1.

Introdução

Como já é de nosso conhecimento, podemos dividir um material em porções

cada vez menores, até que chegamos a menor das porções, que recebe o
nome de molécula. Podemos então intitular pôr molécula a menor porção que
um material pode ser dividido sem que com isso venha sofrer alterações em
suas propriedades.
Se da molécula partimos a uma nova divisão, chegaremos ao átomo que pôr
sua vez não, mas conservara as propriedades do material subdividido. Isso é
mais ou menos óbvio, pois, se uma molécula de uma dada substância for
composta de uma série de elementos químicos, em sua divisão iremos separá-
los, mudando as características do todo.
Ex. : H2O - Molécula de água
H H

Definimos átomo como sendo a menor partícula que compõe a molécula, e este
pôr sua vez também é composto de outras partículas que são elétrons, prótons
e nêutrons. Os prótons e nêutrons constituem o núcleo, tendo os primeiros
carga positiva e os nêutrons não possuindo carga alguma.
Os elétrons possuem carga elétrica negativa, e giram ao redor do núcleo do
átomo em órbitas concêntricas, como na figura abaixo, que podemos notar a
presença de 7 órbitas na ordem: K, L, M, M, O, P, Q, que também são
chamadas de camadas. Cada camada possui uma distância bem determinada
em relação ao núcleo e um nível próprio de energia. Em função disto, cada
camada aceita um número máximo de elétrons:

CAMADA Nº DE ELETRONS
K 2
L 8
M 18
N 32
O 32
P 18
Q 8

1
A última camada (também denominada camada de valência) apresenta quando
completa um total de 8 elétrons, que recebem a denominação de elétrons de
valência. Os elétrons de valência são os únicos em condição de participarem
de fenômenos químicos, ou mesmo elétricos, pois eles estão mais afastados
do núcleo, sofrendo uma menor atração deste, ou seja, possui um maior nível
energético (grau de liberdade). Os únicos elementos existentes na natureza
que apresentam a ultima camada completa são os gases nobres.
A camada de valência permite que o átomo altere as suas características
elétricas por meio da ionização: perdendo elétrons, o átomo torna-se um íon
positivo ou cátion; ganhando elétrons, o átomo torna-se um íon negativo ou
ânion.
Quanto às camadas inferiores, uma vez completas, não cedem nem recebem
elétrons ou pelo menos, necessita de uma quantidade de energia muito grande
para romper esta estabilidade, pois estão fortemente atraídas pelo núcleo.
O átomo tende a se unir com átomos do mesmo ou de outros elementos,
visando a estabilidade (8 elétrons na camada de valência) e formando as
moléculas dos diversos materiais existentes na natureza. Essa união pode
ocorrer por meio de ligações eletrovalentes que são doações definitivas de
elétrons de um átomo para outro, ou ligações covalentes que são
compartilhamento de elétrons por mais de um átomo.

OBSERVAÇÃO:
O átomo está eletricamente neutro quando o número de elétrons presentes em
suas órbitas é igual ao número de prótons presentes em seu núcleo.
Um elétron pode girar em torno de dois núcleos quando encontra os átomos
simetricamente dispostos.

Todos os materiais encontrados na natureza são formados por diferentes

tipos de átomos, diferenciados entre si pelos seus números de prótons,
elétrons e nêutrons. Cada material tem uma infinidade de características, mas
uma especial em eletrônica é o comportamento à passagem de correntes
elétricas, por isso dividimos os materiais em 3 categorias: condutores,
isolantes e semicondutores.

Compare os materiais classificados quanto à condutividade:

2
Compare os materiais classificados quanto ao nível energético:

⇒ Materiais Condutores e Isolantes

Os materiais condutores são compostos por átomos com poucos elétrons na
órbita de valência, porém possuem grande quantidade de elétrons livres. Nos
melhores condutores, os átomos possuem apenas um elétron de valência. A
alta condutividade é devido à fraca ligação entre esse único elétron e o núcleo
do átomo, de forma que, à temperatura ambiente, a energia térmica é
suficiente para arrancá-lo da órbita de valência e torná-lo um elétron livre.
Nos metais, o número de elétrons livres é quantitativamente elevado, fazendo
com que eles se comportem como condutores elétricos excelentes.
Caso um material condutor seja submetido a uma diferença de potencial, seus
elétrons livres passam a se locomover de forma ordenada. Estes elétrons livres
serão atraídos pelo pólo positivo da bateria, e quando um elétron muda de
posição deixa um vazio que poderá ser ocupado por outro elétron,
estabelecendo desta maneira a corrente elétrica.
Quanto maior for o fluxo de corrente pelo material condutor, quando submetido
a uma diferença de potencial, maior será sua condutividade. A ação da
temperatura sobre a condutividade é inversamente proporcional, ou seja,
quanto maior for a temperatura aplicada ao condutor, mais energia estará
sendo fornecida ao mesmo, resultando em maiores quantidades de choques e
um movimento desordenado no interior do condutor dificultando, por

3
conseguinte, o movimento dos mesmos. Exemplos de materiais condutores
são: ouro, prata, cobre, platina, dentre outros.
Já os materiais isolantes são compostos por átomos com muitos elétrons na
órbita de valência. Os elétrons nos materiais isolantes acham-se fortemente
presos em suas ligações, e mesmo quando esses materiais são aquecidos, os
elétrons se desprendem em quantidade muito pequena, não ocorrendo, dessa
maneira, uma grande circulação de elétrons. Exemplos de materiais isolantes
são: borracha, mica, porcelana, etc.
Além dos materiais condutores e isolantes, existe outro tipo de material que
não pode ser incluso em nenhuma das duas categorias, pois apresenta
comportamento de um péssimo condutor e também um péssimo isolante, são
os chamados semicondutores.

2. Semicondutores

O material semicondutor, como o próprio nome já diz, não é considerado nem

um condutor nem um isolante. É formado por átomos tetravalentes, ou seja,
possuem 4 elétrons na camada de valência, que se agrupam entre si, formando
uma estrutura cristalina, ou seja, são substâncias cujos átomos se posicionam
no espaço formando uma estrutura ordenada. Nessa estrutura, cada átomo
une-se a 4 outros átomos vizinhos, por meio de ligações covalentes, e cada um
dos 4 elétrons de valência de um átomo é compartilhado com um átomo
vizinho.
Os semicondutores foram os principais causadores da revolução da eletrônica.
Os principais semicondutores utilizados são o germânio (Ge) e o silício (Si),
que em estado puro apresentam-se sob a forma cristalina, significando que
seus átomos acham-se dispostos uniformemente em uma configuração
periódica.
Inicialmente, o germânio era mais utilizado para a fabricação de dispositivos
semicondutores, porém com o avanço da microeletrônica, o silício passou a ser
mais utilizado, principalmente por sua abundância e fácil extração.

4
Os átomos de silício se distribuem no sólido formando
uma estrutura cúbica, onde os átomos ocupam os
vértices do cubo. Esta estrutura cúbica é normalmente
chamada cristal. É por isso que nós dizemos que o
sólido de silício é um cristal de silício.
Nos semicondutores, se um elétron da camada de
valência receber energia externa, como luz e calor, e
esta for maior que a força de atração exercida pelo
núcleo, o elétron pode subir para uma órbita acima da camada de valência,
chamada de banda de condução. Uma vez na banda de condução, o elétron
está livre para se deslocar pelo cristal, sendo o mesmo chamado de elétron
livre. Ao ir para a banda de condução, o elétron deixa um vazio que chamamos
de lacuna. Este fenômeno é chamado de quebra de ligação covalente. Esta
quebra produz um par elétron-lacuna. Do mesmo modo, um elétron livre
vagando pelo cristal pode passar perto de uma lacuna e ser atraído pela
mesma, neste caso houve uma recombinação.
Quanto ao movimento dos elétrons e lacunas, haverá sempre a possibilidade
de ambos se recombinarem eliminando dessa maneira dois portadores móveis,
um elétron e uma lacuna. Desta forma, nem as lacunas e nem os elétrons
conservar-se-ão livres indefinidamente.
As propriedades elétricas dos semicondutores são afetadas por variação de
temperatura, exposição à luz e acréscimos de impurezas. A temperatura
exerce influência direta sobre o comportamento dos materiais semicondutores
no que diz respeito à condutibilidade elétrica. À medida que a temperatura do
semicondutor aumenta, sua resistividade diminui ao contrário da resistividade
de um condutor normal que obedece a 2ª Lei de Ohm (R=ρ·L/A).
O silício é um isolante perfeito a uma temperatura de -273ºC, porque a esta
temperatura não existe nenhum elétron livre. À medida que a temperatura vai
aumentando, vai ocorrendo a quebra de ligações covalentes, assim como
recombinações. À temperatura ambiente de 25ºC, um cristal de silício puro
possui uma quantidade de pares elétron-lacuna mais ou menos estável, devido
as constantes quebras de ligações covalentes produzidas termicamente, assim
como recombinações.
Se submetermos um cristal de silício puro a uma DDP, observamos que
existem dois trajetos para os elétrons se movimentarem dentro do cristal, ou
seja, teremos duas correntes elétricas, uma de elétrons livres e a outra de
elétrons de valência. Os elétrons livres irão se deslocar de um lado para outro
do cristal através da banda de condução, os elétrons de valência se deslocarão
de um lado para outro do cristal através das lacunas, pulando de uma para a
outra.

5
O elétron livre mostrado dentro do cristal será atraído pelo terminal positivo da
fonte, se deslocando dentro do cristal pela banda de condução, como indica a
seta. Esta corrente de elétrons livres é de mesma natureza que a corrente que
se estabelece nos materiais condutores. Observe agora a lacuna mostrada na
figura acima. O elétron do ponto 1 pode ser atraído pela lacuna, se isso
ocorrer, a lacuna na extremidade deixará de existir e onde estava o elétron no
ponto 1, agora terá uma lacuna. A lacuna no ponto 1 agora pode atrair o elétron
do ponto 2, onde passará a estar a lacuna. Se continuarmos este raciocínio,
como mostram as setas, veremos que os elétrons estão se deslocando em
direção ao terminal positivo e a lacuna em direção ao terminal negativo. Ao
saírem pela extremidade do cristal, tanto elétron livre como elétron de valência,
se tornam elétrons livres, seguem em direção ao terminal positivo da fonte.
O movimento de elétrons de valência dentro do cristal pode ser visto como o
movimento de lacunas em sentido contrário.

Este movimento de elétrons de valência (ou de lacunas), é o que diferencia os

semicondutores dos condutores. Num condutor só existe corrente de elétrons
livres. A corrente de lacunas nos semicondutores é apenas uma analogia,
porque quem se movimenta na verdade são os elétrons de valência, tenha isso
sempre em mente.
Na prática, não tem como medir a corrente de elétrons livres e de lacunas de
forma independente dentro do cristal, mas saiba que elas existem e que o uso
dos semicondutores na construção de dispositivos eletrônicos se deu, em
grande parte, por esta característica.
O nome dado a todo semicondutor puro é semicondutores intrínsecos. Um
cristal de silício é intrínseco se todos os átomos do sólido forem de silício. A
condutividade do silício a temperatura ambiente de 25ºC é tão baixa que não
existe aplicação prática para o mesmo. Uma maneira de aumentar a
condutividade de um cristal de silício é introduzindo átomos de impureza.
A adição de certos átomos estranhos (impurezas) aos átomos de silício ou
germânio pode alterar a estrutura de camadas (bandas) de energia de forma
suficiente mudar as propriedades elétricas dos materiais intrínsecos. A esse
processo químico damos o nome de dopagem.
O objetivo da dopagem é aumentar a condutividade do cristal. Um
semicondutor dopado com átomos de impurezas é um semicondutor extrínseco
e um material semicondutor que tenha sido submetido a um processo de
dopagem por impurezas é chamado de material extrínseco. Há 2 materiais
extrínsecos de muita importância para a fabricação de dispositivos
semicondutores. Esses materiais são chamados de: tipo N e tipo P.

6
⇒ Semicondutor Tipo N
É um semicondutor que recebeu átomos pentavalentes, ou seja, átomos que
possuem cinco elétrons na camada de valência. Como exemplos de
substâncias pentavalentes podemos citar o arsênio, antimônio e fósforo.
Se em uma pequena barra de Ge ou Si, elementos tetravalentes, adicionarmos
uma pequena quantidade de um elemento pentavalente (impureza), seus
átomos irão se associar com os átomos de germânio ou silício, fazendo com
que um dos elétrons da camada de valência, suba para a banda de condução,
porque ele só precisa de 4 elétrons na camada de valência para estabelecer a
ligação covalente.
Para cada átomo de impureza introduzido no cristal, aparecerá um elétron livre.

Num semicondutor tipo N, os elétrons livres são chamados de portadores

majoritários porque existe em maior quantidade, enquanto que as lacunas são
chamadas de portadores minoritários por se encontraram em menor
quantidade.

OBSERVAÇÕES:
Embora cada átomo pentavalente introduzido no cristal tenha um elétron que
foi empurrado para banda de condução, este elétron continua a pertencer ao
átomo, ou seja, eletricamente falando, o átomo continua neutro.
Os elementos que através do processo da dopagem fornecerem elétrons
excedentes ao Si ou Ge, serão denominados de doadores.
⇒ Semicondutor Tipo P
Um semicondutor tipo P é obtido através da injeção de átomos trivalentes no
cristal puro. Como exemplos de impurezas trivalentes podemos citar o
alumínio, boro e gálio.
Como um átomo trivalente possui três elétrons na camada de valência, uma
lacuna será criada quando o mesmo for se associar com os átomos vizinhos
através da ligação covalente.
Para cada átomo de impureza, aparecerá uma lacuna.

7
Um cristal dopado com átomos trivalentes é um semicondutor tipo P. Ele possui
uma grande quantidade de lacunas e alguns elétrons livres produzidos
termicamente, devido à quebra de ligações covalentes. Neste caso, as lacunas
são os portadores majoritários e os elétrons livres são os portadores
minoritários.
Da mesma forma que os elétrons livres no semicondutor tipo N aumenta a
condutividade do cristal, o aumento do número de lacunas no semicondutor
tipo P também aumenta a condutividade do cristal. A diferença é que no
semicondutor tipo N, a condutividade aumenta na banda de condução e no tipo
P, a condutividade aumenta na camada de valência.

OBSERVAÇÃO:
Eletricamente falando, cada átomo de impureza no semicondutor tipo P, não
ganhou nem perdeu elétrons, portanto continua eletricamente neutro.
Os elementos que através do processo da dopagem derem origem à formação
de lacunas, serão denominados de receptores.

Os materiais P e N isoladamente são utilizados na fabricação de resistências

em circuitos integrados, porém para a fabricação de dispositivos eletrônicos
necessitamos da junção PN, que é obtida a partir da união de um material tipo
P com um material tipo N.

⇒ Junção PN
As junções PN, como foi dito anteriormente, são a união de um semicondutor
tipo P com um tipo N, de modo que a interseção entre eles forme uma junção
de mudança gradativa de característica de condução. Componentes que usam
este tipo de junção são os diodos.

No semicondutor tipo P tem-se como portadores majoritários lacunas e

minoritários elétrons. No semicondutor tipo N ocorre o inverso. Assim sendo, há

8
uma alta concentração de elétrons de um lado e de lacunas do outro. Os
elétrons livres são representados juntos a íons positivos, indicando a situação
de doador de elétrons. Ocorre o mesmo com a lacuna que está representada
junto com um átomo aceitador de elétrons. Sabendo que as partículas (elétrons
e lacunas) estão em constante movimento randômico (sem direção
determinada), movimento este causado pela energia térmica fornecida pela
temperatura ambiente, torná-se, portanto razoavelmente lógico que, estando as
lacunas submetidas a um movimento randômico e havendo um número maior
de lacunas no lado esquerdo, mais lacunas deverão atravessar a superfície do
lado esquerdo para o direito (e inversamente para os elétrons), trata-se,
portanto de um processo de difusão de lacunas, do lado de maior concentração
para o de menor concentração. Do mesmo modo, existe o fenômeno da difusão
de elétrons de uma região de alta concentração para uma região de baixa
concentração. Isso levará a uma recombinação que formará íons positivos e
negativos. Esta recombinação irá ocorrer com todos os elétrons e lacunas que
estiverem próximos da junção. As colunas de íons que se formaram próximas à
junção, devido à recombinação de elétrons e lacunas, é chamada de camada
de depleção. Existe entre as duas colunas de íons uma DDP, que é chamada
de barreira de potencial. Esta DDP nos diodos de germânio é de 0,3V e nos de
silício é de 0,7V.

Quando a região próxima à junção ficar esgotada de elétrons livres e lacunas, a

coluna de íons negativos do lado P irá repelir qualquer elétron que tentar
atravessar a junção em busca de alguma lacuna, estabelecendo-se assim um
equilíbrio.
Para que haja uma passagem de corrente elétrica pela junção é preciso que
seja inserida uma diferença de potencial elétrico nas extremidades através de
uma fonte de tensão externa. Mas para isso é preciso que o terminal + da fonte
esteja conectado na região P, para que as lacunas sejam "expulsas" para a
região N, e o terminal - na região N para que os elétrons migrem para a região
P. Este tipo de conexão se chama polarização direta.

OBSERVAÇÃO:
Não confunda íon com elétron livre ou lacuna. Um íon é um átomo que adquiriu
carga elétrica, ou seja, ganhou ou perdeu elétrons. O íon negativo é
representado por um sinal de menos com um círculo em volta e o íon positivo,
por um sinal de mais com um círculo em volta.

⇒ Polarização direta da junção PN

Uma bateria externa é conectada aos terminais de uma junção PN, de modo
que, o terminal negativo da bateria é conectado ao lado N e o terminal positivo
ao lado P. Quando isso ocorre, o terminal positivo da fonte irá repelir as
lacunas do lado P e o terminal negativo irá repelir os elétrons livres do lado N.
Esta repulsão provocará a compressão da camada de depleção e quando a
tensão entre os terminais do diodo atingir o valor da barreira de potencial (0,7
para o silício), ou seja, VT > 0,7, a camada de depleção estará tão comprimida

9
que permitirá que os elétrons livres da região N atravessem a mesma e entrem
na região P. Uma vez dentro da região P, os elétrons livres descem da banda
de condução para a camada de valência e atravessam a região P como
elétrons de valência, pulando de lacuna em lacuna, até saírem pelo terminal do
anodo, quando seguem para o terminal positivo da fonte, entram na fonte,
saem pelo terminal negativo, entram na região N pelo terminal do catodo,
atravessam a região N como elétrons livres, cruzam a junção e assim
sucessivamente. O que nós acabamos de descrever é na verdade um fluxo de
elétron, ou uma corrente elétrica.
Em outras palavras, para se conseguir um movimento dos portadores de carga
na junção é necessário anular a oposição da barreira de potencial interna e
impulsionar as cargas para que estas atravessem a junção.

⇒ Polarização inversa da junção PN

Ligando-se o terminal positivo da bateria no lado N e o terminal negativo da
bateria no lado P obteremos uma polarização inversa da junção PN. Assim
sendo, os elétrons do material N serão atraídos pelo potencial positivo da
bateria, afastando-se da junção. O mesmo ocorrerá com as lacunas, sendo
atraídas pelo potencial negativo. Como as cargas se afastam da junção, novas
cargas descobertas aparecerão nesta região aumentando o potencial da
barreira e em conseqüência aumentando gradativamente a resistência interna
do dispositivo. Podemos, então dizer que a bateria aumentou a barreira de
potencial da junção. É de se esperar que nenhum dos portadores atravesse a
junção e, portanto não haja corrente no circuito. Entretanto, o que constatamos
é que devido à energia cedida pela temperatura ambiente, algumas ligações
covalentes são rompidas a todo instante, dando origem a portadores
minoritários, ou pares de elétron lacuna, gerados por agitação térmica. Assim,
os portadores minoritários formarão uma pequena corrente na polarização
inversa. A corrente inversa em uma junção PN é na maioria dos casos
considerada desprezível se comparada com a corrente direta, e recebe
também os nomes de corrente de fuga ou de saturação.

10
OBSERVAÇÃO:
Um dos motivos do uso em grande escala do silício na confecção de
componentes eletrônicos, é que a corrente reversa nos componentes
fabricados com silício é menor do que nos fabricados com germânio, pois o
silício é menos sensível à temperatura.

3. Diodos

Quando dopamos a metade de um material semicondutor com impurezas

trivalentes e a outra metade com impurezas pentavalentes, produziremos um
diodo de junção ou diodo semicondutor.
Um diodo ideal é uma chave acionada por tensão. Deve se comportar da
seguinte maneira: Quando se aplica aos terminais desta chave uma tensão
reversa ela atua como circuito aberto, quando se aplica uma tensão com
polaridade contrária, ou seja, uma tensão direta ela atua como um curto-
circuito. A característica Volt-Ampére de um diodo ideal é:

V
A característica Volt-Ampére do diodo ideal é altamente não-linear; ela consiste
em 2 segmentos de linha reta formando 90º um em relação ao outro. Uma
curva não-linear que consiste em segmentos de linha reta é dita linear por
partes. Se um dispositivo, tendo uma característica linear por partes, for usado
em uma aplicação particular de modo que sinal em seus terminais não
ultrapasse os limites de apenas um dos segmentos lineares, então o dispositivo
poderá ser considerado como um elemento linear de circuito, enquanto durar
tal situação.
Comparando esta curva com a característica Volt-Ampére de uma junção PN,
chegamos à conclusão que é possível implementar fisicamente um diodo, ou
seja, uma chave acionada por tensão.
Para analisar o diodo como elemento de circuito, podemos fazer uma
simplificação, substituindo-o por um modelo equivalente linear. Isto
corresponde a linearizar a característica do diodo físico por partes.

I I

V 11
V Vj
Conforme este modelo o diodo se comporta como uma resistência altíssima Rr
(resistência reversa) quando polarizado reversamente, ou seja, com uma
tensão menor que, aproximadamente o valor Vj. Quando polarizado
diretamente o diodo se comporta como uma resistência bem baixa Rb
(resistência direta) em serie com uma fonte de tensão Vj.
Uma simplificação deste modelo, mais
utilizada, é a que considera o diodo como I
um circuito aberto para tensões inferiores
a Vj (Rr tendendo a infinita). Para tensões
menores que Vj, que é chamada tensão de
limiar, o diodo não conduz. Para tensões V
maiores que Vj, o diodo conduz e, em seus
Vo
terminais, medimos a tensão Vj somada à
queda de tensão na resistência direta Rb. A idéia da tensão de limiar Vj tem
muito a ver com o potencial da barreira Vo, embora estes valores não
coincidam necessariamente.
A tensão Vj corresponde ao joelho da característica linearizada.
A tensão Vo é o valor de tensão aplicada acima do qual o campo elétrico da
junção se anula e o diodo passa a se comportar aproximadamente como uma
resistência equivalente série dos contatos ôhmicos dos terminais e do cristal
semicondutor. A partir deste valor, a característica do diodo tende para uma
reta.
Barreira de Potencial
Vo

V- Vo

Circuito Aberto 0 < V < Vo V= Vo

Os valores Vj e Vo costumam ser próximos.
Para o silício Vj situa-se entre 0,6 a 0,7 Volts. Para o germânio, Vj situa-se
entre 0,2 e 0,3 Volts.

O diodo é de grande utilização dentro da eletrônica e sua principal

característica é a de conduzir a corrente elétrica em um só sentido. O terminal
ligado ao lado P é o anodo (A) e o terminal ligado ao lado N, é o catodo (k). A
faixa cinza próxima à junção é a camada de depleção, que irá se comprimir ou
se expandir quando o diodo for submetido a uma diferença de potencial.

12
 Resistência direta: Vf = 0
If

Resistência inversa: Vr = ∞
Ir

Circuitos equivalentes:

O sentido convencional da corrente é indicado pela ponta da flecha no símbolo.

Um diodo está polarizado diretamente quando o terminal positivo da fonte está

mais próximo do anodo e o terminal negativo mais próximo do catodo. Quando
isso ocorre, o terminal positivo da fonte irá repelir as lacunas do lado P e o
terminal negativo irá repelir os elétrons livres do lado N. Como foi explicado
anteriormente, esta repulsão provocará a compressão da camada de depleção,
favorecendo a movimentação dos portadores majoritários, e quando a tensão
entre os terminais do diodo atingir o valor da barreira de potencial (0,7 para o
silício), ou seja, VT > 0,7, a camada de depleção estará tão comprimida que
permitirá que os elétrons livres da região N atravessem a mesma e entrem na
região P, permitindo o fluxo de elétrons (corrente elétrica).
Resumindo, quando o diodo é polarizado diretamente, e a tensão em seus
terminais atinge o valor da barreira de potencial, o diodo começa a conduzir
corrente, ou seja, permite que os elétrons cruzem a junção, comportando-se
como se fosse uma chave fechada (diodo ideal).

13
Como o diodo se comporta como uma chave fechada, é necessária a presença
de um resistor em série com o mesmo para limitar a corrente, caso contrário à
fonte entra em curto.
Ao se aplicar a polarização direta, o diodo não
conduz intensamente até que se ultrapasse a
barreira de potencial. À medida que a bateria se
aproxima do potencial da barreira, os elétrons
livres e as lacunas começam a atravessar a
junção em grandes quantidades. A tensão para
a qual a corrente começa a aumentar
rapidamente é chamada de tensão de joelho (no
SI é aprox. 0,7V).
Um diodo está polarizado reversamente quando o terminal positivo da fonte
estiver mais próximo do catodo e o terminal negativo mais próximo do anodo.
Quando isso ocorre, o terminal positivo da fonte irá atrair os elétrons livres da
região N e o terminal negativo irá atrair as lacunas da região P. Isto provocará
a expansão da camada de depleção, dificultando ainda mais a difusão de
elétrons livres através da junção, ou seja, o diodo se comportará como uma
chave aberta, bloqueando a passagem da corrente elétrica. Como o diodo se
comporta como uma chave aberta, não tem corrente circulando no circuito.

OBSERVAÇÕES:
Na prática circulará pelo diodo uma pequena corrente reversa, devido aos
portadores minoritários produzidos termicamente. A intensidade desta corrente
reversa depende da temperatura e não da tensão aplicada.
Existe uma outra componente que contribui para a corrente reversa, que é a
corrente de fuga superficial. devido as impurezas localizadas na superfície do
cristal, um trajeto ôhmico pode ser criado, viabilizando a circulação desta
corrente reversa pela superfície do mesmo. Esta componente depende da
tensão reversa aplicada ao diodo.
Resumindo, duas componentes contribuem para a corrente reversa, a dos
portadores minoritários, que depende da temperatura e a corrente de fuga
superficial, que depende da tensão reversa aplicada aos terminais do diodo.
Entretanto na maioria dos casos essa corrente é desprezada.

Temos que ter cuidado quando vamos polarizar um

diodo reversamente, pois existe um valor de tensão
máxima que cada diodo suporta estando polarizado
desta forma, que é a tensão de ruptura. Se a tensão
reversa nos terminais do diodo ultrapassa o valor de

14
ruptura, o mesmo conduz intensamente, danificando-se por excesso de
dissipação de calor.
O motivo desta condução destrutiva na ruptura é um efeito conhecido como
avalanche. Quando o diodo está polarizado reversamente, circula pelo mesmo
uma pequena corrente reversa causada pelos portadores minoritários. Um
aumento na tensão reversa pode acelerar estes portadores minoritários,
causando choque destes com os átomos do cristal. Estes choques podem
desalojar elétrons de valência, enviando-os para a banda de condução,
somando-se aos portadores minoritários, aumentando ainda mais o número de
elétrons livres e conseqüentemente de choques. O processo continua até
ocorrer uma avalanche de elétrons (alta corrente elétrica), que causará a
destruição do diodo.
A curva característica de um diodo é um gráfico que relaciona cada valor da
tensão aplicada com a respectiva corrente elétrica que atravessa o diodo. O
gráfico completo é representado abaixo:

⇒ EXERCÍCIOS:
1) Dado os circuitos abaixo, calcule tensão em cada diodo e em cada resistor e
a corrente em cada ramo?
a)

b)

15
Uma aplicação fundamental do diodo, que faz uso intenso da curva não-linear
Volt-Ampére, é o circuito retificador que consiste em um diodo e um resistor
conectados em série.
Suponha uma tensão de entrada senoidal V1 e
um diodo ideal. Durante os semiciclos positivos da
entrada senoidal, a tensão positiva V1 faz com
que a corrente circule pelo diodo no sentido direto.
Segue que a tensão no diodo VD será muito
pequena (idealmente zero), resultando que
a tensão na saída Vo permaneça igual a
tensão na entrada (Vo = V1). Entretanto
durante os semiciclos negativos de V1, o
diodo não conduzirá (Vp = 0), produzindo
um circuito que retifica o sinal (retificador).
O sinal na saída terá a seguinte curva:

Esse circuito pode ser usado para gerar corrente contínua a partir da corrente
alternada.
Os circuitos que utilizam dispositivos semicondutores necessitam ser
alimentados com tensões contínuas para a devida polarização. Para podermos
aproveitar a rede elétrica, por se tratar de tensão alternada, necessitamos
convertê-la em tensão contínua.
Os artifícios utilizados na eletrônica para transformar a corrente alternada em
corrente contínua são denominados de retificadores, que são circuitos com
diodos. Os circuitos retificadores juntamente com os filtros possibilitam obter
nas saídas, tensões com características de contínua pura. Isso pode se dar de
diversas maneiras. Seja através de retificadores de meia onda ou de onda
completa. Esquematizando em blocos, um circuito retificador com filtro:

O primeiro estágio é constituído por um transformador para normalmente

reduzir a tensão de entrada. No segundo estágio, através de circuitos com
diodos, é feita a retificação do sinal alternado. No terceiro estágio, o circuito de
filtro, normalmente capacitivo, transforma a tensão contínua pulsante em
contínua pura.

16
 ⇒ Transformador
As fontes de tensões utilizadas em sistemas eletrônicos em geral são menores
que 30 Vcc enquanto a tensão de entrada de energia elétrica costuma ser de
127 VRMS ou 220VRMS. Logo é preciso um componente para abaixar o valor
desta tensão alternada. O componente utilizado é o transformador. Sua
principal função é aumentar ou abaixar uma tensão aplicada em seu
enrolamento primário.
O transformador é basicamente constituído por 2 bobinas, chamadas de
enrolamentos. A energia passa de uma bobina para outra através do fluxo
magnético baseado num fenômeno conhecido como indução eletromagnética.
Quando movimentamos um condutor
dentro de um campo magnético,
aparece em seus extremos uma DDP,
que é chamada de tensão induzida. O
mesmo irá acontecer se o condutor se
mantiver em repouso e movimentarmos
o campo magnético. É necessário,
portanto, que haja um movimento
relativo entre o campo magnético e
o condutor, para que apareça nos
extremos do mesmo uma tensão
induzida.
Sabe-se que, quando a corrente
elétrica passa por um condutor se
estabelece em torno do mesmo um
campo magnético, cuja intensidade
depende da quantidade de elétrons que estejam passando por segundo no
condutor (intensidade de corrente elétrica).
Se a intensidade da corrente que percorre o condutor varia, a intensidade do
campo também varia. Como o condutor está submetido ao campo, aparecerá
em seus terminais uma tensão induzida. Este é o princípio de funcionamento
do transformador. Uma tensão alternada é aplicada ao enrolamento primário, o
que fará circular pelo mesmo, uma corrente alternada. A corrente alternada que
circula pelo enrolamento primário dará origem a um campo magnético variável,
que se estabelecerá no núcleo do transformador. Como o enrolamento
secundário está enrolado em torno do núcleo, uma tensão induzida aparecerá
em seus extremos, devido ao campo magnético variável ao qual está
submetido. Observe que não existe contato elétrico entre os enrolamentos
primário e secundário, a ligação entre os dois enrolamentos é apenas
magnética.

17
OBSERVAÇÕES:
A principal razão que faz o transformador ser elevador ou abaixador de tensão,
é a relação existente entre o número de espiras nos enrolamentos primário e
secundário. Se o número de espiras do enrolamento secundário for maior que
o número de espiras do enrolamento primário, o transformador será elevador
de tensão, se for menor será abaixador de tensão.
Se for aplicada uma tensão contínua no enrolamento primário, não aparecerá
tensão alguma no secundário do transformador. Isso acontece porque uma
fonte de tensão contínua produzirá uma corrente constante no enrolamento
primário, que por sua vez produzirá um campo magnético constante no núcleo.
Isso significa que não haverá movimento relativo entre o campo e o condutor,
não havendo, então, tensão induzida.
O transformador não altera a forma da onda nem a freqüência da tensão
aplicada no enrolamento primário. O transformador altera apenas o nível de
tensão, elevando ou abaixando a tensão aplicada no enrolamento primário.

⇒ Filtro
A tensão de saída de um retificador sobre um resistor de carga é pulsante.
Durante um ciclo completo na saída, a tensão no resistor aumenta a partir de 0
até um valor de pico e depois diminui de volta a zero. No entanto a tensão de
uma bateria deve ser estável. Para obter esse tipo de tensão retificada na
carga, torna-se necessário o uso de filtro. O tipo mais comum de filtro para
circuitos retificadores é o filtro com capacitor. O capacitor é colocado em
paralelo ao resistor de carga.
Para o entendimento do funcionamento do filtro, suponha o diodo ideal e que,
antes de ligar o circuito, o capacitor esteja descarregado, logo a tensão de
carga é zero. Ao ligar, durante o primeiro quarto de ciclo da tensão no
secundário, o diodo está diretamente polarizado. Como idealmente o diodo se
comporta como uma chave fechada e ele conecta o enrolamento secundário
diretamente ao capacitor, ele carrega até o valor da tensão de pico Vp.
Logo após o pico positivo, o diodo pára de conduzir (chave aberta), pois ao
capacitor atingir Vp, a tensão no secundário será ligeiramente menor que Vp,
determinando a polarização reversa no diodo. Com o diodo “aberto”, o
capacitor descarrega por meio da resistência de carga. Quando a tensão da
fonte atingir novamente seu valor de pico, o diodo conduzirá brevemente e
recarregará o capacitor até o valor da tensão de pico.

⇒ Retificador de meia onda

O nome meia onda deriva do fato de que apenas um dos semiciclos da tensão
de entrada é aproveitado. Pode ser o semiciclo positivo ou o negativo,
dependendo da posição do diodo.
Durante o semiciclo positivo da tensão de entrada, o diodo estará diretamente
polarizado e conduzirá, fazendo a corrente circular pela carga. Na saída,
aparecerá, neste caso, o próprio semiciclo. No semiciclo negativo da tensão de
entrada, o diodo estará reversamente polarizado, não conduzindo, fazendo

18
com a tensão de saída seja nula. No diodo, temos a tensão (VD), que durante a
sua condução é praticamente nula e na sua não condução é igual à da entrada,
ou seja, negativa.

Podemos esboçar as formas de onda do circuito retificador de meia onda.

Vmax
A tensão contínua de saída terá um valor DC igual a: VDC = .
π

19
Para aumentar o nível de tensão contínua na saída, colocamos um filtro
capacitivo. A atuação do capacitor consiste em se carregar com a tensão de
entrada durante o intervalo do semiciclo positivo, até esta atingir Vmáx. A partir
daí, como o potencial do capacitor é maior que o da entrada, o diodo corta e o
capacitor inicia um processo de descarga através da carga, até que um novo
semiciclo positivo faça com que a tensão no anodo do diodo seja maior,
reiniciando o processo de carga. A tensão de saída do retificador de meia onda
com a atuação do filtro.

Notamos que o filtro faz com que se eleve DC da tensão de saída, que,
dependendo do valor do capacitor e da carga pode ser maior ou menor. A
ondulação remanescente é denominada tensão de ripple, cujo valor pode
avaliar a eficácia do circuito, na conversão da tensão alternada em contínua,
para uma carga específica.

⇒ Retificador de Onda Completa

Os retificadores de onda completa dividem-se em dois tipos: Os que precisam
de tomada central no transformador e os que não a necessitam.
Os retificadores que precisam de tomada central no transformador trata-se de
um retificador com derivação central no enrolamento do secundário e dois
diodos que funcionam como dois retificadores de meia onda - um de costas
para o outro. Um diodo controla um semiciclo da saída e o outro diodo, o outro
semiciclo, ou seja, basta colocar um diodo em cada um dos terminais e
reservar o terminal central para o negativo. A saída é uma tensão retificada de
onda completa.

D1

D2

O transformador utilizado nesse circuito possui uma derivação central que

defasa a tensão VE1 em relação VE2 de 180º. Durante o semiciclo positivo do
VE1 e o semiciclo negativo de VE2 o diodo D1 estará conduzindo e o diodo D2

20
estará cortado. Por D1 circulará uma corrente que passando pela carga, faz
com que apareça na saída, o próprio semiciclo positivo de VE1.
Durante o semiciclo positivo de VE2 e o negativo de VE1, o diodo D2 estará
conduzindo e o diodo D1 estará cortado. Por D2 circulará uma corrente que,
passando pela carga faz com que apareça na saída, o próprio semiciclo
positivo de VE2.
Podemos esboçar as formas de onda do circuito retificador de onda completa
com tomada central.

Os diodos D1 e D2 na condução, apresentam uma tensão praticamente nula

entre seus terminais e na não condução, uma tensão de -2 Vmáx, pois quando
um deles estiver cortado, o outro estará conduzindo, fazendo com que a tensão
total do secundário do transformador seja aplicada sobre o cortado.

Os retificadores que não precisam de tomada central no transformador são os

retificadores de onda completa com ponte de diodos. Com o uso de 4 diodos
no lugar de 2, elimina-se o uso da tomada central do transformador. Durante o
semiciclo positivo da tensão VE, o diodo D1 recebe um potencial positivo em
seu anodo e o D3 um potencial um potencial negativo no catodo. Dessa forma,
D3 e D1 conduzem, fazendo circular uma corrente que passando pela carga,
faz com que apareça na saída, o próprio semiciclo e os diodos D4 e D2 ficam
reversamente polarizado.
Durante o semiciclo negativo da tensão VE, o diodo D2 recebe um potencial
positivo em seu anodo, e o diodo D3 um potencial negativo no catodo, devido à
inversão de polaridade de VE. Os diodos D4 e D2 conduzem fazendo circular
uma corrente, através da carga, com o mesmo sentido que no outro caso,

21
surgindo na saída uma tensão igualmente positiva e os diodos D3 e D1 ficam
reversamente polarizado.

Podemos esboçar as formas de onda do circuito retificador de onda completa

com ponte de diodos.

22
Os diodos, na sua condução, apresentam uma tensão praticamente nula entre
seus terminais e, na não condução uma tensão -Vmáx, pois, quando estiverem
cortados, estarão em paralelo com o secundário do transformador.
Nos retificadores de onda completa, como em todos os semiciclos da tensão de
entrada, temos uma tensão de saída, o nível DC será o dobro em relação ao de
meia onda, e será dado por:
2.Vmax
VDC =
π
Para aumentarmos esse nível, que dependendo das circunstâncias poderá
tornar-se próximo a Vmáx, colocaremos um filtro capacitivo.
• Retificador de Onda Completa com Tomada Central e filtro

• Retificador de Onda Completa com Ponte de Diodos e filtro

O capacitor de filtro, irá se carregar com a tensão de entrada até atingir Vmáx.
A partir daí, como seu potencial é maior que o da entrada, iniciará um processo
de descarga, através da carga, até que um novo semiciclo reinicie um processo
de carga. A tensão de saída dos retificadores de onda completa, com a
atuação do filtro é:

Nota-se um aumento do nível DC e diminuição da tensão de ripple, em relação

ao retificador de meia onda, com filtro, isso logicamente depende dos valores
do capacitor e de carga.

Dimensione um retificador de onda completa, para alimentar uma carga com 12

VDC e corrente máxima 1A, segundo o esquema abaixo:

23
Comentários:
• Escolha do transformador
Para obtermos 12 VDC, vamos utilizar um transformador de 110V/ 9 + 9V - 1A
(ou 220V/9+9V-1A), pois o valor DC de saída em uma retificação de onda
completa com boa filtragem é, praticamente, igual a Vmáx:

Vmáx = vef . 2 logo: Vmáx = 9. 2 = 12,7V

• Escolha dos diodos

O diodo deve suportar a corrente máxima de saída, no caso, 1A e tensão
inversa maior que 2.Vmáx, ou seja, 25,4V. Comercialmente, encontramos as
séries comerciais de diodos retificadores, que atendem a essas especificações.

⇒ Tabela Comercial de Diodos Retificadores

SÉRIE 1N4000 DE DIODOS RETIFICADORES

CÓDIGO TENSÃO NOMINAL CORRENTE NOMINAL

1 N 4001 50 V 1A

1 N 4002 100 V 1A

1 N 4003 200 V 1A

1 N 4004 400 V 1A

1 N 4005 600 V 1A

1 N 4006 800 V 1A

1 N 4007 1000 V 1A

1 N 914 100 V 100 mA

1 N 4148 100 V 100 mA

BY 127 1200 V 1A

24
Sendo R a Carga

Retificador em Meia Onda – Circuito e Formulas

Ponto máximo de tensão – Vmax

Vmax = Vs. √2
Tensão média na carga – Vdc
Vdc = Vmax
Π
Tensão Eficaz na carga – Vef
Vef = Vmax
2
Valor Eficaz da corrente na carga – Ief
Ief = Imax = Vef
2 R
Valor médio da corrente na carga – Idc
Idc = Imax = Vdc
Π R
Tensão de pico reversa no diodo – Piv
Piv = Vmax
Corrente média no diodo – Id
Id = Idc
Corrente máxima na carga – Imax
Imax = Vmax
R
Corrente máxima no diodo – Idmax
Idmax = Imax
As especificações do diodo a ser escolhido devem se enquadrar nos valores obtidos
através dos cálculos de Id e Piv.

25
Retificador de Onda Completa Com Center Tape – Circuito e Fórmulas

Ponto máximo de tensão – Vmax

Vmax = Vs. √2 Obs.: Teremos Vmax para Vs1 e Vs2
2
Tensão média na carga – Vdc
Vdc = 2.Vmax
Π
Valor médio da corrente na carga – Idc
Idc = 2.Imax = Vdc
Π R
Tensão Eficaz na carga – Vef
Vef = Vmax
√2
Valor Eficaz da corrente na carga – Ief
Ief = Imax = Vef
√2 R
Tensão de pico reversa no diodo – Piv
Piv = 2.Vmax
Corrente média no diodo – Id
Id1 = Id2 = Idc
2
Corrente máxima na carga – Imax
Imax = Vmax
R
Corrente máxima no diodo – Idmax
Idmax = Imax
As especificações do diodo a ser escolhido devem se enquadrar nos valores obtidos
através dos cálculos de Id e Piv.

26
Retificador de Onda Completa Com Ponte – Circuito e Fórmulas

Formulário para o Retificador de Onda Completa Com Ponte

Ponto máximo de tensão – Vmax
Vmax = Vs. √2
Tensão média na carga – Vdc
Vdc = 2.Vmax
Π
Valor médio da corrente na carga – Idc
Idc = 2.Imax = Vdc
Π R
Tensão Eficaz na carga – Vef
Vef = Vmax
√2
Valor Eficaz da corrente na carga – Ief
Ief = Imax = Vef
√2 R
Tensão de pico reversa no diodo – Piv
Piv = Vmax
Corrente média no diodo – Id
Id1 = Id2 = Id3 = Id4 = Idc
2
Corrente máxima na carga – Imax
Imax = Vmax
R
Corrente máxima no diodo – Idmax
Idmax = Imax
As especificações do diodo a ser escolhido devem se enquadrar nos valores obtidos
através dos cálculos de Id e Piv.

27
⇒ Diodo Zener, Reguladores de Tensão e Fonte
O diodo zener tem a finalidade de manter constante a tensão numa carga. Ele
é especialmente fabricado para trabalhar em polarização reversa, pois, nestas
circunstâncias apresenta uma característica de tensão constante para uma
faixa de corrente. Como vimos; esta propriedade é denominada Efeito Zener
que ocorre pelo fato do diodo estar trabalhando em situação de avalanche,
porém, neste caso, controlada. Sua principal vantagem é manter a tensão nos
seus terminais aproximadamente constante.
O diodo zener é equivalente a uma fonte de tensão CC, quando operando na
região de ruptura, isto é, podemos considerá-lo como uma fonte CC com uma
pequena resistência interna.
A figura abaixo mostra a curva característica de um diodo zener (gráfico I -V),
onde na região de polarização direta, começa a conduzir por volta de 0,7V,
como se fosse um diodo comum.

Nota-se que trabalhando na região reversa, com corrente maior que IZ min até
o limite IZ máx, a tensão sobre o diodo VZ irá permanecer praticamente
constante. Esta característica tem aplicação em estabilização de tensão, onde,
para qualquer variação da tensão de entrada, a tensão de saída permanece
constante, mesmo que haja variação na carga.
O símbolo do diodo Zener e indicações do sentido de tensão e corrente de
trabalho são representados abaixo:

Comercialmente, os diodos Zener são especificados pelo valor da tensão Zener

(Vz) e pela potência máxima de trabalho, dada por: Pz máx = Vz ·Iz máx. Como

28
podemos notar com os parâmetros Pz máx e VZ, conseguimos determinar o
valor de Iz máx, porém para determinarmos Iz min, se faz necessário a
utilização da característica dada pelo fabricante.
Para fins de projetos, na prática utiliza-se:
IZmax
IZmin =
10
Que representa a aproximação do parâmetro real, extraído da característica.
Para exemplificar, vamos calcular os parâmetros para um Zener com VZ = 6,2V
e Pz máx = 400mw.
1 - Cálculo de Iz máx:
Pzmax 400x10 −3
IZmax = = = 64 ,5mA
Vz 6,2

2 - Cálculo de Iz min:
Izmax 64 ,5x10−3
Izmin = = = 6,45mA
10 10

• Estabilização
Toda fonte de tensão apresenta variações na tensão de saída, em função do
consumo de corrente imposto pela carga e das mudanças da tensão de
entrada. Para solucionar este problema utiliza-se a fonte de tensão
estabilizada, que dentro de uma faixa de corrente possui características típicas
de um gerador ideal, ou seja, mantém a tensão constante. Além disso, se a
tensão de entrada variar dentro de limites estabelecidos no projeto, a tensão de
saída da mesma forma não se alterará.
Podemos obter uma fonte estabilizada a partir de um circuito retificador,
utilizando na saída um estágio regulador de tensão com diodo Zener. Este
circuito é representado abaixo:

Considerando o estágio de entrada composto pelo retificador como uma tensão

VE ligada a uma carga, com a finalidade de facilitar o desenvolvimento, temos:

29
• Referência
É freqüentemente necessário que se tenha uma tensão fixada de referência em
um circuito para fins de polarização e comparação. Isto pode ser obtido
usando-se um diodo Zener.
A variação na fonte DC de tensão devido a qualquer razão foi incluída como
um pequeno sinal senoidal. Como vi é sempre maior do que 10 V, o diodo
Zener estará sempre no estado "ligado", sendo esta uma condição definida
pela subida vertical da curva.
Nossas análises aqui empregarão apenas o circuito equivalente reduzido da
figura abaixo. A tensão de saída de vi, entretanto, permanecerá fixada no
potencial Zener de 10 V, nosso potencial de referência.
Portanto, a tensão que aparece nos terminais do resistor de 5kΩ é a diferença
entre as duas, como definido pela lei de tensão de Kirchoff:
vR = vi - vo
vR = (12+1senωt) – 10
vR = 2 + 1senωt

Podem-se estabelecer dois níveis de referência com o circuito abaixo.

30
Dois diodos Zener, em posições contrárias, podem ser usados como regulador
AC conforme mostrado na figura abaixo.

Em relação ao sinal senoidal vi, o circuito fica como na figura (b), no instante
em que vi = 10 V. A região de operação de cada diodo está indicada na figura
(b).
Note que a impedância associada a Z1 é muito pequena, ou essencialmente um
curto, pois está em série com 5kΩ, enquanto que a impedância Z2 é muito
grande, correspondendo à representação de circuito aberto.
Como Z2 é um circuito aberto, V0 = V1 = 10 V. Esta situação permanecerá até
que Vi seja levemente maior do que 20 V. Então Z2 entrará na região de baixa
resistência (região Zener), Z1, para todos os fins práticas, será um curto-circuito

31
e Z2 será substituído por Vz = 20 V. A forma de onda resultante está indicada
na mesma figura.
Note que a forma de onda não é puramente senoidal, mas o seu valor rms
(efetivo) está mais próximo dos 20 V de pico, da forma de onda senoidal,
desejados, do que a entrada senoidal cujo valor de pico é 22 V (o valor rms de
uma onda quadrada é o seu valor de pico, enquanto que o valor rms de uma
função senoidal é 0,707 vezes seu valor de pico).
zero circuito da figura acima (a) pode ser estendido a um simples gerador de
onda quadrada, devido a sua ação ceifadora, se o sinal vi for aumentado para
talvez 50 V de pico com diodos Zener de 10 V. A forma de onda resultante está
indicada na figura abaixo.

• Segurança Intrínseca
Na figura abaixo temos um circuito usado para Limitação de Energia onde
utilizamos limitadores resistivos (Barreira Zener) ou dispositivos eletrônicos de
corrente (semicondutores) e o seu equivalente de Thevenin com o gráfico de
transferência de potência.

⇒ Tabela de Diodos Zener - Séries Comerciais

32
 DIODO ZENER SÉRIE 1N

Tensão Potência Tolerância

Código
Nominal Nominal Máxima (%)

1N751 5,1V 500mW 10

1N758 10,0V 500mW 10

1N759A 12,0V 500mW 5

1N963 12,0V 500mW 20

1N4733 5,1 V 1W 10

1N4740 10,0V 1W 10

1N4742A 12,0V 1W 5

⇒ DIAC
Os diacs são diodos de disparo bidirecional, composto por três camadas (PNP)
com a simples função de disparar tiristores.
Sua construção assemelha-se a de um transistor bipolar, porém difere na
dopagem do cristal N.
Seu funcionamento é simples: Para passar do estado de bloqueio para o
estado de condução, é preciso ultrapassar a tensão de ruptura (VR), rompendo
assim, a junção polarizada inversamente, podendo a corrente fluir em ambos
sentidos. Para voltar ao estado de bloqueio, basta remover a tensão por alguns
instantes.
Os diacs servem para controlar o disparo de triacs quando uma tensão de
referência chegar a certo valor.

33
 4. Circuitos Estabilizadores de Tensão

Para que ocorra o efeito regulador de tensão é necessário que o diodo zener
opere dentro da região de ruptura, respeitando-se as especificações da
corrente máxima. Considere o circuito abaixo:

A corrente que circula por RS que é a própria corrente que circula pelo diodo
zener é dada pela fórmula:
IRS = (VE - VZ) / RS
Para entender como funciona a regulação de tensão, suponha que a tensão VE
varie para 9V e 12V respectivamente.
Devemos então obter o ponto de saturação (interseção vertical), fazendo com
que VZ = 0.
a) obtenção de q1 (VZ = 0), temos: I = 9/500 = 18mA
b) obtenção de q2 (VZ = 0), temos: I = 12/500 = 24mA
Para obter o ponto de ruptura (interseção horizontal), fazemos IZ = 0.
a) obtenção de q1 (IZ = 0), temos: VZ = 9V
b) obtenção de q2 (IZ = 0), temos: VZ = 12V

O gráfico então fica com o aspecto a seguir:

Analisando o gráfico acima, observa-se que embora a tensão VE varie para 9V

e 12V respectivamente, haverá mais corrente no diodo zener implicando nas
interseções q1 e q2. Portanto embora a tensão VE tenha variado de 9 a 12V, a
tensão zener ainda é aproximadamente igual a 6V. Basta para isso comparar a
diferença entre q1 e q2, onde se observa que a tensão de saída permaneceu
praticamente constante mesmo que a tensão de entrada tenha variado. Essa é
a idéia de regulação de tensão.

34
 5. Componentes Optoeletrônicos
Os semicondutores optoeletrônicos ou fotoelétricos constituem a tecnologia
que associa a óptica com a eletrônica, tem a propriedade de converter a
energia luminosa (ou fótons) incidente em energia elétrica (joules) e vice-versa.
Este campo excitante inclui vários componentes baseados na ação de uma
junção PN. São exemplos de componentes optoeletrônicos: os diodos
emissores de luz (LED), os fotodiodos, os optoacopladores, baterias solares,
display de cristal líquido (LCD), display de 7 segmentos, diodos de
infravermelho, fontes de infravermelho (raio laser), fototransistor,
fotocondutores ou fotoresistores (ou LDR), etc. Estes tipos de componentes
são largamente usados em todas áreas da eletrônica.

• Diodo Emissor de Luz (LED)

Num diodo com polarização direta, os elétrons livres atravessam a
junção e combinam-se com as lacunas. À medida que esses
elétrons caem de um nível mais alto de energia para um mais
baixo, eles irradiam energia. Nos diodos comuns essa energia é
dissipada na forma de calor. Mas no diodo emissor de luz (LED), a
energia é a irradiada na forma de luz visível (amarela, verde,
vermelha, laranja ou azul) ou luz infravermelha. Ao contrário dos
diodos comuns não é feito de silício, que é um material opaco, e
sim, de elemento como gálio, arsênico e fósforo. È amplamente
usada em equipamentos devido a sua longa vida, baixa tensão de
acionamento e boa resposta em circuitos de chaveamento.
A polarização do LED é similar ao um diodo comum, ou seja, acoplado em
série com um resistor limitador de corrente. O LED é representado como um
diodo comum com seta apontando para fora como símbolo de luz irradiada. Os
LEDs substituíram as lâmpadas de incandescência em várias aplicações
devido a sua baixa tensão, vida longa, e rápido chaveamento liga-desliga.
O funcionamento do LED é bem simples: quando polarizado diretamente dentro
das características técnicas de tensão e corrente estabelecidos pelo fabricante,
o mesmo emitirá uma luz, quanto maior for esta tensão e corrente maior será
seu brilho.
Os LEDs têm uma queda de tesão típica de 1,5 a 2,5 V para correntes entre 10
e 50mA. A queda de tensão exata depende da corrente, da cor, da tolerância
do LED. A menos que seja feita alguma recomendação em contrário, use uma
queda nominal de 2 V quando estiver verificando defeitos ou analisando os
circuitos com LEDs. Se você tiver que fazer algum projeto, precisa consultar as
folhas de dados, porque as tensões do LED têm uma grande tolerância.
Tipicamente, a corrente do LED está entre 10 e 50 mA porque essa faixa
produz luz suficiente para a maioria das aplicações.
O brilho de um LED depende da corrente. Idealmente, a melhor forma de se
controlar o brilho é vincular o LED a uma fonte de corrente. A melhor forma
para se obter uma fonte de corrente é uma grande tensão de alimentação
seguida de uma grande resistência em série. Neste caso, a corrente no LED é
dada por:

35
 Vs − VLED
I=
RS
Quanto maior a tensão da fonte, menor o efeito de VLED produz. Em outras
palavras, um alto valor de VS encobre a variação na tensão do LED.
Por exemplo, um TIL222 é um LED verde com uma queda mínima de 1,8 V e
uma queda máxima de 3 V para uma corrente de aproximadamente 25 mA. Se
você ligar um TIL222 a uma fonte de 20 V e a um resistor de 750 Ω, a corrente
varia de 22,7 a 24,3 mA.
Isto implica em um brilho que é essencialmente o mesmo para todos os
TIL222. Por outro lado, suponha que o seu circuito utilize uma fonte de 5 V e
um resistor de 120 Ω. A corrente varia então de cerca de 16,7 a 26,7 mA; isto
causa uma variação sensível no brilho. Portanto, para se obter um brilho
aproximadamente constante com LEDS, utilize tanto uma fonte de tensão como
uma resistência em série o maior possível.

• Indicador de Sete-Segmentos (Display a LED)

A figura abaixo mostra um indicador de sete segmentos (DISPLAY). Ele
contém sete LEDs retangulares (de A a G). Cada LED é chamado de um
segmento porque ele faz parte do dígito que está sendo exibido. Temos
também o diagrama esquemático de um indicador de sete segmentos são
incluídos resistores externos em série para limitar as correntes a níveis
seguros. Aterrando-se um ou mais resistores, podemos formar qualquer dígito
de 0 a 9. Por exemplo, aterrando A, B e C, obtemos o 7. Aterrando A, B, C, D e
G produzimos um 3.

Anodo comum

Um indicador de sete segmentos também pode exibir as letras maiúsculas A,

C, E e F, mais as letras minúsculas b e d. Os instrutores de
microprocessadores freqüentemente usam um indicador de sete segmentos
para mostrar todos os dígitos de 0 a 9, mais A, B, C, d, E e F. Estes são
chamados displays hexadecimais.
Mostras das vistas de frente, de fundo e o esquema catodo comum de um
display:

36
• Displays de Cristal Liquido (LCD)
O display de cristal liquido (LCD) tem a vantagem evidente de requerer uma
potência muito baixa. Em geral e da ordem de microwatts, em comparação com
miliwatts para os LEDs. Porem, precisa de uma fonte de luz interna ou externa
e é limitado a uma faixa de temperatura em torno de 0oC a 600C. Atualmente os
LCDs que tem sido objeto de maior interesse são as unidades de efeito de
campo ou as de dispersão dinâmica. Cada uma delas será tratada com algum
detalhe nesta seção.
Um cristal líquido é um material (normalmente orgânico para os LCDs) com
características de liquido, mas cuja estrutura molecular tem propriedades
normalmente associadas aos sólidos. Para as unidades de dispersão de luz, o
maior interesse está no cristal líquido nemático, com a estrutura do cristal
mostrada abaixo.
As moléculas, individualmente, tem o aspecto de um bastão, conforme
mostrado na figura. A superfície condutora de óxido de índio é transparente e,
nas condições mostradas na figura, a luz incidente simplesmente a atravessará
e a estrutura de cristal líquido não oferecerá qualquer resistência.

37
Se for aplicada uma tensão (para unidades comerciais o nível-limite é
normalmente entre 6 e 20V) aos terminais das superfícies condutoras,
conforme mostrado abaixo, o arranjo molecular será perturbado, resultando em
regiões com índices de refração diferentes.
Portanto a luz incidente será refletida em direções diferentes na interface entre
regiões de índices de refração diferentes (fenômeno denominado
espalhamento dinâmico – estudado pela primeira vez pela RCA em 1968) com
o resultado de que a luz espalhada produz o efeito de um vidro opaco.

Porém, note na figura acima que o aspecto opaco ocorre apenas onde as
superfícies condutoras se opõem, sendo que as áreas restantes permanecem
translúcidas.
Um dígito em um display LCD pode ser:

A área escura é na realidade uma superfície condutora transparente conectada

aos terminais abaixo para controle externo.
São colocadas duas máscaras semelhantes em lados opostos de uma camada
fina selada de cristal liquido. Deseja-se o número 2, os terminais 8,7,3,4 e 5
devem ser energizados, sendo que apenas as regiões correspondentes
resultarão opacas, enquanto que as outras áreas permanecerão transparentes.

38
Conforme indicado anteriormente, o LCD não gera sua própria luz, mas
depende de uma fonte interna ou externa. Em condições escuras é necessário
que a unidade possua sua própria fonte de luz interna, atrás ou ao lado do
LCD. Durante o dia, ou em locais iluminados, pode-se colocar um refletor atrás
do LCD, para refletir a luz através do display, para se obter a máxima
intensidade.
Os fabricantes de relógios comuns estão usando uma combinação dos modos
transmissivo (fonte de luz própria) e refletivo, denominado modo transfletivo,
para operação ótima.
O LCD de efeito de campo ou nemático trançado possui o mesmo aspecto de
segmento e a mesma camada fina de cristal liquido encapsulado, mas seu
modo de operação é muito diferente.
Da mesma forma que o LCD de espalhamento dinâmico, o de efeito de campo
pode ser operado nos modos refletivo ou transmissivo, com uma fonte interna.
O display de Efeito de Campo Transmissível na Ausência de Polarização está
mostrado abaixo. A fonte de luz interna está à direita e o observador à
esquerda. Esta figura é notavelmente diferente da figura do cristal líquido
nemático na ausência de polarização, pois há um polarizador de luz a mais.
Apenas a componente vertical da luz que entra pela direita pode atravessar o
polarizador de luz vertical da direita.

No LCD de efeito de campo, ou a superfície transparente a direita é tratada

quimicamente, ou aplica-se um filme orgânico para orientar as moléculas no
cristal líquido. A superfície condutora oposta também é tratada para garantir
que as moléculas sejam defasadas de 90o na direção mostrada (horizontal),
mas ainda paralela às células da parede. Entre as duas paredes do cristal
líquido há uma tendência geral de uma polarização para outra, conforme
mostrado na figura. O polarizador de luz da esquerda também é tal que permite

39
a passagem apenas da luz incidente polarizada verticalmente. Se não houver
tensão aplicada às superfícies condutoras, a luz polarizada verticalmente entra
na região de cristal líquido e acompanha a rotação de 90o da estrutura
molecular. Sua polarização horizontal não permite atravessar o polarizador de
luz vertical do lado esquerdo , e para o observador resulta um escuro uniforme
em todo o display.
Quando se aplica uma tensão mínima (para unidades comerciais de 2 a 8
volts), as moléculas se alinham com o campo (perpendicular a parede) e a luz
atravessa diretamente sem a rotação de 90º A luz incidente vertical pode então
atravessar diretamente a segunda tela polarizada verticalmente e, para o
observador resultará uma área iluminada.
Através de excitação adequada dos segmentos de cada dígito resulta algo do
tipo:

O efeito de campo tipo refletivo é:

Neste caso a luz polarizada horizontalmente mais a esquerda encontra um filtro

polarizado horizontalmente e atravessa para o refletor, onde é refletida para o
cristal líquido, havendo nova polarização vertical, e voltando para o observador.
Se não houver tensão aplicada, o display resultará uniformemente iluminado. A
aplicação de uma tensão resulta em uma luz incidente verticalmente polarizada
encontrando um filtro polarizado horizontalmente, o qual não poderá ser
atravessado, portanto a luz será refletida.

40
Resultará uma área escura no cristal:

Os LCDs de efeito de campo são usados normalmente quando a fonte de

energia é um fator importante (por exemplo, em relógios, instrumentação
portátil, etc.), pois eles absorvem consideravelmente menos energia do que os
tipos de espalhamento de luz – na faixa de microwatts em comparação com
alguns miliwatts. O custo é tipicamente mais alto para unidades de efeito de
campo, e seu tamanho é limitado em torno de 2 polegadas, enquanto que as
unidades de espalhamento de luz são disponíveis com até 8 polegadas de
altura.
Uma outra consideração sobre displays é sobre o tempo para ligar e desligar.
Os LCDs são muito mais lentos do que os LEDs. Os LCDs possuem tempos de
resposta tipicamente na faixa de 100 a 300 ms, enquanto que há LEDs com
tempo de resposta inferior a 100 ns. Porém, há numerosas aplicações, tal
como em um relógio onde a diferença entre 100 ns e 100 ms (1/10 de um
segundo) tem poucas implicações. Para tais aplicações a demanda mais baixa
de energia dos LCDs é uma característica muito atrativa. O tempo de vida das
unidade LCD tem aumentado cada vez mais, ultrapassando o limite de 10.000
ou mais horas. Como a cor gerada pelas unidades LCD depende da fonte de
iluminação, há uma grande variedade de escolha de cores.

• Fotodiodo
As fontes de energia luminosa possuem características não encontradas em
outros tipos de energia. Esta energia transmitida na forma discreta ‘chamada
de fótons; é diretamente relacionada com a freqüência da onda de luz emitida.
Como foi discutido anteriormente, um elemento de corrente reversa num diodo
é o fluxo de portadores minoritários. Estes portadores existem porque a energia
térmica mantém os elétrons de valência desalojados de suas órbitas,
produzindo no processo elétrons livres e lacunas. A vida média dos portadores
minoritários é curta, mas enquanto dura eles podem contribuir para a corrente
reversa.
Quando incide energia luminosa sobre uma junção PN, ela também pode
desalojar elétrons de valência. Colocando de outra forma, a quantidade de luz
que atinge a junção pode controlar a corrente reversa de um diodo. O fotodiodo
é aquele que foi otimizado na sua sensibilidade para a luz. Nesse diodo, uma
janela permite que a luz passe através do invólucro e chegue até a junção. A
luz incidente produz elétrons livres e lacunas. Quanto mais intensa a luz, maior
o número de portadores minoritários e maior a corrente reversa.
A figura mostra o símbolo esquemático de um fotodiodo, devidamente
polarizado reversamente. As setas para dentro representam a luz incidente. De
suma importância, a fonte e o resistor em série revertem a polarização do
fotodiodo. À medida que a luz se torna mais brilhante, a corrente reversa

41
aumenta. Com fotodiodos típicos, a corrente reversa situa-se na faixa de
dezenas de microampères.

O fotodiodo é um exemplo de um FOTODETETOR, um componente

optoeletrônico que converte a luz incidente numa corrente elétrica quando
polarizado reversamente.

6. Circuitos Integrados (CI)

O circuito integrado é simplesmente uma lâmina de silício no estado sólido, na

qual foram montados ou gravados um grande número de componentes
individuais. Todas as conexões entre os componentes do circuito são feitas
automaticamente durante a fabricação do circuito integrado, portanto não é
necessário realizar conexões internas com soldas. Esta é um das razões de um
circuito integrado ser mais confiável comparado com um circuito feito com
componentes individuais com ligações feitas manualmente.
Os circuitos integrados são freqüentemente identificados de acordo com o
número de componentes ativos montados numa única lâmina. Componentes
ativos são usados para gerar ou amplificar sinais, como por exemplo, um
transistor.
Os circuitos integrados são classificados em MSI (Middle Scale Integrated) que
significa circuito integrado de escala média, no qual possui menos que 50
componentes ativos e o LSI (Large Scale Integrated) que significa circuito
integrado de larga escala, no qual deve existir mais que 50 componentes
ativos.
Os circuitos integrados são chamados de monolíticos se o circuito completo for
construído em uma única lâmina de silício. E chamados de híbridos se o
circuito consiste em um circuito integrado com alguns minúsculos componentes
individuais fixados no mesmo.
Os CIs são também classificados em circuitos integrados lineares e circuitos
integrados digitais. Um CI linear é usado em lugares onde se deseja amplificar
os sinais sem distorções dos mesmos, por exemplo, um amplificador de áudio
ou um amplificador de rádio-frequencia. Com um CI linear terá sempre um sinal

42
de saída que é uma réplica ou tem relação direta com o sinal de entrada. Eles,
às vezes, são chamados de sinais analógicos, porém é preferível o termos
linear. Um dos melhores exemplos de CI linear é o amplificador operacional.
Já os CI digitais são usados em circuitos de impulsos e circuitos lógicos. A
amplitude do sinal de saída para um CI digital pode não ter relação direta com
o sinal de entrada.

⇒ Os Reguladores de Tensão da Linha de CI 78 e 79

A família 78XX é formada por circuitos integrados (CI) de três terminais que
exercem a função de reguladores de TENSÃO FIXA POSITIVA.
A família 79XX é formada por circuitos integrados (CI) de três terminais que
exercem a função de reguladores de TENSÃO FIXA NEGATIVA.
Estes circuitos integrados possuem um terminal de entrada, um terminal de
ajuste ou referência, que normalmente é ligado a terra e um terminal de saída,
o que torna sua utilização extremamente simples.

O diagrama de blocos de uma fonte de alimentação completa com CI regulador

de tensão é representado abaixo:

A tensão obtida na saída de um integrado desta família é fixa e depende de

seu tipo. Na própria designação do componente temos esta indicação. Assim, o
XX do 78XX indica os “Volts” que obtemos na saída do regulador. O 7805, por
exemplo, é um regulador que fornece em sua saída uma tensão de 5V
enquanto 7812 é um regulador que fornece em sua saída uma tensão de 12V.
Os fabricantes dos circuitos integrados desta família oferecem uma gama
bastante grande de valores de tensões de saída, conforme podemos observar
pela tabela abaixo, que corresponde a série uA7800 (ou uA78XX)

REGULADORES DE TENSÃO FIXA POSITIVA (Texas Instrumentos)

43
 Tensão Mínima Tensão Máxima Tensão de Corrente de
TIPO
de Entrada (V) de Entrada (V) saída (V) Saída (A)

uA7805C 7 25 5 1,5

uA7806C 8 25 6 1,5

uA7808C 10,5 25 8 1,5

uA7810C 12,5 28 10 1,5

uA7812C 14,5 30 12 1,5

uA7815C 17,5 30 15 1,5

uA7818C 21 33 18 1,5

uA7824C 27 38 24 1,5

Obs: Valores de tensão e corrente são os mesmos para regulador negativo 79XX

A letra C no final dos tipos refere-se à corrente máxima que eles podem
fornecer em sua saída: 1,5 A. Os tipos comuns desta série, sem a letra C no
final, são especificados para uma corrente de 1 A.
Estes componentes que operam com estas correntes algo elevadas, da ordem
de 1 A a 1,5 A normalmente são obtidos em invólucros TO-220 para montagem
em dissipador de calor.
Em alguns casos, entretanto, tais integrados também podem ser encontrados
em invólucros de metal. Séries de menores correntes também são disponíveis,
se bem que basta não usar o dissipador de calor num integrado 7812 de 1A, se
formos usar apenas 100 mA ou menos e tudo estará bem. No entanto, o custo
diferencial de um tipo de maior corrente para um de menor corrente numa
aplicação industrial que use milhares deles pode ser importante.
Para este caso, o montador pode usar um 78XX de menor corrente. Temos
então a série MC78M00 para 500 mA e a série 78L00 de 100 mA, ambas da
Motorola.
A Texas tem a série 78M00 para 500 mA e a série uA78L00 de 100 mA, ambas
com os invólucros foram mostrados acima.
As características principais de todos os integrados desta família são as
seguintes:
• Possuem três terminais
• A corrente de saída varia entre 100 mA e 1,5 A conforme a série
• Não necessitam de nenhum componente externo
• Possuem proteção térmica interna em caso de sobrecarga
• Possuem limitação interna de corrente em caso de curto-circuito
• Podem ser associados em paralelo para fornecer maiores correntes

44
Um circuito típico de utilização de um circuito integrado deste tipo numa fonte
de alimentação é:

Entretanto, para que o regulador seja utilizado de forma correta, é preciso que
alguns requisitos sejam satisfeitos no que se refere à tensão de entrada e
alguns outros parâmetros importantes.
Começamos pela tensão de entrada: Para que o regulador funcione
satisfatoriamente é preciso haver uma diferença de tensão entre a entrada e a
saída de pelo menos 2V.
No entanto, a geração de calor no circuito depende da diferença entre a tensão
de entrada e a de saída, multiplicada pela corrente. Assim, quanto maior for a
diferença entre a tensão de entrada e de saída e maior a corrente, mais o
circuito tende a aquecer.
O ideal, numa aplicação prática, é trabalhar com uma tensão pouco acima do
mínimo necessário a uma operação satisfatória de modo a não exigir muito em
termos de dissipação.
⇒ Fonte Simétrica
Fonte de alimentação simétrica é o tipo fonte que fornece tensão de saída
(Vcc) positiva e negativa, em relação ao potencial terra.
Os Reguladores de Tensão Positiva e Negativa são exemplos simples de
esquemas de fonte simétrica.
Utilizando-se dois CI reguladores fixos e de valores opostos, podemos construir
uma fonte simétrica que pode ser usada em várias aplicações.

45
EXERCÍCIOS:
1) Desenhar o esquema de uma fonte simétrica que possa fornecer na saída
tensão de +15V e -15V / 2A, usando CI da série 78XX e 79XX.
2) Marque V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas. Justifique,
caso haja, aquelas que julgar Falsa.

a) ( ) Nos semicondutores, a corrente é formada por dois tipos de cargas,

e o seu sentido convencional é aquele dos portadores de cargas
majoritários.
b) ( ) Nos condutores, o aumento da temperatura aumenta a sua
resistividade elétrica.
c) ( ) Um diodo estará polarizado diretamente quando um potencial
positivo for aplicado no lado P da junção e o potencial negativo no lado
N, conduzindo fortemente para quaisquer valores da tensão aplicada.
d) ( ) Num semicondutor tipo N, o número de lacunas é menor que o dos
elétrons livres, os quais são portadores de carga majoritários.
e) ( ) Num semicondutor tipo P, o processo de dopagem adiciona átomos
trivalentes de natureza “aceitadora” ao cristal semicondutor.

3) Dado o circuito abaixo, calcule a intensidade de corrente elétrica?

4) Considere o circuito abaixo. Os valores das resistências e tensões estão

especificadas no circuito. A potência nominal do zener é (Pz =1W). Na moldura
é apresentado o modelo de aproximação para o LED. Determine:

a) Para a chave na posição “1”, qual o valor mínimo de Rv para que o

diodo zener funcione como um regulador de tensão?
b) Com a chave ainda na posição “1”, qual a potência dissipada por Rv, Rs
e pelo Zener se Rv for ajustada em 250 Ω? O zener foi especificado
corretamente?
c) Mudando a chave para a posição “2”, dimensione um valor comercial
para R3 tal que o LED seja polarizado com uma corrente de 50mA.
Especifique também a potência nominal para R3. (OBS.: consultar as
tabelas 1 e 2)

46
 Vγ=2.0V

Modelo para o LED

5) A figura abaixo mostra o circuito de uma fonte de alimentação DC. Vs

representa a tensão da rede de energia a qual a fonte foi ligada. A figura
mostra a medida feita com um osciloscópio diretamente na tomada da rede. As
especificações dos componentes é dada a seguir:
R1 = 100Ω
R2 = 1 kΩ
Rv = 1.5 kΩ
C1 = 510 µF
D1 = D2 = D3 = D4 = 1N4004 (Vγ=0.6V)
Vz = 12V

(sinal Vs)

47
6) A respeito da fonte da questão anterior, deseja-se saber:

a) O valor de pico (Vp), RMS (Vrms), o período (T), a freqüência (f) e o valor
médio (Vm) da tensão no ponto “a”.
b) Qual a tensão e a corrente na carga quando Rv é ajustada em seus
valores máximo e mínimo respectivamente? Ocorre variação desses
parâmetros (tensão e corrente)? Explique.
c) Suponha que a fonte não possua o estágio regulador (diodo zener e sua
respectiva resistência de polarização). Determine o valor da tensão
ripple (Vrpp) pico a pico e o valor contínuo (Vdc) na saída quando Rv = 1,5
kΩ. É possível variar o ripple variando Rv? Justifique.
d) Deseja-se conectar essa fonte a um circuito digital cuja alimentação é
5V. Em que ponto você conectaria a fonte ao circuito? Qual valor de Rv
você ajustaria para isto?
e) Como o circuito digital não suporta flutuações muito grandes de tensão,
o projetista da fonte propôs o circuito de proteção mostrado na figura
abaixo. O LED possui as mesmas características do LED da questão 4.
O diodo possui Vγ=0.7V e a bateria é de 2.5V. Pergunta-se: qual o valor
máximo de tensão que poderá alimentar o circuito digital? Qual a função
(ões) do LED no circuito?

OBSERVAÇÂO:

Tabela 01: valores comerciais para resistores (5%)

10 12 15 18 22 27 33 39 47 56 68 82 91

Tabela 02: valores comerciais de potência para resistores (5%) em W

1/8 ¼ 1/3 1/5 1 2 3 5 10

48
7) Um aluno montou em laboratório os dois circuitos mostrados nas figuras 1 e
2 a fim de estudar o comportamento do diodo em CC. Com o multiteste, ele
verificou que a queda de tensão no diodo polarizado diretamente e Vγ = 0.7V.
O aluno utilizou um resistor Rs=100Ω Complete a tabela abaixo com os valores
esperados para cada circuito.

figura 1 figura 2

Para o circuito da fig. 1

Vs VD VRS Is
0.5 V
1V
3V
5V

Para o circuito da fig. 2

Vs VD VRS Is
0.5 V
1V
3V
5V

Vs – Tensão da fonte de alimentação

VD – Tensão nos terminais do diodo
VRS – Tensão nos terminais do resistor
Is – Corrente no circuito.

49
8) O esquema abaixo de uma fonte de alimentação simples sem regulação. O
transformador foi conectado a rede de 220V / 60Hz e a tensão na sua saída é
15 +15 Vrms. Considere os diodos ideais. Determine:
a) A freqüência na carga.
b) A tensão de pico na carga
c) A ondulação de ripple
d) O valor DC da tensão na carga.
D1

C1 R1
Vs 2200uF 10kohm

D2

9) Para o circuito, determine:

a) A corrente e a tensão na carga.
b) A corrente fornecida pela fonte.
c) A potencia dissipada pelo zener.
R2

500ohm D3
R3
5V
12V 1kohm

50
PRÁTICAS:

Prática 1:
1) Monte o circuito abaixo :
T1 D1

S2 S3
S1 C1
RL1
D2

2) Abra a chave S1 e S2 e feche a chave S3. Observe as formas de ondas no

diodo D1 e na carga RL1 com o osciloscópio.
OBS. : O canal 1 em D1 e o canal 2 na carga RL1.
3) Meça o valor da tensão máxima na carga com osciloscópio.
4) Calcule o valor da tensão contínua na carga RL1.
OBS. : Vdc = Vmáx
π
5) Meça o valor da tensão contínua na carga RL1.
OBS. : O multímetro deverá estar na função de Voltímetro na escala DV,
pois você realizará medidas de tensões continuas.
6) Compare o valor do item 4 com o 5.
7) Qual a sua conclusão sobre estes resultados.
8) Feche a chave S1 e observe as formas de ondas no diodo D1 e na carga
RL1 com o osciloscópio.
OBS. O canal 1 em D1 e o canal 2 na carga RL1.
9) Meça o valor da tensão máxima na carga com osciloscópio.
10) Calcule o valor da tensão contínua na carga RL1.
OBS. : Vdc = 2Vmáx
π
11) Meça o valor da tensão contínua na carga RL1.
OBS. : O multímetro deverá estar na função de Voltímetro na escala
DV, pois você realizará medidas de tensões continuas.
12) Compare o valor do item 10 com o 11.
13) Qual a sua conclusão sobre estes resultados.

14) Abra S1 e feche S2 e observe a forma de onda na carga RL1 com o

osciloscópio.
51
OBS. : O canal 2 na carga RL1.
15) Meça a tensão máxima e mínima na carga RL1 com o osciloscópio.
16) Calcule a tensão média contínua na carga RL1.
17) Quais os tempos de carga e descarga do capacitor C1.
18) Feche S1 e observe a forma de onda na carga RL1 com o osciloscópio.
OBS.: O canal 2 na carga RL1.
19) Repita os itens 15, 16 e 17 anteriores.
20) Explique o quê aconteceu.
21) Inserir em paralelo com o capacitor C1 outro capacitor C2 de mesma
capacitância.
22) Observe a forma de onda na carga RL1 com o osciloscópio.
OBS. : O canal 2 na carga RL1.
23) Repita os itens 15, 16 e 17 anteriores.
24) Explique o quê aconteceu.
25) Inserir em paralelo com o resistor de carga RL1 outro resistor RL2 de
mesmo valor ôhmico.
26) Observe a forma de onda na carga RL1/RL2 com o osciloscópio.
OBS. : O canal 2 na carga RL1/RL2.
27) Repita os itens 15, 16 e 17 anteriores.
28) Explique o quê aconteceu.
29) Inserir em série com o resistor de carga RL1 outro resistor RL2 de mesmo
valor ôhmico.
30) Observe a forma de onda na carga RL1+RL2 com o osciloscópio.
OBS. : O canal 2 na carga RL1+RL2.
31) Repita os itens 15, 16 e 17 anteriores.
32) Explique o quê aconteceu.

52
Prática 2:
1) Monte o circuito da figura abaixo:

USO DO MULTÍMETRO : Registre na tabela os valores medidos

2 - Na escala de 250 VCA meça o valor da tensão da rede nos pontos 1 e 2 do
circuito.

3 - Meça a tensão na saída do trafo nos pontos 3 e 5 em relação ao ponto 4

(zero volt.)

4 - Meça a tensão em um dos diodos, na escala de VCA e depois na escala

VCC. Houve diferença de valor ?

5 - Na escala de 25 VCC meça os valores de tensão nos pontos 6 e 7, 7 e 8,

9 e 10, e 10 e 11.

USO DO MULTÍMETRO - MEDIÇÃO DE TENSÃO

PONTOS

1e2 3e4 4e5 6e7 7e8 9 e 10 10 e 11

Valor
VCA

valor
VCC

53
USO DO OSCILOSCÓPIO: Registre os valores de tensão, período, freqüência
e as formas de onda.

USO DO OSCILOSCÓPIO / GERADOR DE FUNÇÕES.

PONTOS

3e4 4e5 6e7 7e8 9e 10 e

10 11

Valor
VCA

valor
VCC

Valor do
período

Valor da
Freqüência

Forma da
Onda com
Filtro

Forma da
Onda sem
Filtro

54