CENTRO UNIVERSITÁRIO AUGUSTO MOTTA

CURSO DE ENGENHARIA MECÂNICA

TÓPICOS ESPECIAIS EM ENGENHARIA

MECÂNICA

Vitor de Lima Alves – 211104805

Professor: Fábio Calé.

Rio de Janeiro
MAIO/2023
 Resumo Capítulo 5: Bandas de energia e propriedades elétricas dos semicondutores.

O modelo de bandas de energia em sólidos e o desenvolvimento da teoria de

bandas não é uma tarefa simples, pois este é um modelo essencialmente quântico, A
Física Quântica explica com propriedade o comportamento energético das partículas
para um átomo, através de suas funções de onda e da característica ondulatória do
elétron, entretanto, a matéria não se encontra na natureza em seu estado atômico, mas
em grandes massas sólidas, líquidas ou gasosas.

Figura 1: Formação de bandas num sólido. (a) átomo isolado. (b) sistema de alguns átomos. (c) um mol de átomos

Os semicondutores formam bandas de energia, separadas por lacunas. a última

banda é chamada de banda de condução, logo abaixo existe a banda de valência, e em
baixo as outras camadas.
Quando estes átomos se aproximam, a partir de um certo ponto, passa a ocorrer
uma interação entre eles, que resulta numa mistura das funções de onda dos elétrons.
Desta forma, não é mais possível distinguir os elétrons, pois não se pode afirmar qual
elétron pertence a qual núcleo, uma vez que ambos os elétrons interagem com ambos os
núcleos. Quando o número de átomos é muito grande, como é usualmente o caso de um
sólido, cada faixa de energia conterá um número igualmente grande de estados,
formando um quase-contínuo de estados permitidos
 Uma banda pode estar separada da próxima por uma faixa de energia proibida, um
intervalo de energia onde não existem estados permitidos. A esta faixa de energia tem
como nome de banda proibida ou lacuna de energia, contudo, usualmente utiliza-se a
denominação em inglês, GAP, a largura do gap pode variar bastante, dependendo do
elemento químico constituinte do sólido, podendo também ser negativo, ou seja, com a
sobreposição de duas bandas consecutivas.

Usualmente costuma-se representar as bandas de um material semicondutor ou

isolante por um esquema simplificado. Neste esquema, o eixo vertical corresponde à
energia dos elétrons, enquanto o eixo horizontal é a posição x. A banda inferior é a
banda de valência (BV) e a superior à de condução (BC). A energia correspondente ao
topo da banda de valência é designada por EV e a do fundo da banda de condução, por
EC. Logo, o gap de energia EG é dado por:
EG = EC – EV
A mistura de estados s e p na formação destas bandas é o conhecido fenômeno
chamado hibridização sp. Os valores do parâmetro de rede e do gap para estes sólidos
estão dados na tabela.

A formação de bandas de energia em um sólido é consequência do fato de que os

elétrons interagem com uma rede periódica de átomos.
 Quatro tipos de estruturas de banda são possíveis a uma temperatura de 0 K.

Dentro do modelo de bandas de energia, a distinção entre estes diferentes tipos de

materiais é devida simplesmente à distribuição dos elétrons pelos estados das bandas.
Em geral, pode-se dizer que se a distribuição eletrônica do sólido considerado de tal
forma que a última banda esteja parcialmente ocupada, teremos um material condutor.
Por outro lado, se a banda de maior energia estiver totalmente preenchida, ou
totalmente vazia, o material não será condutor. Esta regra, no entanto, pode falhar
quando houver sobreposição parcial de bandas consecutivas (largura da banda proibida
negativa).
Estes materiais são caracterizados por sua última banda parcialmente preenchida
por exemplo, nos casos do sódio ou alumínio, ou ainda por apresentar sua última banda
totalmente preenchida, mas com uma sobreposição com a banda seguinte, por exemplo
o magnésio.

No caso de materiais não-condutores existem duas situações possíveis: o material

pode ser isolante ou semicondutor dependendo da largura de seu gap. Os não
condutores são materiais que tem sua última banda, chamada de valência, totalmente
preenchida, sem sobreposição com a banda de energia seguinte, desta maneira esta é
uma situação que difere essencialmente do caso anterior (condutores).

Se o material apresenta uma banda proibida de valor considerável, será um

material isolante. Uma banda proibida larga é necessária para que seja pouco provável a
promoção de elétrons da banda de valência para a banda de condução. Se por outro
lado, o material apresentar um gap de valor não muito grande (EG menor ou da ordem
de 3 eV), então a probabilidade de elétrons da banda de valência serem termicamente
promovidos para a banda de condução é apreciável, e este material será um
semicondutor. Desta forma, conclui-se que a distinção entre isolantes e semicondutores
é meramente quantitativa, sendo estes dois tipos de materiais qualitativamente
equivalentes.

À temperatura de 0 K, tanto o semicondutor como o isolante apresentam

condutividade nula. Eles não poderão conduzir corrente elétrica, pois em ambos os
casos, a banda de valência encontra- se totalmente preenchida, e a de condução
completamente vazia.
Ao aumentar a temperatura acima de 0 K, no caso de um material semicondutor, alguns
elétrons da banda de valência adquirem energia térmica para saltar para os estados
vazios da banda de condução. Desta forma, o semicondutor passa a ter tanto a banda de
valência como a banda de condução parcialmente preenchidas e, portanto, capazes de
conduzir corrente elétrica.

O buraco de elétron (buraco ou lacuna) é a falta de um elétron em uma posição

onde um poderia existir em um átomo ou estrutura atômica. Já que em um átomo
normal ou treliça de cristal a carga negativa dos elétrons é balanceada pela carga positiva
do núcleo atômico, a ausência de um elétron deixa uma carga líquida positiva na posição
do buraco.