Semicondutores: Níveis de Energia e Bandas

Semicondutores
01- O que so nveis de energia? Cite exemplos. A maneira com que os eltrons se distribuem nas rbitas em torno do ncleo do tomo no aleatria. Segue regras bem definidas, que so as mesmas para todos os elementos. Um eltron em rbita tem uma energia potencial que depende da sua distncia at o ncleo e uma energia cintica que depende da sua velocidade. A soma de ambas a energia total do eltron. Conforme a Teoria Quntica os estados da matria no variam continuamente, mas sim em pequenos intervalos discretos, chamados quanta. No mundo prtico isso no perceptvel porque os valores so muito pequenos, mas, os eltrons so partculas elementares e o seu comportamento bem definido por tais intervalos. Assim, a energia total que o eltron pode ter definida em valores discretos e, portanto, ele s pode ocupar determinadas rbitas ou nveis de energia. Os nveis possveis so sete podendo ser representados pelos nmeros 1, 2, 3, 4, 5, 6 e 7 ou pelas letras K, L, M, N, O, P e Q. Para os 113 elementos qumicos conhecidos, segundo o princpio de excluso de Pauli, o nmero mximo de eltrons em cada nvel 2, 8, 18, 32, 32, 18, 4, respectivamente, conforme representado na figura seguinte.
regra geral na natureza a estabilizao na menor energia possvel. Assim, os nveis so preenchidos na seqncia do menor para o maior e um nvel s poder conter eltrons se o anterior estiver completo.
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Em cada camada ou nvel de energia, os eltrons se distribuem em subcamadas ou subnveis, representados pelas letras s, p, d, f, em ordem crescente de energia. O nmero mximo de eltrons de cada subnvel tambm foi determinado experimentalmente:
O nmero de subnveis que constituem cada nvel de energia depende do nmero mximo de eltrons que cabem em cada nvel. Assim, como no primeiro nvel cabem no mximo 2 eltrons este nvel apresenta apenas um subnvel s, no qual cabem os dois eltrons. O subnvel s do primeiro nvel de energia representado por 1s. Como no segundo nvel cabem no mximo 8 eltrons, o segundo nvel constitudo de um subnvel s, no qual ficam 2 eltrons, e um subnvel p, com no mximo 6 eltrons. Deste modo o segundo nvel e formado por dois subnveis representados por 2s 2p, e assim por diante.
Linus Gari Pauling (1901-1994), qumico americano, elaborou um dispositivo prtico que permite colocar todos os subnveis de energia conhecidos em ordem crescente de energia. o processo das diagonais, denominado Diagrama de Pauling, representado a seguir.
Vejamos um exemplo:
A camada de valncia do As (arsnio), cujo nmero atmico 33, a camada N, pois o ltimo nvel que contm eltrons. A distribuio eletrnica deste tomo fica assim: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 3d10 4p3 O nmero 4 corresponde camada N. O subnvel p da camada N, neste caso no est completo, pois sobraram apenas 3 eltrons para este subnvel. A camada N, neste caso formada pelos subnveis s e p, soma um total de 5 eltrons. Quando completa, esta camada (N) comporta at 32 eltrons, pois formada pelos subnveis s, p, d e f. 02- O que um cristal ? cite exemplos com imagens.
Cristais de quartzo so muito utilizados em circuitos osciladores, pela preciso de sua frequncia natural. A frequncia de um cristal depende da geometria de corte deste cristal. Os fabricantes conhecem perfeitamente esta tcnica e podem fabricar
cristais com as mais variadas frequncias. o item bsico de sistemas de rdio comunicao. Em muitos circuitos eletrnicos se utilizam cristais para produzir uma frequncia padro ou multiplos desta frequncia. As frequencias dos processadores de computador, por exemplo, so geradas a partir de um oscilador a cristal. Exemplo: Em eletrnica o cristal de quartzo est presente em quase tudo. Desde um simples controle remoto at sofisticados sistemas de transmisso. Para saber se o circuito oscilador est funcionando corretamente se utiliza um frequencmetro, que dever ter escala adequada frequncia que est sendo medida.
03- O que so Bandas de Energia ? Quando os tomos no esto isolados, mas juntos em um material slido, as foras de interao entre eles so significativas. Isso provoca uma alterao nos nveis de energia acima da valncia. Podem existir nveis de energia no permitidos, logo acima da valncia. Para que um material conduza eletricidade, necessrio que os eltrons de valncia, sob ao de um potencial eltrico aplicado, saltem do nvel de valncia para um nvel ou banda de conduo.
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Conforme a figura ao lado, em um material condutor quase no existem nveis ou banda de energia proibidos entre a conduo e a valncia e, portanto, a corrente flui facilmente sob a ao do campo eltrico. Um material isolante apresenta uma banda proibida de grande extenso entre a valncia e conduo. Pos isso, dificilmente h conduo da corrente. Os semicondutores possuem bandas proibidas com larguras intermedirias. Isso significa que podem apresentar alguma conduo, melhor que a dos isolantes, mas pior que a dos condutores. Os materiais semicondutores so slidos ou lquidos, capazes de mudar com certa facilidade de sua condio de isolante para a de condutor. Isto , podem sofrer grandes alteraes em sua condutividade, pois a quantidade de energia necessria para retirar um eltron da banda de valncia e lev-lo para a banda de conduo intermediria entre a energia necessria para o isolante e o condutor. Em baixas temperaturas, os semicondutores puros comportam-se como isolantes. Sob temperaturas mais altas, ou luz ou com a adio de impurezas, porm, pode ser aumentada drasticamente a sua condutividade, podendo-se alcanar nveis que se aproximam dos metais.
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04- o que banda de valncia? Como a banda de valncia de um semicondutor? E o dieltrico e um condutor?
Dentro de um slido as energias possveis dos eltrons esto agrupadas em bandas permitidas separadas por bandas proibidas devido periodicidade do potencial criado por ons em slidos. A Figura 1 mostra a representao das bandas de energia em um slido. As bandas de energia mais profundas completamente ocupadas por eltrons so chamadas de bandas de valncia, essas so inertes do ponto de vista eltrico e trmico. Correspondem aos nveis atmicos de energia mais baixa apenas levemente afetados pela presena de outros tomos no cristal. A banda parcialmente preenchida chamada de banda de conduo. Para um slido em que o nvel de energia mais alto ocupado EF no zero absoluto est localizado dentro de uma banda permitida os eltrons podem ento ser acelerados livremente desde que os nveis de energia mais altos sejam acessveis a esses, esse um condutor. Em um condutor os eltrons com mais altas energias se comportam aproximadamente como se fossem partculas livres. Em um slido em que o estado fundamental constitudo por bandas permitidas inteiramente ocupadas,EF ser ento igual ao limite superior de uma banda permitida. Assim os eltrons no podem ser acelerados, pois o os nveis de energia imediatamente superiores so proibidos. Esse um isolante.
Figura 1: Representao esquemtica dos nveis individuais de energia ocupados por eltrons no zero absoluto, onde EF o mais alto nvel ocupado.
Em um isolante os eltrons podem ser excitados apenas atravessando a banda proibida.Um bom isolante em uma temperatura T qualquer deve ter E >> kBT. Se E igual ou da ordem de kBT, certo nmero de eltrons pode deixar a banda de valncia para ocupar estados imediatamente superiores desocupados das bandas permitidas (nveis que estariam completamente desocupados no zero absoluto ). O cristal possui ento de eltrons de conduo, porm em nmero restrito, este um semicondutor intrnseco. Portanto, a condutividade de num semicondutor intrnseco cresce rapidamente com a temperatura. At ento foram considerados apenas materiais puros e sem imperfeies, fato que, na prtica, no ocorre . Todos os slidos tm imperfeies e impurezas. A presena de impurezas em sua estrutura de alguns materiais pode alterar, esses so classificados de extrnsecos.
Figura 2: Representao dos nveis de energia em semicondutores extrnsecos do (a) Tipo-n e (b) Tipo-p. Onde Ed o nvel de energia doador, Ea o nvel de energia aceitador, Ev o mais alto nvel de energia ocupado na banda de valncia e Ec o mais baixo nvel de energia desocupado. As impurezas desempenham um papel muito importante nos semicondutores. Esses quando contendo concentraes pequenas e controladas de impurezas diz-se que esto dopados. Tais impurezas quebram a regularidade da rede cristalina afetando os nveis de energia e fornecendo novos portadores de corrente. As impurezas em semicondutores podem se dar de duas formas: Tipo-n e Tipo-p. A Figura 2 mostra a os nveis de energia em semicondutores extrnsecos do (a) Tipo-n e (b) Tipo-p.
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Num semicondutor do tipo-n as impurezas introduzem na banda proibida um novo nvel de energia Ed prximo ao mais baixo nvel de energia desocupado Ec. A esse tipo diz-se uma impureza doadora. Enquanto que num semicondutor do tipo-p o novo nvel de energia Ed introduzido prximo ao mais alto nvel de energia ocupado na banda de valncia Ev. A esse tipo diz-se que uma impureza aceitadora por todo contorno.
05- Defina um material intrnseco. Na figura ao lado apresentam-se os tomos de dois materiais semicondutores intrnsecos ou puros, o silcio (Si) e o germnio (Ge). Os semicondutores intrnsecos ou puros so aqueles encontrados em estado natural. Ambos so elementos tetravalentes, ou seja, que possuem quatro eltrons na camada de valncia, permitindo, assim, que os seus tomos faam quatro ligaes covalentes ou de compartilhamento de eltrons, para tornarem-se estveis.
Existem, ainda, os semicondutores III-V que so formados por um elemento trivalente, o GaAs (Arseneto de Glio) e por um elemento pentavalente, InP (Fosfeto de ndio). Porm, o material semicondutor intrnseco mais utilizado o silcio que abundante na natureza, sendo encontrado nos cristais de quartzo (areia).
06- O que um processo de dopagem?
Adio ao cristal intrnseco de pequena quantidade de impurezas, com propriedades adequadas, de forma a afetar o comportamento eltrico do semicondutor da maneira desejada. Existem dopantes doadores e receptores que produzem os semicondutores tipo P e tipo N. Existem trs elementos comuns na dopagem eletrnica so o Carbono, o Silcio e o Germnio. Todos possuem quatro eltrons na ltima camada de valncia, o que possibilita que formem cristais, j que compartilham seus eltrons com os tomos vizinhos, formando estruturas cristalinas. 07- Como pode ser obtido um material tipo N? Um semicondutor tipo-N obtido atravs do processo de dopagem em que se adiciona um composto, normalmente pentavalente, isto , com 5 eltrons na camada de valncia, ao semicondutor para aumentar o nmero de portadores de carga livres (neste caso negativos, eltrons livres). O fsforo comumente utilizado como dopante doador do silcio, formando um semicondutor tipo-N. Quando o material dopante adicionado, este aporta seus eltrons mais fracamente ligados aos tomos do semicondutor. Este tipo de agente dopante tambm conhecido como material doador j que cede um de seus eltrons ao semicondutor. O propsito da dopagem tipo N o de produzir abundncia de eltrons livres no material. Para ajudar a entender como se produz a dopagem tipo N considerese o caso do silcio (Si). Os tomos do silcio tm uma valncia atmica de quatro, portanto forma-se uma ligao covalente com cada um dos tomos de silcio adjacentes. Se um tomo com cinco eltrons de valncia, tais como os do grupo VA da tabela peridica [ex: fsforo (P), arsnico (As) ou antimnio (Sb)], se incorpora rede cristalina no lugar de um tomo de silcio, ento este tomo ter quatro ligaes covalentes e um eltron no ligado. Este eltron extra d como resultado a formao de eltrons livres, o nmero de eltrons no material supera amplamente o nmero de lacunas, neste caso os eltrons so portadores majoritrios e as lacunas portadores minoritrios. Pelo fato de que os tomos com cinco eltrons de valncia tm um eltron extra para "dar" eles so chamados tomos doadores. Note-se que cada eltron livre no semicondutor nunca est distante de um on dopante positivo imvel, e o material dopado tipo N geralmente tem uma carga eltrica lquida final igual a zero.
08- Como pode ser obtido um material do tipo P? Um semicondutor tipo-P obtido atravs do processo de dopagem, adicionando-se um certo tipo de composto, normalmente trivalente, isto , com 3 eltrons na camada de valncia, ao semicondutor para aumentar o nmero de portadores de carga livres (neste caso positivas, lacunas). O boro um elemento que pode ser usado na dopagem do silcio, formando um semicondutor tipo-P. O propsito da dopagem tipo-P criar abundncia de lacunas. No caso do silcio, uma impureza trivalente deixa uma ligao covalente incompleta, fazendo que, por difuso, um dos tomos vizinhos ceda-lhe um eltron completando assim as suas quatro ligaes. Assim os dopantes criam as lacunas. Cada lacuna est associada com um on prximo carregado negativamente, portanto o semicondutor mantm-se eletricamente neutro. Entretanto quando cada lacuna se move pela rede, um prton do tomo situado na posio da lacuna se v "exposto" e logo se v equilibrado por um eltron. Por esta razo uma lacuna comporta-se como uma carga positiva. Quando um nmero suficiente de aceitadores de carga so adicionados, as lacunas superam amplamente a excitao trmica dos eltrons. Assim, as lacunas so os portadores majoritrios, enquanto os eltrons so os portadores minoritrios nos materiais tipo P. Os diamantes azuis (tipo IIb), que contm impurezas de boro (B), so um exemplo de semicondutor tipo P que se produz de maneira natural.
09- O que uma barreira de potencial? Ao unir ambos os cristais, manifesta-se uma difuso de eltrons do cristal N ao P (Je). Ao se estabelecer estas correntes aparecem cargas fixas em uma zona em ambos os lados da juno, zona que recebe diferentes denominaes como barreira interna de potencial, zona de carga espacial, de esgotamento ou empobrecimento, de esvaziamento, etc. medida que progride o processo de difuso, a zona de carga espacial vai aumentando sua largura aprofundando-se nos cristais em ambos os lados da juno. A acumulao de ons positivos na zona N e de ons negativos na zona P, cria um campo eltrico (E) que atuar sobre os eltrons livres da zona N com uma
determinada fora de deslocamento, que se opor corrente de eltrons e terminar por det-los. A criao de ions positivos na zona N (e negativos na zona P) deve-se que as impurezas N so pentavalentes, logo ao cederem o seu electron, h mais protons que electrons criando assim um on positivo, da mesma maneira que a impureza P trivalente, ao ganhar um electron fica carregada negativamente pois fica com excesso de electrons relativamente aos protons. Este campo eltrico equivalente a dizer que aparece uma diferena de tenso entre as zonas P e N. Esta diferena de potencial de contato (V0) de 0,7 V no caso do silcio e 0,3 V se os cristais so de germnio. 10- O um Transistor? O transstor ou transistor um componente eletrnico que comeou a popularizar-se na dcada de 1950, tendo sido o principal responsvel pela revoluo da eletrnica na dcada de 1960. So utilizados principalmente como amplificadores e interruptores de sinais eltricos, tambm so usados como retificadores eltricos em um circuito podendo ter variadas funes . O termo provm do ingls transfer resistor (resistor/resistncia de transferncia), como era conhecido pelos seus inventores. O processo de transferncia de resistncia, no caso de um circuito analgico, significa que a impedncia caracterstica do componente varia para cima ou para baixo da polarizao pr-estabelecida. Graas a esta funo, a corrente eltrica que passa entre coletor e emissor do transistor varia dentro de determinados parmetros prestabelecidos pelo projetista do circuito eletrnico. Esta variao feita atravs da variao de corrente num dos terminais chamados base, o que, consequentemente, ocasiona o processo de amplificao de sinal. Entende-se por amplificar o procedimento de tornar um sinal eltrico mais fraco num mais forte. Um sinal eltrico de baixa intensidade, como os sinais gerados por um microfone, injetado num circuito eletrnico (transistorizado por exemplo), cuja funo principal transformar este sinal fraco gerado pelo microfone em sinais eltricos com as mesmas caractersticas, mas com potncia suficiente para excitar os alto-falantes. A este processo todo d-se o nome de ganho de sinal.
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11- Quais so os tipos de transistores existentes ? Existem uma infinidade te tipos de transistores no mercado hoje; tem transistor de baixa potencia, mdia e alta potencia; transistores pra uso em frequencia baixa, alta e RF; existem transistores bipolar, fet, unijuno; enfim existem transistor pra todos os fins. Ex: FET o acrnimo em ingls de Field Effect Transistor, Transistor de Efeito de Campo, que, como o prprio nome diz, funciona atravs do efeito de um campo eltrico na juno. Este tipo de transitor tem muitas aplicaes na rea de amplificadores (operando na area linear), em chaves (operando fora da area linear) ou em controle de corrente sobre uma carga. Os FETs tm como principal caracteristica uma elevada impedncia de entrada o que permite seu uso como adaptador de impedncias podendo substituirtransformadores em determinadas situaes,alm disso so usados para amplificar frequncias altas com ganho superior ao dostransistores bipolares.
O transstor (ou transistor) de juno bipolar, TJB, (bipolar junction transistor, BJT, em ingls), o tipo de transstor mais comum, devido sua facilidade de polarizao e durabilidade. Recebe este nome porque o processo de conduo realizado por dois tipos de carga - positiva (lacunas) e negativa (electres). O transstor de juno bipolar foi o primeiro tipo de transistor a ser produzido, e que valeu o Prmio Nobel, aos seus inventores. At hoje, permanece como o nico prmio Nobel a ser atribudo a um dispositivo de engenharia. Os primeiros transstores foram produzidos com Germnio e passado algum tempo comeou a ser utilizado o Silcio. O objetivo dos inventores foi substituir as vlvulas termoinicas, que consumiam muita energia, tinham muito baixo rendimento e funcionavam com tenses da ordem das centenas de volts.
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Os TJBs so considerados quadripolos (sendo um dos seus terminais comum aos circuito de entrada e de sada) e dadas as suas caractersticas de amplificao, o modelo que melhor representa o seu funcionamento utiliza os denominados parmetros h, tambm designados parmetros hbridos. Os transstores de efeito de campo (TEC) ou Field Effect Transistor (FET) em ingls, utilizam os parmetros g, tambm designados parmetros de transcondutncia. Transistor de unijuno (UJT) um transistor que pode ser utilizado em osciladores de baixa freqncia, disparadores, estabilizadores, geradores de sinais, dentes de serra e em sistemas temporizados. Na eletrnica, o transistor Darlington um dispositivo semicondutor que combina dois transstores bipolares no mesmo encapsulamento (as vezes chamado par Darlington). A configurao (originalmente realizada com dois transistores separados) foi inventada pelo engenheiro Sidney Darlington do Bell Labs. A ideia de por dois ou trs transistores em um mesmo chip foi patentada por ele, mas no a ideia de por um nmero arbitrrio de transistores, o que originaria o conceito moderno de circuitos integrados. Esta configurao serve para que o dispositivo seja capaz de proporcionar um grande ganho de corrente (hFE ou parmetro do transistor) e, por estar todo integrado, requer menos espao do que o dos transistores normais na mesma configurao. O Ganho total do Darlington produto do ganho dos transistores individuais. Um dispositivo tpico tem um ganho de corrente de 1000 ou superior. Comparado a um transistor comum, apresenta uma maior defasagem em altas frequncias, por isso pode tornar-se facilmente instvel. A tenso base-emissor tambm maior. consiste da soma das tenses base-emissor, e para transistores de silcio superior a 1.2V.
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12-Como so fabricados os transistores bipolares? E o tipo FET?
Uma combinao de tipos diferentes de semicondutores compe o transistor, um dispositivo que pode ser empregado como uma vlvula de triodo, substituindo-a em amplificadores e outros circuitos eletrnicos. E, admiravelmente, ao contrrio da vlvula, o transistor no consome energia (a vlvula usa energia para aquecer seu catodo) e pode ser confeccionado em dimenses microscpicas, de maneira que centenas deles possam ser incorporados a um chip de slica medindo apenas uns poucos milmetros. O material semicondutor mais usado na fabricao de transistores o silcio. Contudo, o primeiro transistor foi fabricado em germnio. O silcio prefervel, essencialmente, porque possibilita o funcionamento a temperaturas mais elevadas (175 C, quando comparado com os ~75C dos transistores de germnio) e tambm porque apresenta correntes de fuga menores. O transistor permite a amplificao e comutao de sinais, tendo substitudo as vlvulas termo-inicas na maior parte das aplicaes. O transistor de juno bipolar um dos componentes mais importantes na Eletrnica. um dispositivo com trs terminais, sendo possvel usar a tenso entre dois dos terminais para controlar o fluxo de corrente no terceiro terminal, ou seja, obter uma fonte controlvel. Este dispositivo formado por duas junes PN em srie, podendo apresentar as configuraes PNP e NPN. Os transistores NPN so os mais comuns, basicamente, porque a mobilidade dos eltrons muito superior das lacunas, isto , os eltrons movemse mais facilmente ao longo da estrutura cristalina, o que traz vantagens significativas no processamento de sinais de alta freqncia. E so, tambm, mais adequados produo em massa. No entanto, deve-se salientar que, em vrias situaes, muito til ter os dois tipos de transistores num circuito.Um transistor de efeito de campo (FET - Junction Field Efect Transistor) pode ser de dois tipos: a) J-FET O J-FET canal N constitudo basicamente por uma juno PN,sendo ambos os extremos da regio N dotada de terminais (Dreno e Fonte), formando a regio P (Gate ou porta) um anel em volta da regio N. Se ligarmos uma bateria entre os terminais da regio N circular uma corrente limitada apenas pela
resistncia do material semicondutor. Porm, se polarizarmos inversamente a juno PN (Gate negativa em relao Fonte), formar-se- uma zona de depleo em volta da juno PN. Devido a esse fato, ficar mais estreito o canal o que equivale a um aumento da resistncia interna da regio N.
Atravs da Gate podemos determinar o maior ou menor fluxo de corrente entre os terminais Fonte e Dreno. Fixando o valor da tenso dreno-fonte (VDS), a corrente de dreno (ID) ser funo da polarizao inversa do Gate que variar a espessura do canal por variao da zona de depleo. Os Mos-FETs tipo depleo so semelhantes aos J-FET, tendo aplicaes semelhantes, geralmente como amplificadores de sinais. A zona P mais larga, sendo o canal restrito apequenas pores de material N junto fonte e a odreno. Tal como no FET de empobrecimento, o gate ou porta isolado do canal por uma camada de xido de silcio. Neste transistor, no entanto, a porta ou gate recebe uma tenso positiva em relao fonte, de modo que o campo eletrosttico assim formado, em vez de repelir os eltrons, os atrai, formando um canal N entre a fonte e o dreno (o tracejado na figura). A formao deste canal permite, ento, a circulao da corrente de dreno (ID) cuja intensidade ir depender da tenso de gate (VG), j que a profundidade do canal entre a Fonte e o Dreno ser determinada pelo campo eletrosttico. Se a tenso gate fonte (VGS) for nula no se formar o canal induzido e logo no haver corrente de dreno (ID).
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