Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
Eletrônica Geral:
Amplificadores a Transistor
Adenes Schwantz
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
Índice
1. Amplificador a Transistor .......................................................................................... 4
1.1. Amplificador de Pequenos Sinais ............................................................................ 4
1.1.1. Amplificador de Pequenos Sinais em Emissor Comum ........................................ 5
1.1.2. Amplificador de Pequenos Sinais em Coletor Comum ......................................... 9
1.1.3. Amplificador de Pequenos Sinais em Base Comum ........................................... 12
1.1.4. Comparação entre as características das configurações.................................... 15
1.2. Ganhos em dB ....................................................................................................... 16
1.3. Acoplamento e Desacoplamento .......................................................................... 18
1.4. Casamento de Impedância.................................................................................... 22
1.5. Classes de Operação ............................................................................................. 23
1.5.1. Amplificador Classe A ......................................................................................... 23
1.5.2. Amplificador Classe B ......................................................................................... 23
1.5.3. Amplificador classe C .......................................................................................... 24
1.5.4. Amplificador Classe D ......................................................................................... 24
1.5.5. Comparação entre as Classes de Amplificadores ............................................... 25
2. Amplificadores de Áudio ......................................................................................... 26
2.1. Faixa de Frequência de Áudio ............................................................................... 26
2.2. Curva de Resposta em Frequência ........................................................................ 27
2.2.1. Bandas de frequências ........................................................................................ 28
2.2.2. Levantamento da Curva de Resposta em Frequência de um Amplificador ....... 29
2.3. Amplificadores Transistorizados ........................................................................... 31
2.3.1. Pré-amplificadores .............................................................................................. 32
2.3.2. Amplificadores Intermediários ........................................................................... 33
2.3.3. Etapas de Potência.............................................................................................. 34
2.3.4. Análise de Circuitos Amplificadores ................................................................... 35
2.4. Amplificadores de Áudio Integrados..................................................................... 38
2.5. Microfones ............................................................................................................ 40
2.5.1. Tipos de Microfones ........................................................................................... 40
2.5.2. Padrão polar dos microfones.............................................................................. 42
2.6. Alto falantes .......................................................................................................... 43
2.6.1. Principio de Funcionamento ............................................................................... 43
2.6.2. Faixa de Frequência de Operação ...................................................................... 45
3. Bibliografia ............................................................................................................... 46
Apêndice I – Respostas ................................................................................................... 46
Adenes Schwantz 2
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
Adenes Schwantz 3
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
1. Amplificador a Transistor
1.1. Amplificador de Pequenos Sinais
E E E E
Adenes Schwantz 4
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
𝑖𝐸 = 𝐼𝐸 + 𝑖𝑒 𝑣𝐵 = 𝑉𝐵 + 𝑣𝑏
Adenes Schwantz 5
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
VCC
A diferença entre o circuito de polari-
zação do item 1.4.5 e do amplificador de sinais é
a adição dos capacitores 𝐶𝐵 , 𝐶𝐶 e 𝐶𝐸 , do resistor
R R 1
de carga 𝑅𝐿 e da fonte de sinal 𝑣𝑖 .
C
R1 RC R1 RC
CC
CB
RL RL
vi vi
R2 RE CE R2 RE
(1) (2)
R1 RC
RC RL
vi R1 R2
RL
vi
R2
(3) (4)
Adenes Schwantz 6
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
ii io
vi vo
ib
vi R1 R2 (1+b)re bib RC RL
Zi Zo
(5)
Adenes Schwantz 7
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
Adenes Schwantz 8
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
ii io
vi vo
ib
RC RL
Vi RTH (1+b)re 200ib
1mVp 7,5kW 1,5kW 1kW
Zi Zo
𝜙𝑇 26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = = 15,03Ω (𝛽 + 1)𝑟𝑒 = (200 + 1)15,03Ω = 3021Ω
𝐼𝐸 1,73𝑚𝐴
1 1
𝑍𝑖 = = = 2,15𝑘Ω
1 1 1 1 1 1
+ + + +
𝑅1 𝑅2 (𝛽 + 1)𝑟𝑒 30𝑘Ω 10𝑘Ω 3021Ω
𝑍𝑜 = 𝑅𝑐 = 1,5𝑘Ω
𝐼𝑐 𝑅𝐶 𝑅𝐿 1,73𝑚𝐴 1,5𝑘Ω. 1𝑘Ω
𝐴𝑣 = − =− = −39,92
𝜙 𝑇 𝑅𝐶 + 𝑅𝐿 26𝑚𝑉 1,5𝑘Ω + 1𝑘Ω
𝑍𝑖 2,15𝑘Ω
𝐴𝑖 = −𝐴𝑣 = −(−39,92) = 85,83
𝑅𝐿 1𝑘Ω
𝑣𝑜 = −𝐴𝑣 𝑣𝑖 = −39,92.1𝑚𝑉𝑝 = −39,92𝑚𝑉𝑝
Adenes Schwantz 9
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
R1 R1
CB
vi CE
vi
R2 RE RL R2 RE RL
(1) (2)
R1
vi R1 R2
RE RL
vi
R2 RE RL
(3) (4)
ii
vi
ib
(1+b)re bib
vi R1 R2
vo
io
RE RL
Zi Zo
(5)
A impedância de entrada (𝑍𝑖 ) é dada por
1
𝑍𝑖 =
1 1 1
+ + 𝑅 𝑅
𝑅1 𝑅2
(𝛽 + 1) (𝑟𝑒 + 𝐸 𝐿 )
𝑅 +𝑅 𝐸 𝐿
A impedância de saída (𝑍𝑜 ) é dada por
𝑅𝐸 𝑟𝑒
𝑍𝑜 =
𝑅𝐸 + 𝑟𝑒
Adenes Schwantz 10
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
𝑅𝐸 //𝑅𝐿
𝑣
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 //𝑅𝐿 𝑖
𝐴𝑣 =
𝑣𝑖
𝑅𝐸 //𝑅𝐿
𝐴𝑣 =
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 //𝑅𝐿
ii
vi
ib
(1+b)re bib
RTH
vi 14,85kW vo
io
RE RL
2,5kW 100W
Zi Zo
Adenes Schwantz 11
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
𝜙𝑇 26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = = 13,93Ω (𝛽 + 1)𝑟𝑒 = (200 + 1)13,93Ω = 2794Ω
𝐼𝐸 1,87𝑚𝐴
1
𝑍𝑖 =
1 1 1
+ + 𝑅𝐸 𝑅𝐿
𝑅1 𝑅2
(𝛽 + 1) (𝑟𝑒 +
𝑅𝐸 + 𝑅𝐿 )
1
𝑍𝑖 =
1 1 1
+ +
27𝑘Ω 33𝑘Ω 2,5𝑘Ω. 100Ω
(200 + 1) (13,93Ω + )
2,5𝑘Ω + 100Ω
1
𝑍𝑖 =
1 1 1
+ +
27𝑘Ω 33𝑘Ω 201(13,93Ω + 96,15Ω)
1
𝑍𝑖 = = 8,88𝑘Ω
1 1 1
+ +
27𝑘Ω 33𝑘Ω 22,12𝑘Ω
1 1
𝑍𝑜 = = = 13,85Ω
1 1 1 1
+ +
𝑅𝐸 𝑟𝑒 2,5𝑘Ω 13,93Ω
𝑅𝐸 𝑅𝐿
𝑅𝐸 + 𝑅𝐿
𝐴𝑣 =
𝑅 𝑅
𝑟𝑒 + 𝐸 𝐿
𝑅𝐸 + 𝑅𝐿
2,5𝑘Ω. 100Ω
2,5𝑘Ω + 100Ω 96,15Ω
𝐴𝑣 = = = 0,8735
2,5𝑘Ω. 100Ω 13,93Ω + 96,15Ω
13,93Ω +
2,5𝑘Ω + 100Ω
𝑍𝑖 8,88𝑘Ω
𝐴𝑖 = 𝐴𝑣 = 0,8735 = 77,64
𝑅𝐿 100Ω
R1 CE RC
CC
RL
CB
vi R2 RE
Adenes Schwantz 12
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
R1 CE RC R1 RC
CC
RL RL
CB
vi R2 RE R2 RE vi
(1) (2)
RC
RL vi RE RC RL
RE vi
(3) (4)
vo
ib
io
(1+b)re bib
RC RL
vi
ii
vi
RE
Zi Zo
(5)
Adenes Schwantz 13
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
𝐼𝐶 𝑅𝐶 𝑅𝐿
𝐴𝑣 =
𝜙 𝑇 𝑅𝐶 + 𝑅𝐿
C 1kW
Vi
B
100mF R E R 𝐼𝐵 =
7,5𝑘Ω + (200 + 1)1𝑘Ω
2
1mVp 10kW 1kW
1,8𝑉
𝐼𝐵 = = 8,63𝜇𝐴
208,5𝑘Ω
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = 200.8,63𝜇𝐴 = 1,73𝑚𝐴
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶
𝑉𝐶 = 10𝑉 − 1,5𝑘Ω. 1,73𝑚𝐴
𝑉𝐶 = 10𝑉 − 2,59𝑉
𝑉𝐶 = 7,41𝑉
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 = 1,73𝑚𝐴 + 8,63𝜇𝐴 = 1,73𝑚𝐴
𝑉𝐸 = 𝑅𝐸 𝐼𝐸 = 1,73𝑚𝐴. 1𝑘Ω = 1,73𝑉
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 7,41𝑉 − 1,73𝑉 = 5,68𝑉
vo
ib
io
(1+b)re 200ib
RC RL
1,5kW 1kW
vi
ii
RE vi
1kW
Zi Zo
𝜙𝑇 26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = = 15,03Ω (𝛽 + 1)𝑟𝑒 = (200 + 1)15,03Ω = 3021Ω
𝐼𝐸 1,73𝑚𝐴
𝑅𝐸 𝑟𝑒 1𝑘Ω. 15,03Ω
𝑍𝑖 = = = 14,81Ω
𝑅𝐸 + 𝑟𝑒 1𝑘Ω + 15,03Ω
𝑍𝑜 = 𝑅𝑐 = 1,5𝑘Ω
Adenes Schwantz 14
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
Configuração 𝑍𝑖 𝑍𝑜 𝐴𝑣 𝐴𝑖
Base Comum 14,81Ω 1,5𝑘Ω 39,92 0,5912
Coletor Comum 2,29𝑘Ω 13,85Ω 0,8735 20
Emissor Comum 2,15𝑘Ω 1,5𝑘Ω −39,92 85,83
Exercícios
RC
RC RC 1,2kW CC
RB
27kW 3,9kW
300kW
CC
CB
VBE=0,7V
CB b=150 VBE=0,6V
VBE=0,67V b=200
b=225
CC
100mVp CE
RL
1mVp 10kW RE RL RL
RE RE 2,2kW 1,5kW 680W
CE
15kW 3,3kW
RE
50mV 180W
-5V
Adenes Schwantz 15
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
6V 6V 30V 30V
40V 40V
R1 RC R1 RC
47kW 12kW 100kW 2,2kW
RB RC
270kW 430W
CC CC
VBE=0,7V RL VBE=0,7V RL
CB CC b=285 27kW b=285 10kW
CB CB
VBE=0,75V RL R2
20mV 250mV RE 60mV R2 RE
b=325 470W 10kW 1,5kW CE 15kW 560W CE
1.2. Ganhos em dB
Adenes Schwantz 16
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
Exercícios
Adenes Schwantz 17
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
1
𝑋𝐶 =
2𝜋𝑓𝑐 𝐶
C
R 1 1 1
1V 10kW 𝐶= = = = 15,92𝑛𝐹
2𝜋𝑓𝑐 𝑋𝐶 2𝜋𝑓𝑐 𝑅 2𝜋. 1𝑘𝐻𝑧. 10𝑘Ω
1 𝑋𝐶 = 10𝑘Ω 𝑋𝐶 = 100Ω
𝑋𝐶 =
2𝜋. 10𝐻𝑧. 15,92𝑛𝐹
𝑋𝐶 = 1𝑀Ω 𝑍 = √𝑅2 + 𝑋𝐶2 𝑍 = √𝑅2 + 𝑋𝐶2
Exercícios
vo
1.7 – Determine o capacitor para que um circuito com re-
sistência de 4W tenha frequência de corte de 7kHz. vi
R2
680W
Adenes Schwantz 19
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
exemplo da seção 1.1.1 para que tenha uma frequên- (1+b)re bib
Adenes Schwantz 20
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
Capacitor de Emissor
CB
CC
Do ponto de vista do capacitor de emissor,
o resistor 𝑅𝑇𝐻 está curto circuitado e os re-
(1+b)re bib sistores de coletor e carga não são conside-
rados, pois a fonte de corrente foi substituí-
da por um circuito aberto. Assim, a reatân-
RTH RC RL
vi 7,5kW 1,5kW 1kW
𝑅𝐸 𝑟𝑒 1𝑘Ω. 15,03Ω
𝑋𝐶𝐸 = = = 14,8074Ω
𝑅𝐸 + 𝑟𝑒 1𝑘Ω + 15,03Ω
1 1
𝐶𝐸 = = = 537,42𝜇𝐹
2𝜋𝑓𝑐 𝑋𝐶𝐸 2𝜋. 20𝐻𝑧. 14,8074Ω
Capacitor de Coletor
CB
CC
Do ponto de vista do capacitor de coletor,
somente são considerados os resistores de
(1+b)re bib coletor e de carga. A reatância equivalente e
o valor do capacitor de coletor são Determi-
nedos por
RTH RC RL
vi 7,5kW 1,5kW 1kW
RE
1kW CE 𝑋𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 + 𝑅𝐿 = 1,5𝑘Ω + 1𝑘Ω = 2,5kΩ
1 1
𝐶𝐶 = = = 3,18𝜇𝐹
2𝜋𝑓𝑐 𝑋𝐶𝐶 2𝜋. 20𝐻𝑧. 2,5𝑘Ω
Exercícios
frequências: b=250
C2
33nF
VBE=0,7V
a) 120Hz b) 25Hz c) 10kHz 1mVp
600Hz
RE RL
d) 10Hz e) 200Hz f) 45Hz 1,5kW 2kW
Adenes Schwantz 21
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
1.11 – Se o capacitor C1 do circuito do item anterior for trocado por C2, qual a fre-
quência de corte?
Zfonte
ESTÁGIO
vs Zi AMPLIFICADOR Zo RL
R1
560W
R1
10mV R2 50mA R2
2,7kW
(a) (b)
Adenes Schwantz 22
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
vi vo
VCEq
VCC
VRL
Distorção
vi vo
Crossover
Adenes Schwantz 23
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
vi
vo VCC
t
vi
-VBB t
Amplificador
PWM Classe D
Filtro
Adenes Schwantz 24
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
SAÍDA BAIXA
CODIFICADOR
PWM
ENTRADA
SAÍDA
SAÍDA ALTA
-VCC
Classe A AB B C D
Ciclo de Operação 360° 180° 160° 120° 360° (pulsado)
Eficiência 25%-50% 25%-78% 78% 90% >95%
Exercícios
Adenes Schwantz 25
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
2. Amplificadores de Áudio
Amplificadores de áudio são equipamentos capazes de receber sinais de di-
ferentes fontes, como microfones, captadores de instrumentos, saídas de reproduto-
res de áudio, etc..., equalizar os sinais (ajustar todos os sinais para uma mesma ampli-
tude máxima, com resposta em frequência plana), combiná-los, converter a tensão
contínua de sua alimentação em tensão alternada que são uma cópia da combinação
dos sinais de entrada, com amplitude e potência necessárias para acionar sistemas de
alto falantes, que convertem o sinal elétrico em ondas sonoras.
Adenes Schwantz 26
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
Adenes Schwantz 27
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
Adenes Schwantz 28
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
𝐵𝑊 = 𝑓𝑠 − 𝑓𝑖
É importante ressaltar que todo equipamento de áudio: captador, microfo-
ne, equalizador, amplificador, mixer, alto falantes, cornetas, tweeters, etc..., tem sua
própria característica de resposta em frequência e que as respostas em frequência dos
componentes de um sistema interagem entre si. Assim, mesmo que o amplificador
tenha boa resposta em toda a faixa de frequência de áudio (20Hz a 20kHz), terá fraco
desempenho em altas frequências, se o alto falante utilizado for otimizado para repro-
dução de graves (frequências baixas).
Adenes Schwantz 29
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
Exemplo:
Após o registro das amplitudes dos sinais de entrada e saída de um amplifi-
cador, com várias frequências, a tabela abaixo foi montada. Determine os ganhos de
tensão absolutos e em dB e o ganho de potência em dB, dada as impedâncias de 47kW
e 2W para a entrada e a saída do amplificador, respectivamente. Determine as fre-
quências de corte inferior e superior e a largura de banda do amplificador. Traça a cur-
va de resposta em frequência.
𝒇(𝑯𝒛) 𝑽𝒊 (𝑹𝑴𝑺) 𝑽𝒐 (𝑹𝑴𝑺) 𝑨𝑽 𝑨𝑽(𝒅𝑩) 𝑨𝑷(𝒅𝑩) 𝐥𝐨𝐠(𝒇)
5 0,020 0,55 27,5 28,79 72,50 0,6990
10 0,020 1,72 86 38,69 82,40 1,0000
20 0,020 3,11 155,5 43,83 87,55 1,3010
30 0,020 3,65 182,5 45,23 88,94 1,4771
50 0,020 4,01 200,5 46,04 89,75 1,6990
100 0,020 4,18 209 46,40 90,11 2,0000
200 0,020 4,23 211,5 46,51 90,22 2,3010
300 0,020 4,24 212 46,53 90,24 2,4771
500 0,020 4,24 212 46,53 90,24 2,6990
1000 0,020 4,24 212 46,53 90,24 3,0000
2000 0,020 4,21 210,5 46,47 90,18 3,3010
3000 0,020 4,17 208,5 46,38 90,09 3,4771
5000 0,020 4,03 201,5 46,09 89,80 3,6990
10000 0,020 3,49 174,5 44,84 88,52 4,0000
12000 0,020 3,23 161,5 44,16 87,87 4,0792
13000 0,020 3,10 155 43,81 87,52 4,1139
15000 0,020 2,84 142 43,05 86,76 4,1761
20000 0,020 2,23 111,5 40,95 84,66 4,3010
25000 0,020 1,73 86,5 38,74 82,45 4,3979
30000 0,020 1,34 67 36,52 80,23 4,4771
Adenes Schwantz 30
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
90,24
87,24
Adenes Schwantz 31
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
Os transistores utilizados nos três blocos podem utilizar quaisquer das con-
figurações básicas: base comum, coletor comum ou emissor comum. A diferença notá-
vel entre as etapas está na capacidade de dissipação de potência.
Os amplificadores atuais utilizam, frequentemente, circuitos integrados,
que têm incorporado os três blocos básicos. De qualquer forma, o importante é co-
nhecer o comportamento dos nós internos de um circuito amplificador transistorizado
de relativa complexidade. Assim a descrição dos blocos pré-amplificador, amplificador
intermediário e etapa de potência se baseiam em circuitos discretos.
2.3.1. Pré-amplificadores
Adenes Schwantz 32
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
15
10
5
G (dB)
-5
-10
-15
-20
1 2 3 4 5
10 10 10 10 10
f (Hz)
Adenes Schwantz 33
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
Adenes Schwantz 34
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
Nessa seção será dada uma ênfase maior aos circuitos amplificadores mais
complexos. O circuito da figura abaixo representa uma implementação possível de um
amplificador, com as três etapas estudadas. Neste circuito, Q1 representa o estágio
pré amplificador, enquanto que Q2 o amplificador intermediário e Q3 e Q4 a etapa de
potência.
O mais importante nesta análise é Determiner o caminho por onde o sinal
é processado pelo amplificador, ou seja, a identificação das configurações emissor co-
mum, coletor comum ou base comum e, em consequência disso, saber onde é a en-
trada e a saída do sinal em cada estágio de ganho.
Adenes Schwantz 35
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
Exercícios
2.13 – Verifica em qual configuração está cada um dos transistores das figuras
abaixo.
2.14 – Aponta o caminho percorrido pelo sinal alternado desde a entrada até a
saída nos circuitos abaixo.
2.15 – Qual a função do potenciômetro nos circuitos?
2.16 – Qual a função dos diodos nos circuitos?
Adenes Schwantz 36
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
(a)
(b)
(c)
Adenes Schwantz 37
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
(d)
(e)
Adenes Schwantz 38
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
Este circuito é composto por dois TDA2002 com fase invertida (o TDA2002
da esquerda é um amplificador operacional não inversor com ganho 101, enquanto
que o da esquerda é um inversor com ganho 100), assim os ganhos se somam, totali-
zando um ganho de 201. Os circuitos RC (R2 C3 e R7 C8) funcionam como filtro passa-
baixas para limitar a frequência de corte superior. Este circuito foi retirado do catálogo
do CI TDA2002, publicado pela Fairchild Linear Integrated Circuit.
Adenes Schwantz 39
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
2.5. Microfones
Este microfone é composto por duas placas, uma fixa e outra móvel. A vi-
bração sonora movimenta a placa móvel, variando a capacitância entre as placas.
Este microfone necessita de alimentação DC para o circuito eletrônico in-
corporado ao microfone que converte a variação da capacitância em sinal elétrico. A
alimentação pode ser fornecida por pilhas incorporadas no microfone ou ser enviada
pelo cabo de sinal (normalmente 48VDC).
Adenes Schwantz 40
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
Adenes Schwantz 41
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
Este tipo de microfones são muito utilizados em shows, karaokê, reportagens, grava-
ções externas, etc ...
É uma variação do microfone dinâmico, que utiliza uma fita metálica muito
fina, imersa em um forte campo magnético. Diferente do dinâmico, o microfone de fita
detecta a aceleração do ar devido à diferença da pressão sonora, em vez da pressão
sonora em si. Por isso são considerados microfones de velocidade.
2.5.2.1. Omnidirecional
2.5.2.2. Unidirecional
Adenes Schwantz 42
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
2.5.2.3. Shotgun
Exercícios
Adenes Schwantz 43
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
Adenes Schwantz 44
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
Tampa
Traseira
PZT
Corneta
Externa
Transformador
Separador
Cone
Adenes Schwantz 45
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
Exercícios
3. Bibliografia
Apêndice I – Respostas
1.1.a) 𝑍𝑖 = 2,77𝑘Ω; 𝑍𝑜 = 3,9𝑘Ω; 𝐴𝑣 = −162,13; 𝐴𝑖 = 44,97
1.1.b)𝑍𝑖 = 93,64𝑘Ω; 𝑍𝑜 = 9,59Ω; 𝐴𝑣 = 0,9893; 𝐴𝑖 = 61,76
1.1.c)𝑍𝑖 = 1,06Ω; 𝑍𝑜 = 1,2𝑘Ω; 𝐴𝑣 = 406,04; 𝐴𝑖 = 0,6314
1.1.d)𝑍𝑖 = 178,74Ω; 𝑍𝑜 = 430Ω; 𝐴𝑣 = −408,05; 𝐴𝑖 = 155,18
1.1.e)𝑍𝑖 = 6,57𝑘Ω; 𝑍𝑜 = 12𝑘Ω; 𝐴𝑣 = −73,44; 𝐴𝑖 = 17,86
1.1.f)𝑍𝑖 = 1,27𝑘Ω; 𝑍𝑜 = 2,2𝑘Ω; 𝐴𝑣 = −366,69; 𝐴𝑖 = 46,41
1.2) 137,75𝑚𝑉
1.3) −18,06𝑑𝐵
1.4) 101,21𝑑𝐵
Adenes Schwantz 46
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
1.5) 230,68𝑚𝐴
1.6) 424,41𝐻𝑧
1.7) 5,68𝜇𝐹
1.8)
𝑓 𝑋𝐶 𝑍 𝑣𝑜 /𝑣𝑖 𝐺𝑉
10 𝐻𝑧 33,8628𝑘Ω 33,8696𝑘Ω 0,0200770 −33,95 𝑑𝐵
20 𝐻𝑧 16,9314𝑘Ω 16,9450𝑘Ω 0,0401298 −27,93 𝑑𝐵
30 𝐻𝑧 11,2876𝑘Ω 11,3080𝑘Ω 0,0601342 −24,42 𝑑𝐵
50 𝐻𝑧 6,7726𝑘Ω 6,8066𝑘Ω 0,0999030 −20 𝑑𝐵
100 𝐻𝑧 3,3863𝑘Ω 3,4539𝑘Ω 0,1968802 −14,12 𝑑𝐵
200 𝐻𝑧 1,6931𝑘Ω 1,8246𝑘Ω 0,3726872 −8,57 𝑑𝐵
300 𝐻𝑧 1,1288𝑘Ω 1,3178𝑘Ω 0,5160266 −5,75 𝑑𝐵
500 𝐻𝑧 677,26Ω 959,73Ω 0,7085354 −2,99 𝑑𝐵
1𝑘𝐻𝑧 338,63Ω 759,65Ω 0,8951487 −0,962 𝑑𝐵
2𝑘𝐻𝑧 169,31Ω 700,76Ω 0,9703725 −0,261 𝑑𝐵
3𝑘𝐻𝑧 112,88Ω 689,30Ω 0,9865013 −0,118 𝑑𝐵
5𝑘𝐻𝑧 67,73Ω 683,36Ω 0,9950769 −0,043 𝑑𝐵
10𝑘𝐻𝑧 33,86Ω 680,84Ω 0,9987624 −0,011 𝑑𝐵
1.9.a) 𝐶𝐵 = 560𝑛𝐹; 𝐶𝐶 = 1𝜇𝐹; 𝐶𝐸 = 82𝜇𝐹
1.9.b)𝐶𝐵 = 680𝑛𝐹; 𝐶𝐶 = 4,7𝜇𝐹
1.9.c)𝐶𝐶 = 82𝑛𝐹; 𝐶𝐸 = 15𝜇𝐹
1.9.d)𝐶𝐵 = 100𝜇𝐹; 𝐶𝐶 = 180𝜇𝐹
1.9.e)𝐶𝐵 = 120𝑛𝐹; 𝐶𝐶 = 220𝑛𝐹; 𝐶𝐸 = 8,2𝜇𝐹
1.9.f)𝐶𝐵 = 3,3𝜇𝐹; 𝐶𝐶 = 3,3𝜇𝐹; 𝐶𝐸 = 820𝜇𝐹
1.10) 𝑓𝐶𝐵 = 154,4𝐻𝑧; 𝑓𝐶𝐸 = 2,41𝑘𝐻𝑧 → 𝑓𝑐 = 2,41𝐻𝑧
1.11)𝑓𝐶𝐵 = 38,37𝐻𝑧; 𝑓𝐶𝐸 = 9,68𝑘𝐻𝑧 → 𝑓𝑐 = 9,68𝐻𝑧
1.12.a) M.T=Máxima Transferência
𝑅2 100Ω 220Ω 390Ω 560Ω 1𝑘Ω 1,5𝑘Ω 2,7𝑘Ω 3,3𝑘Ω 6,8𝑘Ω M.T.
𝑉𝑅2 1,52𝑚𝑉 2,82𝑚𝑉 4,11𝑚𝑉 5𝑚𝑉 6,41𝑚𝑉 7,28𝑚𝑉 8,28𝑚𝑉 8,55𝑚𝑉 9,24𝑚𝑉 6,8𝑘Ω
𝐼𝑅2 15,15𝜇𝐴 12,82𝜇𝐴 10,53𝜇𝐴 8,93𝜇𝐴 6,41𝜇𝐴 4,85𝜇𝐴 3,07𝜇𝐴 2,59𝜇𝐴 1,36𝜇𝐴 100Ω
𝑃𝑅2 22,96𝑛𝑊 36,16𝑛𝑊 43,21𝑛𝑊 44,64𝑛𝑊 41,09𝑛𝑊 35,35𝑛𝑊 24,41𝑛𝑊 22,15𝑛𝑊 12,55𝑛𝑊 560Ω
1.12.b)
𝑅2 100Ω 220Ω 390Ω 560Ω 1𝑘Ω 1,5𝑘Ω 2,7𝑘Ω 3,3𝑘Ω 6,8𝑘Ω M.T.
𝑉𝑅2 4,82𝑚𝑉 10,17𝑚𝑉 17,04𝑚𝑉 23,19𝑚𝑉 36,49𝑚𝑉 48,21𝑚𝑉 67,5𝑚𝑉 74,25𝑚𝑉 96,63𝑚𝑉 6,8𝑘Ω
𝐼𝑅2 48,21𝐴 46,23𝑚𝐴 43,69𝑚𝐴 41,41𝑚𝐴 36,49𝑚𝐴 32,14𝑚𝐴 25𝑚𝐴 22,5𝑚𝐴 14,21𝑚𝐴 100Ω
𝑃𝑅2 0,232𝑊 0,470𝑊 0,744𝑛𝑊 0,960𝑊 1,33𝑊 1,55𝑊 1,69𝑊 1,67𝑊 1,37𝑊 2,7𝑘Ω
2.5)
Faixa 𝑓𝑚𝑖𝑛 𝑓𝑚𝑎𝑥 𝜆𝑚𝑖𝑛 𝜆𝑚𝑎𝑥
Graves 20Hz 300Hz 170m 11,33m
Médios 300Hz 3kHz 11,33m 1,13m
Agudos 3kHz 20kHz 1,13m 0,17m
2.6)
Adenes Schwantz 47
Curso Superior de Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos I
Adenes Schwantz 48