Amplificadores multiandar

Electrónica 2
 Notação 1
• Convenção para a representação de :
VDS ≡ VD – VS , VGS ≡ VG – VS , etc.
• Os subscritos duplos denotam fontes DC :
VDD , VCC , ISS , etc.
• Para distinguir entre as componentes DC e AC de uma
quantidade eléctrica, é seguida a seguinte notação:
– Valor DC: letra maiúscula com subscrito maiúsculo
ID, VDS, etc.
– Valor AC: letra minúscula com subscrito minúsculo
id, vds, etc.
– Valor total (DC + AC): letra minúscula com subscrito maiúsculo
iD, vDS, etc.
– Valor RMS do sinal AC: letra maiúscula com subscrito minúsculo
Id, Vds, etc.

[1]-IEEE Transactions on Electron Devices, vol.ED-11(8), pp392,1964.

Electrónica 2 Amplificadores multiandar e diferenciais 2

Ganho e resistências de E/S de amplificadores com TJB
Emissor Comum (EC) Colector Comum (CC) Base Comum (BC)

Ganhos e resistências vistos aos terminais dos transístores (pontos assinalados)

Electrónica 2 3
 Ganho e resistências de E/S de amplificadores com Mosfet
Fonte Comum (FC) Dreno Comum (DC) Porta Comum (PC)

Ganhos e resistências vistos aos terminais dos transístores (pontos assinalados)

Electrónica 2 4
 Sumário das características de amplificadores de um transístor

TJB Amplificador Emissor Emissor Colector Base

de tensão Comum Comum Comum Comum
ideal Degenerado
Ri  Moderado Grande Grande Pequeno
Ro 0 Grande Muito Grande Pequeno Grande
Av  Grande Moderado 1 Grande

MOS Amplificador Fonte Fonte Dreno Porta

de tensão Comum Comum Comum Comum
ideal Degenerado
Ri  Muito Grande Muito Grande Grande Pequeno
Ro 0 Grande Muito Grande Pequeno Grande
Av  Moderado Pequeno 1 Moderado

Electrónica 2 5
 Porquê amplificadores com vários andares?
Especificações típicas para um amplificador de uso geral (p. ex. amplificador
operacional)

• Resistência de entrada > 1MΩ

• Resistência de saída < 100Ω
• Ganho de tensão > 100.000

 Nenhum amplificador com um só transístor pode satisfazer todas estas

especificações
 Possível utilização de vários andares de amplificação em cascata (série)
para atender às especificações
 Geralmente 3 andares
- Um andar de entrada para obter a resistência de entrada pretendida
- Um andar intermédio para fornecer ganho
- Um andar de saída para obter a resistência de saída necessária
 É importante ter em consideração que a resistência de entrada do andar
seguinte representa a carga do andar anterior afectando o seu ganho.

Electrónica 2 6
 Exemplo: amplificador de três andares com acoplamento AC

Fonte Comum Emissor Comum Colector Comum

 MOSFET M1 na configuração FC fornece resistência de entrada alta e ganho de

tensão moderado.
 TJB Q2 na configuração EC, o segundo estágio, fornece ganho de tensão elevado.
 TJB Q3, um seguidor de emissor oferece baixa resistência de saída e isola o andar
de alto ganho do valor relativamente baixo de resistência de carga.

Electrónica 2 7
 Exemplo: amplificador de três andares com acoplamento AC

Fonte Comum Emissor Comum Colector Comum

• A entrada e a saída do amplificador global são acopladas em AC por meio dos condensadores C1 e
C6.
• Os condensadores de bypass C2 e C4 são usados ​para obter o ganho de tensão máximo dos dois
amplificadores inversores.
• Os condensadores de acoplamento entre andares C3 e C5 transferem sinais AC entre amplificadores,
fornecendo isolamento em DC e evitando que os pontos de funcionamento em repouso dos
transístores sejam afectados.
• No circuito equivalente AC, as resistências de polarização serão substituídas por RB2 = R1 || R2 e
RB3 = R3 || R4

Electrónica 2 8
 Circuito equivalente DC

Parâmetros dos transístores

PFR

Em DC, os condensadores isolam cada Parâmetros de pequenos sinais

andar de um só transístor dos outros.
Assim, o ponto de funcionamento de cada
transístor pode ser encontrado usando os
métodos de análise para amplificador com
um só transístor já estudados.

Electrónica 2 9
 Circuito equivalente AC e de pequenos sinais
Circuito equivalente AC

Fonte Comum Emissor Comum Colector Comum

Circuito equivalente para pequenos sinais

Electrónica 2 10
 Resistência de entrada e Ganho de tensão
Ganho de tensão
RL2
RL1
Rin

Resistência de entrada

Electrónica 2 11
 Resistência de saída

Rth

Resistência de saída

Electrónica 2 12
 Ganho de corrente e de potência
Fonte Comum Emissor Comum Colector Comum

A corrente de entrada fornecida pela fonte

de sinal é dada por:

A corrente fornecida pelo amplificador à

resistência de carga é:

Electrónica 2 13
 Amplificador Cascode (EC-BC)
V CC
A configuração Cascode é composta por um amplificador
RC em emissor comum seguido de um em base comum. Esta
R1 CC2 configuração tem especial interesse pois permite
CB vo aumentar a largura de banda relativamente ao Emissor
Q2 RL comum simples, como veremos adiante.
R2 Análise DC
CC1
Q1 V CC
I1
vs R1 RC  1 I B1 
R3
RE CE 1 I B1  2  
1 2 1 2 
I  Q2
I1   1 B1 
1 2 
Resolvendo o sistema formado pelas equações das malhas R2
I B1 1 I B1
assinaladas obteremos o valor das correntes desconhecidas
Q1
I 
 I   I  I1   1 B1   I B1
R1I1  R2  I1  1 B1   R3  I1  1 B1  I B1   VCC 1 2  1  1 I B1
 2 1   2 1  R3 RE
 I 
R3  I1  1 B1  I B1   0.7  RE 1  1I B1
 2 1 

Electrónica 2 14
 Amplificador Cascode (EC-BC)
Análise AC Circuito equivalente para pequenos sinais
Q2 C2
vo vo

Q1 B1 C1 E2 g mv  2 R L'
vs vs
R L' + -
R BB R BB r 1 v1 r 2 v2
- g mv  1 +
E1 B2

RBB  R2 // R3 RL ' RC // RL Substituindo em (1) temos:

g g r    
vo   g m2v 2 RL ' 1 vo   m1 m 2  2  RL ' v 1   g m1  2  RL ' vs
 1  g m 2 r 2   1  2 
No nó do Emissor 2 temos:
v Pelo que o ganho de tensão será:
g m1v 1   2  g m 2v 2 vo   
r 2 Av    g m1  2  RL '
g m1r 2v 1 vs  1  2 
v 2 
1  g m 2 r 2 Av   g m1RL ' (Ganho do EC) Quando 𝛽2 ≫ 1

Electrónica 2 15
 Par Darlington
O par Darlington é composto por dois transístores com os colectores ligados entre si e com o emissor do
primeiro ligado à base do segundo, formando um transístor composto cuja principal característica é apresentar
um ganho de corrente muito elevado. Esta configuração pode ser construída também com transístores PNP.
Ou até com um PNP e um NPN sendo nesse caso chamado de par Sziklai (ou Darlington complementar).
Par Darlington C
 1I B 1 I C 1  IC 2  [ 1   21 1]I B 1
IC
c1

b1
c2 I C 2   2I B 2  21 1I B 1
B Q1 Q1
IB
Q2
IB1
e1 b2
Q2
e2
I E 2  1 2I B 2 1 11 2I B 1
E I E 1  1 1I B 1  I B 2
Par Sziklai

Se 1 = 2 =  e assumindo 
muito grande temos:
IC   2 IB

Electrónica 2 16
 Modelo de pequenos sinais para o par Darlington
O modelo para pequenos sinais é obtido substituindo cada transístor pelo seu modelo pi-hibrido.

C b1 c1
c1 +
b1
c2 r 1 V 1 g m 1V  1


B Q1
-
Q2 c2
e1 b2 e1 b2 +
e2
r 2 V 2 g m 2V  2
E -
e2

Modelo -hibrido considerando (ro1 = ro2 = )

Electrónica 2 17
 Exercício: Amplificador multiandar com darlington
Considere o circuito, com determine:

(a) O ponto de funcionamento em repouso de Q1 e Q2; 1   2  100

(b) O ganho de tensão vo/vs; VA1  VA2  
(c) Resistência de entrada Ris;

(d) Resistência de saída Ro

VBE1  VBE 2  0.7 V

Electrónica 2 18
 Exercício: Amplificador multiandar com acoplamento DC
Considere que em repouso os transístores apresentam IC =1mA , com RC1= RC2= 4.7k, R1= 56k, RE1= RE2=
1k, R2= R4= 10k, R3= 33k, βF = 100, VA , determine:

(a) O ganho de tensão vo/vs;

(b) Resistência de entrada Ris;

(b) Resistência de saída Ro ;

(d) O ganho de corrente com uma resistência de carga de 1k 

Ro

Ri

Electrónica 2 19
 Exercício
Considere o circuito, com βF = 100, VA = 70 V, determine:

(a) O ponto de funcionamento em repouso de Q1 e Q2;

(b) O ganho de tensão vo/vs;

(c) Resistência de entrada Ris;

(d) Resistência de saída Ro

Ro

Ri

Electrónica 2 20
 Exercício
Considere o circuito, com βF = 100, VA = 70 V, K=0.5 mA/V2, Vt= 1 V, e λ = 0.02 V-1, determine:
(a) O ponto de funcionamento em repouso dos transístores;

(b) O ganho de tensão vo/vs;

(c) Resistência de entrada Ri;

(d) Resistência de saída Ro

Ro

Ri

Electrónica 2 21
Fontes de Corrente com
transístores
Electrónica 2
 Fontes de corrente
Conceito : Uma fonte de corrente independente ideal deverá ser capaz de manter uma corrente de valor fixo
através de um circuito, independentemente da tensão aos seus terminais.
 Resistência interna infinita.
Não sendo possível de implementar com um componente único, este conceito será implementado recorrendo
a uma fonte de corrente “ideal” replicando o seu valor através de transístores bipolares ou MOS.

Electrónica 2 23
 Fonte de corrente com TJB

Conceito : Uma fonte de corrente independente ideal deverá ser capaz de manter uma corrente de valor fixo
através de um circuito, independentemente da tensão aos seus terminais.
 Resistência interna infinita.
Não sendo possível de implementar com um componente único, este conceito será implementado recorrendo
a uma fonte de corrente “ideal” de referência, replicando o seu valor através de transístores bipolares ou MOS.
O espelho de corrente é formado por dois transístores (geralmente iguais), um dos quais ligado como díodo
para impor uma tensão VBE (V1) constante .
A resistência de saída e a gama de tensões de funcionamento é definida por Q1.

Electrónica 2 24
 Fonte de corrente com TJB

Para transístores iguais e com  elevado teremos:

De notar que a corrente de referência é fornecida por uma resistência!

• Poderemos dizer que esta se comporta como uma fonte de corrente constante enquanto a tensão aos seus
terminais for constante, logo as fontes de alimentação não deverão variar.

Electrónica 2 26
 Fonte de corrente múltipla com TJB
A mesma corrente de referência pode ser usada para gerar outras de diferentes magnitudes e direcções.
Usando transístores em paralelo teremos correntes múltiplas de IREF.
Com transístores PNP teremos uma fonte que “fornece” corrente ao circuito, enquanto que com NPN teremos
uma fonte que “absorve” corrente do circuito.

Electrónica 2 27
 Análise do espelho de corrente com TJB
Considerando  finito, escrevendo as relações entre as correntes nos vários ramos temos:

Considerando o efeito de Early,

Pelo que a resistência de saída será:

Electrónica 2 28
 Espelho de corrente melhorado com TJB
A dependência de  imposta pela corrente de base dos transístores pode ser compensada
recorrendo a outro transístor:
Em vez de:

Teremos agora:

Mantendo-se a resistência de saída

inalterada:

Electrónica 2 29
 Espelho de corrente de Wilson com TJB
Para melhorar (aumentar) a resistência equivalente da fonte podemos recorrer à topologia de
Wilson:
Além de aumentar Ro, esta
configuração, reduz também a
diferença entre IO e IREF de forma
semelhante ao circuito anterior.

Electrónica 2 30
 Fonte de corrente de Widlar com TJB
A configuração de Widlar permite aumentar a resistência equivalente da fonte face ao espelho de
corrente simples e manter os valores das resistências mais baixos no caso de querermos
correntes de saída baixas. Esta característica é de especial importância nos circuitos integrados
onde a implementação de resistências ocupa tipicamente uma área maior que a dos transístores :

A introdução do RE faz baixar VBE2 o

que reduz IO face a IREF.

Electrónica 2 31
 Fonte de corrente com Mosfet
Ambos os transístores partilham a mesma tensão VGS.
Se os transístores forem iguais teremos IO=IREF, caso contrário
teremos :

Io （W L) 2

I REF （W L)1

Esta relação é mantida enquanto Q2 estiver na zona de

saturação (VDS>VGS-Vt).
A Corrente de saída varia ligeiramente com a tensão Vo devido
à resistência de saída finita.

Logo:

Electrónica 2 32
 Fonte de corrente Wilson com Mosfet

Fonte de Wilson (à esquerda) permite obter uma resistência de saída mais elevada.

A introdução de mais um transístor permite uma distribuição mais equilibrada das tensões nos Mosfet .

Electrónica 2 33
 Fonte de corrente Cascode com Mosfet

A resistência de saída será semelhante ao

circuito anterior:

O inconveniente desta configuração é a

necessidade de usar tensões maiores para
acomodar os transístores empilhados.
Neste caso temos que garantir que
𝑉𝑂 > 2𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡
Para manter os transístores de saída na zona
de saturação.

Electrónica 2 34
 Fonte de corrente múltipla com Mosfet
O circuito seguinte mostra um exemplo de direccionamento de correntes recorrendo a
mosfets de canal N e P.

Electrónica 2 35
 Aplicação amplificador em fonte comum com carga activa

A utilização de uma fonte de corrente como carga de um amplificador permite

maximizar o ganho de tensão devido à sua alta resistência equivalente.

Electrónica 2 36
 Aplicação amplificador em porta comum com carga activa

A utilização de uma fonte de corrente como carga de um amplificador permite

maximizar o ganho de tensão devido à sua alta resistência equivalente.

Electrónica 2 37
 Aplicação amplificador MOS cascode com carga cascode

A utilização de uma fonte de corrente como carga de um amplificador permite

maximizar o ganho de tensão devido à sua alta resistência equivalente.

Para transístores equivalentes (gm e

ro semelhantes) temos.

Que é bastante elevado.

Electrónica 2 38
 Exercício : fonte de corrente Cascode com Mosfet

Considerando: IREF=1mA; VDD=5V e transístores

iguais com Vt=0.5V; K=4mA/V2 e =0.05V-1
Calcular as tensões, correntes e resistências
equivalentes assinaladas no circuito.

Electrónica 2 39
 Exercício : amplificador com carga activa

Considere o amplificador com carga activa da

figura, de notar que o circuito de polarização
da base de Q1 não é mostrado.
a) Desprezando as correntes de base de Q2 e
Q3 e considerando VBE=0,7V calcule o
valor de I.
b) Considerando que Q1 e Q2 apresentam
|VA|=30V calcule a resistência total vista no
colector de Q1.
c) Assumindo  = 50 calcule Rin, Av e Ro.

Electrónica 2 40