Aula 2

UNIFEI CAMPUS ITABIRA
Eletrônica de Potência
Aula 2
Clodualdo Venicio de Sousa
clodualdosousa@unifei.edu.br Eletrônica de Potência

Conteúdo Programático
Materiais semicondutores:
 Introdução;
 Forças de ligação em sólidos;
 Elétrons e lacunas em semicondutores;
 Materiais extrínsecos – tipo n e p;
 Corrente em semicondutores;
 Tempo de decaimento de portadores de carga;
Diodo de potência:
 Junção PN;
 Polarização direta e reversa de junção PN;
 Característica de Diodo de potência;
 Diodo Schottky.

Forças de Ligação em Sólidos
 Ligação iônica: Características isolante, uma vez que não há
elétrons livres na camada mais externa;
 Ligação metálica: Nos metais os elétrons da camada externa são
facilmente cedidos. Estes elétrons são livres para se mover sob a
influência de campos elétricos externos;
 Ligação covalente: Neste tipo de ligação, estes elétrons são
compartilhados entre átomos vizinhos. Elétrons livre não estão
disponíveis neste modelo sugerindo características isolantes.
Elétrons livres surgem da quebra de ligações covalentes
(excitação térmica ou ótica).

Bandas de Energia
 Os elétrons em sólidos
estão restritos a uma
banda ou faixa de níveis
possíveis de energia;
 Para o cristal de
diamante, com a
temperatura de 0oK,
todos os elétrons
ocupam os estados
disponíveis na banda de
valência (isolante).

Materiais
 Para os elétrons serem acelerados por um campo elétrico
externo, é necessário que eles possam ocupar novos estados de
energia, o que significa que é necessário que existam estados de
energia disponíveis;
 No caso do cristal de diamante a 00k, não há condições para
transporte de carga uma vez que não há elétrons na banda de
condução (embora hajam estados disponíveis) e não há estados
disponíveis na banda de valência que possam ser ocupados;
 Materiais semicondutores a 0ok apresentam a mesma estrutura
que isolantes, com a diferença de que o gap de energia em
semicondutores é significativamente menor que em isolantes.

Estrutura Atômica
 Na estrutura atômica isolada existem níveis de energia discreta
associada com cada elétron em órbita.

Condutores
 Qualquer material que sustenta um fluxo de carga, quando uma
fonte de tensão de amplitude limitada é aplicada através de seus
terminais;
 Os átomos dos materiais que são bons condutores possuem
apenas um elétron na camada de valência.
Energia
Banda de condução
Bandas se sobrepõem
Banda de valência

Isolantes
 Isolantes são materiais que possuem pouquíssimos elétrons
livres, sendo necessária a aplicação de um potencial (uma
tensão) muito elevada para estabelecer uma corrente mensurável.
Energia
Banda de condução
Eg > 5eV
Elétrons de valência
ligados a estrutura
atômica
Banda de valência

Semicondutores
 Os semicondutores constituem determinado grupo de elementos
químicos cujas características elétricas são intermediárias entre
as dos condutores e as dos isolantes.
Energia
Banda de condução Elétrons livres para

estabelecer condução
Eg
Elétrons de valência
ligados a estrutura
Banda de valência atômica

Tipos de Materiais
NIVEIS DE ENERGIA:
Energia Energia Energia

Banda de condução
Banda de condução
Banda de condução
Eg Eg > 5eV
Banda de valência Banda de valência
Banda de valência
Condutor Semicondutor Isolante

Semicondutores
 O Germânio (Ge) e o Silício (Si) são os dois materiais que têm
recebido maior interesse no desenvolvimento de dispositivos
semicondutores, devido a possibilidade de fabricação em um
nível muito grande de pureza;
 Materiais intrínsecos são aqueles semicondutores que foram
cuidadosamente refinados para reduzir a um nível muito baixo as
impurezas;
 A dopagem e a adição de impureza (Ge ou Si) que muda as
propriedades do material passando de um condutor pobre para
um bom condutor de eletricidade (extrínsecos).

Semicondutores
 O átomo de Germânio possui 32 elétrons enquanto o silício
possui 14. Tanto o Ge quanto o Si são referidos como átomos
tetravalentes, pois eles têm cada um, quatro elétrons de valência.

Portadores de Carga
 Uma vez que semicondutores têm sua banda de valência
completamente preenchida e sua banda de condução vazia a 0ok,
é importante considerar o aumento do número de elétrons na
banda de condução devido à excitação térmica;
 Simultaneamente, os estados de energia criados na banda de
valência podem também contribuir para o processo de condução;
 Para temperaturas acima de 00k, alguns elétrons na banda de
valência recebem energia térmica suficiente e ultrapassa o gap
de energia, atingindo a banda de condução;

Elétrons e Lacunas
 O resultado é um material com alguns elétrons na banda de
condução e alguns estados não ocupados na banda de valência;
 Estes espaços não ocupados na banda de valência são chamados
de lacunas;
 Após a excitação, os elétrons na banda de condução estão
cercados por um grande número de estados não ocupados.
Assim, os elétrons excitados para a banda de condução podem
ser mover livremente pelos estados de energia disponível.
 O transporte de carga na banda de valência merece um pouco
mais de atenção. Assumindo que todos os estados de energia
estão preenchidos, há sempre movimento complementares de
elétrons na banda;
Elétrons e Lacunas
 Sob a ação de um campo elétrico externo, a corrente total é nula,
porque para cada elétron j movendo-se com velocidade vj há um
elétron j’ movendo-se com velocidade vj’.
 Com N elétrons na banda, a densidade de corrente pode ser
expressa como:
N
J  ( q) vi  0 Banda preenchida
i
 Caso uma lacuna seja criada através da remoção de j-ésimo
elétron, a corrente na banda de valência passa a ser dada por:
N
J  (q ) vi  ( q)v j   qv j J-ésimo elétron removido
i

Elétrons e Lacunas
 A contribuição da lacuna é equivalente àquela de uma partícula
positivamente carregada com velocidade vj, aquela do elétron
que não está mais presente;
 O transporte de carga é devido ao movimento do elétron j’. É
comum associar os estados vazios na banda de valência com
portadores de carga com carga e massa positivas.
 Transporte de carga na banda de valência é relacionado com as
lacunas, enquanto que o transporte de carga na banda de
condução é relacionado com os elétrons;
 Um cristal semicondutor sem impureza ou defeitos em sua rede
cristalina é denominado um semicondutor intrínsico.

Material Intrínsico
 Os pares elétrons-lacunas gerados através de energia térmica ou
ótica são os únicos portadores de carga no material intrínsico;
 A estrutura elétron-lacuna pode ser entendido através da quebra
de ligações covalentes, onde a energia necessária corresponde à
largura do gap de energia na estrutura da banda.
 Em condição de equilíbrio, geração e recombinação de pares
elétron-lacuna acontecem na mesma taxa;
 Recombinação acontece quando um elétron na banda de
condução faz uma transição para um estado desocupado na
banda de valência, implicando no desaparecimento do par
elétron-lacuna;

Material Intrínsico
 Em qualquer temperatura a taxa de recombinação é proporcional
às concentrações de elétrons e lacunas no equilíbrio;
 A introdução de impurezas tem uma influência importante sobre
as estruturas de bandas de energia e sobre a disponibilidade de
portadores de carga.

Material Extrínsico
 Em adição aos portadores gerados termicamente no cristal, é
possível criar portadores de carga em semicondutores através da
introdução de impurezas no cristal (dopagem);
 Dois tipos de materiais dopados podem ser identificado: tipo n
(principalmente elétrons) e tipo p (principalmente lacunas);
 Níveis adicionais de energia são tipicamente introduzidos no gap
de energia através da introdução de impureza e/ou defeitos na
estrutura cristalina;
 Impurezas da coluna V da tabela periódica introduzem um nível
de energia muito próximo da banda de condução no Ge e no Si.

 Cristais dopados com impurezas doadoras podem apresentar um
número significativamente elevado de elétrons na banda de
condução mesmo a temperatura baixas o bastante para que a
geração de EHP no material intrínsico seja desprezível;
 Elementos da coluna III da tabela periódica introduzem estados
de energia adicionais próximos à banda de valência na banda
proibida;
 Estes estados estão vazios a 0ok e baixos níveis de energia são
requeridos para excitar elétrons da banda de valência para estes
estados criados pelas impurezas;

 Uma vez que estes estados aceitam elétrons da banda de
valência, estas impurezas são denominadas receptoras;
 Dopagem com impurezas receptoras podem dar origem a
semicondutores com uma concentração p0 de lacunas muito
superior à concentração de elétrons na banda de condução.

 Para um cristal dopado com átomos de Sb (antimônio) na
densidade de 1015 cm-3 tem sua resistividade modificada de
20.000Ωcm para 5Ωcm;
 Em materiais tipo n e tipo p, as lacunas e elétrons,
respectivamente, são denominadas portadores minoritários.

Diodo de Potência
 Diodo semicondutor é uma estrutura P-N que, dentro de seus
limites de tensão e de corrente, permite a passagem de
corrente em um único sentido;
 Detalhes de funcionamento, em geral desprezados para diodos
de sinal, podem ser significativos para componentes de maior
potência, caracterizados por uma maior área e maior
comprimento;
 Aplicando-se uma tensão entre as regiões P e N, a diferença de
potencial aparecerá na região de transição, uma vez que a
resistência desta parte do semicondutor é muito maior que a do
restante do componente (devido à concentração de
portadores).
Diodo de Potência

Diodo de Potência
 Na eletrônica de potência para maioria dos propósitos práticos,
um diodo pode ser considerado uma chave ideal.
Prático Ideal
Diodo de Potência
 As curvas características v-i mostradas podem ser expressas pela
equação conhecida como equação do diodo Schockley.
I D  I S (eVD nVT
 1)
 ID – corrente através do diodo em A.
 VD – tensão do diodo, com o anodo positivo em relação ao
catodo em V.
 IS – corrente de fuga (ou de saturação reversa) tipicamente na
faixa de 10-6 a 10-15 A.
 n – constante empírica conhecida como coeficiente de emissão
ou fator de idealidade, cujo valor varia de 1 a 2

Diodo de Potência
 O coeficiente de emissão n depende do material e da construção
física do diodo.
 VT é uma constante chamada tensão térmica e é dada por:
kT
VT 
q
 q – carga do elétron: 1,6022e-19 coulomb (C).
 T – temperatura absoluta em kelvin (k = 273 + 0C).
 k – constante de Boltzmann: 1,3806 e-23j/k.

Polarização Reversa
 Quando se polariza reversamente um diodo mais portadores
positivos (lacunas) migram para o lado N, e vice-versa, de modo
que a largura da região de transição aumenta, elevando a
barreira de potencial.
VD  0 I D  I S (eVD nVT
 1)   I S
Diodo de Potência
 Por difusão ou efeito térmico, uma certa quantidade de
portadores minoritários penetra na região de transição. São,
então, acelerados pelo campo elétrico, indo até a outra região
neutra do dispositivo;
 Esta corrente reversa independe da tensão reversa aplicada,
varia basicamente com a temperatura;
 Se o campo elétrico na região de transição for muito intenso, os
portadores em trânsito obterão grande velocidade e, ao se
chocarem com átomos da estrutura, produzirão novos
portadores, os quais, também acelerados, produzirão um efeito
de avalanche.

Diodo de Potência
 Região de ruptura reversa: a amplitude da tensão reversa
excede uma tensão especifica, conhecida como tensão de
ruptura reversa. A corrente reversa aumenta rapidamente com
uma pequena variação da tensão reversa além de VBR.
 Dado o aumento na corrente, sem redução significativa na
tensão na junção, produz-se um pico de potência que destrói o
componente;
 A operação na região de ruptura reversa não será destrutiva se
a dissipação de potência estiver dentro de um nível seguro que
é especificado pelas folhas de dados do fabricante.

Polarização Direta
 Uma polarização direta leva ao estreitamento da região de
transição e à redução da barreira de potencial.
 Quando a tensão aplicada superar o valor natural da barreira,
cerca de 0,7V para diodos de Si, os portadores negativos do
lado N serão atraídos pelo potencial positivo do anodo e vice-
versa, levando o componente à condução.

Diodo de Potência
 A estrutura interna de um diodo de potência é um pouco
diferente desta apresentada. Existe uma região N intermediária,
com baixa dopagem;
 O papel desta região é permitir ao componente suportar
tensões mais elevadas, pois tornará menor o campo elétrico na
região de transição (que será mais larga, para manter o
equilíbrio de carga);
 Esta região de pequena densidade de dopante dará ao diodo
uma significativa característica resistiva quando em condução, a
qual se torna mais significativa quanto maior for a tensão
suportável pelo componente.

Diodo de Potência
 As camadas que fazem os contatos externos são altamente
dopadas, a fim de fazer com que se obtenha um contato com
característica ôhmica e não Semicondutor;
 O contorno arredondado entre as regiões de anodo e catodo
tem como função criar campos elétricos mais suaves (evitando
o efeito de pontas);
 No estado bloqueado, pode-se analisar a região de transição
como um capacitor, cuja carga é aquela presente na própria
região de transição;

Diodo de Potência
 Na condução não existe tal carga, no entanto, devido à alta
dopagem da camada P+, por difusão, existe uma penetração de
lacunas na região N-.
 Além disso, à medida que cresce a corrente, mais lacunas são
injetadas na região N-, fazendo com que elétrons venham da
região N+ para manter a neutralidade de carga;
 Desta forma, cria-se uma carga espacial no catodo, a qual terá
que ser removida (ou se recombinar) para permitir a passagem
para o estado bloqueado;
 O comportamento dinâmico de um diodo de potência é, na
verdade, muito diferente do de uma chave ideal.

Diodo de Potência

Diodo de Potência
 Durante t1, remove-se a carga acumulada na região de
transição. Como ainda não houve significativa injeção de
portadores, a resistência da região N- é elevada, produzindo um
pico de tensão. Indutâncias parasitas do componente e das
conexões também colaboram com a sobretensão;
 Durante t2 tem-se a chegada dos portadores e a redução da
tensão para cerca de 1V. Estes tempos são, tipicamente, da
ordem de centenas de ns.
 No desligamento, a carga espacial presente na região N- deve
ser removida antes que se possa reiniciar a formação da
barreira de potencial na junção. Enquanto houver portadores
transitando, o diodo se mantém em condução.

Diodo de Potência
 A redução em Von se deve à diminuição da queda ôhmica.
Quando a corrente atinge seu pico negativo é que foi retirado o
excesso de portadores, iniciando-se, então, o bloqueio do
diodo. A taxa de variação da corrente, associada às indutâncias
do circuito, provoca uma sobre-tensão negativa.
 Diodos rápidos possuem trr da ordem de, no máximo, poucos
micro-segundos, enquanto nos diodos normais é de dezenas ou
centenas de micro-segundos.
 retorno da corrente a zero, após o bloqueio, devido à sua
elevada derivada e ao fato de, neste momento, o diodo já estar
desligado, é uma fonte importante de sobre-tensões produzidas
por indutâncias parasitas.

Diodo de Potência
trr  ta  tb di
I rr  ta
dt

Diodo de Potência
 A potência máxima que pode ser controlada por um único
diodo é determinada por sua tensão inversa nominal e por sua
corrente direta nominal;
 Em aplicações de alta potência, um único diodo pode não ser
suficiente para suportar a capacidade de potência;
 Para incrementar essa capacidade, os diodos podem ser ligados
em série, a fim de aumentar a tensão máxima nominal, ou em
paralelo, para aumentar a corrente máxima nominal;
 Em ligação série a tensão inversa pode não ficar igualmente
dividida entre os diodos: os terminais daquele que tem a
corrente de fuga mais baixa podem ficar com uma tensão
inversa excessiva.

Diodo de Potência

Diodo de Potência
 O compartilhamento forçado de tensão pode ser obtido com a
ligação de resistores em paralelo com cada um dos diodos
ligados em série;
 A corrente nos resistores deve ser muito maior que a corrente
de fuga dos diodos;
VD1 VD 2
IS   I D1   ID2
R R
VD1  VD 2
R
I D 2  I D1

Diodo de Potência
 Se a corrente de carga for maior que a corrente nominal de um
diodo único, então dois ou mais diodos podem ser ligados em
paralelo;
 Os diodos ligados em paralelo não compartilham igualmente a
corrente por causa das características diferentes de polarização
direta;
 O diodo com queda de tensão direta mais baixa tentará
conduzir uma corrente mais alta e poderá sofrer
superaquecimento;
 Diodos em paralelo podem ser forçados a compartilhar corrente
quando um resistor for ligado em série com cada um deles.

Diodo de Potência
 O resistor R de compartilhamento de corrente estabelece
valores de ID1 e ID2 quase iguais. Embora o compartilhamento
de corrente seja eficaz, a perda de potências nos resistores é
muito grande.
 O artifício provoca um aumento na tensão nos terminais da
combinação dos diodos.
V  VD1  I D1 R  VD 2  I D 2 R

Diodo de Potência
V  VD1  I D1 R  VD 2  I D 2 R
VD 2  VD1
R
I D1  I D 2
PT  PD1  PD 2
PR  PR1  PR 2

Retificadores
 Na maioria das aplicações de eletrônica de potência, a energia
está disponível na forma CA, e necessita ser convertida para a
forma CC;
 Ao processo de conversão CA-CC dá-se o nome de retificação,
podendo esta ser controlada ou não controlada;
 Grande parte dos equipamentos eletrônicos utiliza retificadores
não controlados construídos a base de diodos;
 Os retificadores controlados são utilizados em acionamentos CC
a velocidade variável, em carregadores de baterias, em
máquinas de solda e em aplicações que requerem um fluxo
bidirecional de energia entre os lados CA e CC.

Retificadores
 Durante muitos anos, os retificadores controlados eram
construídos através exclusivamente tiristores (SCR) e diodos.
 Nos dias de hoje, graças ao surgimento de chaves controláveis
de potências mais elevadas, mais rápidas e de maior facilidade
de comando (IGBT, MOSFET), tornou-se possível a construção
de retificadores que absorvem uma corrente quase senoidal da
rede CA;
 Nos retificadores que utilizam tiristores (SCR) e/ou diodos, as
tensões da rede elétrica atuam ativamente no processo de
comutação dos dispositivos (comutação pela rede);

Retificadores
 A frequência de funcionamento dos retificadores a SCR e
Diodos é a mesma da rede elétrica em que estão ligados;
 Retificadores chaveados, que utilizam transistores, podem
operar em frequências de vários kilohertz;
 A forma de onda da tensão de saída dos retificadores não é
puramente CC, ou seja, é constituída por porções da forma de
onda da fonte CA de entrada;
 Isto implica na existência de uma ondulação ou ripple na tensão
de saída dos retificadores;
 Quando é necessário atenuar-se esta ondulação, introduz-se
filtro na saída do retificador.

Retificadores

Classificação dos Retificadores
Retificadores
Comutado pela rede Chaveados
Meia onda Onda completa Onda completa
Não controlados, Controlados

semicontrolados e controlados
Monofásicos Trifásicos Monofásicos Trifásicos

Definições
 Operação contínua: a corrente na carga é sempre maior que
zero durante a operação do conversor;
 Operação descontínua: a corrente na carga se anula por um
intervalo de tempo qualquer;
 Número de pulso do conversor: é a relação entre a frequência
do ripple da tensão retificada e a frequência da tensão na fonte
CA; T
1
 Valor médio: X med   vL (t ) dt
T 0
1
 Valor RMS: 1 2T
 2
X med    vL (t ) dt 
T 0 
Retificador Monofásico - R
 Quando a tensão da rede é positiva em relação ao catodo, o
diodo fica diretamente polarizado e a corrente começa a fluir;
 Quando a tensão da rede é negativa em relação ao catodo, o
diodo fica inversamente polarizado e a corrente para de fluir.

1
V0 med  
2 0
Vmax sen(t )dt
Vmax Vmax
V0med  Vrms 
 2
V0 med Vrms
I 0 med  I rms 
R R
 Fator de forma é uma medida da forma da tensão de saída que
é definido por:
Vrms
FF 
Vmedio
 Fator de ripple é uma medida do conteúdo da ondulação que é
definido por:
RF  FF 2  1
Pmedio Pmedio  Vmedio I medio

Eficiência de um retificador 
Pca Pca  Vrms I rms

Tensão fonte
Tensão carga
Corrente carga
Tensão diodo

Retificador Monofásico - RL
 Devido a presença do indutor na carga, a corrente cresce
atrasada em relação a tensão de maneira que, quando a tensão
da fonte CA passa por zero (ωt=180º), ainda há corrente no
circuito;

1
V0 med  
2 0
Vmax
V0 med  (1  cos  )
2
XL
  arctg X L  2 fL
R
 A força contra eletromotriz gerada pelo indutor mantém o
diodo polarizado mesmo após a tensão da rede ter ficado
negativa;
 Como a corrente se extingue após a tensão da fonte CA ter
ficado negativa, surge na saída do retificador uma parcela de
tensão negativa;
 Quando a energia armazenada no indutor se esgota, ou seja,
quando a corrente no mesmo chega a zero em ωt=β, a f.c.e.m
do indutor se anula e o diodo fica reversamente polarizado pela
tensão da fonte CA.


 Em principio, o valor do ângulo de extinção β da corrente
poderia ser analiticamente encontrado explicitando-se ωt na
equação fazendo-se i0=0:
t
Vmax  
 sen(t   )  sen( )e 
tg
i0 (t ) 
R  X L 
2 2

 Entretanto, este procedimento resulta numa equação que não

tem solução analítica, chamada de equação transcendental;
 Assim, o valor de β somente pode ser determinado por
métodos numéricos (ou gráficos);

XL
  arctg
R
X L  2 fL

 A componente indutiva da carga faz com que a tensão de saída
fique negativa durante certo tempo, o que reduz o seu valor
médio;

1
V0 med  
2 0
Vmax
V0med 

V0 med
I 0 med 
R


 O funcionamento do circuito pode ser dividido em duas etapas:
1. ωt entre 0 e π – o diodo principal conduz a corrente de
carga. A tensão da fonte CA é positiva;
2. ωt entre π e β - o diodo de roda livre entra em condução
no instante em que a tensão na carga tende a ficar
negativa, isto é, em ωt = π.
 Em ωt = π, o diodo principal entra em corte, e o diodo de roda
livre promove um caminho para que o indutor se descarregue;
 A duração da descarga do indutor através do diodo de roda
livre depende da constante de tempo τ do circuito RL, dada
pela expressão τ = L/R.

 Após cinco constante de tempo, aproximadamente, a corrente
se anula e o diodo de roda livre se bloqueia. O Ângulo de
extinção em graus é dado por:
5
  3600  1800
T
 Se β < 360º - a corrente chega a zero antes da tensão da fonte
ficar positiva, o que caracteriza o modo ou regime de condução
descontínua;
 Se β > 360º - a corrente não chega a se anular, pois a tensão CA
fica positiva antes que isso ocorra, caracterizando condução
contínua.

 Quando a tensão da rede é positiva em relação ao catodo, os
diodos D1 e D4 ficam diretamente polarizados (D2 e D3 em
corte).
 Quando a tensão da rede é negativa em relação ao catodo, os
diodos D2 e D3 ficam diretamente polarizados (D1 e D4 em
corte).

2
V0 med 
2 0  Vmax sen(t )d t
Vmax
2Vmax Vrms 
V0 med  2

V0 med Vrms
I 0 med  I rms 
R R

Retificador Trifásico – 3 Pulsos
 O retificador trifásico de meia onda pode ser visualizado como a
ligação em paralelo de três retificadores monofásicos de meia
onda. A carga é ligada ao neutro da fonte trifásica.
5 6
3
V0 med 
2  V
6
FN max sen(t )dt
V0 med  0,8274VFN max
V0 med  1,17VFNrms
V0 med I 0 med
I 0 med  ID 
R 3

 A tensão sobre a carga é composta por porções das tensões fase
neutro, que estão defasadas 120º entre si;
 Como o catodo dos diodos estão unidos, ou seja, estão no
mesmo potencial, conduzirá o diodo que tiver a maior tensão
em seu anodo;
 Como as tensões trifásicas são defasadas 120º, a cada instante
apenas uma delas é mais positiva do que as outras;
 Quando a tensão da fase Va é a mais positiva o diodo D1
conduz. No instante em que a tensão Vc supera a amplitude da
tensão Va, D2 entra em condução forçando D1 ao corte, a assim
por diante.

 A frequência de cada ondulação da tensão de saída é 120º,
porque este é também o intervalo no qual dada tensão fase-
neutro permanece mais positiva do que as demais;
 No momento que a tensão instantânea for mais positiva, seu
respectivo diodo passará para o estado ligado. Seu terminal
mais positivo se ligará aos cátodos dos outros diodos,
mantendo-os desligados;
Vcn – D3 Van – D1 Vbn – D2 Vcn – D3
00 a 300 300 a 1500 1500 a 2700 2700 a 3900

Diodo Tensão no diodo

Período Diodo ligado desligado
VD1 VD2 VD3
00 a 300 D3 D1 e D2 Vac Vbc 0
300 a 1500 D1 D2 e D3 0 Vba Vca
1500 a 2700 D2 D1 e D3 Vab 0 Vcb
2700 a 3900 D3 D1 e D2 Vac Vbc 0

 A frequência do ripple da tensão de saída é três vezes a
frequência do ripple da tensão de saída e três vezes a
frequência da fonte CA (retificador de 3 pulsos - fripple=3frede).
 Como cada diodo do retificador conduz durante apenas 120º, a
corrente média em cada diodo é igual a 1/3 da corrente média
que circula na carga.
Fator de forma: FF  n
1
I Dmedio  I 0 medio
3 2
Fator de ondulação: RF  2
n 1
 Em um retificador trifásico de meia onda, alimentando uma
carga RL, a corrente na carga é mais constante e tem uma
ondulação que pode ser desprezível;
 Não há nenhuma mudança na forma de onda da tensão de
saída, e a tensão média de saída permanece a mesma .
5 6
3
V0 med 
2  V
6
FN max sen(t )d t
V0 med
I 0 med  V0 med  0,8274VFN max
R

 O retificador trifásico de onda completa em ponte (seis pulsos)
é um dos circuitos mais importante em aplicações de alta
potência.
 Pode ser ligado diretamente a uma fonte trifásica ou usar um
transformador trifásico ligado em conexão ∆-Y ou ∆-∆;
 Um retificador de 6 pulsos fornece uma saída que tem menos
ondulação do que um retificador de 3 pulsos;
 O retificador em ponte usa ambas as metades, positiva e
negativa, da tensão de entrada. A frequência de ondulação é
seis vezes a frequência da fonte CA.

 Os diodos D1, D2 e D3 constitui o chamado grupo positivo, e os
diodos D4, D5 e D6 o grupo negativo.
 Os diodos conduzem sempre dois a dois: um diodo do grupo
positivo e um do grupo negativo.
 6
2
V0 med 
2 V FF max cos(t )dt
6 0
V0 med  0, 955VFF max
V0 med  1, 654VFN max

V0 med I 0 med
I 0 med  I Dmed 
R 3
 No grupo positivo, conduzirá o diodo que possuir a tensão
positiva em seu anodo em relação ao neutro. No grupo
negativo, conduzira o diodo que possuir a tensão mais negativa
em seu anodo em relação ao neutro;
 Como são 6 as tensões fase-fase, e estando as mesmas
defasadas 60º entre si, para cada ciclo da rede CA há 6
ondulações na tensão de saída retificada (retificador de 6 pulsos
- fripple=6frede );
 Da mesma forma que o retificador 3ф de ½ onda, cada diodo
conduz durante 120º: 1
I Dmedio  I 0 medio
3

 Se a forma de onda corta o eixo horizontal com inclinação
positiva e adiantada de 900 o gráfico é chamado de função
co-seno.

sen ( wt  90 )  sen( wt  )  cos( wt )
0

Período Tensão positiva Tensão negativa Diodos ligados

mais alta mais alta Impares Pares
00 a 600 C B D5 D6
600 a 1200 A B D1 D6
1200 a 1800 A C D1 D2
1800 a 2400 B C D3 D2
2400 a 3000 B A D3 D4
3000 a 3600 C A D5 D4

Período Diodo Tensões nos diodos

ligado VD1 VD2 VD3 VD4 VD5 VD6
00 a 600 D5 e D6 VAC VBC VBC VBA 0 0
600 a 1200 D6 e D1 0 VBC VBA VBA VCA 0
1200 a 1800 D1 e D2 0 0 VBA VCA VCA VCB
1800 a 2400 D2 e D3 VAB 0 0 VCA VCB VCB
2400 a 3000 D3 e D4 VAB VAC 0 0 VCB VAB
3000 a 3600 D4 e D5 VAC VAC VBC 0 0 VAB




 Para reduzir mais ainda a tensão de ondulação na saída CC e
aumentar a frequência de ondulação, o número de pulso pode
subir de seis para doze;
 Um retificador de 12 pulsos pode ser montado com dois
retificadores de 6 pulsos ligados em série;
 As fontes trifásicos AC que alimentam essas duas pontes são
defasadas 300 uma em relação a outra;
 Para conseguir isso, basta deslocar as fases das fontes AC com o
uso de dois transformadores trifásicos, um dos quais ligado em
Y e o outro em ∆, no lado secundário;
 No lado primário, ambos são ligados em Y a fonte CA trifásica.

 As tensões de fase do lado secundário do transformador
fechado em ∆ são defasadas em 300 , portanto, todas as tensões
de fase do lado secundário do transformador serão defasadas
dos mesmos 300 em relação às fases correspondente no outro;
 Haverá também uma diferença em amplitude na tensão de fase
do secundário. Entretanto, isso pode ser resolvido com uma
relação de espiras diferente (1,73 para um transformador Y-∆).

Trabalhos
ATIVIDADE:
1. Resolver a lista de exercícios fornecida pelo professor;
2. Resolver exercícios, a escolha do aluno, do capitulo 1 do
livro texto;
3. As listas de exercícios não são avaliativas, mas constitui uma
importante etapa do processo de aprendizado.

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 Entretanto, este procedimento resulta numa equação que não

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