1.

Introdução

Semicondutores são materiais intermediários entre condutores e isolantes.

Os condutores apresentam uma boa passagem de corrente elétrica, enquanto os
isolantes não permitem essa passagem livre de elétrons. O silício e o Germânico
são bons exemplos, pois possuem ligação covalente, o que dificulta a passagem
de elétrons. Porém essa ligação não é tão forte o que permite a passagem de
elétrons caso o material receba certa quantidade de energia.

2. Tipos de materiais semicondutores

2.1. Materiais semicondutores intrínsecos

Semicondutor intrínseco é aquele encontrado na natureza na sua forma

mais pura, ou seja, a concentração de portadores de carga positiva é igual à
concentração de portadores de carga negativa.
Os principais materiais que apresentam propriedades semicondutoras são
elementos simples, como o silício (S) e o germânio (Ge). Esses elementos são
tetravalentes, isto é, têm quatro elétrons na camada de valência (a camada
de distribuição eletrônica mais externa do átomo), e formam ligações
covalentes (em que há compartilhamento desses elétrons com os átomos
vizinhos). As ligações covalentes dificultam o deslocamento dos elétrons, fazendo
dos materiais que constituem, portanto, materiais que não podem
conduzir corrente elétrica.
No entanto essas ligações citadas não são muito fortes, quando fornecido
uma pequena quantidade de energia se rompem com facilidade, devido a esse fato
os elétrons ficam livres deixando o material como condutor a, ou seja, chamado de
condução intrínseca.
No passado eram fabricados componentes eletrônicos utilizando germânio,
isso mudou devido a ele não suporta temperaturas elevadas, já o silício sim.
Tem se usado também no desenvolvimento de produtos eletrônicos
materiais com propriedade condutoras, fosfeto de índio e arseneto de gálio.

2.2. Materiais semicondutores extrínsecos

Os semicondutores extrínsecos apresentam baixa condutividade, buscam

de métodos para aumentar seu valor. Para fazê-lo se tornar um material condutor
fornece a ele cargas elétricas para que haja cargas elétricas negativas. O excesso
de carga se obtém introduzindo elementos com tal impurezas com mais elétrons
na camada de valência.
Esse processo é chamado de dopagem, essas impurezas são denominadas
doadoras, são chamadas de semicondutor tipo N.
Por exemplo, o silício (que tem quatro elétrons na camada de valência) é
dopado negativamente com pequenas quantidades de fósforo, arsênio ou
antimônio (que têm cinco elétrons na camada de valência e, portanto, um elétron a
mais que o silício). Os elétrons adicionais estão livres e formam a corrente elétrica.
Da mesma maneira pode-se introduzir cargas positivas. O excesso de
cargas positivas se consegue introduzindo-se impurezas com menos elétrons de
valência que o material semicondutor que serve de base.
Contudo os semicondutores extrínsecos, apresentam uma condutividade
elétrica maior do que os intrínsecos, por isso são mais utilizados na fabricação de
elementos eletrônicos.

2.2.1. Materiais Tipo N

Por exemplo vamos considerar uma amostra de silício, contendo um átomo
de arsênico, O arsênico tem cinco elétrons de valência enquanto que o silício tem
quatro. Na figura 1 (a), o elétron extra está presente independentemente dos pares
de elétrons que servem como ligação entre átomos vizinhos. Este elétron excluído
da ligação, uma vez que a estrutura está saturada quimicamente, é atraído pela
região positivamente carregada do átomo de impureza, permanecendo numa órbita
própria.
Este elétron possui energia de ligação muito menor que a dos elétrons
instalados
nas órbitas de valência podendo ser facilmente excitado por energia térmica para a
BC. Estas impurezas são chamadas doadoras. Este elétron pode transportar uma
carga no sentido do eletrodo positivo figura 1 (b).
 Figura 1: Tipo N, (a), (b) e (c)

Alternativamente na figura 1 (c) os elétrons extra – o que não podem residir

na banda de valência totalmente preenchida – ficam localizados proximamente ao
topo da descontinuidade de energia. Desta posição denominada nível doador “Ed”,
os elétrons extra podem ser ativados facilmente a fim de alcançar a banda de
condução. O nível doador está situado a certa distância energética abaixo da
banda de condução. Desta forma, é necessária uma quantidade de energia
pequena, “Eg” – “Ed”, para transferir o elétron do seu nível orbital para a banda de
condução.

Consequentemente, Átomos do Grupo V (N, P, As e Sb) podem fornecer

transportadores de carga negativos, ou “tipo n”, a semicondutores. Semicondutores
deste tipo têm centenas de vezes mais elétrons na banda de condução
provenientes das impurezas que elétrons dos átomos hospedeiros oriundos da
banda de valência. Neste caso, sua condutividade se deve mais à presença de
impurezas que ao processo intrínseco de ativação térmica.

2.2.2. Materiais Tipo P

Os elementos do Grupo III (B, Al, Ga e In) têm somente três elétrons da
camada de valência. Quando tais elementos são adicionados ao Si como
impurezas, resultam buracos eletrônicos. Como ilustrado nas figuras 2 (a) uma das
ligações covalentes do Si com um átomo de boro ficará com falta de um elétron.
Essa ausência de um elétron também se comporta como uma lacuna, porém,
neste caso, essa lacuna não se encontra na banda de valência já que um elétron
dessa banda precisa receber uma certa energia para ocupar esse estado (o átomo
de Boro rejeita um quarto elétron nas suas vizinhanças). Deste modo, as lacunas
provenientes das impurezas ocupam um nível de energia acima da banda de
valência, na banda proibida, chamado nível receptor, “Er”.

Essa lacuna atua como carga positiva, atraindo qualquer elétron que esteja
perto, para completar sua ligação. Essas impurezas são chamadas receptoras. Por
outro lado, o elétron de Si ou Ge que não forma ligação covalente com a impureza,
estará preso ao núcleo apenas pela atração iônica, e com uma pequena
quantidade de energia térmica poderá se libertar e circular pela estrutura. Sempre
que um elétron se liberta, deixará uma lacuna, na banda de valência que poderá
participar do processo de condução na presença de um campo.

Usamos de novo o modelo de bandas esquematizado acima nas figuras 2

(b) e (c). Notamos que a diferença de energia para os elétrons se moverem da
banda de valência ao nível receptor, “Er”, é muito menor que a descontinuidade de
energia total. Portanto, os elétrons são mais efetivamente ativados no âmbito das
posições receptoras do que no âmbito da banda de condução. Os buracos
eletrônicos que permanecem na banda de valência são aproveitáveis como
transportadores positivos para semicondução tipo-p.

Figura 2: Tipo P, (a) e (b)

3. Materiais semicondutores

Os materiais semicondutores e compostos são encontrados na tabela

periódica nos grupos II, III, IV, V e VI considerando a camada de valência, abaixou
uma tabela representativa desses materiais:
 3.1. Estrutura cristalina de um semicondutor

São substâncias cujo átomos se agrupam formando uma estrutura

ordenada, essa disposição forma a chamada estrutura cristalina. O germânio e o
silício possuem uma estrutura cristalina cubica:

3.2. Lacunas

Considerando a pratica, uma estrutura cristalina só e obtida quando um cristal

de Silício e submetido a temperatura extremamente baixas, da ordem de zero
graus absoluto. Chegando a essa temperatura, todas as ligações covalentes estão
completas, fazendo com que o material se comporte como isolante. Quando esse
material e submetido a temperatura ambiente, a energia térmica, ou seja, calor
sobre o material, provoca o rompimento dessas ligações, fazendo os elétrons se
movimentarem no interior do cristal, tornando-se elétrons livres.
 Com a quebra das ligações covalentes, no local onde havia um electrão de
valência (e), passa existir uma região com carga positiva +1, uma vez que o átomo
de Silício era neutro e um electrão o abandonou. Essa região positiva que, em
outras palavras, é uma ligação covalente incompleta, recebe o nome de LACUNA,
sendo conhecida também como buraco, cavidade ou vazio.

4. Técnicas na fabricação de semicondutores

Em condutores metálicos a temperatura e inversamente proporcional a

condutividade desse material. Nos semicondutores e o contrário, a mesma se
incrementa.

O silício comercial é obtido a partir da sílica de alta pureza em fornos de

arco elétrico reduzindo o óxido com eletrodos de carbono numa temperatura
superior a 1900 ºC:
SiO2 + C Si + CO2

O silício produzido por este processo é denominado metalúrgico

apresentando um grau de pureza superior a 99%.
Uma das grandes vantagens dos semicondutores é o fato de sua
condutividade poder variar fortemente com as condições externas. Isto faz destes
materiais excelentes detectores de luz, pressão e temperatura. Talvez o dispositivo
semicondutor mais famoso seja o transistor, pois é a base no mundo atual e pode
ser encontrado dentro de brinquedos, celulares, liquidificadores e computadores.

4.1. Técnicas de Dopagem

As técnicas de dopagem podem ser feitas das seguintes formas:

 Durante o crescimento do cristal

O material do cristal sofre um aquecimento ate se transformar em massa

cristalina, estado em que se acrescenta o material de dopagem. Durante o
processo térmico, o cristal sofre um crescimento, posicionando os átomos da
dopagem na cadeia cristalina.

 Liga
 O material e levado a fusão conjuntamente ao elemento adicionado para
dopagem, formando-se um liga. Após esse processo e feito o resfriamento, assim
pode-se observar os dois materiais agregados entre si.

 Difusão
Nesse processo, vários discos do metal tetravalente básico (por exemplo, o
silício) são elevados a temperaturas da ordem de 1000 ºC e, nessas condições,
colocados na presença de metais em estado gasoso (por exemplo, boro). Os
átomos do metal em estado gasoso se difundem no cristal sólido. Sendo o material
sólido do tipo n, cria-se, assim, uma zona n.

 Implantação iônica

Átomos eletricamente carregados (com íons) de material dopante em

estado gasoso são “acelerados” por um campo elétrico e “injetados” na cadeia
cristalina do semicondutor. O método da implantação iônica é o mais preciso e o
mais sofisticado entre os mencionados, permitindo um ótimo controle tanto de
posicionamento quanto de concentração da dopagem feita.
 5. Aplicação de materiais semicondutores

Diodos: Um diodo é o tipo mais simples de semicondutor. É um

componente eletrônico que permite a passagem de corrente elétrica em apenas
um sentido. É muito utilizado para retificar sinal alternado, retificação de Sinal de
Áudio, detecção de sinal de rádio e etc. A imagem a seguir mostra a representação
do diodo usada em eletrônica e o componente real.

Diodos emissores de luz (LED): O LED é uma tecnologia recente em

questão de iluminação. É econômico e promete ainda vários avanços na área de
produção de imagem.

Células Solares: células fotovoltaicas, usadas para produzir energia

elétrica a partir da radiação solar.
 Circuito Integrado CI: São circuitos eletrônicos em miniatura, compostos
principalmente de semicondutores.

6. Conclusão

Com o avanço da tecnologia e descoberta desses elementos e dispositivos

semicondutores, trouxe como resultado a eletrônica moderna. Com propriedades
especificas trouxeram possibilidades que antes eram usadas apenas em isolantes e
condutores.

Além disso possuem propriedades elétricas que são intermediarias entre

aquelas apresentadas pelos condutores elétricos e pelos isolantes. As características
elétricas desses materiais são extremamente sensíveis à presença de átomos de
impurezas, concentrações que podem ser controladas. Muito utilizado em
equipamentos eletrônicos, os semicondutores são sólidos capazes de mudar sua
condição de isolante para condutores com grande facilidade. Podemos concluir que
são materiais de fácil manipulação, feitos através de dopagens para que possa chegar
na propriedade especifica de uso desse material. Os elementos mais utilizados são o
Germânio e Silício, devido serem encontrados em grande abundância no meio natural.

7. Referências bibliográficas

CALLISTER, W. D. Jr. Materials science engineering: an introduction. J. Wiley & Sons,

1997.

VAN VLACK, L. H. Princípio de ciência dos materiais. Edgar Blucher.

SCHACKELFORD, J. F. Ciencia de materiales para ingenieros. PHH, 1995.

https://www.coladaweb.com/fisica/eletricidade/semicondutores

http://parquedaciencia.blogspot.com/2013/06/semicondutores-da-descoberta-
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%20apenas%20um%20sentido.&text=C%C3%A9lulas%20Solares%3A%20c
%C3%A9lulas%20fotovoltaicas%2C%20usadas,a%20partir%20da%20radia
%C3%A7%C3%A3o%20solar.

http://www.lsi.usp.br/~eletroni/milton/matpn.htm