri = 12,2 Ω

gm vbe
RS vbe
vo
re
vs RE RC RL

gm vbe
RS vbe
it
re
RE RC vt

0 gm vbe
RS
it
re
RE RC vt

0 gm vbe
RS
it
re
RE RC vt

vt
Ro = = RC
it

0 gm vbe
RS
it
re
RE RC vt

vt
Ro = = RC
it
Ro = 1,5 kΩ




[Exemplo] Considere que o amplificador em coletor comum abaixo foi construı́do
com um transistor bipolar com ganho β = 100, tensão de joelho VBE = 0,6 V e
tensão térmica vT = 25 mV. Para esse amplificador, calcule:
VCC = 9,0 V
R1
15 k
RS
Q1
1,0 k
vs vo
R2
30 k RE RL
2,5 k 1,0 k

Amplificador em Coletor Comum - Análise de Polarização
VCC
R1
Q1
R2
RE


VCC
R2
VTH = · VCC = 6,0 V
R1 + R2
R1
Q1
R2
RE


VCC
R2
VTH = · VCC = 6,0 V
R1 + R2
R1 RTH = R1 //R2 = 10 kΩ
Q1
R2
RE


VCC
R2
VTH = · VCC = 6,0 V
R1 + R2
RTH = R1 //R2 = 10 kΩ
RTH
Q1
VTH
RE


VCC
R2
VTH = · VCC = 6,0 V
R1 + R2
RTH = R1 //R2 = 10 kΩ
RTH
Q1
Equação de malha:
VTH VTH − RTH IB − VBE − RE IE = 0
RE


VCC
R2
VTH = · VCC = 6,0 V
R1 + R2
RTH = R1 //R2 = 10 kΩ
RTH
Q1
VTH VTH − RTH IB − VBE − RE (β + 1)IB = 0
RE


VCC
R2
VTH = · VCC = 6,0 V
R1 + R2
RTH = R1 //R2 = 10 kΩ
RTH
Q1
RE
VTH − VBE
IB =
RTH + (β + 1)RE


VCC
R2
VTH = · VCC = 6,0 V
R1 + R2
RTH = R1 //R2 = 10 kΩ
RTH
Q1
RE
VTH − VBE
IB =
RTH + (β + 1)RE
VTH − VBE
IC = β · = 2 mA
RTH + (β + 1)RE


VCC
IC 2
gm = = = 80 mA/V
vT 0,025
β 100
rπ = = = 1,25 kΩ
gm 80
RTH
Q1
VTH
RE

Amplificador em Coletor Comum - Análise de Pequenos Sinais
VCC
R1
RS
Q1
vs vo
R2
RE RL

R1
RS
Q1
vs vo
R2
RE RL

RS
vs R1 R2 rp ib b ib
vo
RE RL

RS Ganho de tensão para

pequenos sinais:
vs R1 R2 rp ib b ib vo = (β + 1)ib · RE //RL
vo
RE RL

RS vin Ganho de tensão para

pequenos sinais:
vo vin = rπ ib + (β + 1) ib RE //RL
RE RL


pequenos sinais:
vin
RE RL ib =
rπ + (β + 1) RE //RL


pequenos sinais:
vin
RE RL ib =
rπ + (β + 1) RE //RL
vin − vs vin vin

+ + + ib = 0
RS R1 R2


pequenos sinais:
vin
RE RL ib =
rπ + (β + 1) RE //RL
vin − vs vin vin vin

+ + + =0
RS R1 R2 rπ + (β + 1) RE //RL


pequenos sinais:
vin
RE RL ib =
rπ + (β + 1) RE //RL

+ + + =0
RS R1 R2 rπ + (β + 1) RE //RL

1 1 1 1 vs
vin + + + =
RS R1 R2 rπ + (β + 1) RE //RL RS


pequenos sinais:
vin
RE RL ib =
rπ + (β + 1) RE //RL

+ + + =0
RS R1 R2 rπ + (β + 1) RE //RL

1 1 1 1 vs
vin + + + =
RS R1 R2 rπ + (β + 1) RE //RL RS

1 1 1
vin 1 + RS + + = vs
R1 R2 rπ + (β + 1) RE //RL


pequenos sinais:
vin
RE RL ib =
rπ + (β + 1) RE //RL

1
vin 1 + RS · = vs
R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )


pequenos sinais:
vin
RE RL ib =
rπ + (β + 1) RE //RL

1
vin 1 + RS · = vs
R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )

R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL ) + RS
vin = vs
R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )


pequenos sinais:
vin
RE RL ib =
rπ + (β + 1) RE //RL

1
vin 1 + RS · = vs
R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )

R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL ) + RS
vin = vs
R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )
vin R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )
=
vs RS + R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )


pequenos sinais:
RE RL vo (β + 1)ib · RE //RL
=
vin rπ ib + (β + 1) ib RE //RL

1
vin 1 + RS · = vs
R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )

R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL ) + RS
vin = vs
R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )
vin R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )
=
vs RS + R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )


pequenos sinais:
RE RL vo (β + 1)ib · RE //RL
=
vin rπ ib + (β + 1) ib RE //RL

1
vin 1 + RS · = vs
R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )

R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL ) + RS
vin = vs
R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )
vin R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )
=
vs RS + R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )


pequenos sinais:
RE RL vo (β + 1) RE //RL
=
vin rπ + (β + 1) RE //RL

1
vin 1 + RS · = vs
R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )

R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL ) + RS
vin = vs
R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )
vin R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )
=
vs RS + R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )


pequenos sinais:
=
vo vin vo
AV = = ·
vs vs vin


pequenos sinais:
=
vo vin vo
AV = = ·
vs vs vin
R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL ) (β + 1) RE //RL
AV = ·
RS + R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL ) rπ + (β + 1) RE //RL


pequenos sinais:
=
vo vin vo
AV = = ·
vs vs vin
R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL ) (β + 1) RE //RL
AV = ·
AV = 0,883 V/V

it
vt R1 R2 rp ib b ib
vo
RE RL

Impedância de Entrada:
it
vt = rπ ib + (β + 1) ib RE //RL
vt R1 R2 rp ib b ib
vo
RE RL

it
vt R1 R2 rp ib b ib
vt
ib =
rπ + (β + 1) RE //RL
vo
RE RL

it
vt R1 R2 rp ib b ib
vt
ib =
rπ + (β + 1) RE //RL
vo
RE RL
vt vt
−it + + + ib = 0
R1 R2

it
vt R1 R2 rp ib b ib
vt
ib =
rπ + (β + 1) RE //RL
vo
RE RL
vt vt
−it + + + ib = 0
R1 R2
vt vt vt
−it + + + =0
R1 R2 rπ + (β + 1) RE //RL

it
vt R1 R2 rp ib b ib
vt
ib =
rπ + (β + 1) RE //RL
vo
RE RL
vt vt
−it + + + ib = 0
R1 R2
vt vt vt
−it + + + =0
R1 R2 rπ + (β + 1) RE //RL

1 1 1
vt + + = it
R1 R2 rπ + (β + 1) RE //RL

it
vt R1 R2 rp ib b ib
vt
ib =
rπ + (β + 1) RE //RL
vo
RE RL
vt
= it
R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )

it
vt R1 R2 rp ib b ib
vt
ib =
rπ + (β + 1) RE //RL
vo
RE RL
vt
= it
R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )
vt
Ri = = R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )
it

it
vt R1 R2 rp ib b ib
vt
ib =
rπ + (β + 1) RE //RL
vo
RE RL
vt
= it
R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )
vt
Ri = = R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )
it
Ri = 8,8 kΩ

RS
vs R1 R2 rp ib b ib
vo
RE RL

RS
R1 R2 rp ib b ib
it
RE vt

RS Impedância de Saı́da:
vt
ib = −
ib rπ + RS //R1 //R2
R1 R2 rp b ib
it
RE vt

vt
ib = −
R1 R2 rp b ib
it
RE vt
vt
−it + − (β + 1) ib = 0
RE

vt
ib = −
R1 R2 rp b ib
it
RE vt
vt
−it + − (β + 1) ib = 0
RE
vt vt
−it + + (β + 1) · =0
RE rπ + RS //R1 //R2

vt
ib = −
R1 R2 rp b ib
it
RE vt
vt
−it + − (β + 1) ib = 0
RE
vt vt
−it + + (β + 1) · =0

1 (β + 1)
vt + = it

vt
ib = −
R1 R2 rp b ib
it
RE vt
vt
! = it
rπ + RS //R1 //R2
RE //
(β + 1)

vt
ib = −
R1 R2 rp b ib
it
RE vt
vt
! = it
rπ + RS //R1 //R2
RE //
(β + 1)
!
vt rπ + RS //R1 //R2
Ro = = RE //
it (β + 1)

vt
ib = −
R1 R2 rp b ib
it
RE vt
vt
! = it
rπ + RS //R1 //R2
RE //
(β + 1)
!
Ro = = RE // = 21,2 Ω
it (β + 1)

Simplificação da Análise por Reflexão de Impedância
RS vin
vs R1 R2 rp ib b ib
vo
RE RL

RS vin
vs R1 R2 rp ib
vo
(b+1)RE RL

RS vin
vs R1 R2 rp ib
vo
(b+1)RE RL
vo vin vo
AV = = ·
vs vs vin

RS vin
vs R1 R2 rp ib
vo
(b+1)RE RL
vo vin vo
AV = = ·
vs vs vin
R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL ) vo
AV = ·
RS + R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL ) vin

RS vin
vs R1 R2 rp ib
vo
(b+1)RE RL
vo vin vo
AV = = ·
vs vs vin
R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL ) (β + 1) RE //RL
AV = ·

it
vt R1 R2 rp ib b ib
vo
RE RL

it
vt R1 R2 rp ib
vo
(b+1)RE RL

it
vt R1 R2 rp ib
vo
(b+1)RE RL
vt
Ri = = R1 //R2 //(rπ + (β + 1) RE //RL )
it

RS
R1 R2 rp ib b ib
it
RE vt

RS R1 R2 rp (b+1) ib
(b+1) (b+1)
it
RE vt

RS R1 R2 rp (b+1) ib
(b+1) (b+1)
it
RE vt
!
Ro = = RE //
it (β + 1)

Resumo das Topologias Básicas de Amplificadores
Topologia Ganho de Tensão Ri (kΩ) Ro (kΩ)
Emissor Comum - 97,3 1,11 1,5

Base Comum 20,5 0,0122 1,5
Coletor Comum 0,883 8,8 0,0212

Transistor Bipolar como Amplificador Limites de Excursão de Sinal


Limites de Operação Linear de Amplificadores
Curva caracterı́stica de Transferência de Tensão do amplificador básico em

Emissor Comum com o transistor bipolar:
VCC iC
vBE5
vBE4
RC iC
vBE3
vo
vBE2
Q1 vBE1
vin vBE
vBE0
vCE


VCC iC
vBE5
vBE4
RC iC
vBE3
vo
vBE2
Q1 vBE1
vin vBE
vBE0
vCE
vCE = VCC − RC iC


VCC iC
vBE5
vBE4
RC iC
vBE3
vo
vBE2
Q1 vBE1
vin vBE
vBE0
vCE
VCC 1
vCE = VCC − RC iC ∴ iC = − · vCE
RC RC


VCC iC
VCC vBE5
RC
vBE4
RC iC
vBE3
vo
vBE2
Q1 vBE1
vin vBE
vBE0
vCE
VCC
VCC 1
RC RC


VCC iC
VCC vBE5
RC
vBE4
RC iC
vBE3
vo
vBE2 = vin
iC
Q1 vBE1
vin vBE
vBE0
vCE
vo VCC
VCC 1
RC RC


vo Corte
VCC
VCC
iC Modo Ativo
RC
vo
vo
Q1 Saturação
vin vBE
0,2 vin
vBE2 = vin
VCC 1
RC RC

A partir da curva caracterı́stica de transferência de tensão, é possı́vel observar

que existem limites de excursão do sinal na saı́da vo :
VCC
vo
VCC
RC iC
VC
vo
Q1 vBE
VBE
vin vBE
VBE


VCC
vo
VCC vo
RC iC
VC
vo
Q1 vBE
VBE
vin vBE
vin
VBE


VCC
vo vo
VCC
RC iC
VC
vo
Q1 vBE
VBE
vin vBE
vin
VBE


VCC
vo vo
VCC
RC iC vomáx
VC
vo vomín
Q1 vBE
VBE
vin vBE
vin
VBE

Limite máximo de excursão de sinal na saı́da (corte):
iC = 0
VCC
RC iC
vo
Q1
vin vBE
VBE

iC = 0
VCC
VCC − (VC + vomáx )
=0
iC RC
RC
vo
Q1
vin vBE
VBE

iC = 0
VCC
=0
iC RC
RC
VCC − VC vomáx
=
vo RC RC
Q1
vin vBE
VBE

iC = 0
VCC
=0
iC RC
RC
VCC − VC vomáx
=
vo RC RC
vomáx
Q1 IC =
RC
vin vBE
VBE

iC = 0
VCC
=0
iC RC
RC
VCC − VC vomáx
=
vo RC RC
vomáx
Q1 IC =
RC
vin vBE
vomáx = IC · RC
VBE

Limite mı́nimo de excursão de sinal na saı́da (saturação):
vCE = 0,2 V
VCC
RC iC
vo
Q1
vin vBE
VBE

vCE = 0,2 V
VCC
(VC + vomı́n ) − VE = 0,2
RC iC
vo
Q1
vin vBE
VBE

vCE = 0,2 V
VCC
(VC + vomı́n ) − VE = 0,2
RC iC
VCE + vomı́n = 0,2
vo
Q1
vin vBE
VBE

vCE = 0,2 V
VCC
(VC + vomı́n ) − VE = 0,2
RC iC
vo
vomı́n = −VCE + 0,2
Q1
vin vBE
VBE

vCE = 0,2 V
VCC
(VC + vomı́n ) − VE = 0,2
RC iC
vo
vomı́n = −VCE + 0,2
Q1
vin vBE vomı́n = − (VCE − 0,2)
VBE

VCC
vo vo
VCC
RC iC vomáx
VC
vo vomín
Q1 vBE
VBE
vin vBE
vin
VBE
vomáx = IC · RC e vomı́n = − (VCE − 0,2)

Limites de Excursão do Amplificador em Emissor Comum
VCC
RC
R1 vO
vo vomáx
RS
Q1 RL 0 t
vomín
vs
R2
RE

vC
VCC
VC
RC t
R1 vO
vC vo vomáx
RS
Q1 RL 0 t
vomín
vs
R2
RE

vC
VCC
VC
RC t
R1 vO
vC vo vomáx
RS
Q1 RL 0 t
vE vomín
vs
R2 vE
RE
VE
t

vC
VCC
VC
RC iRC t
R1 vO
vC vo vomáx
RS iC
RL iL 0 t
Q1
vE vomín
vs
R2 vE
RE
VE
t

iC = 0
VCC
RC iRC
vC vo
iC
RL iL
Q1
vE
RE

iC = 0
VCC
iRC − iL = 0
RC iRC
vC vo
iC
RL iL
Q1
vE
RE

iC = 0
VCC
iRC − iL = 0
RC iRC VCC − (VC + vomáx ) vomáx
− =0
vC RC RL
vo
iC
RL iL
Q1
vE
RE

iC = 0
VCC
iRC − iL = 0
− =0
vC RC RL
vo
iC VCC − VC

1 1

RL iL = vomáx +
Q1 RC RC RL
vE
RE

iC = 0
VCC
iRC − iL = 0
− =0
vC RC RL
vo
iC VCC − VC

1 1

RL iL = vomáx +
Q1 RC RC RL
vE 1
IC = vomáx ·
RC //RL
RE

iC = 0
VCC
iRC − iL = 0
− =0
vC RC RL
vo
iC VCC − VC

1 1

RL iL = vomáx +
Q1 RC RC RL
vE 1
IC = vomáx ·
RC //RL
RE
vomáx = IC · RC //RL

vCE = 0,2 V
VCC
RC iRC
vC vo
iC
RL iL
Q1
vE
RE

vCE = 0,2 V
VCC
(VC + vomı́n ) − VE = 0,2
RC iRC
vC vo
iC
RL iL
Q1
vE
RE

vCE = 0,2 V
VCC
(VC + vomı́n ) − VE = 0,2
RC iRC
vC vo
iC
RL iL
Q1
vE
RE

vCE = 0,2 V
VCC
(VC + vomı́n ) − VE = 0,2
RC iRC
vC vo
iC vomı́n = −VCE + 0,2
RL iL
Q1
vE
RE

vCE = 0,2 V
VCC
(VC + vomı́n ) − VE = 0,2
RC iRC
vC vo
iC vomı́n = −VCE + 0,2
RL iL
Q1
vE vomı́n = − (VCE − 0,2)
RE

vC
VCC
VC
RC t
R1 vO
vC vo vomáx
RS
Q1 RL 0 t
vE vomín
vs
R2 vE
RE
VE
t
vomáx = IC · RC //RL e vomı́n = − (VCE − 0,2)

Limites de Excursão do Amplificador em Base Comum
VCC
RC vO
R1 vomáx
vo
0 t
Q1 RL vomín
RS
R2
RE vs

vC
VCC
VC
RC t vO
R1 vomáx
vC vo
0 t
Q1 RL vomín
RS
R2
RE vs

vC
VCC
VC
RC t vO
R1 vomáx
vC vo
0 t
Q1 RL vomín
RS
vE
R2 vE
RE vs
VE
t

vC
VCC
VC
RC t vO
R1 vomáx
vC vo
0 t
Q1 RL vomín
RS
vE
R2 vE
RE vs
VE
t
vomáx = IC · RC //RL e vomı́n ≈ − (VCE − 0,2)

Limites de Excursão do Amplificador em Coletor Comum
VCC
R1 vO
vomáx
RS
Q1 0 t
vomín
vo
vs
R2
RE RL

VCC
R1 vO
vomáx
RS
Q1 0 t
vomín
vE vo
vs
R2 vE
RE RL
VE
t

VCC vC
VCC
R1 t vO
vC vomáx
RS
Q1 0 t
vomín
vE vo
vs
R2 vE
RE RL
VE
t

VCC vC
VCC
R1 t vO
vC vomáx
RS
Q1 0 t
vE iE vo vomín
vs
R2 iL vE
iRE RE RL
VE
t

Limite máximo de excursão de sinal na saı́da (saturação):
vCE = 0,2 V
VCC
vC
Q1
vE iE vo
iRE iL
RE RL

vCE = 0,2 V
VCC
VC − (VE + vomáx ) = 0,2
vC
Q1
vE iE vo
iRE iL
RE RL

vCE = 0,2 V
VCC
VC − (VE + vomáx ) = 0,2
VCE − vomáx = 0,2

vC
Q1
vE iE vo
iRE iL
RE RL

vCE = 0,2 V
VCC
VC − (VE + vomáx ) = 0,2
VCE − vomáx = 0,2

vC
vomáx = VCE − 0,2
Q1
vE iE vo
iRE iL
RE RL

Limite mı́nimo de excursão de sinal na saı́da (corte):
iE = 0
VCC
vC
Q1
vE iE vo
iRE iL
RE RL

iE = 0
VCC
iRE + iL = 0
vC
Q1
vE iE vo
iRE iL
RE RL

iE = 0
VCC
iRE + iL = 0
VE + vomı́n vomı́n
+ =0
RE RL
vC
Q1
vE iE vo
iRE iL
RE RL

iE = 0
VCC
iRE + iL = 0
+ =0
RE RL
vC
VE 1 1
Q1 = − vomı́n +
RE RE RL
vE iE vo
iRE iL
RE RL

iE = 0
VCC
iRE + iL = 0
+ =0
RE RL
vC
VE 1 1
Q1 = − vomı́n +
RE RE RL
vE iE vo 1
IE = − vomı́n ·
RE //RL
iRE iL
RE RL

iE = 0
VCC
iRE + iL = 0
+ =0
RE RL
vC
VE 1 1
Q1 = − vomı́n +
RE RE RL
vE iE vo 1
RE //RL
iRE iL
RE RL vomı́n = − IE · RE //RL

iE = 0
VCC
iRE + iL = 0
+ =0
RE RL
vC
VE 1 1
Q1 = − vomı́n +
RE RE RL
vE iE vo 1
RE //RL
iRE iL
RE RL vomı́n = − IE · RE //RL
vomı́n ≈ − IC · RE //RL

VCC vC
VCC
R1 t vO
vC vomáx
RS
Q1 0 t
vomín
vE vo
vs
R2 vE
RE RL
VE
t
vomáx = VCE − 0,2 e vomı́n ≈ − IC · RE //RL

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Transistor Bipolar como Amplificador

Prof. Carlos Fernando Teodósio Soares

UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO DE JANEIRO

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 1/70

Agenda da Aula - Capı́tulo III

Obtendo Amplificação com o Transistor Bipolar

Modelo para Pequenos Sinais do Transistor Bipolar

Configurações Básicas de Amplificadores

Limites de Excursão de Sinal na Saı́da

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 2/70

Agenda da Aula - Capı́tulo III (Seção III.7)

Obtendo Amplificação com o Transistor Bipolar

Modelo para Pequenos Sinais do Transistor Bipolar

Configurações Básicas de Amplificadores

Limites de Excursão de Sinal na Saı́da

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 3/70

O Transistor Bipolar como Elemento Amplificador

No modo ativo, o transistor bipolar opera como uma fonte de corrente

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 4/70

O Transistor Bipolar como Elemento Amplificador

No modo ativo, o transistor bipolar opera como uma fonte de corrente

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 4/70

O Transistor Bipolar como Elemento Amplificador

No modo ativo, o transistor bipolar opera como uma fonte de corrente

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 4/70

O Transistor Bipolar como Elemento Amplificador

No modo ativo, o transistor bipolar opera como uma fonte de corrente

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 4/70

O Transistor Bipolar como Elemento Amplificador

No modo ativo, o transistor bipolar opera como uma fonte de corrente

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 4/70

O Transistor Bipolar como Elemento Amplificador

No modo ativo, o transistor bipolar opera como uma fonte de corrente

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 4/70

O Transistor Bipolar como Elemento Amplificador

No modo ativo, o transistor bipolar opera como uma fonte de corrente

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 4/70

O Transistor Bipolar como Elemento Amplificador

No modo ativo, o transistor bipolar opera como uma fonte de corrente

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 4/70

O Transistor Bipolar como Elemento Amplificador

No modo ativo, o transistor bipolar opera como uma fonte de corrente

iC = IS e vBE /vT ∴ vC = VCC − RC · IS e vBE /vT

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 4/70

VBE → Parcela de Polarização DC.

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 5/70

Obtendo Amplificação Aproximadamente Linear

Caso o sinal de entrada vbe seja suficientemente pequeno, poderemos considerar

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 6/70

Obtendo Amplificação Aproximadamente Linear

Caso o sinal de entrada vbe seja suficientemente pequeno, poderemos considerar

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 6/70

Obtendo Amplificação Aproximadamente Linear

Caso o sinal de entrada vbe seja suficientemente pequeno, poderemos considerar

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 6/70

Obtendo Amplificação Aproximadamente Linear

Caso o sinal de entrada vbe seja suficientemente pequeno, poderemos considerar

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 6/70

Aproximação Linear para Pequenos Sinais

Considerando que o sinal de entrada é

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 7/70

Aproximação Linear para Pequenos Sinais

Considerando que o sinal de entrada é

A aproximação linear pode ser obtida a partir

Se considerarmos que |vbe | vT , podemos fazer a seguinte aproximação:

Se considerarmos que |vbe | vT , podemos fazer a seguinte aproximação:

Caso |vbe | vT , podemos aproximar o comportamento fı́sico do transistor