3.

Física dos Semicondutores

3.1. Estrutura do Átomo
A estrutura atómica da matéria foi proposta por Niels Bohr e preconiza que o átomo é constituído
por um núcleo que por sua vez contém protões e neutrões; em volta do núcleo existem electrões
que giram em torno dele, descrevendo órbitas específicas. O conjunto de electrões girando pelas
suas órbitas chama-se electroesfera. A figura que se segue ilustra a estrutura de um átomo.

-
-
+

+
+

Resumindo, o átomo é constituído por três partículas elementares: protões e neutrões, que
formam o núcleo, e electões que giram em torno do núcleo.
As órbitas também são chamadas camadas, sendo que a camada mais externa se chama valência.
A valência é responsável pelas reacções químicas onde o átomo participa, cedendo ou aceitando
electrões de outros átomos. Portanto, define-se valência como sendo o número que determina
a capacidade que o átomo tem de se combinar com outros átomos. Essa capacidade mede-se
pelo número electrões (electrões de valência) que o átomo pode doar, receber ou compartilhar
de modo a formar uma ligação química.
As 7 camadas do átomo estão organizadas de acordo com a ilustração da figura abaixo:

SEBENTA DE ELECTRÓNICA BÁSICA - 2022 ENGº ARLINDO MONDLANE 52

 e-

K L M NO P Q

A camada interna tem menos energia que a camada interna, assim, se um electrão receber mais
energia, ele saltará da órbita mais interna para a mais externa. A tabela seguinte indica os níveis
de energia das camadas versus o número de electrões que cada uma dessas cada pode possuir,
de acordo com a estrutura de Bohr.
Nível de Energia Número de Electrões
K 2
L 8
M 8 ou 18
N 8, 18 ou 32
O 8 ou 18
P 8 ou 18
Q 8

Assim, pode-se determinar a energia associada a cada electrão da seguinte maneira:

𝑊 = 𝑄. 𝑉

A unidade desta energia é: [eV] – electrão – Volts.

𝑊 = 1,6𝑥10!"# 𝐶𝑥1𝑉 ⟹ 𝑊 = 1,6𝑥10!"# 𝐽(𝐽𝑜𝑢𝑙𝑒)

SEBENTA DE ELECTRÓNICA BÁSICA - 2022 ENGº ARLINDO MONDLANE 53

OS electrões de valência, isto é, os que se encontram na última camada de um átomo,
determinam o grau de condutividade ou não da corrente eléctrica das matérias, criando as
seguintes 3 classes dos materiais: Condutores, semicondutores e Isoladores.

3.1.1. Condutores – são condutores os materiais que permitem com facilidade o fluxo de
cargas quando uma fonte de força electromotriz é aplicada as suas extremidades.
Uma das principais características dos materiais condutores é possuir um electrão
livre na camada de valência (última camada), tendo por isso uma resistividade muito
baixa.

r
1 cm
N
Área
A = 1 cm2
(A)
l = 1 cm

𝑙
𝑅 = 𝜌 [Ω. 𝑐𝑚]
𝐴

Nos condutores os electrões de valência estão fracamente ligados ao átomo, o que

lhes permite abandonar facilmente seus átomos e gozarem de liberdade de
movimentos no interior dos materiais. O cobre é um desses materiais que pertence
à classe de bons condutores, havendo tantos outros como alumínio, prata, platina
ouro, bismate e tantos outros.

3.1.2. Semicondutores – são materiais que, sob certas condições, adquirem propriedades
de condutores, apresentando uma resistividade intermédia, isto é, num caso se
comportam como condutores e noutro, como isoladores.

SEBENTA DE ELECTRÓNICA BÁSICA - 2022 ENGº ARLINDO MONDLANE 54

 Os semicondutores possuem 4 electrões de valência. exemplos de semicondutores:
Silício e Germânio.
Os semicondutores são de grande importância na electrónica, visto que os
dispositivos electrónicos são fabricados através de semicondutores.

3.1.3. Isoladores – São materiais que boloqueiam a passagem da corrente elétrica.

Caracterizam-se por possuir 8 electrões livres na última camada, e resistividade muito
alta ou condutividade muito baixa. Os materiais isoladores são geralmente utilizados
para isolar condutores de corrente, de modo a evitar o contacto destes com outros
materiais condutores.

3.2. Semicondutores
Conforme dito anteriormente, sempre que num átomo o electrão recebe energia, ele irá
para a camada mais externa. Isto significa que as camadas têm níveis de energia discretos,
sendo que os níveis de intervalos (camadas gaps) são nulos e, por conseguinte, não há
electrões a circularem. No caso de semicondutores, conforme pode se notar na figura
seguinte, há uma clara separação entre as bandas de valência e da condução, essa
separação é através da camada do gap.

Energia

Banda de condução
Electrões livres para
estabelecer a condução

Eg

Electrões de valência
ligados à estrutura atómica
Banda de valência

Uma comparação dos níveis de energia entre condutores, isoladores e semicondutores

pode se ver na figura abaixo.

SEBENTA DE ELECTRÓNICA BÁSICA - 2022 ENGº ARLINDO MONDLANE 55

 Energia

Energia Energia
Banda de condução
Electrões livres para
estabelecer a condução
Banda de condução Banda de condução

Eg >5eV
Sobreposição
Eg das bandas

Banda de valência
Electrões de valência
ligados à estrutura atómica
Banda de valência Banda de valência

𝐸$ = 𝐸% − 𝐸&

Em que:
𝐸$ – Energia do Gap; 𝐸$ – Energia da banda de condução; 𝐸$ – Energia da banda de
valência

O silício, com número atómico 14 e o Germânio, com número atómico 32, contêm 4
elementos de valência, sendo a seguinte a sua estrutura atómica:

Camadas

Núcleo

+
Electrões em órbita

Germânio ( Z=32) Silício (Z = 14)

Electrões de valência (4 para cada átomo)

SEBENTA DE ELECTRÓNICA BÁSICA - 2022 ENGº ARLINDO MONDLANE 56

 Nas CNTP, os átomos de Silício e de Germânio juntam-se entre si naquilo que se chama
ligações covalentes, formando uma estrutura cristalina, ou seja, na natureza o silício e o
germânio encontram-se em forma de cristais. A ligação covalente é consequência de os
átomos procurarem estabilidade através dessas ligações, em que cada um dos quatro
electrões de valência é compartilhado com um átomo vizinho, de modo que dois átomos
adjacentes compartilham os dois electrões. A figura abaixo ilustra ligações covalentes do
átomo de silício.

+4 +4 +4

+4 +4 +4

Electrões de valência Ligações Covalentes

As ligações covalentes são muito fortes entre si, porém se o cristal for submetido a uma
agitação térmica ou a incidência de luz, algumas dessas ligações podem quebrar,
deixando electrões livres para a condução da corrente. Se o electrão livre alterar os seus
movimentos devido a um potencial eléctrico, calor ou luz, o cristal passa a comportar-se
como um condutor.
A quebra de uma ligação covalente produz um electrão livre e um buraco (lacuna). O
inverso pode acontecer, isto é, o electrão livre pode preencher uma lacuna num processo
que se chama Recombinação.

SEBENTA DE ELECTRÓNICA BÁSICA - 2022 ENGº ARLINDO MONDLANE 57

 Note-se que na realidade as lacunas não existem, dado
+4
Electrão livre
que resultam das electrões que abandonam as
ligações covalentes rompidas. Outro aspecto
importante é de que as lacunas e electrões livres
+4 +4
surgem e desaparecem aos pares, ou seja, num cristal
semicondutor puro, o número de electrões livres é
sempre igual ao número de lacunas.
Lacuna

3.2.1. Semicondutores Intrínsecos

Um semicondutor intrínseco é aquele que apresenta uma redução do nível de impurezas
a um nível muito baixo (é um semicondutor refinado).
Normalmente os semicondutores (Germânio e Silício) encontram-se fabricados em forma
de cristais, com um nível grande de impurezas, na ordem de uma impureza para cada 1010
átomos. Os electrões livres existentes nos semicondutores sem ter sofrido quaisquer
transformações se chamam Portadores Intrínsecos. O Germânio, por exemplo, nas CNTP,
apresenta certa de 2,5x1010 portadores livres em cada 1cm3. Estes dados mostram que
nas CNTP o Germânio é o melhor condutor que o Silício.
As propriedades eléctricas de um semicondutor são alteradas através da:
a) Agitação térmica (Mudança de temperatura).
b) Incidência da Luz (Energia dos fotões).
c) Introdução de impurezas
A figura seguinte mostra a formação de electrão livre num átomo de silício, por agitação
térmica.

SEBENTA DE ELECTRÓNICA BÁSICA - 2022 ENGº ARLINDO MONDLANE 58

 Energia térmica
Lacuna

e- Livre

A mudança das propriedades eléctricas dos semicondutores através de introdução de

impurezas consiste em adicionar, de forma controlada, uma parte de impurezas, ou seja,
adição de átomos de impureza ao cristal intrínseco na proporção de um átomo de
impurezas para cada um milhão de átomos do cristal. Este processo chama-se DOPAGEM.
Quando um semicondutor recebe impurezas ele passa a chamar-se Semicondutor
Extrínseco. Dependo da forma como a dopagem é feita, o material semicondutor pode
ser do tipo n ou do tipo p.

3.2.1.1. Semicondutor do tipo n

Quando os elementos de impureza são pentavalentes, isto é, possuem 5 electrões de
valência, são utilizados na produção do matéria extrínseco, o semicondutor passa a ser
do tipo n (negativo). Isto acontece porque o quinto electrão de valência dissociado das
ligações covalentes, fica relativamente livre no material do tipo n, aumentando, deste
modo, a condutividade do material. A impureza doa um electrão ao semicondutor, daí
chamar-se material doador. O electrão no semicondutor do tipo n chama-se portador
maioritário.
São impurezas do material do tipo n, os átomos pentavalentes, tais como, o Antimónio
(Sb), Arsénio ou Fósforo. Na figura abaixo, mostram-se os esquemas de dopagem do silício
através do antimónio.

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 5º Electrão de 5º Electrão de
valência do Sb valência do Antimónio
Si

- - - -
- Si - - Sb - - Si -
- - -
Impureza de
Antimónio (Sb) Si Sb Si
- - -
- Si - - Si - - Si -
- - -

Si

3.2.1.2. Semicondutor do tipo P

Quando os elementos de valência são trivalentes, isto é, possuem 3 elementos de
valência e são utilizados na produção do material extrínseco, o semicondutor passa a ser
do tipo P (Positivo). Isto acontece porque nas ligações que se formarem existirá uma
lacuna que rapidamente aceitará um electrão livre e tem carga eléctrica positiva. Neste
caso a impureza é aceitador. A lacuna existente no átomo trivalente para ser portador
maioritário.
São impurezas para a formação do tipo P, os átomos trivalentes, como Boro, Gálio ou
Índio. Na figura abaixo, mostra-se o esquema da dopagem do Silício através do Boro.

Vazio Lacuna
- - -
- Si - - B - Si - Si B Si
+

- - -

- - -
Si Si Si
- Si - - Si - - Si -
- - -

SEBENTA DE ELECTRÓNICA BÁSICA - 2022 ENGº ARLINDO MONDLANE 60

 3.2.1.3. Fluxo de Electrões
Conforme visto na secção anterior, os electrões e lacunas são portadores de carga, sendo
que produzem a corrente eléctrica quando os semicondutores extrínsecos do tipo n ou p
são submetidos a uma diferença de potencial. Pelo facto de que uns são portadores
negativos e outros positivos, surgem dois tipos diferentes de corrente

- - - - -
+ + + + +
+
-

Quando a fonte é aplicada num semicondutor intrínseco, os electrões circulam para o

lado esquerdo até à parede, a atravessam-na e vão pelo cabo até à placa positiva da fonte.
Já as lacunas movimentam-se para o lado direito, contudo não atravessam a parede do
semicondutor. Porém, os electrões da fonte vão pelo cabo e entram no cristal e surge
automaticamente a recombinação entre estes electrões e as lacunas, originando um fluxo
estável de electrões livres e lacunas dentro do semicondutor.
A descrição acima mostra que existem dois tipos de corrente nos semicondutores:
Corrente resultante de electrões num sentido e corrente resultante de lacunas, noutro.

3.3. Junção PN
A junção PN consiste na união de semicondutores do tipo p e semicondutores de tipo n,
em que os materiais são da mesma base, isto é, ou de Si ou de Ge, conforme ilustrado na
figura abaixo.
Iões Receptores Iões doadores
Portadores
maioritários

- - + - - +
+ - -
+ -
+ - +
+ +
+ + + - - +
-
- - + + -
- - +
- + -
+ + + + - + - +
- - -
-
Tipo p Tipo n

Portadores
Portadores minoritários  Portadores maioritários
minoritários 

SEBENTA DE ELECTRÓNICA BÁSICA - 2022 ENGº ARLINDO MONDLANE 61

 Outra designação de junção pn chama-se Díodo de Junção, mas deve se realçar que a
junção PN é também a base para a construção de transístores e circuitos integrados.
O díodo de junção é o dispositivo semicondutor sólido mais simples, cuja estrutura se representa
na figura abaixo.

p n

- -
-
- -
-
-
-

Lacunas electrões

Junção

No material do tipo n há repulsão mútua de electrões, resultando no movimento desordenado

destes. Como consequência deste movimento, alguns acabam atravessando a junção e passam
para o material p, recombinando-se com as lacunas lá existentes, gerando iões negativos no
cristal p e iões positivos no cristal n. Assim, a região de junção vai ficando sem electrões e lacunas
à medida que aumenta o número de Iões. Esta região chama-se zona de Depleção.

+ + + - - -

- - - + + +
+ + + - - -
- - - + + +
+ + + - - -
- - - + + +

P Zona de n
depleção

3.4. Polarização do Díodo

Polarizar o díodo é um processo em que às extremidades do mesmo é aplicada uma diferença do
potencial, sendo essa polarização directa quando o polo positivo da fonte for ligado ao material
p e o polo negativo em contacto com o material n. o contrário desta ligação chama-se polarização
reveresa. Não estando polarizado, a tensão nas suas extremidades é nula, ou seja, 𝑈' = 0𝑉.

SEBENTA DE ELECTRÓNICA BÁSICA - 2022 ENGº ARLINDO MONDLANE 62

 + - - + + + +
-
+ - - + + +
- +
+ - - + +
+
+ - - + + - -
+ - - + + +
-
P n
Camada de depleção (UF )
ID  = 0

- +

UD = 0

Na zona de depleção existe a concentração de iões positivos e negativos, formando uma barreira
de potencial, também chamada de tensão directa, 𝑈( , ou tensão de limiar ou ainda tensão de
disparo, 𝑈) (Threshold). Esta tensão depede do material base de que é feito o díodo.
Para o díodo de Silício, 𝑈' = 0.7𝑉
Para o díodo de Germânio, 𝑈' = 0.3𝑉

Depois de algum tempo, a recombinação cessa, originando a falta de lacunas e electrões zona de
depleção e, consequentemente, a corrente directa é nula (𝐼' = 0)

3.4.1. Polarização Reversa do Díodo

Quando o díodo é reversamente polarizado, o polo positivo da fonte de alimentação (𝑈' ) é ligado
na parte n (cátodo) e o polo negativo na parte P (Cátodo).

IS  - Fluxo de portadores minoritários

Imaioritário = 0

- + - - + + - - +
+
- - - -
- - - + + - +
+ +
- - - + - - +
+ - - + + +
+ - + +
+ - - - + + - -
- + - -
- + - + - - + + - - + -
-
P n
Camada de depleção (UF )

UD < 0
IS IS
- +

SEBENTA DE ELECTRÓNICA BÁSICA - 2022 ENGº ARLINDO MONDLANE 63

Os Electrões da camada n são atraídos pelo polo positivo da fonte, fazendo com que haja mais
iões positivos, e na camada p, mais iões negativos. Isto resulta no aumento da camada de
depleção e da barreira de potencial. O aumento da diferença de potencial da barreira de
potencial ocorre até que se iguale à tensão de polarização reversa (𝑈' ). Se a tensão 𝑈' aplicada
for menor que a tensão 𝑈' nominal, o díodo pode se destruir.
Concluindo, na polarização reversa não há circulação de portadores maioritários, isto é, 𝐼' = 0.
Entretanto há uma corrente de muito pequena intensidade que ocorre, chamada corrente de
saturação reversa, 𝐼* , devida aos portadores minoritários que estão em menor escala.

3.4.2. Polarização Directa do Díodo

Na polarização directa, o polo positivo da fonte é ligado à camada p do díodo e o polo negativo.
À camada n.

ID = Imaioritário  - IS
Imaioritário

- + - + - -
+ +
- - - -
- + - + + -
+
+ - - - - - - -
+ + - - +
+ - + +
+ - - +
- - - - -
- + - + - + + - + -
-
P n
Camada de depleção (UF )

UD >0
ID ID
+ -

Devido a força de repulsão exercida pelo polo negativo da fonte, os electrões da camada n
ganham força e deslocam-se para a esquerda, rompendo a barreira de potencial (junção). Uma
vez na camada p, eles são atraídos pelo polo positivo da fonte e, por canta disso, vão se
recombinando de lacuna em lacuna enquanto se deslocam em direcção ao polo de atração. Esse
movimento origina uma corrente uma corrente eléctrica de alta intensidade, designada corrente
directa, 𝐼' , ou 𝐼( (F – Foward), dada por:
𝐼' = 𝐼+,-./-0á/-. − 𝐼*

SEBENTA DE ELECTRÓNICA BÁSICA - 2022 ENGº ARLINDO MONDLANE 64

Observando os aspectos construtivos do díodo na figura que se segue, constata-se ele é um
componente unidirecional em corrente e em tensão.

A (Ânodo) K (Cátodo)
P N

Chip

+ -

3.4.3. Curva característica do díodo

A curva característica do díodo tem como eixos 𝐼' e 𝑈' , que são a corrente e a tensão do díodo.
Esta curva facilita o entendimento dos modelos utilizados no estudo do díodo semicondutor.
3.4.4. O díodo como chave ideal
Quando o díodo está em condução, isto é, polarizado directamente, nos seus terminais tem 𝑈( =
0 ou 𝑈' = 0.
No estado de desligado (Polarização reversa) é equivalente ao circuito aberto. A figura que se
segue ilustra as duas situações do díodo conduzir e aberto.

ID
UD

+ -

ID (limitada pelo circuito)

 0 UD
UD

- +

ID = 0

Quando é aplicada uma tensão positiva (pode se ver a situação no primeiro quadrante do
gráfico), produz-se uma corrente 𝐼' ≥ 0, ou seja, há passagem da corrente, o que significa que a
resistência dentro do díodo é nula, isto é, o díodo está em curto-circuito.

SEBENTA DE ELECTRÓNICA BÁSICA - 2022 ENGº ARLINDO MONDLANE 65

Chamando a resistência do díodo 𝑅( , tem-se que:
𝑈( 0
𝑅( = = =0
𝐼( 𝐼'
Polarizando o díodo reversamente, isto é, aplicando uma tensão 𝑈' negativa, não passa corrente,
o que significa que a resistência do díodo é infinita.
𝑈3 −𝑈'
𝑅2 = = =∞
𝐼3 0

Onde 𝑈3 e 𝐼3 são a tensão e corrente reversos.

A curva real do díodo descreve-se pela equação seguinte:
45! .
𝐼' = 𝐼* E𝑒 )" − 1F

Onde:
𝐼* – Corrente de saturação reversa
K – Constante de Boltzman, dada por:
11600
𝑘=
𝜂
𝜂 = 1 para o Germânio e 𝜂 = 2 para o Silício, nos níveis baixos da corrente (a baixo do joelho da
curva). Para níveis acima do joelho da curva, 𝜂 = 1 tanto para o Germânio quanto para o Silício.
𝑇4 – Temperatura na escala de Kelvin.
𝑇4 = 𝑇2 + 2737

Com base na equação da corrente acima, a curva real do díodo é representada na figura que se
segue.

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 ID  (mA)

30
Díodos comercialmente
20 disponíveis

UD  > 0
ID  > 0

10

IS
- 40 - 30 - 20 - 10 0 0,3 0,5 0,7 UD  (V)

UD  < 0
ID  = Is UD  = 0
ID  = 0

3.4.5. Efeitos da temperatura sobre o díodo

Com o aumento da temperatura a corrente de saturação reversa do díodo altera os seus valores,
sendo que em cada 10ºC do aumento na temperatura, a corrente 𝐼* duplica.
Note-se que os díodos de Si são menos sensíveis às altas temperaturas, apresentando menos
valores de 𝐼* , o que contrasta com os díodos de Ge. Como consequência, os dispositivos
electrónicos são praticamente desenvolvidos a base do Silício.

Relativamente à tensão do limiar 𝑈) , ela diminui com o aumento da temperatura, o que implica
o deslocamento da curva do díodo para a esquerda, ou seja, o aumento da temperatura facilita
o disparo do díodo, conforme pode se ver no gráfico abaixo.

SEBENTA DE ELECTRÓNICA BÁSICA - 2022 ENGº ARLINDO MONDLANE 67

 ID  (mA)

Região de Polarização
Disrupção Directa
(Roptura da junção PN)

Região de Polarização
Reversa Corrente Directa, IF

- Uz 0 UF  UD  (V)

Tensão de roptura UBR 

Corrente de avalange

A região de avalange (𝑉8 ) pode ser trazida próxima do eixo vertical através do aumento dos níveis
de dopagem nos materiais p e n. Contudo, enquanto 𝑉8 decresce para níveis mais baixos, tais
como -5V, um outro mecanismo chamado roptura (colapso) Zener vai contribuir para uma
mudança acentuada na característica. Isto ocorre porque existe um campo eléctrico forte na
região de junção que pode perturbar as forças de ligação dentro do átomo e “gerar” cargas
transportadoras. Embora o mecanismo de desagregação Zener seja um contribuinte significativo
apenas em níveis mais baixos de 𝑉8 , esta alteração acentuada na característica em qualquer nível
é chamada de região Zener, e díodos que empregam esta parte única da característica de uma
junção p-n são chamados díodos zener.

3.4.6. Níveis de resistência no díodo

Os valores de resistência de um díodo variam à medida que o ponto de operação do díodo se
move de uma região para a outra. Tal variação deve-se à não-linearidade da curva IxU. Outro
factor que define o tipo de resistência é o tipo de tensão ou sinal aplicado ni circuito com o díodo.
Assim, são considerados três níveis de resistência do díodo, nomeadamente resistência estática,
resistência dinâmica e resistência média.

3.4.6.1. Resistência Estática ou DC

SEBENTA DE ELECTRÓNICA BÁSICA - 2022 ENGº ARLINDO MONDLANE 68

Seja a curva IxU do díodo, com três pontos escolhidos:
ID  (mA)

30

20 RD3 

10

RD2 
2

- 10

0,5 0,8 UD  (V)

 - 1µA
RD1 

Os valores da 𝑅' para os três pontos escolhidos são:

𝑈' 10𝑉
𝑅'" = = = 10𝑀Ω
𝐼' 1𝜇𝐴

𝑈' 0.5𝑉
𝑅'9 = = = 250Ω
𝐼' 2𝑚𝐴

𝑈' 0.8𝑉
𝑅': = = = 40Ω
𝐼' 20𝑚𝐴

3.4.6.2. Resistência Dinâmica ou AC

A resistência dinâmica é um nível de resistência definido por uma recta tangente no ponto Q
(ponto de operação ou quiescente).
Seja um sinal sinusoidal aplicada e um díodo, conforme a figura abaixo:

SEBENTA DE ELECTRÓNICA BÁSICA - 2022 ENGº ARLINDO MONDLANE 69

 ∆Id

Curva IxU do díodo

∆Ud

Fazendo uma comparação entre o gráfico da resistência estática e esta da resistência dinâmica,
sem aplicar o sinal alternado, o ponto Q seria o ponto de operação do díodo. Por exemplo, 0.8V.
Mas considerando que há uma variação de corrente e tensão, tanto para o díodo de Silício quanto
para o de Germânio, à temperatura ambiente, 25ºC, o valor da resistência será:

∆𝑈;
𝑟; =
∆𝐼;

Na tangente ao ponto Quiescente, tem-se que:

∆𝑈; ⟶ 0 𝑒 ∆𝐼; ⟶ 0

Da matemática sabe-se que “a derivada de uma função em um ponto é a inclinação da recta

tangente traçada no mesmo”. Assim, a resistência dinâmica ou AC é:

𝑑𝑢;
𝑟; =
𝑑𝑖;

Se for aplicada a derivada à corrente em relação a tenção tem-se que:

SEBENTA DE ELECTRÓNICA BÁSICA - 2022 ENGº ARLINDO MONDLANE 70

 45! .
𝑑 VE𝑒 )" − 1FW
45! . 𝑑𝑖; 𝑘
𝐼' = 𝐼* E𝑒 )" − 1F ⟹ = = (𝐼 + 𝐼* )
𝑑𝑢; 𝑑𝑢; 𝑇4 '

Como 𝐼' >> 𝐼* na região mais vertical da curva característica do díodo, tem-se que:

𝑑𝑖; 𝑘 𝑘
= (𝐼' + 𝐼* ) = (𝐼' )
𝑑𝑢; 𝑇4 𝑇4

Nesta região em análise, 𝜂 = 1 para Ge e Si, então:

11600
𝑘= = 11600
𝜂

À temperatura ambiente (25ºC):

𝑇4 = 𝑇2 + 2737 = 25º𝐶 + 273º𝐶 = 298º𝐶

Assim:

𝑘 11600
= = 38,93
𝑇4 298

Substituindo na equação da derivada:

𝑑𝑖; 𝑘
= (𝐼' ) = 38,93𝐼'
𝑑𝑢; 𝑇4

Invertendo esta derivada, pode se calcular a resistência dinâmica:

𝑑𝑢; 1 26𝑚𝑉
𝑟; = = =
𝑑𝑖; 38,93𝐼' 𝐼'

SEBENTA DE ELECTRÓNICA BÁSICA - 2022 ENGº ARLINDO MONDLANE 71

 26𝑚𝑉
𝑟; =
𝐼'

Este resultado é válido tanto para o Germânio, tanto para o Silício.

3.4.6.3. Resistência Média AC (𝒓𝒂𝒗 )

A resistência AC média é definida por uma linha recta entre os limites de operação,
para variações grandes no sinal, como ilustrado na figura abaixo.

rav
ID (mA)

Neste caso a resistência média será:

∆𝑈;
∆ID 𝑟,& =
Ponto Q ∆𝐼;
IDQ

Esta expressão define a resistência média

UD (V)
ponto a ponto (entre dois pontos da curva
∆UD
do díodo).

As aproximações para a construção do modelo do díodo são ilustradas na tabela a

baixo, sendo a terceira aproximação a mais indicada para projectos onde se espera
maior precisão no circuito, por exemplo, equipamentos hospitalares e instrumentos
de medição (multímetros, osciloscópios, etc.).

Tipos e Condições Modelo Curva

1ª Aproximação
- + A K
(Sistema ideal) Díodo
ID
A K - +
Ideal
𝑅/>;> >> 𝑟,& + - A
ID
K
A K + -
𝑈/>;> >> 𝑈) UD

SEBENTA DE ELECTRÓNICA BÁSICA - 2022 ENGº ARLINDO MONDLANE 72

 2ª Aproximação
A
UF ID
- + K
(Modelo aproximado) A K - + +

𝑅/>;> >> 𝑟,& + - A

UF ID
K
A K + + -
UF UD

3ª Aproximação UF ID
- + A rav K
+ rav
(Modelo Linear) Díodo
A K

UF ID
Real + - A
+
rav K
A K

UF UD

Para o caso da terceira aproximação, introduz-se um novo parâmetro que se chama resistência
do corpo do díodo, dada por:
𝑟,& = 𝑟? + 𝑟@
Onde 𝑟? + 𝑟@ é a resistência ôhmica do díodo que compreende as resistências das regiões p e n.
𝑟,& é a resistência média do díodo, também designada por 𝑟A e, geralmente, o seu valor está na
ordem de 1 a 10W.

3.4.7. Especificações técnicas do Díodo

Os manuais de fabricantes de díodos apresentam especificações do díodo que devem ser
tomadas em consideração. A maioria dessas especificações dependem da temperatura. A seguir
são apresentadas algumas dessas especificações:
1. Tensão directa sobre o díodo (para uma corrente e temperatura específicas): 𝑈( .
2. Corrente directa máxima (𝐼( ) para uma temperatura específica.
3. Corrente de saturação reversa (𝐼3 ), para uma tensão e temperatura específicas.
4. Tensão reversa nominal (𝑈A3 ) ou Breakdown Voltage (tensão de roptura), a uma
temperatura específica.
5. 𝑃'+,B – Máxima dissipação de potência – para uma dada temperatura.
6. Níveis de capacitância de difusão e de transição.
7. Tempo de recuperação reverso, 𝑡// .
8. Faixa de operação de temperatura.

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Se o díodo for empregue em circuitos onde a frequência da fonte é elevada, a capacitância de
junção deve ser especificada.

Exemplos de valores máximos para parâmetro 𝑉A3 de alguns dídos:

Díodo Corrente Máxima, 𝐼( (A) Tensão Reversa Máxima, 𝑈A3 (V)

1N4001 1 50
1N4002 1 100
1N4003 1 200
1N4004 1 400
1N4005 1 600
1N4006 1 800
1N4007 1 1000
1N5401 3 100
1N5408 3 1000
1N3765 35 700
SD103N1R 110 400 – 2500

3.4.8. Circuitos com díodos

A análise de circuitos com díodo tem como objectivo determinar o estado do dído, ou seja, para
se ver se o mesmo está ligado ou desligado, em função de polarização.

3.4.8.1. Polarização do Díodo

Polarização é o processo através do qual determina-se o ponto Q (ponto de operação ou
quiescente), ou seja, o ponto do repouso em DC.

Exemplo 1:
Seja um circuito com díodo seguinte. Pretende determinar-se o ponto de operação.

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 UD

ID
UR
E

Sendo uma malha fechada, pode se escrever a respectiva equação de malha:

𝐸 = 𝑈' + 𝑈3

E pela lei de Ohm, pode se escrever:

𝑈3 = 𝐼' 𝑅

Substituindo 𝑈3 pelo seu valor na expressão da malha,

𝐸 = 𝑈' + 𝐼' 𝑅 ⟹ 𝐼' 𝑅 = 𝐸 − 𝑈'

𝐸 𝑈'
𝐼' = −
𝑅 𝑅
Esta expressão chama-se recta de carga do díodo.
Por outro lado, a curva do díodo é dada por:
45! .
𝐼' = 𝐼* E𝑒 )" − 1F

Fazendo o sistema de equações com as duas expressões:

𝐸 𝑈'
⎧ 𝐼' = −
𝑅 𝑅
45! .
⎨𝐼 = 𝐼 E𝑒 )" − 1F
' *
⎩
Usando o métdo gráfico para a obtenção da solução:

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Sobre a curva do díodo, traça-se a recta da carga fazendo as seguintes considerações:
a) 𝑈' = 0 e substituir na expressão da recta, tem-se que:
𝐸 𝑈' 𝐸 0 𝐸
𝐼' = − = − ⟹ 𝐼' =
𝑅 𝑅 𝑅 𝑅 𝑅

b) 𝑈' = 𝐸 e substituir na expressão da recta, tem-se que:

𝐸 𝑈' 𝐸 𝐸
𝐼' = − = − ⟹ 𝐼' = 0
𝑅 𝑅 𝑅 𝑅

O resultado vê-se na figura que se segue:

ID (mA)

Curva característica
do díodo

E/R

IDQ Q Recta de carga 

UDQ E UD (V)

Exemplo 2:
Seja um díodo de Silício real (quando se diz real significa que deve ser considerada a terceira
aproximação) ligado em sério com uma f.e.m DC de 12 V e uma resistência de carga de 500W. A
resistência média do díodo é de 10W. Determine:
a) A tensão sobre a resistência de carga.
b) As perdas no díodo.

Solução:
A terceira aproximação do díodo representa-se esquematicamente da seguinte forma:

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 𝑈' ID UT Díodo ideal
+ − rav

𝐼'
UD

Díodo ideal Assim o circuito eléctrico descrito

UT
rav
no enunciado será

RL
ID
E

Para a análise do circuito, recorre-se

às leis experimentais (Kirchhoff e Ohm).
Escrevendo a equação da malha:

𝐸 − 𝑈) 12 − 0.7 11,3
𝐸 − 𝑈) = 𝐼' (𝑟,& + 𝑅C ) ⟹ 𝐼' = = = = 22,16𝑚𝐴
𝑟,& + 𝑅C 10 + 500 510
Assim:
a) 𝑈C = 𝑅C . 𝐼' = 500.0,02216 = 11,078𝑉
b) 𝑃' = 𝑈( . 𝐼' + 𝑟,& . 𝐼' 9 = 0,7.0,02216 + 10. (0,02216)9 = 0,02042𝑊 = 20,42𝑚𝑊

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