Módulo 2

Aula 2:

Os semicondutores são uma classe específica dos materiais e com o advento desses
dispositivos a gente consegue controlar muita coisa na área de eletrônica de potência e
processamento de sinal, conseguimos controlar máquinas elétricas e promover a
telecomunicação, e são usados nas placas fotovoltaicas. São fabricados normalmente com
os mesmos materiais, mas possuem arquiteturas diferentes.
Os semicondutores são dispositivos com Gap menor que 2eV no 0 absoluto(0 kelvin). Só
por receberem energia térmica no meio ambiente, alguns elétrons já passam para a camada
de condução e com isso já conseguem conduzir eletricidade,pois são muitos sensíveis a
variação de temperatura. Com isso, cabe aos engenheiros saber quanto de energia aplicar
aos semicondutores para que eles possam atuar como condutores ou isolantes.

A condutividade dos semicondutores é muito dependente da variação de pureza, ou seja, o

nível de pureza vai influenciar muito o material. E da temperatura .

Semicondutores intrínsecos: Ao separar o silício do oxigênio que estão na sílica (areia

da praia), esse silício, semicondutor, se torna 100% puro e com isso é chamado de
intrínseco, pois ele é único, só existe um tipo de átomo que compõe sua rede cristalina. Se
usar esse silício puro para criar dispositivos elétricos, eles vão apresentar propriedades
inesperadas já que uma pequena variação de temperatura vai influenciar muito a
condutividade dos semicondutores e com um aumento da passagem de corrente o
dispositivo vai tender a aquecer demais devido ao efeito joule ( choque de elétrons na rede
cristalina). A o silício puro não pode ter energia na banda proibida, apenas na banda de
condução(disponível para gerar corrente) ou de valência(fazendo a ligação química).

Semicondutores extrínsecos: São semicondutores que possuem elementos externos

adicionados a rede cristalina do semicondutor intrínseco(puro) e esse processo de substituir
ou adicionar um átomo em uma estrutura é chamado de dopagem, processo na qual deve
ser controlado, em que a quantidade do átomo adicionado não pode passar de 2%. Ao se
passar de 2% não é mais dopagem, o processo passa a ser chamado de substituição
isomórfica. A partir dos extrínsecos, podemos criar diferentes dispositivos dependendo da
dopagem realizada. Os átomos do elemento dopante vão aparecer no meio da banda
proibida do semicondutor, ou seja, podendo parecer perto da banda de valência ou da de
condução.

Os semicondutores na tabela periódica

Eles são os metalóides, estão entre os metais e não metais. Fazem ligações covalentes,
podemos juntar os elementos das colunas II, III, V, VI, eles assumem propriedades
semicondutoras, como os GaAS(arseneto de gálio). Os semicondutores naturais são o
silício(SI), germânio (Ge) e estanho (Sn), eles apresentam 4 átomos em suas camadas de
valência e são muito sensíveis a variação de temperatura. Quanto menor o Gap do
semicondutor, menor energia é necessária para ligar e desligar o dispositivo. O silício em
um sistema controlado ele é extremamente isolante.
A mobilidade eletrônica nos semicondutores é formada por elétrons e por buracos
eletrônicos. Quando o elétron sai da banda de valência para a banda de condução e o
depois fica um burado eletrônico que afeta toda a rede cristalina. A corrente gerada pelos
elétrons se deslocando é maior que a corrente do buraco, pois ele possui maior mobilidade
eletrônica. A mobilidade em semicondutores que são feitos com uma maior quantidade de
buracos é chamada de mobilidade do tipo ‘p’, ou seja, são os semicondutores com mais
orbitais vazios na banda de valência, já no tipo ‘n’ existirão mais elétrons próximos a banda
de condução. O gap não varia com a baixa variação de temperatura, mas não é uma
verdade absoluta.

Os semicondutores intrínsecos mais conhecidos são o C(não metal), Si( semicondutor),

Ge(semicondutor), Sn(metal);
Uma placa fotovoltaica é um conjunto de átomos de silício ligados entre si, com seus 4
elétrons na última camada de valência compartilhados ao longo da rede para formar um
octeto e estabilizar. Nesse caso, o número de elétrons(partícula n) é igual ao número de
buracos (partícula p), pois cada elétron que sair vai deixar um orbital vazio. Devemos
chamar as partículas como portadores de carga. Quanto mais aumenta a temperatura de
um semicondutor intrínseco, mais corrente é gerada nele (de forma exponencial)n*p = ni ^2.
Enquanto os elétrons na rede se deslocam para um lado, os buracos se deslocam para o
sentido contrário e esses valores se somam formando a corrente total.

Condutividade dos semicondutores intrínsecos

A condutividade do silício aumenta aproximadamente 8% a cada grau aumentado na
temperatura. Devido a esta grande variação de condutividade com a temperatura,
impõe-se um limite no uso de semicondutores em alguns circuitos sujeitos a altas
temperaturas. Por outro lado, para algumas aplicações esta propriedade é utilizada para
medição de temperatura.
Um dispositivo semicondutor utilizado desta maneira é denominado termistor. O germânio
e o silício não são utilizados como termistores por causa da sensibilidade de suas
propriedades com as impurezas. Os termistores comerciais utilizam misturas sintetizadas de
óxidos de metais de transição, como NiO e outros.

Semicondutores extrínsecos: são os intrínsecos dopados com átomos diferentes do

silício.
Extrínsecos do tipo ‘n’: Como exemplos são os N(não metal), P(não metal), As(semi
metal), Sb (semi metal), que são elementos com 5 elétrons na última camada. Um átomo
diferente a cada 1 milhão de átomos de silício, para não passar dos 2% permitidos na
dopagem. Cada átomo com 5 elétrons disponíveis, irá sobrar um elétron que vai afetar a
condutividade, pois está solto e consegue se locomover de forma fácil no semicondutor. O
número de elétrons é proporcional ao número de dopantes (n = Nd), já o número de buracos
é menos que o número de elétrons( p = (Ni^2)/Nd ), dois elétrons para cada buraco.
Logo nos tipos ‘n’, os dopantes possuem mais elétrons que o semicondutor original. No tipo
‘n’ o nível de energia é próximo da banda de condução.

Extrínsecos do tipo ‘p’ : Como exemplos B(semimetal), Al (metal), Ga(metal), In(metal).

elementos com 3 elétrons na última camada (positivos, menos elétrons). Com isso, para
gerar o octeto ele precisa de 5 elétrons, mas ele só vai receber 4 do silício e assim ele vai
ficar com um buraco. Logo, para os tipo ‘p’, o elétron vai ficar andando na rede tentando
fechar esses buracos e com isso sempre surgirá um novo buraco,ou seja, uma reação em
cadeia. O Gap vai ter um orbital vazio e isso vai reter a passagem do elétron e isso vai
diminuir a condutividade. O número de buracos é proporcional ao número de dopantes ( p
=Na) e o vai ter sempre um elétron para dois buracos (n = ni^2 / Na). Com o tipo ‘p’, o nível
de energia é próximo da banda de valência.

Fônon é o som resultante da vibração da rede quando ocorre a desaceleração dos elétrons
para que ele consiga acertar o local de destino, ele pode gerar calor e/ou som para retornar
a camada de valência e para dissipar mais energia ocorre o fenômeno do fóton.

Aula 2 <-parei aqui

Materiais foton eletrônicos = > materiais que podem gerar luz (semicondutor artificial-
GaAs) ;
Semicondutores naturais => Ge e Si;

Normalmente trabalhamos com os elétrons que estão no final da banda de valência e

começo da banda de condução. Com isso, é dado energia para o elétrons ir para a banda
de valência de maior energia e passa para a banda de condução de menor energia,
gerando um buraco eletrônico . Ao se parar de fornecer tensão, o elétron que passou para
a banda de condução vai tender a voltar a banda de valência e essa energia que tinha sido
fornecida vai ser devolvida de alguma forma[ como a liberação de fônons(ruídos) e
fótons(luz)]. Por exemplo, uma lâmpada tubular vai esquentar e gerar luz, pois fônons e
fótons estão sendo produzidos simultaneamente. Nos dispositivos de Germânio (Ge) esta
transição ocorre de maneira indireta, pois foi necessário ter uma mudança de momento e
muita geração de fônons e poucos fótons. Nos dispositivos de Silício (Si) o processo
interbanda ocorre da mesma forma que o Ge, de forma indireta, mas como o máximo e
mínimo são mais distantes na banda de condução, então vai gerar muito mais fônons e
mais fótons.No Ge e Si, a geração de fônons ocorre pois os elétrons precisam sair do valor
mínimo da banda de condução e ir para o valor de menor energia de condução para assim
poderem voltar a banda de valência. No dispositivo de arseneto de gálio(GaAs) o valor
mínimo de condução já é o valor de menor energia, com isso a transição ocorre de forma
direta e com isso na volta para a banda de valência o processo só vai gerar fótons, já que o
elétrons já está no mesmo vetor energia do sistema. Por isso os dispositivos de leds pouco
ou nem aquecem.

Mobilidade e espalhamento dos portadores de carga:

Potencial oscilante da rede, pois os átomos estão em constante movimento e isso leva ao
choque dos elétrons com a rede, levando ao vibrações e assim dificultando as passagem de
mais elétrons.
A presença de impureza, quanto mais dopado o semicondutor, mais desorganizada vai
ficar a estrutura e isso leva a dificuldade de condução pois a mobilidade cai. Por isso,
usamos o silício puro para semicondutores.
Defeitos cristalinos, pois a cada malformação cristalina leva a condução desordenada e
assim dificulta a passagem dos elétrons.
Variação da corrente e condutividade com a temperatura:
Quanto mais temperatura, mais elétrons são jogados para a banda de condução, já
aumentando sua condução, mas com o aumento temperatura a condução tende a cair, pois
é gerado uma diferença de potencial elétrico na rede muito grande, fazendo a rede se
movimentar mais e isso leva o semicondutor a se tornar menos condutor. Com o aumento
exacerbado da temperatura, ocorre a obrigação dos elétrons passarem para a camada de
condução e isso pode levar a um curto, queimando o dispositivo.

Dispositivos semicondutores :
Diodos são usados em retificadores para converter uma onda alternada em uma onda
contínua.
É feito com um toroide de silício, pois é feito para chavear, ou seja, conduzir ou isolar.
Possuem gap pequeno e devem ter uma baixa tensão.

Diodo de junção: possuem uma barreira de junção ‘p’ e ‘n’, um semicondutor quando é
intrínseco de silício é formado por buracos eletrônicos e elétrons em mesma quantidade e
são puros. Inicialmente temos dois semicondutores intrínsecos separados, ao se juntar eles
e colocar um filamento no meio, ocorre a formação de um diodo. Por difusão iônica ou
implante iônico, vamos transformar esses lados em extrínsecos diferentes um adicionando
átomos com mais buracos(os que têm apenas 3 elétrons), logo será um extrínsecos do tipo
p. No outro se adiciona átomos com mais elétrons(os que têm 5 elétrons), logo será um
extrínseco do tipo n. Na hora que esses condutores estiverem extrínsecos entrarem em
contato esses buracos do ‘p’ e os elétrons do ’n’ vão tentar se juntar, assim, os elétrons vão
passar do tipo ‘n’ para o tipo ‘p’ e o processo invertido ocorre com os buracos no tipo ‘p’,
formando assim uma passagem de elétrons e gerando um equilíbrio de cargas, que vão
levar a uma região de carga espacial(depleção/barreira). Essa camada de depleção impede
os portadores de cargas continuarem a se movimentar e com isso as cargas não
conseguem mais passar, e assim temos uma região ‘pn’ com tamanho de 0.01 - 1
micrômetro. A região ‘pn’ se estabiliza pois de um lado tempo os buracos ’+’ e de outro os
elétrons ‘-’, assim elas geram um campo elétrico, na qual o sentido vetorial pode ser da
direita para a esquerda.
Com essa região de campo elétrico é formado, logo ele não deixa mais nenhum átomo
passar por ele. Desse modo temos de um o semicondutor ‘p’ cheio de carga que
conduz(estrutura condutora com caráter condutor), do outro lado no semicondutor ‘n’ temos
muitas cargas e que possuem característica condutiva, já no meio não há carga nenhuma,
então não passa corrente e é isolante, logo é a região com maior resistividade e menor
densidade e com maior resistência. Logo no retificador quem mais trabalha é a região de
depleção.
Polarização direta :
Aplicando uma tensão contínua no diodo, sendo o lado positivo no lado ‘p’ e o negativo do
lado ‘n’. Os buracos do lado ‘p’ como também são positivos vão ser repelidos e jogados
para cima da barreira gerando uma corrente de deriva( que obriga o elétrons a passar por
meio de uma ddp, logo abriga a corrente acontecer) e os elétrons do lado ‘n’ vão ser
empurrados para a barreira de depleção gerando também a corrente de deriva. Com isso,
os elétrons passam para o lado ‘p’ e os buracos passam ao lado ‘n’ e com a soma das
correntes geradas(deriva + “difusão” + deriva) é a corrente total. No multímetro o sentido
calculado é da corrente dos buracos, mas a medida é a corrente dos elétrons. Vai
conduzir.

Polarização indireta: A fonte é conectada com o lado positivo no semicondutor ‘n’ e o lado
negativo no semicondutor ‘p’. Os buracos vão ser atraídos para ficarem na barreira do ‘p’ e
os elétrons vão ser atraídos à fronteira do ‘n’ e com isso não vai ter corrente passando pois
o sistema não fecha, logo não irá conduzir. Ele atua como isolante.

Por que isso ocorre ?

Pois quando os semicondutores estão separados, no semicondutor ‘p’ o nível de energia vai
está mais próximo da banda de valência, já o semicondutor ‘n’ vai está mais perto da banda
de condução pois eles vão ter mais elétrons livres. No entanto, ao juntar esses dois
semicondutores para formar um ‘pn’, a energia deles vai se igualar e as bandas de valência
e condução vão se modificar e com isso o tamanho do camada de depleção é a diferença
existente entre as duas bandas de condução e entre as duas bandas de valência. Dessa
forma, temos que a espessura da barreira está relacionada com a quantidade da energia de
campo elétrico. Em polarização direta estamos diminuindo a espessura da barreira e com
isso é mais fácil de conduzir, já na polarização inversa estamos aumentando essa
espessura e por isso é mais difícil de passar por ele, logo é isolante. 0.7 V é a tensão
necessária para ligar qualquer dispositivo semicondutor de silício.
Aula 3
Diodos são dispositivos semicondutores formados por um chip onde existem 2 tipos de
regiões com dopagens diferentes, uma dopagem do tipo ‘p’ em que a eles foram
adicionados elementos químicos com a quantidade de elétrons menor que quatro e os tipo
‘n’ em que são adicionados elementos com 5 elétrons. Com isso são gerados dois
materiais com átomos doadores distintos e é por causa desses átomos que fazem surgir as
propriedades dos semicondutores. Esses materiais possuem o mesmo gap, no entanto o
nível de fermi da ‘p’ é perto da banda de valência e a do tipo ‘n’ é perto da camada de
condução. Ao juntar esses dois materiais, os níveis de fermi tendem a se igualar e isso gera
uma nova estrutura de bandas, em que os espaços entre as bandas de condução e as
bandas valência são iguais ao valor da barreira que possui campo elétrico(camada de
depleção). A região de depleção é onde ocorre a menor queda de tensão, pois nesse lugar
não existe corrente elétrica, logo é o lugar de maior resistência no semicondutor. O
semicondutor de silício dependendo da fabricação tem a sua tensão entre 0.6 e 0.8 V.
O que fazer para chavear com o diodo ?
Diferentemente dos interruptores, que são ligados ou desligados através de um esforço
mecânico, os diodos são chaveados de acordo com o fornecimento de uma tensão. O diodo
é um semicondutor, mas o dispositivo diodo é uma resistência variável com uma tensão
aplicada, logo ele equivale a um interruptor. Qual o processo que ocorre ao ligar e
desligar o diodo? Ao uma tensão ser aplicada ao diodo de forma direta( com o positivo da
pilha no lado ‘p’ e o negativo do lado ‘n’), o que ocorre é a diminuição da barreira e com isso
ele diminui o campo elétrico dentro dele e com o campo elétrico mais fraco, o dispositivo
começa a conduzir. Pois o campo aplicado foi contra ao campo elétrico que já existia, logo o
campo existente diminui , a espessura diminui e ao conseguir passar para o lado ‘n’ ele vai
conduzir . Surge o processo da transdutância em que a corrente está passando o volume do
material trabalhado.
O processo de gerar um comportamento positivo ou negativo(polarização direta ou inversa)
geram dois tipos de assimetria. Por isso, o semicondutor do tipo ‘pn’ ( formado por um
barreira ‘p’ e outra ‘n’) é uma resistência variável com tensão e é um dispositivo assimétrico,
pois dependendo da forma como ele é operado, ele vai apresentar propriedades elétricas
distintas. Os portadores de cargas são diferentes, pois os elétrons são só uma partícula
solta e leve, já os buracos são uma rede, em que são átomos que perderam seus elétrons e
são pesados, logo ao se passar a barreira os elétrons se movem mais e os buracos menos
dentre os buracos eletrônicos, por isso ele é assimétrico(uma carga é mais leve que outra).
Graças a essa assimetria, o semicondutor pode funcionar como condutor ou isolante. Logo
essa é a primeira chave digital.
Curva característica (IV) do diodo
Ele mostra a relação entre a tensão aplicada e a corrente gerada no dispositivo, sendo a
curvatura definida pela resistência do dispositivo. Se a corrente aumenta linearmente com a
tensão, isso quer dizer que temos um dispositivo ôhmico, caso contrário o dispositivo não é
ôhmico. Essa relação é muito importante, pois é a partir dela que podemos determinar o
comportamento operacional desse material condutor ou isolante. Todo material tem sua
curva IV. A curva Iv para o diodo seja ele de silício ou germânio é:
Nesses dispositivos temos uma corrente de mili ampere, quando em polarização direta, já
em polarização reversa, a corrente é de micro ampere. Pois nenhum dispositivo é
completamente isolante, logo a tensão negativa aplicada a ele gera uma corrente muito
pequena ou seja de fuga(corrente mitigada). O germânio tem um gap menor que o de
silício, logo é necessário uma ddp de 0.3 V, já o silício precisa de 0.7 para começar a
conduzir e vai gerar uma curva exponencial e assim não é um dispositivo ôhmico. Olhando
para o lado oposto, no caso do germânio a fuga de corrente é maior pois tem um gap
menor, já o silício vai ter uma corrente reversa de fuga menor. Com isso percebemos que
mesmo que os dispositivos de germânio sejam mais baratos e mais fáceis de produzir, eles
liberam mais corrente de fuga e isso não torna eles uma boa opção para certas aplicações.
Os diodos ‘pn’ ao atingirem seu ponto de ruptura, que são valores negativos de tensão, o
dispositivo tende a queimar. A barreira fica pulsando enquanto não atinge a tensão
necessária para começar a conduzir e esse momento em que ela está oscilando é chamado
de tempo de relaxação, ou seja, é o tempo de chaveamento do dispositivo. Diodo baseado
em junção ‘pn’ de silício ou germânio, não pode ser operado em frequências muito altas,
pois não vai ter esse tempo de relaxação e não vai conseguir chavear. Com isso, não
podemos usar diodos ‘pn’ de silício, que tem um tempo de relaxação muito alto, para a área
de telecomunicação pelas grandes frequências. Pesquisar sobre TPI e TPR do Si que é até
200° e de 100° no Ge.

Características gerais : São usados em baixa corrente e baixas tensões, pois o gap é
pequeno. Não podem operar em alta frequência devido ao tempo de relaxação.
Diodos de Ge: São aplicados a altas frequências já que o gap é menor e a baixas
correntes.
Diodos de Si: Para uso geral são usado em correntes de até 200mA e tensão reversa
menor do que 100V;
Para os diodos retificadores de Si são usados para correntes maiores e tensões reversas de
até 1.0 - 1.2 KV.

O que é um diodo: Uma seta com a ponta para o sentido da corrente e uma barreira na
ponta que significa que é bloqueada por uma polarização reversa. O diodo é inicialmente
uma chave em que em polarização direta vai está fechada e em polarização reversa vai
está aberta. Para ligar e desligar, o diodo precisa de uma tensão, logo teremos uma fonte
DC mínima de tensão para ele chavear e já que ocorre uma queda de tensão, logo temos
em série uma resistência para deixar a corrente exponencial. Então o circuito de um diodo é
um diodo em série com uma fonte de tensão e uma resistência.
Uso de Si são usados para: Fazer retificadores. Em que tensão pode ser Monofásico,
bifásico, trifásico ou hexafásico. Elementos: Meia- onda ou onda completa. Valor de saída :
Não controlado(diodos) e controlados (tiristores e transistores). Não podemos usar um
diodo em polarização reversa com 1kVa pois ele vai queimar.

Carregador de bateria:
Conversor AC- DC: Em que entra uma corrente alternada e sai uma corrente contínua. É
um agrupamento de no mínimo 4 elementos, como o transformador (trafo), o
retificador(baseado nos diodos), o filtro e o regulador.
O transformador(trafo) é responsável por diminuir a amplitude do sinal de entrada( baixar,
ou aumentar a tensão), logo ao se fazer isso estamos transformando a onda, deixando ela
com menor amplitude, mas ainda com o mesmo sinal AC.
O retificador (diodos ‘pn’) vai modificar a onda e com isso vai deixar a onda pulsando em
apenas valores positivos, ou seja, é uma onda retificada.
O filtro ( capacitor) Quando a tensão sai do retificador e carrega um capacitor, com isso na
queda da onda o capacitor fornece tensão e deixa a onda quase sem pulsação, mas ainda
existe um ripple de 10%.
O regulador vai pegar uma pequena variação de onda e vai cancelar ela, com isso agora
temos uma tensão completamente contínua.

Existem 3 tipos de formas de retificadores

Retificador de meia onda : Composto por apenas 1 diodo(pn). Ele pega o sinal alternado e
retifica em um sinal pulsado com apenas os semiciclos positivos. O valor da tensão de pico
de saída é idêntica a tensão de pico da fonte aplicada(trafo) e a frequência continua a
mesma de entrada também. O funcionamento ocorre, pois o diodo varia entre o estado de
condução e isolamento, logo ao se colocar o positivo no lado ‘p’ e o negativo no lado ‘n’
(polarização direta), o diodo vai conduzir e assim vamos ter um valor máximo de tensão no
período avaliado. No entanto, ao se colocar o positivo no ‘n’ e o negativo no ‘p’ (polarização
reversa), o diodo não vai conduzir e com isso ele vai passar mais um período sem conduzir.
Logo, a antiga tensão senoidal se transforma em tensão de meia onda positiva,por isso o
nome de meia onda.

Retificador de onda completa (Center Tap) : Composto por 2 diodos. Assim, ao se usar
dois diodos, quando a tensão em um estiver positiva e no outro negativa, o primeiro diodo
vai ter o positivo do lado ‘p’ e o negativo ‘n’(direta) e assim vai conduzir enquanto o outro
que vai ter polarização reversa e isolar. Com isso o sistema estaria gerando uma corrente
nula sobre a carga resistiva, logo o circuito só vai funcionar, pois a carga está conectada ao
‘center tap’ do trafo que possui duas bobinas. Dessa forma um diodo vai gerar uma onda
positiva quando estiver com tensão positiva aplicada a ele , o outro dido vai gerar a próxima
onda positiva para completar o ciclo. Eles estão pulsando em valores positivos e com isso o
valor de pulsação é duas vezes em relação ao diodo de meia onda. O sinal de entrada é o
que vale a duas vezes o sinal de saída.

Retificador de onda completa em ponte: Vai fornecer as mesmas configurações de saída

do retificador de onda completa, no entanto para fazer o de onda completa é necessário
modificar o trafo adicionando a ele uma no repartição (center tap) e isso vai deixar ele maior
e mais pesado e isso é um grande problema para se fazer dispositivos como carregadores
de celular, computador e alguma onda. No retificador de ponte, o que muda é o próprio
retificador, deixando um volume e massa menores, e com o sinal de entrada duplicado na
saída. A ponte retificadora é composta por 4 diodos e que representam por onde a corrente
transpassa o circuito. A corrente vai está passando em formato de Z pela ponte, gerando
uma meia onda positiva ao se aplicar a tensão positiva e ele faz um z reverso, gerando
outra meia onda positiva aplicando uma tensão negativa. Na pulsação eles alteram a tensão
de saída.

-O filtro: Feito por um capacitor. Pois a onda ao sair do retificador, ela ainda sai pulsando
só em valores positivos. Dessa forma, toda vez que a corrente transpassa o capacitor e o
carga, ele vai servir para estabilizar o sinal da onda que ao invés de cair a 0 de tensão é
alimentada pelo capacitor e gera uma compensação na onda. com isso a antiga onda que
subia e descia, agora ele vai ter bem pouca frequência de oscilação. Quanto maior a
capacitância, mais tênue fica a onda. No entanto, ainda fica um ripple pequeno na onda e
isso ainda não é o ideal para carregar.

O regulador: Exemplo é um diodo ‘pn’ super dopado(zener) e que só vai trabalhar em

polarização reversa e isso vai deixar a antiga onda em completamente contínua de ponta a
ponta.

Outra utilização dos diodos, além dos retificadores:

Limitador positivo( ou ceifador): Ele vai cortar(remodelar) um sinal, colocando um diodo
em paralelo com uma carga, o diodo vai ter um impedância menor do que a carga e isso faz
a corrente passar pelo diodo e ocorre uma queda de tensão no diodo, com isso o valor de
onda é cortada no valor relativo ao gap do diodo. Dependendo de como o diodo estiver
disposto no sistema, a onda pode ser ceifada tanto na parte positiva, quanto negativa.

Limitador polarizado ( Clipper): A diferença entre o limitador positivo e o polarizador é que

há uma fonte de tensão em série com com o diodo ‘pn’ e isso serve para aumentar o valor
de pico, já que a tensão que fica após ser ceifada é só o 0.7 do Gap do ‘pn’, assim a onda
vai ter a tensão da fonte de tensão mais o valor do gap. Muito usado na telecomunicação e
para acionamento de motores.
Grampeador DC (Clamper) : Ele muda a magnitude da onda sem mudar sua estrutura. Ou
seja, ele pega uma alternada e ainda deixa ela alternada, mas com valores diferentes, pois
ele translada a onda , deixando a onda toda positiva, com o novo valor de pico igual duas
vezes ao valor de pico passado. Para criar isso é necessário usar um capacitor, pois ele irá
se carregar em polarização direta do diodo e na inversa ele vai descarregar na carga.
Dependendo do capacitor que for usado, podemos criar clampers que transladam mais a
onda.

Detector de Pico: Para se transmitir uma mensagem em baixas frequências(am), essa

informação deve ser passada em onda pulsada. A onda da informação pulsa muito rápido,
já a am é muito lenta. A informação é organizada por um circuito DCR que é formado por
um diodo, capacitor e uma resistência e que vai cortar a frequência baixa(lenta) e deixa
passar a frequência alta(pulsa rápida). Sendo assim, a informação passa, o que não passa
é a informação que trouxe essa informação acoplada nela.

Lembrando que o diodo ‘pn’ é fabricado com dois semicondutores extrínsecos e em sua
junção forma uma barreira de homojunção(o material de um lado é o mesmo material que
está no outro.

Nos dispositivos semicondutores heterogêneos, a corrente é formada só por corrente de

elétrons e não conta com a corrente de buraco.

Aula 4:
Diodo HCT - Schottky (hot carrier diode) - > São diodos usados quando se precisa trabalhar
com frequências elevadas, quando se trabalha com faixas de até 70 Hz se usa eles já que
os ‘pn’ não suportam devido a sua alto tempo de relaxação , trabalham com tensões
operacionais menores na faixa de 0.25 volts. O chaveamento ocorre por um processo
termoiônico, eles são diodos que também trabalham em polarização direta para conduzir e
em polarização reversa para isolar como o ‘pn’, no entanto devemos evitar a polarização
reversa pois eles ganham muita corrente rapidamente nessa polarização.

Nesse dispositivo a tensão é muito baixa e frequências muito altas, no diodo ‘pn’ ele era
formado por duas placas semicondutoras iguais com dopagens diferentes, uma ‘p’ e outra
‘n’, ou seja, uma homojunção pois são duas coisas juntas iguais. Já o HCT é uma
heterojunção, pois é a junção de dois dispositivos diferentes (como o AsGa), um metal e um
semicondutor, logo a corrente elétrica é gerada apenas por causas dos elétrons e não vai
ter corrente de buracos, ou seja, só temos corrente de um tipo de portador de carga. A
corrente nesse dispositivo vai sair do material com o excesso de elétrons para o com menos
elétrons. Alguns transistores usam os diodos como base para se formar.
Barreira de energia é a quantidade de energia que deve ser fornecida ao sistema para que
o processo ocorra.
Diferentemente da barreira ‘pn’ em que o processo ocorria de acordo com a diferença de
potencial das placas que gerava um campo elétrico, já nessa heterojunção as cargas
tendem a se reorganizar e com isso elas realizam o ‘trabalho’ que é o movimento de se
passar de um ponto ao outro, logo a quantidade de energia para fazer esse caminho é o
trabalho, logo é a quantidade de energia dissipada para fazer o processo ocorrer. Logo no
HCT, o elétrons precisa sair do semicondutor para um metal realizando um trabalho e não
subjugando um campo elétrico como no ‘pn’. Nesse tipo apenas elétrons são transferidos e
os buracos não são, pois os buracos precisam do elétron para existir e são pesados.
Formam um campo petêncial pois sai de uma rede para outra rede cristalina. Os metais
mais usados são : Mo, Pt, Cr, W.

Como isso funciona ? ( Olhar em relação a teoria das bandas)

O elétrons sai da rede, vai para o vácuo(meio entre os materiais) e depois entra na outra
rede do segundo material. A energia no momento em que o elétrons se solta o metal é
dada com afinidade eletrônica, em que é a energia com que se consegue retirar o elétrons
do metal (2-6v) para o vácuo, já no semicondutor a banda de valência e banda de condução
são separadas por um gap de 2eV e com isso para se remover o elétron do semicondutor a
quantidade de energia é menor. com isso, a curva do CHT é menor e com isso ele comuta
mais rápido entre os estados de condução e isolante. O CHT é muito usado em sistemas
integrados, como telecom, radar, sonda, micro-ondas. Processo cinético de acordo com a
potência aplicada ao sistema.

Diodo Zener -> Ele é a base de alinhamento de sinal usado depois da rectificação do sinal,
é feito igual ao diodo ‘pn’ . O que diferencia eles é que no ‘pn’, a quantidade de dopantes é
pequena, já no zener ele é mais dopado, deixando os extrínsecos com mais buracos e
elétricos. No diodo ‘pn’ a condução é feita em polarização direta, já no zener é feita em
polarização inversa, ele não é muito usado para chavear entre condutor e isolante, mas é
muito usado para controlar a tensão e com isso deixa a tensão sempre linear em relação
com a corrente que se tem que varia constantemente. Não se pode substituir o diodo
retificador por um diodo zener, pois com a sua maior quantidade de dopante ele pode fazer
o sistema colapsar, mesmo eles sendo idênticos(com o alto tempo de relaxação). Sempre
trabalhar em polarização reversa. Na curva ‘Iv’ do diodo zener, a corrente tem uma queda
de corrente abruptamente quando se usa polarização reversa, mas a tensão não muda.
Com isso conseguimos melhorar a queda de tensão no conversor AC-DC. Como ele é um
controlador de tensão, ele não deve passar e nem trabalhar abaixo do valor de sua tensão
de ruptura, ele vai ficar “constante” neste valor de tensão. O zener não deve ser usado
acima ou abaixo do que se precisa, pois ele vai dissipar muita corrente e esquentar se a
gente tiver um de 12 e for querer apenas 5. Quanto maior o valor da tensão operacional,
maior é a quantidade de dopante utilizado.(regulador de tensão com tensão variável) ; Não
devemos subir muito a corrente, pois isso vai fazer a potência dissipada aumentar e com
isso fazer o dispositivo queimar. gerador de tesão,

Diodo de junção p-n:

igual a junção do diodo ‘pn’ ;
Ao se colocar mais dopante a barreira tende a aumentar de forma imprescritível e com isso
vamos fazer com que exista mais portadores de cargas que vão passar de um lado ao outro
e assim vamos gerar um campo elétrico maior, deixando as bandas de condução dos
portadores do tipo ‘p’ e a do tipo ‘n’ é muito grande, aproximadamente de 10^6V*cm^-1.
Esse campo elétrico começa a ironizar e com isso temos mais choque entre o campo
elétrico e os cristais e assim ocorre a quebra das ligações covalentes. Logo esse campo de
alta intensidade, os elétrons após a ionização ficam soltos e com isso voltam ao lado ‘n’
com muita força e ele acaba batendo em outro átomo e com isso vai formar outro elétrons e
em seguida outro buraco. logo vamos ter uma reação em cascata de geração de elétrons e
buracos, pois os elétrons estão acelerados devidos a alta dopagem e baixa tensão aplicada
ao sistema (efeito zener).

Efeito Zener:
Alta concentração de dopantes e baixa tensão;
Campo elétrico com alta intensidade quebram ligações covalentes e ionizam átomos da
rede cristalina;
Os elétrons ionizados são acelerados no sentido oposto ao campo, passam para o lado ‘n’
da junção e gerando em seu sentido reverso;(por isso polarização reversa).

Efeito Avalanche: (ocorre mais vezes e faz a corrente crescer)

Baixa concentrações de dopantes e alta tensão; ( campo elétrico menor)
Elétrons do lado ‘p’ com alta energia, entram na junção e colidem com a rede. São gerados
novos portadores de carga) parede elétrons-buracos). Os novos elétrons são acelerados
para o lado ‘n’ e buracos acelerados para o lado ‘p’.;
Elétron bate no átomo e gera um elétron e buraco. ( bilhar é com para lembrar).

Diodo Varactor:
Baixa corrente ;
Operando em polarização reversa;
junção abrupta;
Circuitos de sintonia fina.

A diferença entre esse e os outros do tipo ‘pn’ é que a forma como a dopagem é feita é
diferente. No ‘pn’ a dopagem ocorria colocando os dopantes nas laterais e ia diminuindo
quando se chegava próximo da barreira, no varactor, a dopagem é de forma abrupta e não
vai diminuindo quando chega perto da barreira e com isso tem um excesso de carga muito
acumuladas e com isso termos um princípio quase igual ao de um capacitor pois um lado
está positivo e outro negativo, por isso ele é chamado varactor, pois se comporta como um
capacitor(é um capacitor digital. Na sua representação, ele apresenta duas barras para
mostrar o efeito capacitivo. Nesse dispositivo, quanto maior a capacitância, menor é a
tensão, assim a corrente é igual ao quadrado da tensão e a capacitância gerada na barreira
abrupta formada em polarização reversa é inversamente proporcional ao quadrado da
tensão aplicada; Usado em filtros Lc, usado em rádios mais antigos para trocar a frequência
e assim mudar a estação de rádio. Pequenas variações de tensão podem gerar muito
ruídos em faixas de frequência menores.

Diodo de Tunelamento:
Operando em polarização direta - região de resistência negativa ( faixa operacional);
Diodos com altíssima concentração de dopantes;
Osciladores e amplificadores de sinais.
Um dos diodos mais modernos que existem, esse diodo tende a gerar tensão. Esse diodo
de semicondutor vai dar tensão ao circuito. O nome dele se refere ao processo que ocorre
nele, que é o tunelamento quântico. Tunelar ocorre quando temos uma barreira a sobrepor
e para fazer isso devemos gastar uma quantidade de energia e chamamos elas de barreira
de energia, no entanto não iremos subir e descer a barreira de energia, mas sim criaremos
um novo caminho de fazer o elétron de ir de um ponto ou outro, ou seja, um túnel. Tunelar é
criar um processo que não existe neste dispositivo. Ele ocorre em um semicondutor de
silício que foi super dotado, nesse contexto deve-se colocar em polarização direta, mas se
colocar em inversa o dispositivo por está super dopado, doido para estourar, tende a
queimar . Ele tem uma faixa de operação(azul), na qual ele vai gerar tensão.

O diodo de tunelamento, ao contrário dos outros diodos, não vai dissipar potência, mas sim
gerar e com isso doar tensão. (DV/DI < 0)(resistência negativa). Isso ocorre pois há um
vazamento de elétrons no túnel e com isso vai ter maior potência.
É muito aplicado em osciladores e amplificadores de sinais, e tem uma faixa de operação
entre uma faixa de operação.

Aula6:
Diodos especiais que têm funcionalidades bem específicas e são poucos abordados na
engenharia elétrica pois trabalham na faixa de micro-ondas. No entanto, é bom saber pois
para fazer manutenção em radares, velocímetros e detector de movimento, iremos usar os
diodos de alta frequência.

O diodo de tunelamento opera numa faixa de sempre de polarização positiva e bem

específica que não deve ser modificada e nem ultrapassada pelo usuário. Na faixa de
operação a gente vai ter um processo que ocorre devido a sua super dopagem, que em vez
de absorver potência, vamos doar potência. não podemos usar ele com frequências
alternadas, todo o sinal que vai entrar no diodo de tunelamento deve ser previamente
retificado.

Ele é um diodo ‘pn’ super dopado e que quando não recebe tensão(V=0), em seu estado
normal, a banda de valência vai ter seu nível de fermi(maior quantidade de energia que os
elétrons podem ter no zero absoluto) abaixo dela e com isso todos os elétrons vão está
ligados aos átomos do lado ‘p’. Por outro lado, já teremos elétrons que estão acima da
banda de condução e isso quer dizer que já temos elétrons soltos nessa rede cristalina, mas
como ainda não foi aplicado uma tensão, não ocorre a passagem dos elétrons e não é
gerado a corrente.
Ao se aplicar um tensão reversa(V < 0), vamos obrigar um dispositivo que já está cheio
de portadores de carga e com isso ele aperta a barreira para dentro e fica cada vez mais
estrita pela quantidade de cargas em bandas diferentes. Na tensão reversa o nível de
energia da banda de condução cai e com isso a distância entre a banda de valência e a de
condução do lado ‘n’ é reduzida diminuindo o tamanho do gap. Com isso estamos
aumentando a distância entre a banda de condução do lado ‘n’ e a do lado ‘p’, que antes
era menor, assim os dopantes estão empurrando a barreira para se aproximar e ao mesmo
tempo está afastando as barreira e os elétrons do lado p na banda de valência começam a
vazar e são transferido para o lado ‘n’ e com isso ocorre um tunelamento da corrente. Faz o
dispositivo queimar.

Ao se aplicar uma tensão direta(v>0), os buracos e elétrons em grande quantidade estão

apertando a barreira e com a polarização direta, vamos estreitar mais a barreira e com isso
o elétrons tende a vazar gerando uma corrente de deriva e com isso no ponto de pico, o
elétrons tende a um tunelamento, Com isso ocorre uma mudança nas banda de condução
de ambos os lados ‘pn’ e com isso o nível de fermi do lado ‘n’ é maior que o do lado ‘p’,
fazendo o elétrons a vazar do lado da banda de condução do ‘n’ para a de valência do lado
‘p’ e essa corrente ocorre de uma forma inesperada e com isso somamos uma corrente a
mais no processo , pois além da passagem de elétrons de uma lado para o outro devido ao
fluxo deles, ainda temos que somar os elétrons que vazaram sem precisar de muita energia
e essa soma que ocorreu pois ele vazou sozinho ocorre um ganho de potência no sistema
(DV/DI < 0) . Se fornecer mais tensão do que ele precisa, a diferença entre as bandas de
valência e condução ficam tão grandes que o dispositivo para de tunelar e volta a realizar o
comportamento inicial de um diodo ‘pn’ comum.

Por isso devemos seguir as orientações de restrição de tensão quando se for usar em
dispositivos de amplificadores de sinais e osciladores.

Diodos Impatt :
São diodos bem específicos para alta frequência(rádio até micro-ondas) até 10GHz é legal
para um bom funcionamento, mas vai de (3-100GHz). Opera em polarização reversa
próximo do valor esperado em avalanche do diodo zener, usado com um circuito LC ou
cavidade ressonante e tem representação igual a um ‘pn’. A potência de saída é de 0.1 a
1W. A curva IV dele em polarização direta é igual a um ‘pn’ , mas na reversa vamos operar
em tensão de ruptura e com isso vai gerar uma corrente que freia quando ele atinge o valor
máximo, e volta a repetir o processo, dessa forma ele vai ficar pulsando. A diferença entre
ele e o ‘pn’ convencional é o modo de fabricação.
A sua dopagem ocorre ‘p+’ super dopado dopado p e ‘n+’ super dopado do lado n. ‘n-’ muito
pouco dopado do lado n. É um lado p com 3 dopagens n.

No diodo zener é o que mais importa para o processo, no entanto para o impatt o que
mais importa é a tensão aplicada que faz com quer os pares eletrônicos querem se
encontrar e com isso eles são empurrados um contra o outro e isso faz gerar o efeito
avalanche em que que um elétrons gera dois. Após isso, os buracos gerados do lado ‘n’ vão
passar para o lado ‘p’ e ela vai para a placa negativa, quanto menor a quantidade de
portador maior é a resistência vai ser maior. Desse modo o elétrons percorre o dispositivo
com uma velocidade maior e depois menos, e por fim mais rápido. primeiro temos um
campo forte e que varia pouco e depois temos um campo forte que varia muito. E com esse
ciclo do fluxo de corrente gera uma oscilação , acelerando e desacelerando.
Na região de avalanche, os portadores de carga( elétrons ou lacunas) geradas são
acelerados para os lados m e p+;
Quando o pacote de elétrons entra na região n, reduz o campo elétrico e interrompe o
processo de avalanche.
Ao passar pelo circuito externo, o campo elétrico volta ao valor Ec, reiniciando o processo.
Diodos Gunn: A importância dele é para gerar a onda pulsante ( sinal alternado) e não dá
ganho de potência.
Outro diodo ressonador e que são dispositivos passivos.
Não tem junção ‘pn’(normalmente-> n- GaAs que é uma transição direta) mesmo diodo
significando região dopadas com duas regiões diferentes.
São formados por 3 regiões do tipo n;
Oscilações baseadas na resistência negativa, tipo um pequeno tunelamento;
A natureza da resistência negativa exibida pelo diodo Gunn permite que ela funcione como
amplificador e oscilador;
São amplamente utilizados na fabricação de transmissores de baixa e média potência,
sistemas de sensoriamento de proximidade, e em topologias de circuitos como oscilador
local e de bloqueio; tacômetro, radar policial, telecomunicações de rádio, transmissores de
baixa e média potência.
Como o GaAs é um mau condutor, os diodos Gunn geram calor excessivo e, portanto, são
normalmente fornecidos com um dissipador.
Só tem corrente de elétrons e vai ser operado em polarização positiva.
Ele opera em até 1 W e com amplitudes de 10 a 30 GHz.

Dois diodos ligados um contra o outro não deveriam deixar a corrente passar, pois vão ter
polos invertidos, logo esse diodo só funciona devido ao tunelamento(que é o vazamento do
elétrons).
A resistência negativa corresponde a valores de campo E em que os elétrons na BC
apresentam valores distintos adjacentes;
O tempo que o pulso de corrente leva para passar nos níveis adjacentes da BC determina a
frequência.

Ao passar os elétrons da banda de valência para a banda de condução com o diodo GUNN,
e para chegar ao ponto de energia que que é próximo ao mínimo, o elétrons precisar
desacelerar e com isso os elétrons desaceleram e com isso ocorre um ganho de potência.
Sistema ressonante que gera um pulso. (circuito ressonante com perda menor que o impatt
e que precisa de um dissipador de calor pois ele possui o efeito fóton eletrónico ).
Diodos fotosensores:
É operado em polarização direta;
A corrente de saturação reversa surge devido aos portadores minoritários termicamente
gerados nos materiais p e n;
Usados em sensores e alarmes e outros.
Diodos ‘pn’ com transição direta(p e n de GaAs);
A luz da radiação solar bate no fotossensor e isso faz gerar uma diferença de potencial em
que podemos transformar em corrente e utilizar ou não. (ex: Painel fotovoltáico) A Luz gera
uma ddp através da barreira entre p e n;

Ocorre uma recombinação em que de um lado do diodo há elétrons e de outro, buracos

como no convencional e na fronteira dos limites laterais da barreira que ocorre a
recombinação dos pares eletrônicos .Quando a luz bate nesse diodo ele começa a
recombinar e gerar uma ddp. Dessa forma, quando se aplica uma ddp teremos uma
recombinação e vamos gerar luz nos fotoemissores. Logo, em ambos os processos ocorrem
em a recombinação.

Diodos fotoemissores:
Led -> diodo emissor de luz;
região emissora: 0.1 - 1 polegadas;
tensão operacional: 1.7 - 3.3 V;
potência típica: 10-150 mW; não consome muito e é formado como um chip;
Tempo de vida: 100000 h.
O led é uma luz direcional pois a junção ‘pn’ tem uma direção.
O RGB funciona do mesmo jeito, mas que é construído de um conjunto de camadas e cada
camada é responsável por gerar uma certa tonalidade de cor. no RGB é possível gerar o
vermelho e azul que são cores primárias e o amarelo também seria possível, mas é de
difícil formação, logo é utilizado o verde que já é uma cor secundária e que não esquenta
como o amarelo.

(ânodo +) -> maior perna e (cátodo -) -> é a menor perna; cápsula de plástico para gerar
cores diferentes.

Espectro da luz:
Ultravioleta, espectro visível(bem pequeno) e infravermelho.
O GaAs é muito usado para gerar luz.
O led é um diodo ‘pn’ e possuem a representação igual a do pn e que possuem duas setas.
É feito como o anodo é exposto e o catodo é fechado e com isso ao se colocar a ddp a luz
tende a tender a sair pelo lado que está exposto.
Gráfico de radiação mostra que dependendo do ângulo que a gente vê a luz de led, ela
tende a variar a intensidade e isso mostra que a luz é direcional.
A intensidade óptica de luz gerada na ida do elétrons(corrente)da banda de valência para a
banda de condução.
O led é de baixa luminosidade e de boa visibilidade.

Dispositivo de imagem:

Uma lâmpada tubular funciona a partir do aquecimento do filamento e com isso ele gera
uma luminosidade meio avermelhada e que gera calor e pouca luz. (eficiência de 20 - 40%)
A lâmpada fluorescente é um tubo de vidro que tem um pó branco de fósforo que é passado
na parte interna do tubo e é preenchida com gás, que quando recebe uma tensão
elétrica(ruptura), essa ddp vai fazer o gás inerte passar de isolante para ser um condutor e
com isso usamos os reatores para segurar na tensão de ruptura e romper o gás fazendo
ele liberar luz ultravioleta. A luz ultravioleta gerada bate no pó brabco e com isso, esse pó
consome essa energia e a outra parte ele libera luz. Luz é gerada pela fluorescência do pó
de fósforo gerada pela indução fotoeletrônica do gás. Esquenta menos e com 60% de
eficiência.
CRT: ( o famoso tubo) -> tubo de raio catódico;
É composto por um pó na parte interna dele e mais a fundo uma luz filamentosa que era
aquecido e que gerava luz, essa luz passava por um ímã e que iria ser colimada deixando
ela em uma única direção e por fim a luz deveria passar pelo filtro óptico e que gerava luz
em toda a tela e cada ponto dessa tela batia em pequenos tubos core rbg e gerava a cor da
luz e por isso ela aquecia muito.

Aula 7: Sistemas ópticos eletrônicos;

Dispositivos de imagem:
Acima de 60Hz não conseguimos distinguir o ligar e desligar de um processo.
CRT -> São dispositivos que utilizam uma fonte de radiação luminosa excitada por uma
tensão que gera uma aquecimento do catodo liberando o efeito foton indutivo, elétron que
eram compilados por uma grade e projetados ´por uma tela de alta frequência, onde se
ocorreria dos pontos de luz, ou seja nos pixels, mas esses pixel não eram muito pequenos
e por isso a qualidade da imagem era realmente baixa e teria cores lavadas(desfocada) e a
resolução era baixa. Esquentava muito e gastava muita energia e queimava a partir de 2
anos.

LCD -> Produzidos com cristais líquidos e que apresentam a característica de polarização
semelhante às encontradas nos líquidos. Ao incidir uma radiação sobre esses cristais
teremos processos de polarização distintos e em momento nenhum gera luz, ele filtra e
modifica como essa luz se propaga no meio. Algumas formas dos cristais líquidos são os
nematic, smectic etc. Esses cristais geram um filtro da cor daquela luz, com isso a luz
branca vai ser filtrada para uma cor específica e com um conjunto de cores ele vai gerando
as imagens. Não são dispositivos com a capacidade de gerar sua própria luz. Com isso a
cor do branco e preto ainda não funcionam de maneira correta. Baixo consumo de energi,
cores de melhor resolução que vão depender a forma como o cristal foi colocado no
dispositivo.

DLP -> projetores.

na mesma época dos LCDs e que pode ser projetado em uma tela específica ou geral,
mesmo processo, em que uma fonte de radiação de alta luminosidade. São materiais que
esquentam muito pois possuem um grande número de lumens. A luz em si vai ser projetada
em algo que chamamos de DMD, que parece um grande espelho(filtro) chips
semicondutores que pode ser movimentado para mostrar luz ou não. Com isso,
percebemos que temos dois tipos de dispositivo, o projetor DLP -> fonte de radiação
luminosa de alta intensidade que vai passar por um conjunto óptico de lentes de
condensação que vai gerar a luz em um único feixe monocromático e que vai passar por um
conjunto de filtros e assim mudar a sua cor da radiação branca em ondas com
comprimentos e cores diferentes e depois vai ser jogado ao DMD onde vai ser processada e
refletida para um sistema ótico e ser projetada.
Projetor DLP 3 chips -> Usa três filtros colimadores para gerar cores diferentes e que ainda
precisam de uma fonte luminosa e alguns dispositivos ópticos para projetar a imagem, com
esse dispositivos temos uma maior resolução em alguma superfície. Essa imagem vai ser
suscetível a distorções e é uma imagem ainda lavada pois estamos passando sobre alguma
superfície; Imagem com os pixels mais visíveis.

Gás de Plasma -> ela usa o mesma tecnologia da lâmpada fluorescente de tubo, em que
vamos ionizar um gás e esse gás vai receber parte dessa potência e vai entrar em processo
de ruptura dielétrica e nesse momento ele emite fótons na frequência ultravioleta e vai ser
jogado em um conjunto de caixas com um pó de fósforo e revestido por uma cor. para assim
formar a imagem. Nos dispositivos de Gás de plasma não possuem lâmpadas atrás deles e
com isso a cor preta em contraste com o branco será visto de maneira mais clara do que
nos dispositivos passados que tem uma lâmpada atrás gerando luz. Por isso a tv de plasma
ganhou a tv de LCD, sua desvantagem é a sua grande espessura e podem queimar muito
rápido. A tv de plasma é composta por caixinhas em que cada vez menores essas caixinhas
são, melhor é a qualidade da imagem.
Arquitetura LED -> é um diodo foto emissor.
Produzimos a luz na junção ‘pn’ e toda tv de led que tem uma luz de fundo é porque
também usam o lcd nela. Com isso usamos as duas tecnologias juntas. A gente gera a luz a
partir da junção ‘pn’, com isso a resolução do led para diferenciação do branco e preto é de
muito boa qualidade. O led produz muitos lumens e isso faz as televisões de led com uma
boa resolução.

O que muda os valores das televisões é a frequência de operação e a arquitetura do

dispositivo. A arquitetura Edge-Lit é mais barata tanto para compra quanto em relação a
gasto de energia e que a radiação vem das bordas para dentro da imagem e com isso
dependendo do tamanho da tv a imagem no centro pode ser lavada. Na Local dimming são
mais caras e que há leds por toda a tela e com isso essa gera imagens mais brilhosas e
com um contraste muito mais nítido.

Led Display -> um conjunto de leds agrupados para formar imagens entre outras coisas;
TV/ Display -> tela formada já com os dispositivos semicondutores de junção ‘pn’;

Como o processo de gerar o silício e o germânio são caros, ultimamente ocorreu o

investimento em OLED - diodo orgânico emissor de luz; O OLED em que usam compostos
orgânicos que não são muito caros e que geram luz, pois tem fosfina dentro deles, mas o
dispositivo ainda é o melhor, com um lado anodo e outro catodo e assim gerar o led, a
diferença é que não vai ocorrer a junção ‘pn’ como nos semicondutores. Diferentes
compostos orgânicos geram cores diferentes. Mais car

Amoled - é a mesma tecnologia do led e do OLED, mas que podemos controlar com uma
malha elétrica. TFT array em que vai chavear e que podemos controlar de ponto a ponto
controlando onde vai ter e onde não vai ter luz. Gera uma imagem muito mais nítida.

Foled - Led flexível, ou seja, um dispositivo com led e que poderiam ser dobrados, é uma
matriz que é feita em polímeros flexíveis e ópticos e dentro dele eram colocados os
compostos orgânicos igual ao OLED, mas que podem dobrar. Podemos ter vários danos a
esse dispositivo e que com um tempo a imagem vai perdendo a qualidade;

Transparente LED.

Transistor: são dispositivos naturais que a gente vai ter e que são compostos por dois
diodos do tipo ‘pn’ em série, mas em sentidos opostos e assim tem corrente 0. A gente
troca esse comportamento resistivo de acordo com a tensão que aplicamos nele. Os
transistores eram chamados de triodos quem eram uma válvula e que era usado para fazer
tv igual ao CRT.
São dispositivos ativos, pois amplificam os sinal que temos na fonte. São usados na elétrica
como chaves, mais conhecidos como processadores digitais e são usados como
amplificadores também. Ele é sempre um dispositivo de 3 terminais, um de entrada, um de
controle e um de saída (controlado). Nesse dispositivos, dois terminais de entrada
controlam os dois de saída, sendo um comum ao dois processos. Controlamos ele com uma
tensão contínua CC.
Os bipolares vão trabalhar sempre com as duas correntes, as de buracos e de elétrons,
logo teremos os dois tipos de portadores de carga.
Os transistores bipolares de junção(TBJ) Podem ser npn, que é composto por um diodo
cheio de elétrons + um cheio de buracos e mais um cheio de elétrons. Ou podem ser pnp;
São controlados por “corrente”. Fonte resistência e depois resistência, pois precisa de uma
queda de tensão; São controlados pelo efeito de transição da barreira ‘pn’.
São aplicados em eletrônica para fazer pontes retificadoras.
Os 3 terminais são coletor (c ), Base(b) e Emissor (E);

Os unipolares só trabalham com uma corrente, ou de elétrons ou de buracos, pois só

possuem um portador de carga.
Os transistores de efeito de campo(FET) (unipolares) são controlados por tensão. O
transistor já é ligado diretamente. São dispositivos que tentam estrangular com o efeito do
campo elétrico a passagem. Não perdem potência.
Usados como chave nas arquitetura de computadores.
Os 3 terminais são o Dreno(D) quem sai , Porta(G) quem controla e Fonte(S) quem entra.

Os BJT sempre tem a base no meio. Configuração de base comum mais usada para
explicar;
A base é ligada diretamente ao coletor ‘p’ e tem uma fonte de polarização qualquer que vai
amplificar o sinal entrando direto no emissor (ocorre uma transcondução por dentro do
dispositivo). Sempre vamos precisar de duas fontes de tensão e duas resistência para gerar
a corrente controladora. É esperado que a resistência de um transistor seja muito alta, pois
é um semicondutor formado por dois diodos.
Transistor Bipolar PNP e NPN:

São chamados de dispositivos sólidos. Não se pode usar GaAs pois tem que ser transição
direta, então deve ser de silício ou de germânio. Existem duas junções ‘pn’, logo sois diodos
colados um no outro e ocorre uma transcondutância, e deveriam gerar uma tensão nula,
pois estamos mitigando a corrente. Temos duas correntes atuantes.

Transistores do tipo PNP:

A entrada é o emissor e a saída é o coletor. Lado positivo da bateria no lado p e negativo no
lado ‘n’ e com isso vai gerar uma corrente entre esse dois terminais agindo como um
circuito fechado . Já no outro lado o negativo vai está no’ p’ e o positivo no ‘n’ e isso vai
gerar uma barreira muito grande fazendo com que não exista corrente entre esses
terminais.

Transistor do tipo NPN:

A entrada é o coletor e a saída é o emissor. E ocorre tudo ao contrário do PNP:

Transistores bipolares de junção PNP:

Quando ligamos um diodo PNP e que na base comum precisamos de duas fontes de
tensão DC e duas resistências, que vai ocasionar em uma queda de tensão e assim gerar a
corrente que controla o dispositivo. Observando a seguinte configuração:
O a barreira de junção entre o emissor e a base é fina e com isso passa
corrente(polarização direta), já a barreira entre a base e o coletor é grossa pois está em
polarização reversa e isso indica que a corrente não passa.
Outra explicação:
Como temos uma corrente que sai da fonte para o emissor, ela é chamada de corrente do
emissor(Ih). No outro lado tem a corrente do coletor(Ic) que também é dos buracos e Ib que
é a corrente que sai pela base. A corrente do emissor é igual à corrente da base mais a
corrente do coletor, quando nos referimos aos buracos eletrônicos(vai da direita para a
esquerda). É uma corrente de deriva, pois depende da tensão que foi aplicada a ela, depois
uma corrente de difusão e depois novamente uma corrente de deriva. A relação entre o
tamanho do coletor e do emissor em relação à base é de 1/150. Essa relação ocorre para
as placas não terem tempo de recombinação e assim perderem elétrons, mas sim apenas
chavear.
Essa corrente também é composta por elétrons e por isso o emissor é a saída da corrente
dos elétrons, em que os elétrons vão entrar no coletor e na base e vão sair pelo emissor e a
soma é a mesma.

As duas correntes possuem a mesma intensidade, mas sentidos diferentes, por isso elas se
somam. A base do transistor está cheia de corrente e vai ter alguma que a gente controla e
outra que a gente não controla.

Sobre a base do PNP:

Ocorre a corrente de transcondutância que é a corrente que passa dentro do transistor e
a corrente que sai pela base( tipo uma corrente de fuga) e que é necessária ao sistema
para gerar a corrente principal da transcondutância.
A corrente de base é normalmente 100 vezes menor que a corrente principal. Uma corrente
de baixa intensidade DC controlando uma corrente de alta intensidade.
Existem outras correntes(parasitárias) que a cada um grau de temperatura, maior é a
intensidade dessas correntes. Uma delas é a corrente de saturação reversa do coletor
[Ico] ( a corrente de circuito aberto devido a temperatura). Corrente de recombinação que
faz os buracos saírem pela base, fazem também os elétrons entrarem na base(ela diminui a
quantidade de portadores de carga que passam do emissor para o coletor). Corrente de
injeção de elétrons da base para o emissor. Juntando todas essas correntes parasitárias,
temos problemas com o processo de amplificação do sinal, por isso devemos sempre
analisar qual o melhor dispositivo para o nosso sistema.
A corrente do emissor é a soma da corrente da base mais a do coletor. Sendo a corrente da
base depende de uma fonte DC, já a corrente do coletor é a soma de algumas corrente,
sendo umas parasitárias, como a corrente do coletor minoritário mais a corrente da base
minoritária. A corrente do coletor é sempre menor que a corrente do emissor e a corrente da
base é sempre 100 vezes menor que a corrente do emissor. Essa diferença de corrente
entre o emissor e coletor faz com que a potência no coletor seja maior.

O fator de transporte é a relação da quantidade de corrente que a base deixa passar e fator
de amplificação é a relação de quanto a base aumenta o sinal de saída em relação ao sinal
de entrada. Não podemos aumentar muito a corrente do emissor para não queimar o
dispositivo no PNP.

Quando temos apenas dois diodos, um de frente para o outro, a corrente não conduz pois
um vai funcionar como chave fechada e outro como aberta, mas no transistor a corrente de
base que é uma corrente diferente de 0, permite o funcionamento dele. Quando coloca-se o
polo positivo no lado do emissor, os portadores de carga serão empurrados por uma
corrente de deriva e como possuem mais buracos, são chamados de portadores
majoritários, a junção ficar fina e com isso podemos passar os buracos para a base pela
corrente de deriva e assim, ele pode sair pela própria base ou pelo coletor. A base tem que
ser de baixa concentração de elétrons e nem ser grande para não ocorrer a recombinação e
nem deixar esse portador sair pela própria base. E esse processo é chamado de corrente
de difusão, pois temos uma barreira fina e uma baixa concentração (portador de carga
minoritário).

As barreiras ‘pn’ só conseguem ver portadores que são gerados em grande quantidade, ou
seja, os majoritários e por isso elas não vão deixar os elétrons passarem para a base, mas
os minoritários passam e com isso passam os buracos que são minoria quando estão na
base e com isso eles podem passar para o coletor e eles voltam a ser a maioria e gerar a
corrente de transcondutância fechando o circuito. Porque a corrente no transistor é uma
corrente diferente de zero sabendo que são dois diodos em série, é basicamente pois a
barreira é relacionada a uma seletividade a portadores de cargas majoritários e quando
geramos uma corrente de deriva para depois de difusão ele se torna minoritário.
Configuração de chip de computador
É feito com transistores e que são feitos por camadas de portadores de cargas do tipo npn e
com isso a transmissão ocorre de maneira vertical. Um dos problemas nas arquiteturas de
computadores é que não se pode deixar os eletrodos muito pequenos pois podem dar curto
e com isso a corrente pode vazar completamente. Com isso para diminuir o tamanho do
transistor, o que fazemos é dual core e com isso colocamos dois chips em vez de diminuir a
quantidade de transistores. Difunsão e implantação iônica (tecnologias planares) são
formas de organizar os transistores.

Implantação iônica ocorre quando pegamos um laser e com isso vamos colocando átomo
por átomo em um lugar tridimensional do chip.

Transistor bipolar NPN:

A corrente convencional entra no coletor, sai no emissor e sai pela base. No transistor NPN,
os dois diodos estão voltados para fora, mas ainda ligados em série e na representação
física em norma sempre a seta está sempre no emissor e a seta indica a direção que a
corrente está saindo ou entrando. A ponta da seta está sempre aponta para o lado
negativo.
Para o PNP:

Configuração base comum:

Podemos juntar duas fontes de tensão ligados a uma base comum, ou seja, ela é ligada ao
emissor e ao coletor.(só aumenta tensão, n ao a potência)
Esta montagem é utilizada de forma menos frequente do que as outras configurações em
circuitos de baixa frequência.
É utilizada para amplificadores que necessitam de uma impedância de entrada baixa. Como
exemplo temos o pré-amplificador de microfone.
É utilizado para amplificadores VHF e UHF onde a baixa capacidade da saída à entrada é
de importância crítica.
Não podemos utilizar quando queremos amplificar muito um sinal.
Curvas características para transistores de Silício(Base comum):

O transistor possui duas curvas IV, pois são dois diodos. A curva de entrada é igual a do ‘pn’
em que o dispositivo chaveia com a tensão de 0.7 V e quanto maior a tensão entre a base e
o coletor, maior é a queda de resistência neste sistema. Já a curva de sinal de saída é onde
ocorre a transcondução e que possui três regiões, a região de corte, a região de saturação
e a região ativa. Ao se operar na região de saturação(máxima condução) a primeira e a
segunda barreira do transistor estão em polarização direta, logo os dois lados estão finos.
A região de corte (corrente nula)é quando o transistor não deixa passar nada, apenas as
correntes parasitas, logo as duas barreiras estão grossas e estão em polarização reversa.
A região ativa é a região de amplificação, como amplificador de ondas micro-ondas e essa
região é quando uma barreira está em polarização direta e é fina e a outra em polarização
reversa e é grossa.

Configuração coletor comum:(aumenta a corrente)

O coletor vai ser ligado a base e a ao emissor de forma simultânea. Esta configuração é
comumente utilizada nos estágios de saída dos amplificadores Classe B e Classe AB, na
qual o circuito base é modificado para operar o transístor no modo classe B ou AB.
No modo classe A, muitas vezes uma fonte de corrente ativa é utilizada para melhorar a
linearidade ou eficiência. Aumentando corrente sem um ganho significativo de tensão e isso
dá um ganho de potência intermediário.
Possuem curvas com a região ativa um pouco maior de corrente.

Configuração emissor comum : Mais complicada de operar.

O emissor que está em contato direto com a base e o coletor e que tem vantagem pois
ganha simultaneamente corrente e tensão e com isso há um grande ganho de ganho de
potência e com isso ele consegue pegar um sinal de uma antena e amplifica esse sinal para
ser melhor utilizado. Seu problema é que ela aumenta muito o circuito e sua complexidade.
Amplificar sinais de baixa tensão, como os sinais de rádio fracos captados por uma antena,
para amplificação de um sinal de áudio ou vídeo.
Aula 9:

Transistores FET: (JFET para freqências maiores) Em transistores formados por uma
junção ‘pn’ clássica, esses dispositivos formam uma corrente convencional que é uma
corrente de buracos eletrônicos e uma corrente de elétrons que é uma corrente real.
Sabemos também que os transistores bipolares são sempre controlados por corrente e os
transistores de efeito de campo são sempre controlados por uma tensão aplicada. Os
transistores de efeito de campo só vão possuir a corrente de um tipo do portadores de
carga, podendo ser de elétrons ou buracos.
O transistor FET possui outros nomes diferentes para os seus terminais. Temos a Fonte(S)
que é a entrada do sinal e a saída ocorre no Dreno (D) e é controlado pela Porta(G).

Ao pensarmos em uma torneira, a pressão que a água sai vai ser equivalente a tensão que
a gente fornece a ela em forma de ddp e que é controlado pela porta que vai liberar um
fluxo de água e que vai sair pelo dreno. Como estamos trabalhando com o pnp, os
portadores de cargas que são utilizados são os elétrons, já se fosse um tipo ‘npn’, iríamos
trabalhar com a corrente de buracos.
Em todo transistor de efeito de campo precisamos saber além do terminais, precisamos
conhecer os canais , pois diferente dos bipolares que a gente tinha que perfurar o campo,
nos de efeito de campo a gente atravessa lateralmente esse campo e com isso o fato de
deixar ou não deixar a passagem da corrente ocorre devido a um estrangulamento do canal
do semicondutor dopado, que pode ser do tipo ‘pnp’ que é dopados por elétrons e ‘npn’ e
que o canal vai ver de buracos eletrônicos. Nesses dispositivos, vamos sempre aplicar uma
ddp que é reversa ao tipo do portador que temos, por exemplo se temos um com o canal
positivo por ser do tipo ‘pnp’, devemos nesse caso é aplicar uma tensão negativa(NFET),
pois o canal é tipo ‘n’, já se o canal for ‘p’ devemos aplicar uma tensão positiva(PFET).
Temos uma tensão entre a porta e a fonte, que vai controlar se a corrente vai passar ou não
e uma tensão entre o dreno e a fonte que vai puxar a partícula carregada. (A polarização
da porta é igual a polarização do canal).
Em um dispositivo ‘pnp’ onde temos um canal ‘n’ , em que para fazermos o elétron ir para
o outro lado(dreno), esse outro lado precisa ter uma tensão positiva e a tensão na fonte
sendo negativa para puxar o elétron. Já na porta a tensão é inversa, ela é negativa e vai
está sobre o lado ‘p’ e lado positivo ligado a fonte. (explicação mais certa)

Nos dispositivos bipolares sempre apareciam umas correntes de fuga e isso atrapalhava um
pouco a amplificação, pois a relação entre a impedância de entrada e a de saída é muito
alta, mas não é tão alta. Já nos dispositivos do tipo FET, a relação dessas impedância é
muito maior e isso faz com que diminua a quantidade de ruído ou corrente de fuga, fazendo
esse dispositivo amplificar muito mais e conseguir ter uma frequência de chaveamento
muito maior.

Representação bidimensional unilateral:

Entre os semicondutores ainda fazemos uma barreira ‘pn’. Se não tivermos nenhuma
tensão aplicada entre a porta e a fonte, o canal vai está completamente aberto, pois não
tem nada para obstruir a passagem da corrente. Ao se aplicar uma tensão maior que zero
( V >0) em um ‘pnp’ o negativo vai está na fonte e o positivo no dreno e com isso vamos
conseguir empurrar o elétron da fonte para o dreno, se somente se a tensão aplicada na
porta for igual a zero (passagem máxima de corrente -> 1 do processador) .
Agora, mantendo a fonte entre o dreno e a fonte do dispositivo, mas adicionando uma outra
entre a porta e a fonte em que a polarização é reversa, teremos um aumento da barreira
‘pn’ e com isso uma maior dificuldade para a passagem dos elétrons.
Nessa nova configuração, quanto maior a tensão entre o dreno e a fonte, maior vai ser a
largura da junção ‘pn’ e com isso menor será a passagem dos elétrons por esse dispositivo.
Quanto maior a barreira for ficando devido ao aumento da tensão entre o dreno e a fonte,
mais ela vai deformando e com isso assume a “forma de borboleta” e quando ocorre um
maior estrangulamento e com isso uma menor quantidade de corrente consegue passar
(apenas uma de parasitária), chamamos de ponto “pinch-off “(Considerado um valor de
mínimo corrente, quase uma isolação - > 0 para o processador) (2.5V - máximo)
A “Asa de borboleta” é formada dos dois lados do dispositivo e que depende da tensão
aplicada.

Diferente do Bipolar em que chamamos as regiões do gráfico de corte, ativa e de saturação.

Agora nos FET vamos chamar de região ôhmica e região de saturação. A Região ôhmica é
a de amplificação e a de saturação é um região de chaveamento.

Transistores MESFET: São transistores de efeito

de campo metal semicondutor. A sua característica clássica é a das barreiras schottky.
Nesse dispositivo existe uma ligação direta do metal da Porta com o semicondutor (solda), é
composto por um chip inteiro de GaAs semi isolante ligado com mais dois metais um na
fonte e outro no dreno. No entanto, esses metais da fonte e do dreno são feitos
prioritariamente de Ge ou Au , pois deve acontecer o contato ôhmico entre os contatos da
fonte e do dreno com o semicondutor, ou seja, a resistência é pequena e que cresce
linearmente com o aumento de tensão.
Já para os metais da Porta devem ser de Al, W e Ti ( para formarem uma barreira Schottky)
e que vai gerar uma heterojunção que vai formar além de uma barreira física, vai formar
uma barreira potencial de trabalho.
O MESFET usa uma base de GaAs semi-isolante ao invés de uma de Si ou Ge, pois para
fazer transistores que trabalham com frequências muito rápidas e por não apresentarem
problema com corrente. A mobilidade do elétron do GaAs é 22 vezes mais rápido do que no
silício e por isso ele é melhor para trabalhar com alta frequência. Ele ainda é semi-isolante,
pois ele deve conduzir apenas em uma parte dele ( parte superior) e outra parte isolante
(parte de baixo). Isso é feito para a corrente fluir da fonte para o dreno .

Funcionamento: temos uma região do tipo ‘p’ e 3 regiões do tipo ‘n’ recebendo tensão da
fonte, Porta e Dreno.

Se a tensão entre a porta e a fonte for igual a 0 e a tensão entre o dreno e a fonte seja
maior que 0 (V>0). O elétrons vai da fonte para o dreno e com isso essa corrente presente é
diferente de 0. (conduz)
No entanto, ao se continuar mantendo a tensão entre o dreno e a fonte diferente de 0, mas
a diferença entre a tensão da fonte e da porta é maior que 0 e quanto maior ela fica, mais
isolante o dispositivo se apresenta. E a corrente vai diminuindo até chegar em 0. (3v - Max)

Ele se isola completamente quando atinge a tensão de

‘Pinch-off” que é uma tensão de estrangulamento. A
diferença entre o MESFET e o JFET é que a barreira
formada é uma barreira de trabalho e não é física.
Consegue alcançar as frequências de 3G, 4G e
5G. Existe uma barreira também na divisão entre os condutores e isolante que impede de o
dispositivo perder corrente.

Transistor MOSFET - São transistores de efeito de campo metal -oxide - semicondutor ou

Transistores de efeitos de campo de porta isolada . Memórias MOS. melhor tipo de
transistor para processamento. (IGFET)
Como temos um metal que está ligado ao óxido(isolante) e a um semicondutor, observamos
que o metal ponto de entrada está isolado fisicamente. A porta não tem contato físico entre
o metal e o semicondutor. É composto por 3 terminais e uma tensão entre a fonte e a porta
e outra entre a fonte e o dreno, porém nesse caso teremos um novo terminal que é
chamado de substrato (SS) que fica aparente em apenas a nível de fabricação e com isso
desde fabricação o substrato já está ligado a fonte se o canal for ‘n’ . Entretanto, se tivermos
canal ‘p’ vamos ligar o substrato ao dreno. Esse dispositivo é o NMOS.

Esse dispositivo é composto por um substrato dopado com tipo ‘p’ e vamos ter um canal do
tipo n onde ficam a Porta e o substrato e ligados a dois terminais n +. A porta é ligada a uma
camada de óxido de silício ao semicondutor do tipo ‘n’ e por isso recebe o nome de porta
isolada. Existe um metal ligado de maneira direta no substrato ‘p’ ( pois o canal da porta é
do tipo ‘n’ ) e que vai funcionar como o quarto terminal.

A curva deste transistor é dividida em duas regiões, uma onde a tensão entre a fonte e a
porta for maior que 0 é chamado de modo de intensificação, e quando ocorre a tensão
menor que 0 entre a porta e o dreno, teremos o modo de depleção. E temos o ponto de
colapso que faz o dispositivo ter um ganho enorme de corrente.

O modo de
depleção aparece
com um canal já
feito, pois a
porta e o dreno já
batem direto no semicondutor, diferentemente do que ocorre na porta. E essa ponte de
depleção já possui um canal entre o dreno e a fonte formada naturalmente. Para descobrir
como ocorre a passagem desses elétrons precisamos conhecer:

O Efeito Capacitivo: (polarização eletrônica)

Ao se aplicar uma diferença de potencial nas placas, uma vai ficar positiva e outra negativa
e ao colocar um isolante entre as placas, as cargas do isolante vão se organizar e com a
diferença entre uma carga positiva e uma negativa vamos gerar um campo elétrico. E o que
faz o capacitor funcionar é o isolante.
Com isso, ao se colocar uma uma tensão negativa em relação a fonte na porta, o metal vai
ficar positivo e o isolante que tinha cargas positivas e negativa, as negativas vão se
aproximar do metal e as positivas vão se aproximar do outro lado do semicondutor. com
isso os elétrons vão corrente para o semicondutor e isso vai formar uma região negativa e
por isso é chamado de processo CMOS.

Voltando ao dispositivo: Se a tensão entre o dreno e a fonte for igual a 0, observamos que
os elétrons não se movimentam e a corrente é nula e a PORTA for nula. No entanto, se a
tensão entre a fonte e a porta for positiva menor que 0 (V <0 -> modo de depleção) e a
tensão entre a fonte e o dreno for maior que 0, os elétrons na camada ‘n’ são empurrados
para cima do lado ‘p’ e com isso o elétrons que entrar pela fonte vai ter problema para
passar ao dreno, dessa forma a corrente é muito baixa. No entanto, ao se colocar um
tensão entre o a porta e a fonte maior que 0 e a tensão entre o dreno e a fonte também
maior que 0, os elétrons vão ser puxados para cima do metal e com isso o elétrons
consegue sair pela dreno, logo a corrente é maior que 0.
Modo de intensificação: considerada a melhor tipo de arquitetura o e que a
tem um efeito de fuga muito pequeno.

A diferença é que ele não possui canal e com isso a corrente não consegue passar, logo ele
tem a maior impedância e com isso é o mais resistivo e quando for para isolar ele não deixa
passar quase nenhuma corrente de parasitária( 0 verdadeiro) . Como faz para ele conduzir:
Ele vai conduzir pelo efeito capacitivo e com isso o canal vai ser construído só quando for
conduzir. Por isso devemos aplicar uma tensão maior que 0 no dreno ‘n’ e uma tensão
negativa entre a porta e a fonte vai ocorrer a polarização que vai fazer um canal de elétrons
e deixar o elétron fornecido pela fonte vai conseguir passar e assim temos um valor
máximo de condução . Arranjo básico para o CMOS.

Aula 10:
Tiristores:

SCR - Retificador Controlado de silício: vai ter 3 terminais, o anodo, o catodo e a porta
de controle.

O SCR para altas potências podem controlar tanto corrente alternadas como corrente
contínuas, é fabricado com faixas operacionais de até 10MW de potência que dá quase
2kA de corrente, podemos chegar até 1.8kV de potência aplicada ao sistema e frequências
de até 50 KHz, sua capacidade de resistência interna opera entre 0.1 Ohm até 100k Ohm,
já em operação com módulo AC, esses tiristores SCR são utilizados como retificadores, já
em módulo DC ele funciona como uma chave que vai depender da tensão aplicada no
sistema.
Para operar em ambos os sentido precisamos de um pulso na porta, que normalmente é
feito por um fasoramento de onda, logo antes de colocar esse dispositivo devemos colocar
um circuito retardante resistivo para formar um sinal defasado e assim conseguir com essa
onda defasada passar do estado de condução para o estado de isolamento. Este dispositivo
trabalha com uma polarização direta (IGLET) . O SCR fica ligado intermitentemente
(conduzindo) e a única forma de conseguir fazer o tiristor desligar(isolar) é aplicando uma
corrente no anodo que vai gerar um novo pulso que vai desligar ele.
Esse dispositivo é formado por 4 camadas de semicondutores extrínsecos baseados no
silício pois apresenta uma quantidade térmica muito alta, ou seja, vai conseguir suportar o
aumento de temperatura fornecida pela corrente.

Teremos um terminal chamado de anodo (positivo) que é anexado ao lado P1, o catodo no
N2 (lado negativo ) e a Porta que é colocada no P2. O tiristor SCR vai ter 3 junções ‘pn’ e
ao se aplicar uma tensão nula a porta, teremos um agrupamento chamado de agrupamento
de chockly e vamos ter dois transistores trabalhando em conjunto. Ao colocar uma
polarização direta no dispositivo, a junção 2 vai ser inversa e com isso é graça e com forte
campo elétrico (barreira espessa) .

Ao aumentar a tensão entre o catodo e o anodo e com a porta em 0 ainda, deixamos o

anodo cada vez mais positivo e o catodo mais negativo, cada vez que aumenta,
empurramos os portadores de carga com mais força e com isso teremos uma corrente de
avalanche que ocorre pela entrada de elétrons (formando a corrente dos elétrons P1 -> P2)
e de buracos (formando a corrente de buracos N1<- N2) no sistema. Logo, já conseguimos
ligar o dispositivo apenas aumentando a corrente entre o anodo e catodo. Para usar esse
dispositivo apenas com essas tensão aplicada no catodo e anodo é algo realmente difícil,
pois precisamos de tensões e correntes muito elevadas, por isso usamos a porta para poder
ligar ou desligar o dispositivo, ou seja, ela inicia o processo de avalanche. Dessa forma
percebemos o porquê a porta é conectada ao P2, pois nesse ponto o nível de energia já é
suficiente para dar um start no processo de avalanche.

Analisando e separando os transistores que formam o tiristor, temos um ‘pnp’ e ou ‘npn’:

Para ligar este dispositivo, precisamos de uma corrente em relação a tensão que estamos
fornecendo associada à porta. Pensando na associação dos transistores temos que a base
do ‘pnp’ está ligada ao coletor do ‘npn’, já o coletor do ‘pnp’ está ligado à porta do ‘npn’. Só
podemos ligar esse dispositivo com duas opções, não aplicando tensões na porta, mas
aplicando muita tensão entre o anodo e catodo (forma errada), ou colocar uma tensão
defasada na porta que vai gerar uma corrente e vai ligar o dispositivo controlando o efeito
avalanche.
Para passar o tiristor ao estado ligado é preciso que a prota receba um pulso positivo de
pequena amplitude por um curto espaço de tempo;
Permanece no estado ligado enquanto a corrente ficar acima de um certo valor;
chaveamento (corrente contínua);
Controle de potência / retificação (corrente alternada).

Tiristor é unidirecional em polarização direta, em polarização reversa não se pode operar os

tiristores, pois vamos formar duas barreiras de junção grossas, que vão impedir a passagem
da corrente, logo só vai ter a corrente parasita que não devemos usar. Em direta, a curva
inicia em valor mínimo, que é uma corrente inicial de polarização (LET, para ligar), mas ao
chegar um valor muito alto de tensão dado à porta, observamos a avalanche e com isso a
tensão cai e a corrente aumenta de forma disparada (HOLD/MANUTENÇÃO corrente de
operação do dispositivo). A corrente da porta em relação a corrente do catodo e anodo é
muito menor.

Tiristores DIAC: Diodos bidirecionais para corrente alternada (diodo AC)

São formados por 5 regiões semicondutoras extrínsecos alternadas entre ‘n’ e ‘p’. Só tem
dois terminais negativos ( anodos) e não tem porta de controle. Como ele é bidirecional,
esse diac opera em dois sentidos, seja na polarização direta ou na reversa. Não vai ter
catodo, apenas o ‘anodo 1’ e o ‘anodo 2’. Ele só pode ser ligado aumentando até exceder a
tensão de disparo, funcionando com o efeito avalanche. É utilizado como gatilho para outro
dispositivo no caso mais comum é um triac. Eles operam entre 15 a 30 Volts. Tanto para
um lado quanto para o outro ele vai ter a mesma função, por isso é bidirecional em ambas
as polarizações, fazendo assim seu gráfico tensão corrente ser idêntico para ambos os
lados.

Dependendo se a tensão vai ser positiva ou negativa, quando ocorre o processo de

avalanche chegada na tensão de LET (IL) vai ocorrer uma queda de tensão(IH) e com isso
um ganho de corrente (corrente de hold). A tensão inicial é de até 30 V.

Triac : Triodo bidirecional para corrente alternada

Precisam de um diac para ligar. São capazes de controlar uma alta corrente. Ele é uma
combinação de camadas inversas de semicondutor, que podem ser disparadas nas duas
polarizações. O triac também só funciona com 2 terminais de anodos(começa e termina
com as dopagens do tipo ‘n’) e uma porta de controle. Normalmente precisa de um pulso
IGT ou IL( inicial) que é um pulso gerado por um diac que vai entrar na porta do triac e
assim o triac liga. O triac só funciona para controle de corrente alternada. Diferente do diac,
o triac não vai ter uma corrente de hold por um período maior, sempres vai existir é um
corrente de aplicação. Há triacs que podem chegar até 10kW de potência e é uma chave
não retificada de potência bilateral, pois só fazemos operação em corrente alternada.
É usado para gerar dimmers industriais que controlam alta intensidade de potência no seu
dia a dia operacional. Comparando um triac que controla as corrente elevadas com um
SCR, observamos que o triac consegue controlar até 100% de potência na carga, já o SCR
que é unidirecional ele só consegue controlar 50% da potência. Usado para regular tensão
AC de 60Hz e que tem limitações como: baixa velocidade, que restringe a frequência
operacional.

como funciona:
O direcionamento é perceptível no gráfico IV, em que após o efeito avalanche a tensão
reduz totalmente e a corrente dispara. Temos o controle da potência em dois sentidos.