AULA 7 – Transistores

Prof. Valdenir Silva

 TBJ – TRANSISTOR BIPOLAR - Histórico
1904 - Válvula diodo. J.A. Fleming. Detectores, retificadores ...

Fonte: https://www.newtoncbraga.com.br/index.php/valvulados/457-as-valvulas-o-que-voce-precisa-
sobre-esses-componentes-antigos-v001?showall=1&limitstart=
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1906 – Válvula triodo. Lee De Forest. Amplificadores, chaves ...
Anos 1920 e 1930 – produção ascendente.

Fonte: https://lista.mercadolivre.com.br/valvula-triodo

Fonte: https://www.newtoncbraga.com.br/index.php/valvulados/457-as-valvulas-o-que-voce-precisa-sobre-esses-componentes-antigos-v001?showall=1&limitstart=
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Comparação com circuito transistorizado.

Fonte: https://www.newtoncbraga.com.br/index.php/valvulados/457-as-valvulas-o-que-voce-precisa-sobre-esses-componentes-antigos-v001?showall=1&limitstart=
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Anos 1930 – Válvulas tetrodo e pentodo. Grades adicionais para melhorar o

desempenho da válvula triodo.

Fonte: https://www.researchgate.net/figure/A-valvula-eletronica-de-5-elementos-O-Pentodo_fig28_242012620
 TBJ – TRANSISTOR BIPOLAR - Histórico
1947 – John Bardeen, William Bradford Shockley, Walter Houser Brattain.
Bell Labs, EUA. Prêmio Nobel de Física em 1956. O transistor foi considerado
uma das mais importantes descobertas do séc. XX.

Fonte: https://pt.wikipedia.org/wiki/Trans%C3%ADstor#/media/Ficheiro:Bardeen_Shockley_Brattain_1948.JPG
 TBJ – TRANSISTOR BIPOLAR - Vídeo
https://www.youtube.com/watch?v=7ukDKVHnac4

6:52
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Motivação: menor tamanho e menor consumo de potência.
Outras vantagens:
Mais leve
Sem necessidade de pré-aquecimento
Mais robusto
Maior eficiência
Tensões de operação mais baixas
C C
Junções NPN

N P N
B B
Junções PNP
E E
P N P

Emissor Base Coletor Fonte: https://www.ibytes.com.br/transistores-de-sinal-sao-muito-utilizados-nas-montagens-experimentais/

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EMISSOR  Densamente dopado. Injeta portadores na base.
BASE  Muito fina e levemente dopada.
COLETOR  Nível de dopagem intermediária. Mais extenso e deve dissipar
mais calor.
Duas camadas de depleção com potencial de barreira dependente do material
de fabricação:
Ge  0,3V Si  0,7V GaAs  1,2V

Junções NPN

N P N

Junções PNP

P N P

Emissor Base Coletor

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Polarização DIRETA - DIRETA

Os diodos base-emissor e base-coletor estão diretamente polarizados.

Correntes grandes no emissor e no coletor.
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Polarização REVERSA - REVERSA

Os diodos base-emissor e base-coletor estão reversamente polarizados.

Correntes reversas pequenas no emissor e no coletor.
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Polarização DIRETA - REVERSA

O diodo base-emissor está diretamente polarizado e o diodo base-coletor está

reversamente polarizado.
O inesperado acontece, pois espera-se uma pequena corrente de coletor.
Porém, o observado é uma corrente de coletor tão grande quanto a corrente de
emissor.
https://www.youtube.com/watch?v=7ukDKVHnac4
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O diodo base-emissor está diretamente polarizado  Com Vbe > 0,7V, muitos
elétrons do emissor penetrarão na base.
2 caminhos são possíveis:
1. Seguir em direção ao terminal da base. Como a base é fina e pouco
dopada, poucas lacunas estão disponíveis e a corrente para o terminal
da base é pequena. É chamada corrente de recombinação.
2. Atravessar a junção BC. A base está repleta de elétrons que são
difundidos para o coletor pelo campo elétrico da camada de depleção BC
e fluem para o terminal do coletor atraídos pelo potencial positivo da
fonte.
A polarização direta no diodo emissor controla a quantidade de elétrons livres
injetados na base. Quanto maior for a tensão Vbe, mais elétrons serão
acelerados pela base ficando disponíveis para seguir até o coletor. Assim,
controlando uma pequena corrente de base é possível controlar uma corrente
grande no coletor, efeito que é usado em amplificadores de sinais elétricos.
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Modos de Operação

MODO Junção Base-Emissor Junção Base-Coletor

Saturação Direta Direta
Corte Reversa Reversa
Ativo Direta Reversa
Ativo Reverso Reversa Direta
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A seta define o sentido da corrente de emissor (convencional) no dispositivo.

I E  IC  I B IC
 Como IB é muito pequena, α≈1.
IE
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IC

IE
IC
 Ganho de corrente
IB
β é um parâmetro característico do dispositivo. Ex.: 2N3904  100≤ β≤300
IE I 1 1  1
I E  IC  I B   1 B   1 
IC IC   


 1


1
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VCE  VBE  VCB

VEC  VEB  VBC

A tensão VBE é a ddp através da camada de depleção do diodo emissor.

Transistor de Germânio  VBE = 0,3 V
Transistor de Silício  VBE = 0,7 V
Transistor de GaAs  VBE = 1,2 V
TBJ – TRANSISTOR BIPOLAR
Determine todas as tensões e correntes. β=100.
TBJ – TRANSISTOR BIPOLAR
Determine todas as tensões e correntes. β=100.

VE  4  0, 7  3,3V
VE 3,3
IE    1mA
RE 3k 3
 100
IC   I E  IE  *1m  0,99mA
 1 101
VC  10  RC I C  10  4k 7 *0,99m  5,3V
I B  I E  I C  1m  0,99m  0, 01mA