Introdução:

Semicondutores e
Supercondutores
Semicondutores
 CORRENTE ELÉTRICA

 A corrente elétrica é um movimento

ordenado de cargas elementares.
 Pode ser um simples jato de partículas
no vácuo, como acontece num cinescópio
de TV (das antigas TVs de tubo...), em que
um feixe de elétrons é lançado contra a
tela.
 No entanto, na maioria dos casos, a
corrente elétrica não ocorre no vácuo, mas
sim no interior de um condutor. Por
exemplo, aplicando uma diferença de
potencial num fio metálico, surge nele uma
corrente elétrica formada pelo movimento
ordenado de elétrons.
 CORRENTE ELÉTRICA

 Nem todo movimento de

cargas elétricas é uma corrente
elétrica.
 No fio metálico, por exemplo,
mesmo antes de aplicarmos a
diferença de potencial, já existe
movimento de cargas elétricas.
 Todos os elétrons livres estão
em movimento, devido à
agitação térmica.
 No entanto, o movimento é
caótico e não há corrente
elétrica.
 CORRENTE ELÉTRICA

 Quando aplicamos uma diferença de potencial, esse

movimento caótico continua a existir, mas a ele se sobrepõe
um movimento ordenado, de tal forma que, em média, os
elétrons livres do fio passam a se deslocar ao longo deste.
Isto é a corrente elétrica.

 O símbolo convencional para representar a intensidade de

corrente elétrica (ou seja, a quantidade de carga Q que flui
por unidade de tempo t) é o i, original do alemão Intensität,
que significa intensidade.

 A unidade padrão no SI para medida de intensidade de

corrente é o ampère. A corrente elétrica é também chamada
informalmente de amperagem.
 RESISTOR
 Resistor é todo dispositivo elétrico que transforma exclusivamente
energia elétrica em energia térmica.

SÍMBOLO
1ª Lei de OHM
Mantendo-se constante
a temperatura do resistor,
U
sua resistência elétrica
permanecera constante. R
i
Unidade: Volt/Ampere(ohm,Ω)

Resistor ôhmico
2ª LEI DE OHM
L

 .L
R
A
 = Resistividade do material (ohm.m)
Resistividade elétrica
 Medida da oposição de um material ao fluxo de corrente
elétrica. Quanto mais baixa for a resistividade mais facilmente
o material permite a passagem de uma carga elétrica.
 A unidade SI da resistividade é o ohm.metro (Ωm).

Dependência da temperatura
 Uma vez que é dependente da temperatura a resistência
(específica) geralmente é apresentada para temperatura de 20
ºC.
 No caso dos metais aumenta à medida que aumenta a
temperatura enquanto que nos semicondutores diminui à
medida que a temperatura aumenta.
 Conforme o valor da sua resistividade um material pode ser
considerado condutor ou isolante.
Possível Classificação dos Materiais

Resistentes Supercondutores

Condutores

Isolantes Materiais Semicondutores

Magnéticos
 Sólidos
 Sólidos Amorfos
• sólido no qual os átomos se
distribuem desordenadamente.
 Sólidos Cristalinos
• distância relativa entre átomos
e sempre bem divididos;
• invariância de translação;
• célula unitária;
• classificam-se de acordo com a
sua estrutura cristalina.
Materiais: Isolantes,
Semicondutores e Metais
 Isolante – é um condutor de eletricidade
muito pobre;

 Metal – é um excelente condutor de

eletricidade;

 Semicondutor – possui condutividade

entre os dois extremos acima.
Semicondutores
O material básico utilizado na construção de
dispositivos eletrônicos semicondutores, em
estado natural, não é um bom condutor, nem
um bom isolante.
 Silício e o Germânio

 O silício e o germânio são muito utilizados na

construção de dispositivos eletrônicos.

 O silício e o mais utilizado, devido as suas

características serem melhores em
comparação ao germânio e também por ser
mais abundante na face da terra.
Temperatura, Luz e Impurezas

 Em comparação com os metais e os

isolantes, as propriedades elétricas dos
semicondutores são afetadas por variação
de temperatura, exposição a luz e
acréscimos de impurezas.
EFEITO DA TEMPERATURA E DA ESTRUTURA DO
MATERIAL NA RESISTIVIDADE

ESTRUTURA PERFEITA A MOVIMENTO DOS ELÉTRONS A MAIS

BAIXA TEMPERATURA ALTA TEMPERATURA

MOVIMENTO DOS ELÉTRONS

EM UMA ESTRUTURA COM IMPUREZAS
 MODELOS ATÔMICOS DE
BOHR
O átomo - é constituído por partículas
elementares, as mais importantes para o
nosso estudo são os elétrons, os prótons e os
nêutrons.

Camada de Valência - A última camada

eletrônica (nível energético) é chamada
camada de valência. O silício e o germânio
são átomos tetravalentes, pois possuem
quatro elétrons na camada de valência.
Camada de Valência

 O silício e o germânio são átomos tetravalentes, pois

possuem quatro elétrons na camada de valência.

 O potencial necessário para tornar livre qualquer um

dos elétrons de valência é menor que o necessário
para remover qualquer outro da estrutura.

 Os elétrons de valência podem absorver energia

externa suficiente para se tornarem elétrons livres.
 Corrente em Semicondutores
 Em um semicondutor intrínseco, tanto elétrons quanto lacunas
contribuem para o fluxo de corrente.
 Elétrons livres de sua posição fixa no reticulado: movem-se na banda
de condução.
 Elétrons na banda de valência:
movem-se ocupando posições
disponíveis no reticulado,
preenchendo os vazios
deixados pelos elétrons livres -
Condução de lacunas migrando
ao longo do material no sentido
oposto ao movimento do elétron
livre.
Estrutura de Bandas de Energia
Banda de
condução
Banda de
Elétrons condução
livres
Banda
proibida

Lacunas Banda de
Valência
Banda de
Valência

isolante semicondutor condutor

 GAP DE ENERGIA (BANDA
PROÍBIDA)
É o espaço entre as bandas de energia

 É o que distingue um semicondutor de um

condutor ou isolante.
 NÍVEL DE ENERGIA DE
FERMI
É definido como o nível de energia
abaixo do qual todos os estados de
energia estão ocupados a 0K.
 CONDUTOR
 Os elétrons não
preenchem todos os
estados possíveis da
banda de valência e por
isso a condução ocorre Nível de Fermi
na banda de valência.
 Num metal o nível de
Fermi esta localizado na
banda de valência. Banda de valência
incompleta
 ISOLANTES
 Os elétrons BANDA
preenchem todos os DE
estados possíveis da CONDUÇÃO
banda de valência e por
Nível de Fermi GAP DE ENERGIA
isso a condução NÃO
ocorre na banda de BANDA
valência. DE
Um semicondutor difere de um isolante pelo tamanho do gap de VALÊNCIA
energia

 Gap de um Semicondutor: 0,1-5 eV

 Gap de um isolante é maior
 SEMICONDUTOR
 Da mesma forma que
BANDA
nos isolantes, os
DE
elétrons preenchem CONDUÇÃO
todos os estados
possíveis da banda Nível de Fermi GAP DE ENERGIA
de valência.
BANDA
DE
Um semicondutor difere de um isolante pelo tamanho do gap de VALÊNCIA
energia

 Gap de um Semicondutor: 0,1-5 eV

 Gap de um isolante é maior
 SEMICONDUTOR
 Num semicondutor, os elétrons podem
ser excitados para a banda de
condução por energia elétrica, térmica
ou óptica (fotocondução)

 Quando um elétron é excitado para a

banda de condução deixa um buraco ou
uma vacância na banda de valência que
contribui também para a corrente.
 MATERIAIS EXTRINSECOS
 Dopagem - A adição de certos átomos estranhos aos átomos de silício ou
germânio, chamados de átomos de impurezas, pode alterar a estrutura de
camadas (bandas) de energia de forma suficiente mudar as propriedades
elétricas dos materiais intrínsecos.

 Material extrínseco - Um material semicondutor que tenha sido

submetido a um processo de dopagem por impurezas e chamado de
material extrínseco.

 Esses materiais são chamados de: tipo N (com impurezas que

proporcionam elétrons extras) e tipo P (com impurezas que proporcionam
buracos extras)
 .
 MATERIAL DOPADO TIPO N
 Um método de dopagem consiste
na utilização de elementos
contendo 5 elétrons na camada de
valência (penta-valente), como o
antimônio, arsênio e fósforo.
 O quinto elétron, porém, fica
desassociado de qualquer ligação.
 Esse elétron pode tornar-se livre
mais facilmente que qualquer
outro, podendo nessas condições
vagar pelo cristal.
 O material tipo N resultante, e
eletricamente neutro.
 MATERIAL DOPADO TIPO P
 O material tipo P é formado pela
dopagem do semicondutor
intrínseco por átomos trivalentes
como o boro, gálio e índio.
 Há agora um número insuficiente de
elétrons para completar as ligações
covalentes. A falta dessa ligação é
chamada de lacuna ou (buraco).
 Como uma lacuna pode ser
preenchida por um elétron, as
impurezas trivalentes acrescentadas
ao silício ou germânio intrínseco,
são chamados de átomos
aceitadores ou receptores.
 O material tipo P resultante é
eletricamente neutro.
Semicondutores Dopados ou Extrínsecos
 Impurezas pentavalentes: antimônio, arsênico, fósforo
produzem semicondutores do tipo-n, por contribuirem
com elétrons extras (impurezas doadoras).
 Impurezas trivalentes: bóro, alumínio, gálio produzem
semicondutores do tipo-p, por produzirem lacunas ou
deficiência de elétrons (impurezas aceitadoras).
P N
 OPERAÇÃO DO DIODO
(JUNÇÃO P-N)
 Dispositivos eletrônicos como transistors,
circuitos integrados, chips, etc... usam a
combinação de semicondutores extrínsecos
tipo “p” e tipo “n” .
 DIODO  é um dispositivo que permite a
corrente fluir em um sentido e não em
outro. É construído juntando um
semicondutor tipo “n” e tipo “p”.
JUNÇÃO P-N
 Quando uma voltagem é
aplicada, os dois tipos de cargas
se moverão em direção à junção
onde se recombinarão. A
corrente elétrica irá fluir.
 No esquema abaixo, a voltagem
causará o movimento de cargas
para longe da junção. A corrente
não irá fluir no dispositivo.
Supercondutores
 Transições de Fase

Transição de Fase: Alteração “brusca” de uma propriedade

macroscópica com a variação de algum
parâmetro externo.

• Transição da água líquida para gelo ou para

Exemplos: vapor;
• Perda do Magnetismo de um Íman;
• Perda de Resistência num Supercondutor;
Condutores Normais

• Na maioria dos materiais à medida que a

temperatura aumenta, a resistência também de
uma forma praticamente constante!

R (Ohm)

T (ºK)
Nos Supercondutores
 Ao chegarem a uma dada temperatura
(geralmente muito baixa e que depende dos
constituintes dos materiais), estes sofrem uma
descida brusca ficando a resistência igual (ou
muito próxima) a zero.

R (Ohm)

T (ºK)
Supercondutividade
 Em 1911, Kammerlingh Onnes, foi o primeiro a conseguir a liquefação do
gás hélio que acontece em 4,2 K.
 Ele estava pesquisando sobre as propriedades de metais sobre
temperaturas extremamente baixas banhando em hélio líquido.
 Durante um desses experimentos, Onnes descobriu que a resistência do
mercúrio caia a zero na temperatura perto de 4 K.
 Com isso, foi descoberto os supercondutores, uma nova classe de
condutores. Onnes ganhou o Prêmio Nobel de Física em 1913.
 Com evolução das pesquisas, a temperatura para que os supercondutores
ocorressem foi aumentando. Até a década passada ocorria na ordem dos
28 K.
 Com a descoberta de novos materiais supercondutores, ocorreu um
aumento surpreendente de temperatura para a utilização de
supercondutores, com os óxidos cerâmicos, com os fulerenos, os
borocarbetos e o composto intermetálico MgBr2.
 Atualmente o recorde é de 134 K para um óxido de mercúrio, bário, cálcio
e cobre.
Supercondutividade convencional (SUC):
vínculos experimentais
1. Resistência Nula
Metal normal
2. Efeito Meissner
Campo magnético não entra na amostra:
B = 0 no interior de um supercondutor

[SUC não é condutor perfeito,

dentro do qual B/t = 0]

correntes superficiais apa-

recem de modo a gerar um
campo que se oponha ao campo
aplicado
Aplicações tecnológicas no dia-a-dia

 Levitação magnética

 Outra aplicação:
• geração de campos uniformes intensos (ressonância);
 Faixa de Operação

4
He N2 gelo
$

-269 -250 -200 -150 0 T (°C)

SUC’s convencionais SUC’s de alta temperatura

 3. Existência de um Campo Crítico

Tipo I Tipo II

Hc2 [kG]
Hc [G]

T [K] T [K]

para uma dada T, a amostra só é SUC abaixo de um campo

crítico

Existe também uma densidade crítica de corrente: Jc

 4. Efeito Isotópico (dependência da T C com a
massa dos átomos)


 = 0.504 Tc  M
log10 Tc

Hg [M é a massa média dos isótopos

utilizados como íons da rede;
Reynolds et al., (1951)]

log10 M

ions participam ativamente

 fônons desempenham papel importante no mecanismo da
supercondutividade
 5. Calor Específico
C/T [mJ/(mol K)]
C/T [mJ/(mol K)]

CS/T
CS/T  exp[-1.39Tc/T]

T 2 [K2] Tc/T

Cs exponencial a baixas temperaturas

 gap no espectro
II. Condução em Metais
• Elétrons são férmions  Pauli: dois férmions não podem ter
conjuntos idênticos de números quânticos
• Gás de férmions [livres e independentes  (k,) definem
estados]: E  k2
Ex: Preenchendo os “níveis de energia de uma partícula” com 10
férmions

F

-4/L -2/L 2/L 4/L

 Considere cargas negativas em um potencial periódico

E


energia
energia

momento momento

k
i
i 0 j0 k
i
i 0 j0

dens. de corrente

Elétron só é espalhado ( resistência) porque há estados

finais disponíveis
Como evitar dissipação: Suprimir, através de
algum mecanismo, estados acessíveis na faixa
de energia próxima ao nível de Fermi
III. Interação elétron-elétron

elétron

íon

A interação Coulombiana entre um par qualquer de

elétrons é blindada pelos demais elétrons e pelos íons

constante dielétrica 
 4 e 2 4e 2 
4 e 2 (q ) 2 
 2  2 1  2 
q2 q  2
q  k0  2
  (q ) 

Interação elétron-elétron efetiva: Vkk’

q    k   k '
k-q k’+ q

k k’ Dependência de Vkk’ com 

 retardamento devido ao fato
de que velast << vF
Então, se a interação entre elétrons pode, sob certas
circunstâncias, ser atrativa, deve-se esperar que o espectro
perto de F sofra mudanças cruciais.

• O problema de Cooper
• O estado fundamental BCS
• Teoria BCS a temperatura finita
IV. A Teoria de Bardeen, Cooper e Schrieffer
1. O problema de Cooper (1956)
Dois elétrons interagindo atrativamente em presença de um
mar de Fermi preenchido podem formar um estado ligado?

Sim, com energia de ligação

dada por

F 
E  2 D exp  1


vD( F )

intensidade da Densidade de
interação e-e estados no nível
de Fermi

 (|k|)  parte orbital simétrica  parte de spin anti-simétrica

 par num estado singlete: S = 0
2. O Estado Fundamental BCS (1957)
Elétrons, com energias próximas, interagindo atrativamente
aos pares:

 v se  k   D e  k '   D
Vkk ' 
0 em outros casos

k-q q k’+ q Momento do CM do par se

conserva:
K = k + k’ = (k – q) + (k’+ q)
k k’
Aproximação: superfície de Fermi esférica

Para que dois elétrons interajam, eles devem ter energia

dentro de uma casca com a energia de Debye; que valor
de K otimiza os efeitos da interação?

kF
Para superfícies de Fermi esféricas, o maior número de
estados envolvidos ocorre quando K = 0
A Hamiltoniana BCS:

 
H  (k ) ck ck 
 Vkk ' bk bk '
k k ,k '

bk  ck ck

termo livre (banda)

Solução variacional:

1  gk bk
  0
2
k
1 gk
 Densidades de estados (eletrons quase-livres ou tight-binding)

Isolante ou
Semicondutor Metal

As somas em k podem ser expressas em integrais sobre energias:

Ld
k

2  
d
d d k  
 d D( )
(k )
A equação do gap:

1 k'
k  
V0 V
k'
kk '
2 Ek '
, com Ek  (k ) 2  2k

 k  (k )(T )

 1 onda - s

(k )  cos k x  cos k y onda - d x 2  y 2
 SUC’s
sen k x sen k y onda - d xy convencionais
 A equação do gap fornece, então,

 D
   D exp 1 vD( F )
2 senh1 vD( F )

onde supusemos acoplamento fraco: vD(F) << 1

 é o gap de energia para as excitações elementares, e Ek é
a energia das quase-partículas
Ek / F

k/kF
Noção elementar de quase-partículas (superfluidez em 4He):
 A modificação no espectro pode ser esquematizada da seguinte
forma:

Estados
desocupados
F 2

Estados
ocupados

Gás de e `s + interação atrativa

 Condução por pares (cada par tem KCM=k1+k2):

E
todos têm

energia

energia
KCM = 0

momento momento
Para um par “sentir” a impureza teria que ser quebrado:
KCM  KCM dos demais pares 
 alto custo energético (gap!)
Ao formarem pares, os elétrons “se vacinam” contra as fontes de
resistência
 ( T)(0)
A equação do gap é
resolvida para (T ),
e, para   0, obtém-
se Tc

T/Tc

k BTc  0.567  D exp1 vD( F )

V. Supercondutores de Alta Temperatura
O diagrama de fases: