Ligações Metálicas

Ligações Metálicas- Introdução

§ Metais – grande número de entidades iguais mantidas coesas
em um retículo cristalino.
• Não pode ser explicado pela teoria das ligações covalentes (estas
raramente conseguem formar retículos cristalinos)
• Não pode ser explicado pela teoria das ligações iônicas.

Primeiro modelo de ligação metálica

§ Modelo do gás eletrônico (Drude-Lorenz):
• Retículo de esferas rígidas (cátions) mantidos coesos por elétrons
que podem se mover livremente – elétrons livres (“mar de elétrons”)
• Elétrons mais externos se encontram muito longe do núcleo.
• Os metais possuem baixa energia de ionização – tornam-se cátions
facilmente.
• A força de coesão seria resultante da atração entre os cátions no
reticulado e a nuvem eletrônica.
 Modelo do gás eletrônico

Elemento Energia de ionização (kJ/mol) Elemento Raio atômico (Å) Raio iônico (Å)

Sódio 495,8 Sódio 1,57 0,95

Ferro 759,3 Ferro 1,16 0,76
Prata 731,0 Prata 1,34 1,26
Oxigênio 1.313,9

Cloro 1.251,2

§ Explica de maneira adequada a condutividade elétrica dos metais.

Substância Condutividade elétrica (ohm.cm-1)

Prata 6,3 x 105

Cobre 6,0 x 105

Zinco 1,7 x 105

NaCl 10-7

Diamante 10-14

-Não explica de maneira adequada o espectro de emissão

eletrônica de um metal.
 O espectro de emissão eletrônica de um metal

Transição eletrônica

Radiação incidente

Emissão de um fóton

espectro de emissão de um átomo espectro de emissão de um metal

 Teoria das bandas de energia
§ Estudo da ligação metálica sob a ótica da teoria dos OMs.

§ A formação do metal Li (1s2 2s1).

§ Juntando átomo a átomo:

• OMs = OAs. (Lembrando: a junção de dois OAs gera dois OMs)

• Obedeçe ao princípio de exclusão de Pauli (dois elétrons por OM).

• Os elétrons irão ocupar sempre o OM de menor energia disponível.

Teoria das bandas de energia

Molécula de
Li642

σ 2* s
Dois
Seis átomos
Quatro
átomos
de Lide Li

σ 2s
 Teoria das bandas de energia
Combinando “n” átomos de Li

}
Orbitais do Lin

σ *
2s
↑

}
 2s 
 n
σ 2s

§ Parte superior do diagrama – OMs vazios.

§ Com uma pequena excitação os elétrons passam para um OM vazio.
§ Qualquer transição eletrônica é permitida.
 Sobreposição de bandas de energia
§ Distribuição eletrônica do Be: 1s2 2s2 2p0
§ Condução eletrônica do Be: 2,5 x 105 ohm -1.cm -1
§ Bandas com energias próximas podem se sobrepor!!! σ *
2p

Orbitais
Orbitaisdodo
BeBe
n n σ2p
“n”“n”
átomos
átomos
dede
BeBe
σ *
2s
↑↓ 
 2s 
 n
σ 2s
 Características e propriedades da ligação metálica
§ São não direcionais – atração eletrostática.
§ Força da ligação metálica – depende da carga dos cátions (Na (PE
= 883o C); Mg (PF = 1090o C); Al (PF = 2519o C ))
§ Brilho metálico – interação dos elétrons do metal com os diversos
comprimentos de onda incidentes (quase todas as transições são
permitidas).
§ Condução da energia elétrica – elétrons são promovidos a níveis
energéticos mais elevados que estão disponíveis (vazios).
§ Condução de energia térmica:
• Elétrons “deslocalizados” interagem fracamente com os núcleos.
• No aquecimento os elétrons adquirem grande quantidade de energia
cinética e deslocam-se para as regiões mais frias.
• Dissipação desta energia através de choque com outras partículas
levando ao aquecimento do retículo.
• Vibração dos cátions em suas posições no retículo cristalino também
contribui – razão pela qual a condutividade elétrica dos metais cai com
o aumento da temperatura.
 Características e propriedades da ligação metálica

§ Dureza, ponto de fusão e ponto de ebulição – dependem

primordialmente da força da ligação metálica.

§ Ductilidade – capacidade de se deformar quando submetido a uma

tensão – tração ou compressão.

§ Podem formar uma grande quantidade de ligas combinando-os com

outros metais ou outros elementos da TP.

§Soluções sólidas cristalinas substitucionais (cátions têm tamanhos

não muito dissimilares) ou intersticiais (tamanhos muito dissimilares)
 Condutores, semi-condutores e isolantes
§ Metais são condutores por excelência.

Condutores Semi- Isolantes

condutores
Bandas de condução – bandas proibidas
semiconductor or insulator
conductor
empty band empty band
∈F overlapping bands forbidden band
∈F
“gap”
filled bands
filled bands

“atomic” state
“atomic” state
conductor

partially filled
∈F “small” gap (~1 eV):
band
semiconductor
filled band
“large” gap (several eV):
insulator
“atomic” state
 Bandas eletrônicas e bandas proibidas

Condutores:
•A banda de valência está tanto somente parcialmente preenchida como se
sobrepõe com uma banda vazia.
•Um campo elétrico acelera os elétrons.
•Com a energia aumentada estes ainda cabem na parte vazia da banda.
•Os condutores são opacos.

Isolantes:
•A banda de valência está preenchida, o “gap” para a banda vazia é de
alguns eV.
•Os elétrons não conseguem vencer o “gap” termicamente.
•O campo elétrico tem que atingir 108 V/m para vencer o “gap” (campos
menores sõa insuficientes devido as colisões).
•O material é denominado isolante.
•Os isolantes são normalmente transparentes.
Semicondutores

T~0 K:
•Semicondutores e isolantes tem resitividades praticamente idênticas a T
ambiente.
room temperature
•Nos semicondutores, uma pequena fração de elétrons pode ser excitada
termicamente para o “gap” da banda vazia.
•Estes poucos elétrons são suficientes para permitir que uma pequena
corrente flua na presença de um campo E.

almost empty band, conduction band

∈F “gap”
almost filled band, valence band
 Dopagem
n-type:
donor levels • replace few Si atoms by e.g. As
• Si has 4 valence electrons needed for
covalent bond
∈F • As has 5 valence electrons 1 excess
electron
• excess electron needs fractions of eV to
reach the conduction band
• excess electron state is called donor level
• Fermi energy is raised towards the
conduction band

p-type:
• same principle, but one electron too little
∈F • e.g. replacement of Si by Ga
• excess vacancy, excess hole
• electron from the valence band can easily
acceptor levels
reach the so called acceptor levels
 Semi-condutores intrínsecos e extrínsecos

Semi-
condutores Extrínsecos Extrínsecos
intrínsecos tipo-n tipo-p

Semi-condutores intrinsecos e extrinsecos tipo-n – conduzem com

pequeno aumento de temperatura ou entao com uma pequena ddp
aplicada.
 Semi-condutores intrínsecos e extrínsecos
§ Semi-condutores são geralmente semi-metais do grupo 14/IV – Si e
Ge:
• 4 elétrons na banda de condução.
• Formam 4 ligações não muito fortes.
§ Semi-condutores extrínsecos são obtidos por dopagem – adição
de pequenas quantidades de impurezas.
• Semi-condutividade controlada.
§ Extrínseco tipo-n – os condutores são elétrons em excesso:
• Dopa-se o semi-condutor com um elemento com 5 elétrons na banda
de condução – As ou P em Si sólido.
• O elétron em excesso irá ocupar o nível de energia do dopante que
está próximo ao nível vazio do semi-condutor.
§ Extrínseco tipo-p – os condutores são buracos eletrônicos:
• Dopagem com um elemento com apenas 3 elétrons na banda de
condução - B em Si sólido.
• A banda de condução não fica totalmente cheia.
• Condução por buracos eletrônicos.
• Cargas positivas conduzem eletricidade.