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Eletrônica e

Instrumentação
Transistores como Amplificadores

Gabriel Fanelli
Mapa do Curso
Princípios Básicos de Eletricidade
Análise de Circuitos DC
História da Eletrônica
Diodos
Sinais Elétricos Contínuos e Alternados
Filtros Capacitivos e Retificadores
Transistores como Amplificadores
Amplificador Operacional
Princípios de Sensores e Transdutores
Ponte de Wheatstone
Princípios de Eletrônica Digital (Transistores como chaves)
Aquisição de Dados e Teorema da Amostragem
Conversores AD e DA
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Amplificação

 Amplificação dos sinais de Tensão ou corrente ou ambos!


 Aumento da potência do sinal (V x I)
 Fonte de energia para aumento de potência: Fonte de
alimentação

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Processo de Amplificação

 Modelo de um Transistor MOSFET


 Fonte de corrente controlada por tensão

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Processo de Amplificação

 Modelo de um Transistor BJT


 Fonte de corrente controlada por corrente

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Transistor Bipolar de Junção

 Bipolar Junction Transistor (BJT)


 Dispositivo de três terminais
 Coletor
 Base
 Emissor

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Transistor Bipolar de Junção

 Bipolar Junction Transistor (BJT)


 Relações Importantes:

𝐼𝑐 = 𝛽. 𝐼𝐵

𝐼𝐸 = 𝐼𝑐 + 𝐼𝐵

𝛽 (beta) : Fator de Amplificação 7


Estrutura do BJT

 Duas Junções P-N

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Estrutura do BJT

 A corrente de base diminui a região de depleção da


junção reversamente polarizada → Corrente entre
Coletor e Emissor!

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Estrutura do BJT
 Dois Tipos de BJT
 NPN é o mais comum

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Transistor Bipolar de Junção

 Relações Importantes:

𝐼𝑐 = 𝛽. 𝐼𝐵

𝐼𝐸 = 𝐼𝑐 + 𝐼𝐵

𝑉𝐵𝐸 = 0,7𝑉
A junção polarizada diretamente se
comporta como um diodo! 13
Transistor Bipolar de Junção

 Considere a seguinte configuração, chamada de


emissor-comum:

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Transistor Bipolar de Junção

 A análise pode ser feita usando o


modelo do transistor:

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Transistor Bipolar de Junção

 Sabendo que IB = 200µA e 𝛽 = 250


 Qual o valor de IC?

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Transistor Bipolar de Junção
 IB = 200µA e 𝛽 = 250

𝐼𝑐 = 𝛽. 𝐼𝐵 = 50mA

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Transistor Bipolar de Junção

 IB = 200µA e 𝛽 = 250
 Qual o valor de RB?

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Transistor Bipolar de Junção
 IB = 200µA e 𝛽 = 250
 Qual o valor de RB?

𝑉𝑅𝐵 𝑉𝐵𝐵 −VBE 10−0,7


RB = = = = 46,5𝑘Ω
𝐼𝐵 𝐼𝐵 200𝜇

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Transistor Bipolar de Junção
 Sabendo que IB = 200µA e 𝛽 = 250
 Sabendo que RC = 180Ω
 Qual o valor de VCE?

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Transistor Bipolar de Junção
 IB = 200µA , 𝛽 = 250 , RC = 180Ω
 IC = 50mA

VCE = VCC − RC ∗ I𝐶 = 15 − 180 ∗ 50m = 6V

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Transistor Bipolar de Junção
 Caracterizado pelas relações entre VCE, IC e IB:

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Transistor Bipolar de Junção
 Caracterizado pelas relações entre VCE, IC e IB
 Operação como amplificador: Região Ativa
 IB > 0 e VCE > VBE – 0,4V ≅ 0,3V

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Transistor como Amplificador

 Para a configuração em emissor comum:

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Transistor como Amplificador

 Para a configuração em emissor comum:

Vo = VCE = VS − R L ∗ I𝐶
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Transistor como Amplificador

 Para a configuração em emissor comum:

Vo = VCE = VS − R L ∗ I𝐶
𝐼𝑐 = 𝛽. 𝐼𝐵 26
Transistor como Amplificador

 Para a configuração em emissor comum:

Vo = VS − R L ∗ 𝛽 ∗ 𝐼𝐵
27
Transistor como Amplificador

 Para a configuração em emissor comum:

Vo = VS − R L ∗ 𝛽 ∗ 𝐼𝐵
𝑉𝐼 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐼 28
Transistor como Amplificador

 Para a configuração em emissor comum:

𝑉𝐼 − 𝑉𝐵𝐸
Vo = VS − R L ∗ 𝛽 ∗
𝑅𝐼
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Transistor
como
Amplificador

 Plotando a
relação entre
tensão de saída
e tensão de
entrada
(considerando
todas as regiões
de operação)

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Transistor Bipolar de Junção
 Lembrar que o transistor é um dispositivo não linear!
 Modelo de análise depende da região de operação
 Características físicas (dependem do processo de fabricação) se
alteram em cada dispositivo (exemplo: valor de beta)

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Transistor
como
Amplificador

 A polarização é
essencial!

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Exercício
 Projete um circuito (determine os valores de RB e RC) para implementar
um amplificador em configuração emissor-comum empregando um BJT
com as curvas de operação conforme o gráfico. Como condição de projeto,
considere IB = 20uA. Considere também que VCC = 20V e projete o
circuito de modo que o ponto de operação esteja aproximadamente no
centro da região ativa (VCE ~ 10V).

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Exercício

 IB = 20uA.
 VCC = 20V
 VCE ~ 10V

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