ENGENHARIA ELECTRÓNICA E DE

TELECOMUNICAÇÕES
Electrónica Analógica I

Aula 03 – Materiais Semicondutores

2021
Docente: Eng. António Filipe 1
Condutores
O cobre é um bom condutor, e a razão disso fica clara quando olhamos
para sua estrutura atómica. Ele possui apenas um electrão na sua órbita
de valência (a órbita mais externa). A força de atração deste electrão
pelo núcleo é muito pequena e ele é considerado um electrão livre.

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Condutores
Como o electrão livre é levemente atraído pela parte central, uma força
externa pode facilmente deslocá-lo do átomo de cobre. Por isso o átomo
de cobre é um bom condutor. Uma pequena tensão pode fazer com que
o electrão livre num fio de cobre circule de um átomo para o outro. Os
melhores condutores (prata, cobre e ouro) possuem um simples electrão
de valência.

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Semicondutores
Um semicondutor é um elemento de valência quatro, ou seja, ele possui
4 electrões na órbita mais externa do átomo.
Os condutores possuem 1 electrão de valência, os semicondutores
possuem 4 electrões de valência e os isolantes possuem 8. Desta forma,
podemos dizer que os semicondutores são materiais de condutibilidade
intermediária, entre os isolantes e condutores.
Nota-se facilmente que o número de electrões na órbita de valência é o
que define a condutibilidade do material.

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O Germânio
O germânio é um exemplo de semicondutor. Como podemos ver na
figura, em um átomo de germânio temos 32 protões e em suas órbitas
possui 32 eletrões divididos em 2 na primeira, 8 na segunda, 18 na
terceira e 4 na órbita de valência.

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O Silício
O silício também é exemplo dum semicondutor. Actualmente ele é mais
usado devido a sua abundância na natureza e facilidade de extração.
Cerca de 28% da crosta terrestre é composta de silício.

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Cristais de Silício
Quando átomos de silício se combinam para formar um sólido, eles são
arranjados segundo um padrão ordenado chamado de cristal. Cada
átomo de silício cede 1 eletrão aos outros átomos, assim a órbita de
valência fica com 8 eletrões como mostra a figura.

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Cristais de Silício
Sempre que um átomo fica com 8 eletrões de valência ele torna-se
quimicamente estável.
Cada electrão vizinho cede um electrão para o átomo central. Este tipo
de ligação química é conhecido como ligação covalente.
A órbita de valência não pode sustentar mais de 8 electrões, por isso ela
é descrita como preenchida ou saturada quando contém 8 electrões, e
eles são denominados de eletrões de ligação.
Por causa destes electrões de ligação, um cristal de silício é um isolante
quase perfeito na temperatura ambiente (aproximadamente 25oC).

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Influência da Energia Térmica
Com a temperatura ambiente acima do zero absoluto (-273oC), a energia
térmica do ar faz os átomos do cristal vibrarem. Quanto mais alta a
temperatura mais forte são vibrações. Estas podem ocasionalmente
deslocar um eletrão da órbita de valência. Quando isso ocorre, o eletrão
liberado ganha energia suficiente para passar para a outra órbita maior
como mostra a figura a seguir.
Nessa órbita maior, ele se torna um eletrão livre, e a sua saída gera um
vazio chamado lacuna. Essa lacuna se comporta como uma carga
positiva pois ele pode atrair e capturar qualquer electrão nas
proximidades.

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Influência da Energia Térmica

Num cristal de silício puro, são gerados iguais números de lacunas e

eletrões livres pela acção da energia térmica. Os eletrões livres se
movem aleatoriamente, e quando se aproxima duma lacuna ele é atraído
e capturado, e a essa união denomina-se recombinação.

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Semicondutores Intrínsecos
Um semicondutor intrínseco é um semicondutor puro. Diz-se que um
cristal é um semicondutor intrínseco quando todos os átomos forem do
mesmo material. Um semicondutor intrínseco a temperatura ambiente
comporta-se como um isolante pois ele só tem alguns eletrões livres e
lacunas gerados pelo aquecimento.
A figura a seguir ilustra um semicondutor intrínseco com algumas
lacunas e eletrões livres gerados por calor. A tensão aplicada força os
eletrões livres a se deslocarem para a esquerda do cristal e as lacunas
para a direita. Quando os eletrões chegam ao final do lado esquerdo do
cristal eles passam para o fio e circulam até o terminal positivo da
bateria. Por outro lado os electrões livres no terminal negativo da bateria
circularão para a direita do cristal e recombinar-se-ão com as lacunas.
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Semicondutores Intrínsecos
Deste modo, ocorre um fluxo de eletrões e lacunas dentro do
semicondutor. É desta forma que surge corrente no semicondutor. Os
eletrões livres e as lacunas são chamado de portatores porque
transportam cargas de um lugar para o outro.

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Dopagem de Semicondutores
Dopagem é uma forma de aumentar a condutibilidade dos
semicondutores adicionando impurezas aos átomos de um cristal
intrínseco. Um semicondutor dopado é chamado de semicondutor
extrínseco.
Aumentando os Eletrões livres
Na indústria, o cristal é primeiramente fundido de forma a quebrar as
ligações, e de forma a aumentar eletrões livres é adicionado átomos
pentavalentes (antimónio e fósforo) ao silício em fusão. Átomos
pentavalentes possuem 5 eletrões de valência, e são comumente
chamados de impurezas doadoras porque elas doam um eletrão extra ao
cristal de silício.

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Dopagem de Semicondutores
Quando o cristal esfria e solidifica, o átomo pentavalente fica no centro
rodeado por quatro átomos de silício. Como cada átomo de silício cede
1 electrão, haverá excesso de electrões na camada de valência, assim
este electrão torna-se um electrão livre.
Aumentado as Lacunas
É possível aumentarmos o número de lacunas no semicondutor
dopando-o com impurezas trivalentes (alumínio, boro, gálio). De forma
similar ao caso anterior, o átomo da impureza fica no centro rodeado de
átomos de silício, no entanto esta ligação gera uma lacuna visto que só
teremos 7 eletrões de valência.

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Dopagem de Semicondutores

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Tipos de Semicondutores Extrínsecos
O semicondutor tipo N
O semicondutor dopado com impurezas pentavalentes é chamado de
semicondutor tipo n, onde n está relacionado com negativo (eletrões livres).
Como os eletrões livres excedem em número as lacunas no semicondutor tipo
n, os eletrões livres são chamados de portadores maioritários e as lacunas de
portadores minoritários.
O semicondutor tipo P
O semicondutor dopado com impurezas trivalentes é chamado de
semicondutor tipo p, onde p está relacionado com positivo (lacunas). Como as
lacunas excedem em número os eletrões livres no semicondutor tipo p, as
lacunas são chamadas de portadores maioritários e os eletrões livres de
portadores minoritários.
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O Díodo
Um pedaço de semicondutor tipo n ou tipo p, por si só tem a mesma
utilidade de um resistor de carbono, mas quando um fabricante dopa um
cristal de modo que metade dele seja do tipo p e a outra metade do tipo
n, um facto novo acontece.
A borda entre o tipo p e n é chamada de juncão pn, e ela deu origem a
todos tipos de invenções incluindo os díodos, transístores e circuitos
integrados.
A juncão de dois cristais de tipo n e tipo p é chamado de díodo de
juncão.

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O Díodo
Cada círculo com sinal de mais
representa um átomo pentavalente e
cada sinal de menos é um electrão
livre que ele forneceu para o
semicondutor.
De forma similar, cada círculo com
sinal de menos representa um átomo
trivalente e cada sinal de mais é uma
lacuna na sua órbita de valência.

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A camada de Depleção
Por causa da repulsão entre eles, os eletrões tendem a se espalhar em
todas as direções, e alguns atravessam a juncão. Quando um eletrão
penetra na região p, com tantas lacunas a sua volta ele cai numa lacuna,
desta forma a lacuna desaparece e o eletrão passa a ser um electrão de
valência e faz com que a lacuna que o capturou torne-se um ião
negativo.
A figura a seguir mostra esses iões em cada lado da juncão, onde os
sinais de mais dentro dos círculos são os iões positivos e os sinais de
menos dentro dos círculos são os iões negativos. Estes iões ficam presos
na estrutura do cristal por causa das ligações covalentes e não podem
mover-se.

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A camada de Depleção
Cada par de iões positivos e negativos na juncão é chamado de dipolo.
Como o número de dipolos aumenta, a região próxima da juncão fica
vazia de portadores. Chamamos a essa região de camada de depleção.

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A Barreira de Potencial
Cada dipolo possui um campo elétrico entre o ião positivo e negativo.
Portanto quando eletrões livres adicionais penetram na região da
camada de depleção, o campo elétrico tenta empurrá-los de volta para a
região n.
O campo elétrico entre os iões é equivalente a uma diferença de
potencial chamada de barreira de potencial. À temperatura de 25oC, a
barreira de potencial é aproximadamente igual a 0,3 V para díodos de
germânio e 0,7 V para díodos de silício.

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Polarização Directa do Díodo
A conexão mostrada na figura, terminal
negativo da fonte conectado ao material
tipo n e o terminal positivo ligado ao
material do tipo p é chamada
polarização directa.
A bateria força os eletrões e as lacunas a
se mover em direção à junção, desta
forma, iões positivos são gerados na
extrema direita do cristal e eles puxam
os eletrões do circuito externo para o
cristal. Desta forma teremos fluxo de
corrente elétrica se o valor da tensão da
fonte superar a barreira de potencial.

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Polarização Reversa do Díodo
Com a posição da bateria invertida em
relação a posição anterior conforme
mostra a figura, chamamos a esta
conexão de polarização reversa.
O terminal negativo da bateria atrai as
lacunas e o positivo atrai os eletrões
livres, assim os eletrões livres
circulam afastando-se da juncão e a
camada de depleção fica cada vez
maior. Desta forma não há fluxo de
corrente elétrica.

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Polarização Reversa do Díodo
Os díodos possuem tensões nominais máximas. Existe um limite de
valor de tensão reversa que um díodo pode suportar antes de ser
destruído. Se continuarmos a aumentar a tensão reversa, atingiremos a
sua tensão de ruptura.
Para os díodos retificadores (aqueles fabricados para conduzir melhor
dum lado do que do outro), a tensão de ruptura é usualmente maior que
50 V.

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Tipos de Díodos
Existem diversos tipos de díodos no mercado para aplicações
diversificadas, mas dentro todos, nesta disciplina trataremos de apenas 2
deles:
• Díodos Rectificadores;
• Díodo Zener.

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Díodos Rectificadores
Díodo rectificador é o tipo de díodo
mais comum e muitas vezes ele é
chamado simplesmente de díodo. Ele é
fabricado com o intuito de converter
corrente alternada em corrente contínua.
Ele é constituído da juncão de material
tipo p e tipo n assim como mostra a
figura.
O lado p é chamado de ânodo, e o lado
n é chamado de cátodo.

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 A curva do Díodo
Quando directamente polarizado, para
pequenos valores de tensão a corrente
começa a fluir, mas ainda é muito
pequena. Quando a tensão atinge o valor
de 0,7 V, o mais leve aumento na tensão
do díodo produz um grande aumento na
corrente.
O valor na qual a corrente começa a
aumentar rapidamente é chamado de
tensão de joelho. Para díodo de silício, a
tensão de joelho é igual a barreira de
potencial, aproximadamente 0,7 V. Um
díodo de germânio tem uma tensão de
joelho de 0,3 V.

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Resistor de limitação de corrente
Acima da tensão de joelho, a corrente no díodo aumenta rapidamente. A
razão é que uma vez vencida a barreira de potencial, tudo o que impede
a corrente é a resistência das regiões p e n. A soma dessas resistências é
chamada de resistência do corpo do díodo.

A resistência do corpo depende do nível de dopagem e das dimensões

das regiões p e n. Tipicamente este valor para um díodo retificador é
menor que 1 Ω.
Como forma a limitar a corrente podemos colocar um resistor em série
com o díodo, assim como ilustra a figura a seguir. A este resistor
chamamos de resistor de limitação de corrente.
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Resistor de limitação de corrente
O resistor R evita que o valor nominal
máximo da corrente seja atingida.
Desta forma, sabendo que o díodo gera uma
queda de tensão, a corrente será:

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O díodo Ideal
Para simplificação dos cálculos, em alguns momentos assume-se o
díodo como uma chave, em que durante a polarização directa ele não
possui nenhuma resistência (chave fechada), e durante a polarização
reversa a sua resistência é infinita (chave aberta).

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Interpretação da folha de dados (datasheet)
Consideremos o díodo de referencia 1N4001.
Tensão de ruptura reversa:

Estes 3 símbolos de ruptura diferentes especificam a ruptura sobre

certas condições de operação. Nós só precisamos saber que a tensão de
ruptura deste díodo é de 50 V.

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Interpretação da folha de dados (datasheet)
A corrente máxima directa:

O díodo pode funcionar com no máximo 1 A de corrente no sentido

directo quando usado como rectificador.

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Interpretação da folha de dados (datasheet)
Queda de tensão directa:

O díodo em questão tem uma queda de tensão directa de 0,93 V quando

a corrente for de 1 A e a temperatura de 25oC, e esta queda pode ser no
máximo 1,1 V, mas poucos díodos atingem este valor.

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Interpretação da folha de dados (datasheet)
Corrente reversa máxima:

Essa é a corrente reversa com uma tensão cc nominal (50 V para um

1N4001). E podemos ver que esta corrente depende da temperatura da
juncão.

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