Condução Elétrica

Uma das características elétricas mais importantes de uma material sólido é a facilidade com que ele transmite uma corrente elétrica.
Lei de Ohm (Georg Simon Ohm)
A lei de Ohm relaciona a corrente (I) à voltagem aplicada (V), da seguinte maneira:
Variação de voltagem (volts (V) = J/C) C = Coulomb
V = I R

resistência (Ohm (Ω) = V/A)

Corrente (ampère (A) = C/s)
O valor da resistência (R) de um material é influenciado pela configuração da amostra, e para muitos materiais
da corrente.

Resistividade elétrica ( ):
Resistividade elétrica é uma medida da oposição de um material ao fluxo de
corrente elétrica. Quanto mais baixa for a resistividade mais facilmente o material
permite a passagem de uma carga elétrica.
A resistividade é independente da geometria da amostra, mas relaciona-se a R através da expressão:
𝜌 = 𝑅 ∙ 𝐴/ 𝑙
L
Seção Reta
e- I
V

= resistividade [ .m];
R = resistência do material [ ];
A = área da seção reta perpendicular à direção da corrente;
l = distância entre os dois pontos onde a voltagem é medida;
Lei de Ohm combinada com a expressão da resistividade
R V RA VAI lIl

R1 =

Valor da Resistência vs Configuração da Amostra

Qual irá conduzir mais eletricidade?

D 2

2𝑃ρ2 =π D
2D
2
2
8ρ𝑃 πD2
2DR2 =π𝑃ρ ρ𝑃R12 = πD2 = 8

Análogo ao fluxo de água em uma tubulação (com mesma

velocidade linear).
Desta forma, a resistência depende da geometria da amostra.

Condutividade Elétrica (σ):

É um indicativo da facilidade como um material é capaz de conduzir uma corrente
1
elétrica. 𝜎 = 𝑛 ∙ 𝑞 ∙ 𝜇 𝜎=
𝜌
σ = condutividade elétrica (Ω.m)-1;
ρ = resistividade elétrica (Ω.m);
n = número de portadores de carga por m3;
q = carga carregada pelo portador (Coulombs);
μ = mobilidade dos portadores de carga (m2/V.s)
Outra forma de representar a Lei de Ohm
𝑉
𝐽 = 𝜎𝜀 𝜀=
𝐽 = Densidade de corrente (corrente por unidade de área I/A) 𝑙
𝜀 = Intensidade do campo elétrico ou do 𝜟V entre dois pontos dividida pela
distância que separa esse dois pontos
Condutividade Elétrica (
Uma forma de classificar os materiais sólidos é de acordo com a facilidade com a
qual eles conduzem uma corrente elétrica:
Condutores – Semicondutores – Isolantes
Valores típicos:
condutores (metais): 107( .m)-1 (possuem elétrons deslocáveis, livres para
se moverem no âmbito da estrutura interna do material);isolantes: 10-10 -
10-20 ( .m)-1 (materiais cerâmicos e poliméricos com elétrons fortemente
seguros e íons que não se difundem);semicondutores: 10-6 - 104 ( .m)-1
(Carbono (C), germânio (Ge), o silício (Si).
Resistividade (ρ) e
Material ρ/ (Ω.m) σ/ (Ω-1.m-1) condutividade (σ)
elétrica a 25 ºC.
Metais

Ag 1,61 x 10-8 6,21 x 107

Cu 1,69 x 10-8 5,92 x 107

Au 2,26 x 10-8 4,44 x 107

Al 2,83 x 10-8 3,53 x 107

Ni 7,24 x 10-8 1,38 x 107

Hg 9,58 x 10-7 1,04 x 106

Semicondutores

Ge 0,47 2,1

Si 3 x 103 3 x 10-4

Isolantes

Diamante 1 x 1014 1 x 10-14

Quartzo 3 x 1014 3 x 10-15

Mica 9 x1014 1 x 10-15

Condução Eletrônica e Iônica

Uma corrente elétrica resulta do movimento de partículas em resposta a forças que atuam sobre elas a partir de um campo elétrico
aplicado externamente.
Partículas carregadas positivamente se deslocam na direção do campo;
Partículas carregadas negativamente se deslocam na direção oposta;
Condução Eletrônica
No interior do sólidos a corrente tem origem a partir do escoamento de elétrons;
Condução Iônica
Materiais iônicos a corrente tem origem a partir do movimento de íons carregados;
Estruturas da banda de energia nos sólidos
A magnitude da condutividade elétrica é fortemente dependente do número de
elétrons que está disponível para participar no processo de condução.
Nem todos os elétrons presentes em cada átomo será acelerados na presença de um
campo elétrico.
O número de elétrons disponível para a condução elétrica está relacionado ao
arranjo dos estados e então à maneira segundo o qual esses estados estão ocupados
pelos elétron
Revisão:
Para cada átomo individual existem níveis energéticos discretos que podem ser
ocupados pelos elétrons, níveis arrumados em camadas e subcamadas.
Número quântico Principal = camada 1, 2, 3,...7 Número quântico secundário
=subcamadas s, p, d e f
Número de estados (orbitais)
s 1
p 3
d 5

f 7
Os elétrons na maioria dos átomos preenchem somente os estados que possuem as
energias mais baixas, dois elétrons com spin opostos por cada estado, de acordo
com o princípio da exclusão de Pauli.
Estruturas da banda de energia nos sólidos
Um sólido pode ser considerado como consistindo em um grande número de
átomos, que estão inicialmente separados uns dos outros, os quais são
subsequentemente agrupados e ligados para formar o arranjo atômico ordenado
que é encontrado no material cristalino.
A medida que os átomos se aproximam, os elétrons são perturbados pelos elétrons
e pelos núcleos dos átomos adjacentes;
Essa influencia faz com que cada estado atômico distinto pode se dividir em uma série de estados eletrônicos espaçados e próximos uns
dos outros no sólido, formando o que é conhecido como banda de energia eletrônica.
Dentro de cada banda, os estados de energia são discretos, mas como a diferença
entre os estados adjacentes é excessivamente pequena, pode-se assumir que a banda
forma um contínuo.
No espaçamento em condições de equilíbrio, pode não ocorrer a formação de bandas para as subcamadas eletrônicas mais próximas do
núcleo. Podem também existir espaçamentos entre as bandas adjacentes.
Banda de Energia Eletrônica Estado atômico distinto à
Banda de energia dos elétrons 2s (12 estados)
Estado eletrônico 2s
Energia

Estados energéticos permitidos individuais

Banda de energia dos elétrons 1s (12 estados)
Estado eletrônico 1s
Separação interatômica
Gráfico esquemático da energia eletrônica em função da separação interatômica para um
agregado de 12 átomos. Com a aproximação, cada um dos estados atômicos 1s e 2s se
divide para formar uma banda de energia eletrônica que consiste em 12 estados.
Para N átomos: banda s N estados; banda p 3N estados. Cada estado de
energia pode acomodar 2 elétrons (spin opostos)

2p
Banda de energia

Espaçamento entre bandas de energia

2s
Energia

Energia
Banda de energia

1s

Não formou banda de energia

Separação interatômica
Separação interatômica
de equilíbrio
(b)
(a) A representação convencional da estrutura da banda de energia eletrônica para um material sólido na separação interatômica de
equilíbrio. (b) Energia eletrônica em função da separação interatômica para um agregado de átomos, ilustrando como a
estrutura da banda de energia na separação de equilíbrio em (a) é gerada.
Possíveis estruturas das bandas eletrônicas
As propriedades elétricas de um material sólido são uma consequência da sua estrutura de banda eletrônica, isto é, do arranjo das
bandas eletrônicas mais externas e da maneira como elas são preenchidas com elétrons.
Quatro tipos diferentes de estruturas de bandas são possíveis
a uma temperatura de 0 K:
1°) Uma banda mais externa está apenas parcialmente preenchida com elétrons (ex: Cu).
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s1
Apenas metade das posições eletrônicas disponíveis dentro da
banda 4s está preenchida.
A energia que corresponde ao estado ocupado mais elevado a 0 K é chamado de energia de Fermi (Ef).
Estruturas de bandas
2°) Existe uma superposição de uma banda vazia com uma
banda preenchida(ex: Mg).
Cada átomo de Mg isolado tem dois elétrons 3s. Entretanto, quando
um sólido é formado, as bandas 3s e 3p se superpõem.
A energia de Fermi é tomada como sendo aquela energia abaixo da qual, para N
átomos, N estados são preenchidos, 2 elétrons por estado.
1s2 2s2 2p6 3s2 3p0
3° e 4°) Uma banda completamente preenchida com elétrons
(banda de valência) está separada de uma banda vazia (banda de
condução), com um espaçamento entre as bandas de energia.
Para os materiais isolantes, o espaçamento entre as bandas é
relativamente amplo (Eg > 2 eV);
Para os materiais semicondutores, este espaçamento é estreito (Eg < 2 eV).
A energia de Fermi para estas duas estruturas de bandas está
localizada dentro do espaçamento entre as bandas, próxima à sua região central.
Condução em termos de bandas de energia
Conceitos
Apenas os elétrons que possuem energias maiores do que a
energia de Fermi participam do processo de condução e são
chamados elétrons livres. Os buracos, encontrados em
semicondutores e isolantes, possuem energias menores do que
Ef e também participam na condução eletrônica. A
condutividade elétrica é uma função direta do número de elétrons
livres e buracos, nos materiais semicondutores e isolantes.
Condução em termos de bandas de energia
Metais
Para que um elétron se torne livre, ele deve ser excitado ou promovido para um dos estados de energia
vazios e disponíveis acima de Ef. Muito pouca energia é necessária para promover um grande número de elétrons para dentro desses
estados de condução.
A ocupação dos estados eletrônicos: (a) antes e (b) depois de uma
excitação dos elétrons.

Isolantes e semicondutores
Os estados vazios adjacentes acima da banda de valência
preenchida não estão disponíveis. Para se tornarem livres, os
elétrons devem ser promovidos através do espaçamento entre
bandas de energia e para estados vazios na parte inferior da banda
de condução.
A distinção entre isolantes e semicondutores reside na largura do
espaçamento entre bandas: nos isolantes, este espaçamento é relativamente grande; nos semicondutores, esse espaçamento é estreito.

Isolantes e semicondutores
A uma dada temperatura, quanto maior for
o valor de Eg, menor será a probabilidade de
um elétron de valência ser promovido para um
estado de energia dentro da banda de condução;
isso resulta em menos elétrons de condução e portanto menor condutividade.

O aumento da temperatura, tanto dos materiais semicondutores

quanto dos isolantes, resulta em um aumento na energia térmica que
está disponível para a excitação eletrônica, aumentando assim a
condutividade.

Isolantes e semicondutores
A condutividade dos materiais isolantes e semicondutores também pode ser vista da
perspectiva dos modelos de ligação atômica.
Para materiais isolantes, a ligação interatômica é iônica ou fortemente covalente; assim os elétrons de valência estão firmemente ligados.
A ligação nos materiais semicondutores é covalente e relativamente fraca, o que significa que os elétrons de valência não estão tão
firmemente ligados aos átomos, sendo removidos mais facilmente por excitação térmica do que aqueles dos isolantes.

Resistividade elétrica dos metais

Os defeitos cristalinos (átomos de impureza, lacunas, átomos intersticiais, as discordâncias) servem como centros de espalhamento para
os elétrons de condução nos metais; o aumento do número de defeitos aumenta a resistividade (ou diminui a condutividade).
A concentração dessas imperfeições depende da temperatura, da composição e do
grau de trabalho a frio da amostra de um metal.
𝝆𝒕𝒐𝒕𝒂𝒍 = 𝝆𝒕 + 𝝆𝒊 + 𝝆𝒅
Onde
t, ie d representam, as resistividades térmicas, devido às impurezas e da deformação.

Fatores que influenciam na

resistividade elétrica
Influência da temperatura
Metais:T diminui a condutividade elétrica
A agitação térmica reduz o livre percurso médio dos elétrons, a mobilidade dos
mesmos e como consequência a condutividade.
Semicondutores
Isolantes
T aumenta a condutividade elétrica.
 →
O aumento da temperatura fornece energia que libera transportadores de cargas
adicionais.
Metais resistividade aumenta com a temperatura. Compostos cerâmicos: a resistividade diminui
com a temperatura.
Influência das Impurezas
Como os átomos de impurezas atuam como centros de espalhamento, o aumento da concentração de impurezas resulta em um aumento de
resistividade.
𝜌𝐶𝑢 = 1,7 × 10−8Ω𝑚
Resistividade elétrica à temperatura ambiente em função da composição para ligas cobre-níquel
𝜌𝑁𝑖 = 7,24 × 10−8Ω𝑚
Influência da Deformação Plástica
A deformação plástica aumenta a resistividade elétrica como resultado do maior número
de discordâncias que causam o espalhamento dos elétrons.
A resistividade elétrica em função da temperatura para o cobre e três ligas cobre-níquel, uma
das quais foi submetida à deformação. As contribuição térmicas, das impurezas e da deformação
para a resistividade estão indicadas para a temperatura de -100°C.

Características elétricas de ligas comerciais

Condutividade elétrica à temperatura ambiente.
Prata (condutividade > Cu): elevado custo para ser utilizada como condutor;
Cobre: condutor mais utilizado;
Cobre de alta condutividade isento de oxigênio (<0,001%) – OFHC (Oxygen-Free High-conductivity)
e com baixo teor de impurezas: aplicações elétricas.
Alumínio também é usado com frequência como condutor elétrico (≈ ½ da condutividade do cobre)
Para metais e ligas usadas na confecção de elementos aquecedores de fornos, além da resistividade
elétrica elevada também devem possuir uma boa resistência à oxidação em temperaturas elevadas.
(Ex. Ligas de NiCr - temperatura de trabalho 1250°C)

Semicondutores
A condutividade elétrica dos materiais semicondutores não
é tão alta quanto aquela apresentada pelos metais, no entanto eles possuem
algumas características elétricas únicas que os torna extremamente úteis
Características únicas – materiais de grande importância industrial.
As propriedades elétricas desses materiais são extremamente sensíveis à presença
de pequenas concentrações de impurezas, mesmo que muito pequena.
Semicondutores Intrínsecos
Comportamento elétrico baseado na estrutura eletrônica inerente ao material puro.
Semicondutores Extrínsecos
Características elétricas ditadas pelos átomos de impurezas
Condutividade Intrínseca
Para cada elétrons promovido para a banda de condução deixa para trás um
buraco na banda de valência.
Como: n = p = ni
ni é conhecido como a concentração de portadores intrínsecos.

𝜎 = 𝑛 𝑒 𝜇𝑒 + 𝑝|𝑒|𝜇𝑏 𝜎 = 𝑛𝑖 𝑒 (𝜇𝑒+𝜇𝑏)
𝑒 = 1,6 × 10−19C 𝜇=𝑚2Τ𝑉. 𝑠 𝜎 = (Ω𝑚)−1
Semicondução intrínseca
O espaçamento entre bandas é relativamente estreito, geralmente com
menos de 2 eV. Elementos puros (grupo IVA) Si = 1,1 eV Ge = 0,7 eV)
mpostos (grupos IIIA com VA):
GaAs (arseneto de gálio); 0,4 InSb (antimoneto de índio); 0,2
Compostos (grupos IIB com VIA):
Estrutura da banda eletrônica a 0 K.
CdS (sulfeto de cádmio); 0,8 ZnTe (telureto de zinco); 0,5
> Caráter iônico na ligação > Eg > caráter isolante
Semicondução intrínseca
Modelo de ligação eletrônica para a condução elétrica no silício (semicondutor
intrínseco)
Antes da excitação do elétron
Elétron excitado para a
banda de condução.
Falta de um elétron na ligação
covalente (estado eletrônico vazio
ou “buraco”).
Carga do “buraco”=+ 1,6 x10-19 C
Imperfeições na rede causam
espalhamento dos buracos. Condutividade Elétrica
Metal
“Buraco”
-1 [(Ω.m) ]
Nos semicondutores intrínsecos, Prata 6,8 x 107
para cada elétron excitado para Cobre 6,0 x 107
a banda de condução um elétron Ouro 4,3 x 107
fica faltando em uma das
Alumínio 3,8 x 107
ligações covalentes. Esse elétron
Zinco 1,8 x 107
que está faltando na banda de
valência pode ser considerado Latão (70 Cu-30 Zn) 1,6 x 107
como uma partícula carregada Ferro 1,0 x 107
positivamente, chamada de Platina 0,94 x 107
buraco. Aço-carbono 0,6 x 107
Para cada elétron promovido Aço inoxidável 0,2 x 107
através do espaçamento entre
bandas, um buraco é formado na banda de valência.
Condutividade Intrínseca
Dois tipos de portadores de carga: elétrons livres e os “buracos”.

𝜎 = 𝑛 𝑒 𝜇𝑒 + 𝑝|𝑒|𝜇𝑏
n = número de transportadores de carga negativa (elétrons) por m3, com
mobilidade e através da banda de condução;
p = número de transportadores de carga positiva (buracos) por m3, com mobilidade b através da banda de valência (para
semicondutores b< e);
Semicondução extrínseca
Nesse caso o comportamento elétrico é determinado pelas impurezas, as quais,
quando presentes mesmo em concentrações diminutas, introduzem um excesso de
elétrons ou de buracos.
Semicondução extrínseca Tipo n
Quando uma impureza pentavalente (ex. P, As ou Sb) é adicionada ao Si, o elétron
adicional não forma ligações, podendo ser facilmente removido e assim tornando-se
um elétron livre ou de condução.
Semicondução extrínseca Tipo n
Modelo de ligação eletrônica para a condução elétrica
no silício com impureza na rede (substituição do Si por
átomo com 5 elétrons) Si: 4 elétrons (lig. Cov.)
P: 1 elétron fracamente ligado ao redor do átomo da
impureza; baixa energia de ligação (0,01 eV)

Semicondução extrínseca Tipo n

Modelo de bandas eletrônicas
Para cada um dos elétrons que estão fracamente ligados, existe um
único estado de energia, localizado no interior do espaçamento
entre bandas, imediatamente abaixo da parte inferior da banda de
condução.Além da excitação dos elétrons dos estados doadores,
também podem ocorrer transições intrínsecas banda de valência –
banda de condução, mas em extensão desprezível. Assim, os elétrons são
os portadores majoritários (n >> p).

𝜎 = 𝑛 𝑒 𝜇𝑒 + 𝑝|𝑒|𝜇𝑏 𝜎 ≅ 𝑛 𝑒 𝜇𝑒
Semicondução extrínseca
Semicondução extrínseca tipo p
Quando uma impureza trivalente (ex. Al, B ou Ga) é adicionada ao Si, uma das
ligações covalentes ao redor de cada um desses átomos fica deficiente de um
elétron, tal deficiência pode ser vista como um buraco que se encontra fracamente
ligado ao átomo de impureza.
Modelo de ligação eletrônica para a condução elétrica
no silício com impureza na rede (substituição do Si por
átomo com 3 elétrons)Falta de 1 elétron de valência.
“Buraco”.
Movimento do buraco em resposta ao campo elétrico.
Semicondução extrínseca tipo p
Modelo de bandas eletrônicas
Cada átomo de impureza introduz um nível
de energia dentro do espaçamento entre
bandas, localizado acima, porém muito
próximo, da parte superior da banda de
valência.Os buracos estão presentes em
concentrações muito maiores do que os
elétrons, os buracos são os portadores
majoritários (n << p).
𝜎 = 𝑛 𝑒 𝜇𝑒 + 𝑝|𝑒|𝜇𝑏

Supercondutores
Metais de alta pureza: resfriamentos próximos de
0 K resistividade reduz até valores baixos,
característicos de cada material.
Alguns poucos materiais: resistividade cai
bruscamente até valores virtualmente igual a
zero Supercondutores.
Temperatura na qual se atinge a supercondutividade Temperatura
Crítica (Tc)
Supercondutores são usados principalmente em
imãs capazes de gerar campos elevados com um
baixo consumo de energia.
A construção de Trens MagLev (levitação magnética) e de aparelhos de
Ressonância magnética nuclear.

Supercondutores