AULA 1 – Semicondutores

Prof. Valdenir Silva

 Programa

1) Materiais semicondutores.
 Programa

1) Materiais semicondutores.
2) Diodo em corrente contínua.
 Programa

1) Materiais semicondutores.
2) Diodo em corrente contínua.
3) Diodo em corrente alternada. Retificadores.
 Programa

1) Materiais semicondutores.
2) Diodo em corrente contínua.
3) Diodo em corrente alternada. Retificadores.
4) Diodo Zener. Regulador de tensão. Diodos especiais.
 Programa

1) Materiais semicondutores.
2) Diodo em corrente contínua.
3) Diodo em corrente alternada. Retificadores.
4) Diodo Zener. Regulador de tensão. Diodos especiais.
5) Transistores.
 Programa

1) Materiais semicondutores.
2) Diodo em corrente contínua.
3) Diodo em corrente alternada. Retificadores.
4) Diodo Zener. Regulador de tensão. Diodos especiais.
5) Transistores.
6) TBJ. Características. Reta de carga.
 Programa

1) Materiais semicondutores.
2) Diodo em corrente contínua.
3) Diodo em corrente alternada. Retificadores.
4) Diodo Zener. Regulador de tensão. Diodos especiais.
5) Transistores.
6) TBJ. Características. Reta de carga.
7) Regulador série. Reguladores integrados.
 Programa

1) Materiais semicondutores.
2) Diodo em corrente contínua.
3) Diodo em corrente alternada. Retificadores.
4) Diodo Zener. Regulador de tensão. Diodos especiais.
5) Transistores.
6) TBJ. Características. Reta de carga.
7) Regulador série. Reguladores integrados.
8) Fonte de tensão estabilizada. Fonte de corrente estabilizada.
 Programa

1) Materiais semicondutores.
2) Diodo em corrente contínua.
3) Diodo em corrente alternada. Retificadores.
4) Diodo Zener. Regulador de tensão. Diodos especiais.
5) Transistores.
6) TBJ. Características. Reta de carga.
7) Regulador série. Reguladores integrados.
8) Fonte de tensão estabilizada. Fonte de corrente estabilizada.
9) TBJ – Polarização. Amplificador de pequenos sinais. Classes.
 Programa

1) Materiais semicondutores.
2) Diodo em corrente contínua.
3) Diodo em corrente alternada. Retificadores.
4) Diodo Zener. Regulador de tensão. Diodos especiais.
5) Transistores.
6) TBJ. Características. Reta de carga.
7) Regulador série. Reguladores integrados.
8) Fonte de tensão estabilizada. Fonte de corrente estabilizada.
9) TBJ–Polarização. Amplificador de pequenos sinais. Classes Amp. Potência
10) JFET/MOSFET.
 A disciplina
COMPETÊNCIAS DESENVOLVIDAS

Conhecimento dos diversos dispositivos eletrônicos estudados.

Interpretação de diagramas eletrônicos de equipamentos.
Capacidade para analisar circuitos com diodos e transistores.
Habilidade para simular circuitos eletrônicos e emitir conclusões.
Capacidade de verificar defeitos em circuitos eletrônicos.
 A disciplina
DISCIPLINAS CORRELACIONADAS
 Bibliografia
BOYLESTAD. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. 8ª Ed.

SEDRA. Microeletrônica.

MALVINO. Eletrônica. Vol.1.

 Semicondutores
Definição  Classe de elementos cuja condutividade está entre a de
um condutor e a de um isolante.

Cristal singular  Formado por 1 elemento químico. Ex.: Ge, Si.

Cristal composto  Formado por 2 ou mais materiais de estruturas

atômicas diferentes. Ex.: GaAs.

>Sensibilidade a
variações de T
1947 >Abundância 1954 velocidade 1970

Ge Si GaAs
 Semicondutores
Modelo de Bohr do átomo

Ge e SI  4 elétrons na última

camada, os elétrons de valência.
Remoção mais fácil (potencial
necessário mais baixo).

Átomos tetravalentes. Para ser

quimicamente estáveis  8 elétrons na
última camada.

Núcleo positivo rodeado por elétrons

negativos em órbita estável.

Fonte: https://www.gratispng.com/png-bpbja2/
 Semicondutores
Cristal puro

Átomos em ligações covalentes – compartilhamento de elétrons – para

completar os 8 elétrons na órbita de valência.

Fonte: https://wiki.ifsc.edu.br/mediawiki/index.ph p/AULA_1_-_Eletr%C3%B4nica_Geral_1_-_T%C3%A9cnico

 Semicondutores
Níveis de energia
Apenas certas dimensões de órbitas são permitidas.
Energia é necessária para o deslocamento de um elétron de uma
órbita menor para uma maior.
Trabalho para vencer a atração
nuclear.
Quanto maior a órbita, mais alto é
o nível de energia.
O elétron pode ser elevado a um
nível de energia mais alto caso o
átomo receba energia externa (calor,
luz etc). O vazio que fica é a lacuna.
Ao voltar ao estado original, o
elétron devolve a energia adquirida
em forma de calor, luz etc. Fonte: https://wiki.ifsc.edu.br/mediawiki/index.ph p/AULA_1_-
_Eletr%C3%B4nica_Geral_1_-_T%C3%A9cnico
 Semicondutores
Bandas de energia
Representação dos níveis de
energia dos elétrons em uma rede
cristalina.
Elétrons com raios de órbitas
iguais, mas com níveis de energia
levemente diferentes devido ao
posicionamento no cristal.
Condução eletrônica  Depende
da quantidade de elétrons no cristal
que sejam capazes de se deslocar 
elétrons livres.
Ex.: Metal cobre  1 elétron livre
por átomo. Longe do núcleo. Banda
de condução. Fonte: https://wiki.ifsc.edu.br/mediawiki/index.ph p/AULA_1_-
_Eletr%C3%B4nica_Geral_1_-_T%C3%A9cnico
 Semicondutores
Bandas de energia

Fonte: https://wiki.ifsc.edu.br/mediawiki/index.ph p/AULA_1_-_Eletr%C3%B4nica_Geral_1_-_T%C3%A9cnico

 Semicondutores
Em um metal, pelo grande número de elétrons livres, a condução
eletrônica é grande  altas correntes
Em um cristal puro semicondutor ocorrerá a condução eletrônica se
existirem elétrons livres.

Como se
comporta
um cristal
semicondu
tor em
termos de
condução
eletrônica?

Fonte: https://wiki.ifsc.edu.br/mediawiki/index.ph p/AULA_1_-_Eletr%C3%B4nica_Geral_1_-_T%C3%A9cnico

 Semicondutores
Em um metal, pelo grande número de elétrons livres, a condução
eletrônica é grande  altas correntes
Em um cristal puro semicondutor ocorrerá a condução eletrônica se
existirem elétrons livres.

Como se
comporta
um cristal
semicondu
tor em
termos de
condução
eletrônica?

Fonte: https://wiki.ifsc.edu.br/mediawiki/index.ph p/AULA_1_-_Eletr%C3%B4nica_Geral_1_-_T%C3%A9cnico

 Semicondutores
A condutividade eletrônica em um cristal semicondutor aumenta com
o aumento da temperatura.
Zero absoluto  Não há movimentação eletrônica no cristal 
Elétrons presos nas ligações covalentes  Banda de valência
preenchida  Banda de condução vazia.
Com o aumento da temperatura a energia térmica quebra algumas
ligações promovendo alguns elétrons à banda de condução. Com uma
aplicação de ddp no cristal, observa-se uma corrente elétrica que é
maior conforme aumenta a temperatura. À T ambiente esta corrente é
pequena e esse cristal não é um condutor e nem um isolante: é um
semicondutor.
 Semicondutores
A condutividade eletrônica em um cristal semicondutor aumenta com
o aumento da temperatura.
Zero absoluto  Não há movimentação eletrônica no cristal 
Elétrons presos nas ligações covalentes  Banda de valência
preenchida  Banda de condução vazia.
Com o aumento da temperatura a energia térmica quebra algumas
ligações promovendo alguns elétrons à banda de condução. Com uma
aplicação de ddp no cristal, observa-se uma corrente elétrica que é
maior conforme aumenta a temperatura. À T ambiente esta corrente é
pequena e esse cristal não é um condutor e nem um isolante: é um
semicondutor.
 Semicondutores
A condutividade eletrônica em um cristal semicondutor aumenta com
o aumento da temperatura.
Zero absoluto  Não há movimentação eletrônica no cristal 
Elétrons presos nas ligações covalentes  Banda de valência
preenchida  Banda de condução vazia.
Com o aumento da temperatura a energia térmica quebra algumas
ligações promovendo alguns elétrons à banda de condução. Com uma
aplicação de ddp no cristal, observa-se uma corrente elétrica que é
maior conforme aumenta a temperatura. À T ambiente esta corrente é
pequena e esse cristal não é um condutor e nem um isolante: é um
semicondutor.

Existe alguma outra forma de aumentar a

condutividade eletrônica de um cristal
semicondutor?
 Semicondutores

Atividade 1:

DOPAGEM