CAP.

1-CONDUTORES, SEMICONDUTORES e ISOLADORES

1.1-Introdução aos materiais

Todo e qualquer material é constituído por átomos, os quais têm núcleo (com protões
e neutrões), à volta do qual gravitam os electrões(situados num envoltório ou
electrosfera) formando orbitais. O número de electrões, bem como o de protões e
neutrões, varia de material para material.
O protão tem carga positiva, o neutrão não tem carga e o electrão tem carga negativa.
Por isso diz-se que o núcleo tem carga positiva e o envoltório é negativo.
Os electrões gravitam normalmente em torno do núcleo devido a uma força eléctrica
que os atrai. Obviamente que esta força(intensidade de atracção) varia de material
para material.

Fig.1-modelo atómico Fig.2-Representação da estrutura atómica

Se for fornecida energia suficiente aos electrões das órbitas mais externas, eles
abandonarão as suas órbitas. Como exemplo de materiais que estão nestas condições
temos os chamados `condutores´, que facilmente originam electrões livres, quando se
lhes aplica uma pequena diferença de potencial, ou seja, um pequeno campo eléctrico.
Deste modo o átomo que inicialmente estava no estado neutro (carga total nula),
deixa de estar (fica positivo) a não ser que entretanto electrões de outros átomos
venham ocupar esses `vazios´ da órbita.
Afinal, a matéria é constituída por moléculas e estas, por sua vez, são ligações de
átomos. Estas ligações são efectuadas numa estrutura cristalina, constituídas por uma
repetição infinita de átomos no espaço de unidades estruturais idênticas.
Cristais: é um padrão ordenado, por onde estão dispostos os átomos quando estes
combinam-se para formar um sólido.
Campo eléctrico: existe quando tivermos em presença de uma diferença de potencial
entre dois pontos.Ex: fio condutor.
Campo magnético: só existe quando nestes dois pontos tiver movimento de electrões
(criando uma indução de electrões). Ex: auto-falante, imanes.

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1.2-Bandas de energia
Tal como já referimos, os átomos encontram-se normalmente interligados, em
equilíbrio dinâmico, formando estruturas cristalinas, através de forças
electromagnéticas tal como num sistema planetário.
Nesta situação, os electrões das órbitas mais afastadas, menos atraídos pelos núcleos
respectivos, são também atraídos pelos núcleos dos átomos vizinhos. Daí que seja
correcto afirmar que estes electrões não pertencem propriamente a este ou àquele
átomo. À gama de energia correspondente a estes electrões chama-se banda de
valência (Bv).
Bv: é a região do átomo onde se encontram os electrões da última camada ou de
valência, que participam nas ligações (covalentes).
Quando se fornece energia suficiente a estes electrões de maneira à contrariar a força
atrativa da estrutura, o electrão sai da banda de valência e passa para a banda de
condução (Bc). Onde é um electrão livre.
Bc: é a banda dos níveis de energia desocupados pelos electrões.
Frequentemente, no entanto, a energia que é fornecida ao electrão não é suficiente
para ele passar à banda de condução; daí que a gama de valores de energia entre as
duas bandas (de valência e de condução) se chame banda proibida (BG).

Energia

Banda de Condução (BC)

BG EG = EC – EV
Banda Proibida (BG)

Banda de Valência (BV)

Fig.4-Representação das bandas de energias

Então podemos concluir que Banda de Energia; é o conjunto dos níveis de energia dos
electrões da mesma órbita. Isto acontece quando os átomos (por ex: átomos de
mesmo elemento Si) combinam-se no cristal, e que esta órbita do electrão não é
influenciada somente pelo núcleo do próprio átomo, mas também pelo electrão de
cada outro átomo no cristal.
Nível de Energia: é a energia necessária fornecida a um electrão de uma órbita para
realizar trabalho (ΔW=fxh) e vencer a atracão do núcleo, quando este vai ser retirado
de uma órbita e movê-lo para outra mais externa. A esta energia chamamos de
potencial de energia. Quanto maior for a órbita, maior será o potencial de energia com
relação ao núcleo. Quando o electrão desloca-se em volta do núcleo, este vai tomando

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certos valores de raio. Alguns valores são permitidos, sendo os outros proibidos. A
estes valores do raio, chamamos de Raio Orbital.
ΔW = f x h ; Esta relação significa que o electrão de um determinado átomo quando
passa de um estado para o outro (transição), pode libertar ou absorver energia. E o seu
sentido físico; é que quanto maior a frequência(f), maior será a variação de energia. E
quanto menor for a variação de energia(ΔW = W2 – W1), menor será a frequência.
h – constante de Plank = 6,6x10-34 J/s ; ΔW = ΔE = EG – banda proibida
NOTA1: o princípio de exclusão de pauli, diz que dois electrões não podem ocupar o
mesmo estado quântico.
NOTA2: Ligações covalentes: é a força que mantém os átomos juntos nas ligações.

1.3-Relação entre os materiais

Nas ligações atómicas, são os electrões responsáveis pela maior ou menor
condutividade dos materiais.
Na verdade, é a largura da banda proibida que é a grande responsável pela divisão dos
materiais em condutores, isoladores e semicondutores. Vejamos então como assim é:
 Isoladores – A banda proibida é muito larga, obrigando a que se tenha de
fornecer uma energia muito elevada ao electrão para que ele passe à banda de
condução. Os electrões livres são pois muito raros: é fraca a condutividade.
Ex: SiO2 ; Si3O4.
 Semicondutores – A banda proibida é pequeno. O aumento de temperatura
ou o fornecimento de outra energia leva a que alguns electrões passem para a
banda de condução, deixando no seu lugar aquilo a que vulgarmente se chama
‘lacunas’ ou buraco. Ex: Si ; Ge ; GaAs ; CdS
 Condutores (metais) – A banda proibida praticamente não existe. Os
electrões passam facilmente para a banda de condução, ao aplicar um fraco
campo eléctrico. São, por isso, excelentes condutores eléctricos. Ex: Al ; Cu; Ag
Fig.5-Estrutura de bandas de energias para (a)um semicondutor, (b)um condutor e
(c)um isolador.

a) semicondutor b) condutor c) isolador

BC BC BC

EC EV

BG EC EC

EV BV

BV BV

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1.4-Semicondutores (intrínseco e extrínseco)
Os semicondutores são sólidos cristalinos de condutividade intermediaria entre
condutores e isolantes. Eles podem ser tratados quimicamente para transmitirem e
controlarem a corrente eléctrica.
Os materiais mais usados na indústria electrónica, para fabricação de Díodos,
Transistores, Chips..., são o Germánio(Ge) e o Silício(Si). Os seus electrões
compartilham-se formando ligações covalentes.
Em temperatura ambiente e no estado completamente puro (intrínseco), o Silício
e/ou Germánio são isolantes, o que significa; não conduzem corrente eléctrica.
Existem duas formas de aumentar a condutividade nos semicondutores:
1. Por aumento da temperatura; quanto maior for a temperatura mais electrões
da última camada se libertam das suas ligações covalentes e tornam-se
electrões livres (deixando aí ficar um buraco-lacuna),Fig. 6.
Fig.6- Semicondutor(s/c) Intrínseco-n=p 0 < EG < 3ēV ; EG = EC – Ev
-19
EG-(nível de energia da banda proibida) 1 ēV = -1,6.10 J

NOTAÇÃO: -A figura acima, representa náo só a estrutura cristalina do germânio, mas

também é válido para o silício (cristal puro). Neste sentido, veremos a proveniência da mesma.

† =

REDE + BASE = CRISTAL

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 2. Pela introdução (junção) das impurezas na sua estrutura química. Isto é
substituir alguns dos seus átomos de (Ge ou Si) por outros materiais que
tenham valência 5 ou 3, ou seja, tenham 5 ou 3 electrões na última camada.
Por exemplo, se nos átomos de Ge (com 4 electrões) juntarmos átomos Sb (com 5
electrões) haverá nalgumas ligações 1 electrão em excesso, conforme a fig. 7-a). Estes
elementos tornar-se-ão electrões livres, capazes de originar corrente eléctrica.
E no caso de juntarmos ao Germánio, átomos tipo Boro (3 electrões), haverá algumas
ligações com falta de 1 electrão, isto é, um buraco ou lacunas, conforme a fig. 7-b).
Aos semicondutores com impurezas chamamos de semicondutores extrínseco, Fig. 7.
a) e b).

Fig.7-a) S/C com impurezas Fig.7-b) S/C com impurezas

Doadoras (s/c Extrínseco). Aceitadoras ( s/c Extrínseco).

1.4.1-Tipos de impurezas
1. Impurezas do tipo n ou doadoras (s/c tipo n: = n.p)
São aqueles átomos que têm 5 electrões de valência: As-arsênio(33ē), Sb-
antimónio(51ē), P-fósforo(15ē).
2. Impurezas do tipo p ou aceitadoras (s/c tipo p: = n.p)
São aqueles átomos que têm 3 electrões de valência: B-boro(5ē), Ga-gálio(31ē), In-
índio(53ē).
ni – Concentração de impurezas

1.4.2-Portadores de carga nos semicondutores (intrínseco e extrínseco)

Os portadores de carga nos s/c são: Lacunas (carga positiva) e Electrôes-ē(carga
negativa).
Lacuna: é uma carga fictícia positiva, que reflete a ausência de um electrão numa
ligação covalente. Possui uma certa mobilidade e carga efectiva. A presença das
lacunas devido as impurezas, cria uma perturbação local de potencial, fazendo com
que exista grande pressão sobre os electrões vizinhos.

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É por esta razão que se diz que a corrente num s/c é Bipolar. Então temos:
a) S/C intrínseco; é um s/c puro, sem impurezas - n = p

b) S/C extrínseco; é um s/c impuro, com impurezas do tipo n ou p:

 S/C tipo n (com impurezas doadoras):
n = p + ND , se ND ˃ ˃ p→ n ≈ ND
n – concentração de ē
p – concentração de lacunas
ND – concentração de impurezas doadoras
 S/C tipo p (com impurezas aceitadoras):
p = n + NA , se NA ˃ ˃ n→ p ≈ NA
NA – concentração de impurezas aceitadoras

OBS: Neste caso, para se obter electões livres basta transferir para o s/c a
energia: EG = EC – ED , como mostra a fig.8.

a) semicondutor NOTA: T=300°K

BC ni(Si) = 1,5x1010 ē/cm3

EC ni(Ge) = 2,5x1013 ē/cm3

Eg ED (nível de energia doador) EG(Si) = 1,1ēV

EV EG = EC – ED EG(Ge) = 0,7ēV

BV N Ξ [1/cm3] e ni Ξ [ē /cm3]

EXEMPLO#01: Num s/c de Si introduz-se impurezas doadoras com concentração igual a

4,0x1015 /cm3 ; ni(Si) = 1,5x1010 ē/cm3

a) Qual é o tipo de s/c ? Justifique:

b) Calcular a concentração de electrões e lacunas, para T=300°K.

02- Classifique os S/C, quanto;

a) Impurezas:
b) Concentração:
c) Tipo de carga:

03- Que tipo de impurezas contém os S/C intrínsecos?

04-Explique o fenómeno de condução nos S/C extrínsecos?

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05- Num S/C de Ge, introduz-se impurezas doadoras com concentração igual a 4,0x1015 /cm3 .

a) Calcular a concentração de electrões e lacunas, para T=150°K .

06 – Num semicondutor (Si), introduziu-se impurezas doadoras com concentração igual à

5,0x1014/cm3 . Sabe-se que a 300°K:

ni = 3,5x1007 ē/cm3 ; µn = 1350 cm2 /v.s ; µp = 480 cm2 /v.s . Calcular:

a) A concentração de electrões e lacunas?

b) A resistividade?

07 – A resistência da região p de um díodo é igual a 5Ω e a resistência total é 7Ω. Qual é a

resistência da região n? Porquê a resistência na região p é maior que na n?

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