Semicondutores e Diodo submetido a Tensão Contínua

Foi na década de 20 do século passado que os semicondutores despontaram como a grande

promessa tecnológica. Porém, a partir da década de 40, com a teoria atômica e quântica em pleno
vapor, desenvolve-se também a física do estado sólido que investiga a estrutura, as propriedades e o
comportamento elétrico dos semicondutores.

Surge, então, o diodo semicondutor, que substitui a válvula diodo com a vantagem de consumir
uma menor quantidade de energia, além de ter dimensão bem menor.

Logo em seguida vem o transistor, substituindo a válvula tríodo, e outros dispositivos mais que
foram criados a partir da necessidade imposta pelos novos aparelhos que surgiram, e possibilitando o
surgimento de outros.

Todo o desenvolvimento alcançado pelo homem no século XX e começo de século XXI tem
uma íntima relação com o desenvolvimento dos dispositivos eletrônicos.

Hoje, qualquer fato ocorrido em algum canto do mundo pode ser noticiado no mesmo momento
para o planeta inteiro. Podem-se ver ao vivo os shows de música e as partidas de futebol, conversar
com amigos ou parentes distantes.

Cada vez mais as máquinas podem ser controladas ou programadas para substituir o homem no
seu trabalho. Porém, é necessário que, como técnicos, engenheiros ou curiosos que estudam eletrônica,
as pessoas tenham uma presença crítica frente a esse desenvolvimento. Não basta ficar olhando e
admirando as possibilidades da tecnologia, é importante perceber que tipo de uso se pode fazer dela.

Bandas de energia

Um átomo é formado por elétrons que giram ao redor de um núcleo composto por prótons e
nêutrons, sendo que o número de elétrons, prótons e nêutrons é diferente para cada tipo de elemento
químico.

Os elétrons giram em órbitas ou níveis bem definidos, conhecidos como K, L, M, N, O, P e Q,

como mostra a figura 1, que representa o modelo atômico de Bohr.

Quanto maior a energia do elétron, maior é o raio de sua órbita. Assim, um elétron da órbita Q
tem mais energia que um elétron da órbita P. Este por sua vez, tem mais energia que um elétron da
órbita O e assim por diante.
 Para o estudo dos materiais semicondutores, é necessário, entender que um elétron precisa estar
a uma determinada distância (órbita) do núcleo e com determinada velocidade (energia cinética) para
que a força centrífuga sobre ele, orientada radialmente e para fora do átomo, equilibre-se com a força
eletrostática entre ele e o núcleo, orientada radialmente em direção ao núcleo (atração eletrostática),
tornando-o estável, como mostra a figura 2.

Estas condições de estabilidade dos elétrons em determinadas órbitas fazem com que em cada
uma delas seja possível um número máximo de elétrons. Camada K = 2, L = 8, M = 18, N = 32,
O = 32, P = 18 e Q = 2.

A última órbita de um átomo define a sua valência, ou seja, a quantidade de elétrons desta órbita
que pode se libertar do átomo através do bombardeio de energia externo (calor, luz ou outro tipo de
radiação) ou se ligar a outro átomo através de ligações covalentes (compartilhamento dos elétrons da
última órbita de um átomo com os elétrons da última órbita de outro átomo).

Esta órbita mais externa recebe, por isso, o nome de órbita de valência ou banda de valência.

Os elétrons da banda de valência são os que tem mais facilidade de sair do átomo.

Em primeiro lugar, porque eles tem uma energia maior e, em segundo lugar, porque, por
estarem a uma distância maior em relação ao núcleo do átomo, a força de atração eletrostática é menor.

Uma pequena quantidade de energia recebida faz com que eles se tornem elétrons livres,
formando assim, uma banda de condução, sendo capazes de se movimentar pelo material.

São estes elétrons livres que, sob a ação de um campo elétrico, formam a corrente elétrica,
como mostra a figura 3.
 O fato das órbitas estarem a distâncias bem definidas em relação ao núcleo do átomo, faz com
que entre uma órbita e outra exista uma região onde não é possível existir elétrons, denominada banda
proibida.

O tamanho da banda proibida na última camada de elétrons define o comportamento elétrico do

material como condutores, isolantes e semicondutores.

Nos condutores não há banda proibida. Os elétrons passam da banda de valência para de
condução muito facilmente, basta que um pequeno gradiente de potencial (campo elétrico) seja
aplicado para que o elétron se locomova numa orientação determinada.

Nos isolantes há uma grande banda proibida de forma que para o elétron sair da banda de
valência para banda de condução ele precisa de uma grande quantidade de energia para dar esse salto e
transformar-se num elétron livre.

Nos semicondutores a banda proibida é bem menor que nos isolantes de forma que para o
elétron sair da banda de valência para banda de condução ele precisa de uma pequena quantidade de
energia para dar esse salto e transformar-se num elétron livre.

Materiais Semicondutores Intrínsecos

Na tabela periódica há vários elementos com valência quatro (elementos tetravalentes). Os

usados em eletrônica como semicondutores são o silício e o germânio.

Por serem tetravalentes, cada um dos seus átomos pode realizar quatro ligações covalentes com
outros quatros átomos.

O silício possui 14 elétrons distribuídos em três órbitas (K = 2, L = 8, M = 4)

O germânio possui 32 elétrons distribuídos em quatro órbitas (K = 2, L = 8, M = 18, N = 4).

Por uma questão de simplicidade e para que se possa compreender melhor as figuras, esses
materiais serão representados como se tivessem ligações planas, como mostra a figura 4.
 Um átomo de silício isolado possui quatro elétrons na sua órbita de valência; porém para ser
quimicamente estável precisa de oito elétrons. Poderá, por isso, combinar-se com outros átomos, de
forma a completar os oito elétrons da sua órbita de valência, como é mostrado na figura 4.

O átomo de silício posiciona-se entre outros quatros átomos de silício. Cada vizinho
compartilha então um elétron com o átomo central. Dessa forma, o átomo central apanha quatro
elétrons, o que lhe dá um total de oito elétrons na órbita de valência.

Existem também materiais conhecidos como semicondutores III-V que são formados a partir da
ligação entre um elemento trivalente (três elétrons na camada de valência) e um pentavalente (cinco
elétrons na camada de valência). Os mais comuns são o arseneto da gálio (GaAs) e o fosfeto de índio
(InP).

Esses materiais (Si, Ge, GaAs e INP) são chamados de semicondutores intrínsecos ou puros
pois encontram-se em seu estado natural.

Hoje em dia, o silício é o material utilizado já que é bastante abundante na natureza (pode ser
obtido a partir do quartzo que é encontrado na areia da praia e na terra) e, portanto, é mais barato.
 O germânio, um outro elemento tetravalente, foi amplamente usado no início do estudo dos
semicondutores. Atualmente, porém, é raramente usado em projetos novos. À temperatura ambiente um
cristal de silício não tem praticamente elétrons livres se comparado ao cristal de germânio.

A energia térmica influencia muito mais o germânio do que o silício. Esta é uma outra razão que
fez o silício tornar-se totalmente superior ao germânio na fabricação de diodos, transistores e outros
componentes semicondutores.

Condução Elétrica nos Semicondutores

Uma tarefa importante no estudo dos semicondutores é a compreensão de como é possível a

condução elétrica nos semicondutores.

A figura 5 mostra um elétron que se libertou do átomo por ter recebido energia suficiente,
tornando-se um elétron livre. O átomo fica, então, com uma ligação incompleta e, como ele perdeu um
elétron, está ionizado positivamente (aparece no lugar do elétron um íon positivo).

Após um determinado tempo, observando-se novamente a estrutura deste semicondutor, pode-

se constatar que aquele ìon positivo “andou”.

Portanto, a movimentação do íon positivo num sentido corresponde, na verdade, à

movimentação do elétron no sentido contrário.
 Este movimento dos íons positivos pode ser entendido como um movimento de partículas
positivas chamadas lacunas. Não esquecendo que a movimentação efetivamente se dá por cargas
negativas, os elétrons.

Num semicondutor intrínseco (puro), a existência de cada elétron da banda de condução garante
a existência de uma lacuna de valência orbitando em algum átomo. Em outras palavras, a energia
térmica produz pares elétrons-lacuna. As lacunas agem com se fossem cargas positivas e por esta razão
são indicadas com o sinal mais (+).

O desaparecimento de um elétron livre e de uma lacuna é chamado recombinação.

A recombinação está constantemente acontecendo num semicondutor.

A recombinação é o fenômeno que ocorre quando o elétron livre ocupa a lacuna, neste caso, o
desaparecimento da carga negativa é acompanhado pelo desaparecimento da carga positiva. A
neutralidade do cristal é mantida.

Semicondutores Extrínsecos (ou dopados)

Um cristal de silício puro (aquele no qual cada átomo é um átomo de silício, ou germânio) é
conhecido como semicondutor intrínseco.

Para a maioria das aplicações em eletrônica, não há elétrons livres nem causas suficientes num
semicondutor intrínseco para produzir uma corrente utilizável.

A dopagem significa introduzir átomos de impurezas num cristal de modo a aumentar tanto o
número de elétrons livres quanto de lacunas.

Quando um cristal é dopado, ele passa a ser chamado semicondutor extrínseco.

Semicondutores Tipo N e P

Quando num cristal de silício (ou germânio) é acrescentada uma quantidade de átomos de um
material pentavalente (com cinco elétrons na camada de valência) tem-se um semicondutor dopado ou
extrínseco.

Exemplos de elementos pentavalentes:

o arsênio (As), o antimônio (Sb) e o fósforo (P)

Estes elementos estranhos, também chamados de impurezas, assumem a mesma estrutura do

cristal de silício fazendo, cada impureza, quatro ligações covalentes com seus átomos vizinhos mais
próximos, como mostra a figura 6.

Por serem pentavalentes, um dos elétrons da camada de valência de cada átomo fica sem
participar das ligações, tornando-se elétron livre.

Por isso, as impurezas pentavalentes são chamadas de impurezas tipo N.

 Desta forma, o número de elétrons livres é maior que o número de lacunas (geradas pelo calor a
temperatura ambiente), ou seja, neste semicondutor os elétrons livres são portadores majoritários e as
lacunas são portadores minoritários.

Representação de um semicondutor extrínseco tipo N

Como os elétrons livres são cargas elétricas negativas, este semicondutor é chamado tipo N.

Quando num cristal de silício (ou germânio) é acrescentada uma quantidade de átomos de um
material trivalente (com três elétrons na camada de valência) tem-se um semicondutor dopado ou
extrínseco.

Exemplos de elementos trivalentes:

o alumínio (Al), o boro (B) e o gálio (Ga)

Estes elementos estranhos, também chamados de impurezas, assumem a mesma estrutura do

cristal de silício fazendo, cada impureza, quatro ligações covalentes com seus átomos vizinhos mais
próximos, como mostra a figura 7.
 Por serem trivalentes, vai ficar faltando um dos elétrons da camada de valência de cada átomo
sem participar das ligações, tornando-se uma lacuna. Lacuna no sentido de falta de elétron.

Representação de um semicondutor extrínseco tipo P

Por isso, as impurezas trivalentes são chamadas de impurezas tipo P.

Desta forma, o número de lacunas é maior que o número de elétrons livres (gerado pelo calor a
temperatura ambiente), ou seja, neste semicondutor as lacunas são portadores majoritários e os elétrons
livres são portadores minoritários.

Como as lacunas podem ser consideradas cargas positivas, este semicondutor é chamado tipo P.

Os cristais semicondutores N e P, por conterem impurezas, são também denominados

semicondutores extrínsecos.

A técnica de se acrescentar impurezas ao semicondutor para aumentar tanto o número de

elétrons livres quanto o número de lacunas é chamada de dopagem e, por isso, a impureza é chamada
de dopante.

No caso dos semicondutores III-V (GaAs – arseneto de gálio e InP – fosfeto de índio) não
existe um processo de dopagem propriamente dito. Os semicondutores tipo P e tipo N, no caso do
GaAs, são obtidos através do aumento da quantidade de gálio (para tipo N) e de arsênio (para tipo P).
Junção PN

A partir dos semicondutores tipo N e tipo P, é possível construir diversos dispositivos

eletrônicos, entre eles o diodo semicondutor.

O diodo semicondutor é constituído basicamente por uma junção PN, ou seja, pela união física
de um material tipo P (cujos portadores majoritários são lacunas) com um tipo N (cujos portadores
majoritários são elétrons), como mostra a figura 8.

Este fenômeno da ocupação de uma lacuna por um elétron é chamado de recombinação.

Como o processo de recombinação ocorre inicialmente na região próxima à junção, um

fenômeno interessante acontece: a formação de uma camada de depleção.

Depleção significa diminuição ou ausência e, neste caso, esta palavra corresponde à ausência de
portadores majoritários na região próxima à junção PN.

À medida que os átomos do material tipo P próximos à junção recebem os primeiros elétrons
preenchendo as suas lacunas, no lado N forma-se uma região com íons positivos (falta de elétrons) e,
no lado P, uma região com íons negativos (excesso de elétrons), dificultando ainda mais a passagem de
elétrons do material tipo N para o material tipo P.

Assim, a partir de um certo momento, este fluxo de elétrons cessa e esta região ionizada
(camada de depleção) fica com ausência de elétrons e lacunas, que são os responsáveis pela corrente
elétrica, como mostra a figura 9.
 Como a camada de depleção fica ionizada, cria-se uma diferença de potencial na junção
chamada de barreira de potencial, cujo símbolo é VD.

Esta diferença de potencial VD, a 25º C (suposta temperatura ambiente) é de aproximadamente

0,7 V para os diodos de silício e 0,3 V para os diodos de germânio. Tal situação é mostrada na figura
10.
 Cada lado do diodo semicondutor recebe um nome: o lado P chama-se anodo e o lado N chama-
se catodo. Anodo vem de ânion e catodo de cátion.
A figura 11 mostra o símbolo do diodo semicondutor.

Polarização da Junção PN

Aplicando-se uma tensão nos terminais do diodo, a camada de depleção se modifica, alterando
também as características da barreira de potencial. Estas modificações dependem do sentido da
polarização do diodo.

Polarização Direta

A polarização direta ocorre quando o potencial positivo da fonte encontra-se ligado no lado P e
o potencial negativo no lado N, como mostra a figura 12.

Desta forma, os elétrons do lado N ganham mais energia porque são repelidos pelo terminal
negativo da fonte e são atraídos para o lado P, atravessando, assim, a junção.

No lado P, eles recombinam-se com as lacunas, tornando-se elétrons de valência, mas

continuam deslocando-se de lacuna em lacuna, pois são atraídos pelo terminal positivo da fonte,
formando-se uma corrente elétrica de alta intensidade, conhecida como corrente direta ID, fazendo com
que o diodo se comporte como um condutor com uma resistência direta muito baixa.
Polarização Reversa

A polarização reversa ocorre quando o potencial negativo da fonte encontra-se ligado no lado P
e o potencial positivo no lado N, como mostra a figura 13.

Por causa da polarização reversa, os elétrons do lado N são atraídos para o terminal positivo e as
lacunas para o terminal negativo da fonte. Com isso, formam-se mais íons positivos no lado N e íons
negativos no lado P, aumentando, assim, a camada de depleção e, consequentemente, a barreira de
potencial.

A barreira de potencial aumenta até que sua diferença de potencial se iguale à tensão da fonte de
alimentação. Portanto, quanto maior a tensão da fonte, maior a barreira de potencial.

Desta forma, os portadores majoritários de cada lado do diodo (lacunas no lado P e elétrons no
lado N) não circulam pelo circuito.

Por outro lado, existe uma corrente muito pequena formada pelos portadores minoritários
(elétrons no lado P e lacunas no lado N), muitos deles criados continuamente pela energia térmica a
temperatura ambiente.
Esta pequena corrente elétrica é chamada corrente de fuga IF por estar limitada aos portadores
minoritários, ou seja, ela não aumenta proporcionalmente à tensão reversa aplicada ao diodo, sendo
considerada desprezível na grande maioria dos casos, ou seja, o diodo se comporta como se fosse um
circuito aberto ou uma resistência reversa RR altíssima.

Portanto, o diodo semicondutor é um dispositivo que conduz apenas quando está polarizado
diretamente.
Curva Característica do Diodo

Para facilitar a compreensão do funcionamento do diodo semicondutor, pode-se descrever

graficamente o seu comportamento elétrico através da curva característica que mostra a corrente em
função da tensão aplicada, como vê-se na figura 14.

Este gráfico mostra que para tensões negativas (polarização reversa) a corrente é praticamente
nula, caracterizando uma resistência elétrica muito alta, sendo esta tensão limitada por VRR (tensão de
ruptura reversa ou breakdown voltage).

Após a tensão de ruptura reversa ser atingida o diodo começa a conduzir reversamente. Os
diodos ao atingirem essa condição irão queimar pois os mesmos não são fabricados para trabalharem
nessa região. O único diodo que pode trabalhar nessa região de condução reversa é o diodo zener.

Para tensões positivas (polarização direta), até VD a corrente é muito baixa, mas acima de VD,
ela passa ser bastante alta, caracterizando uma resistência elétrica muito baixa, sendo esta corrente
elétrica limitada por IDM (máxima corrente contínua direta).

Esta curva também mostra que, como todo dispositivo elétrico e eletrônico, o diodo
semicondutor também tem determinadas características e limitações que são especificações dadas pelo
fabricante do componente.

Principais Especificações do Diodo Semicondutor

Como a junção PN possui uma barreira de potencial natural (VD), na polarização direta só existe
corrente elétrica se a tensão aplicada ao diodo for maior ou igual a VD.

Na polarização direta, existe uma corrente contínua máxima que o diodo pode conduzir (IDM) e
uma potência máxima de dissipação (PDM) cuja relação é:
PDM = VDIDM
 Na polarização reversa, existe uma tensão reversa máxima que pode ser aplicada ao diodo
chamada tensão de ruptura reversa (VRR) ou breakdown voltage (VBR).
Na polarização reversa, existe uma corrente muito pequena denominada corrente de fuga (IF).

Especificações do diodo 1N4001 são:

Corrente contínua máxima IDM = 1 A
Corrente de fuga IF = 10 μA
Tensão de ruptura reversa VRR = 50 V
Potência máxima PDM = 1 W

Modelos para Representação do Diodo

Idealmente, o diodo é um dispositivo que bloqueia toda a passagem de corrente num sentido e
permite a passagem no outro.

Sempre que os valores de tensão presentes no circuito forem muito maiores que VD, pode-se
considerar o diodo como um elemento ideal.

A vantagem de se utilizar um modelo está no fato de que este facilita os cálculos em circuito
mais complexos, tornando-os mais simples.

Existem basicamente três modelos para a representação do diodo, que devem ser utilizados de
acordo com as características do circuito e precisão desejada para os cálculos.

A representação do diodo ideal é mostrada na figura 15.

O segundo modelo considera o diodo quando está polarizado diretamente como uma fonte de
tensão de VD volts e quando polarizado reversamente como uma chave aberta. Tal modelo aparece na
figura 16.