INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAO, CINCIA E

TECNOLOGIA DO CEAR IFCE.

CURSO DE ENGENHARIA DE MECATRNICA

PROPRIEDADES ELTRICAS DOS MATERIAIS.

BRBARA BARROS
FLAVIENNE SOARES
FRANCISCO ADAILTON
MARIA RAYANNE
MATHEUS ALBUQUERQUE
NILTON ALENCAR

ABORDAGEM EXPLICATIVA SOBRE O CONTEDO DE

PROPRIEDADES ELTRICAS DOS MATERIAIS.

Fortaleza CE
Maio/ 2014
BRBARA BARROS
FLAVIENNE SOARES
FRANCISCO ADAILTON
MARIA RAYANNE
MATHEUS ALBUQUERQUE
NILTON ALENCAR

ABORDAGEM EXPLICATIVA SOBRE O CONTEDO DE

PROPRIEDADES ELTRICAS DOS MATERIAIS.

Texto sobre as propriedades eltricas dos

materiais com o intuito de desenvolver uma
teoria sobre o assunto em destaque, sendo
requisito parcial para a disciplina de Cincias
dos Materiais do curso de Engenharia de
Mecatrnica Instituto Federal de Educao
Cincia e Tecnologia do Cear.
Orientador: Prof. Dr. Eloy Macedo.

Fortaleza - CE
Maio / 2014
Sumrio
1. Introduo
2. Lei de Ohm, Condutividade Eltrica e Conduo Eletrnica e Inica.
3. Conduo Eletrnica e Inica
4. Estruturas da Banda de Energia nos Slidos
5. Conduo em Termos de Bandas e Modelos de Ligao Atmica
6. Mobilidade Eletrnica
7. Resistividade Eltrica dos Metais
8. Caractersticas Eltricas de Ligas Comerciais
9. Semiconduo Intrnseca
10. Semiconduo Extrnseca
11. A Variao da Condutividade e da Concentrao de Portadores com
a Temperatura
12. O Efeito Hall
13. Dispositivos Semicondutores
14. Conduo nos Materiais Inicos
15. Propriedades Eltricas dos Polmeros
16. Capacitncia
17. Vetores de Campo e Polarizao
18. Tipos de Polarizao
19. Dependncia da Constante Dieltrica em Relao Frequncia
20. Materiais Dieltricos
2

21. Resistncia Dieltrica

22. Ferroeletricidade
23. Piezoeletricidade
24. Concluso
25. Referncias Bibliogrficas

1. Introduo
O comportamento eltrico normalmente um fator crtico na seleo
de materiais. Os comportamentos eltricos dos diferentes materiais so
diversos. O principal objetivo desse trabalho explorar as propriedades
eltricas dos materiais, isto , as suas respostas aplicao de um campo
eltrico.
A conduo eltrica o resultado do movimento de portadores de
carga (como os eltrons) dentro do material, encontrando assim uma
manifestao do conceito de que a estrutura atmica e microscpica leva s
propriedades.
A facilidade ou dificuldade de conduo eltrica em um material pode
ser entendida retornando-se ao conceito de nveis de energia. Nos materiais
slidos, nveis de energia discretos do caminho s bandas de energia,
pois, o espaamento relativo dessas bandas que determina a magnitude
da condutividade.
Os metais, com grandes valores de condutividade. Cermicas, vidros
e polmeros, com pequenos valores de condutividade, so chamados de
isolantes. Semicondutores, com valores intermedirios de condutividade,
so mais bem definidos pela natureza mpar de sua conduo eltrica.
2. Lei de Ohm, Condutividade Eltrica e Conduo Eletrnica e Inica
Iniciamos o estudo das propriedades eltricas falando sobre
correntes eltricas, isto , cargas em movimento. Embora uma corrente
eltrica seja um fluxo de cargas em movimento, nem todas as cargas em
movimento constituem uma corrente eltrica. Quando dizemos que uma

corrente eltrica passa atravs de uma determinada superfcie, porque

deve existir um fluxo lquido de cargas atravs daquela superfcie.
A conduo eltrica o resultado do movimento de portadores de
carga (como os eltrons) dentro do material.
Uma das caractersticas eltricas mais importantes do de um material
a facilidade com que ele transmite uma corrente eltrica. A caracterstica
do condutor, relevante na situao, a sua resistncia. A resistncia de um
condutor determinada por :
V
i

R=

(A Primeira Lei de Ohm)

onde V a diferena de potencial entre aquelas superfcies e i a corrente.

A resistncia medida em ohm (). Um condutor cuja funo num circuito
fornecer uma resistncia especfica chamado de resistor. A resistncia R
de um fio condutor de comprimento L e seo transversal uniforme
L
A

R=

(A Segunda Lei de Ohm)

em que A a rea da seo transversal.

A resistividade definida pela suposio que os eltrons de
conduo num metal so livres para moverem-se do mesmo modo que as
molculas de um gs. A resistividade do material, em vez de tratarmos da
corrente i atravs do resistor, tratamos da densidade de corrente J,
definindo como:

E
J

ou =

m
e nt

( Frmulas da Resistividade)

E condutividade eltrica como:

(Condutividade Eltrica)
4

Um resistor um condutor com uma resistncia especfica. A Lei de

Ohm afirma que a corrente fluindo atravs de um dispositivo diretamente
proporcional diferena de potencial aplicada ao dispositivo. Um
dispositivo condutor obedece lei quando uma resistncia independente
do valor e da polaridade da diferena de potencial aplicada.
A Segunda Lei de Ohm pode ser expressa como
J= E

(Segunda Lei de Ohm)

em que J a densidade de corrente e E a intensidade do campo eltrico,

ou a diferena de voltagem entre dois pontos dividida pela distncia que os
separa, ou seja,

E=

V
l

( Campo Eltrico)

Uma forma de classificar os materiais slidos de acordo com a

facilidade pela qual eles conduzem uma corrente eltrica; nesse esquema
de classificao, existem trs grupos: condutores, semicondutores e
isolantes.
Os condutores so materiais nos quais as cargas eltricas se
movem com mais facilidade em seu interior, como os metais. Os nocondutores, ou isolantes, so materiais nos quais as cargas no podem se
mover, como os plsticos, a borracha e o vidro. Os semi-condutores so
materiais com propriedades eltricas intermediarias entre as dos
condutores e as dos semi-condutores, como o silcio e o germnio.
Uma

corrente

eltrica

resulta

do

movimento

de

partculas

eletricamente carregadas em resposta a foras que atuam sobre elas a

partir de um campo eltrico externamente aplicado. As partculas
carregadas positivamente so aceleradas na direo do campo, enquanto
as partculas carregadas negativamente so aceleradas na direo oposta.
Na maioria dos materiais slidos, uma corrente tem origem a partir do fluxo
de eltrons, o que denominado conduo eletrnica. Nos materiais
5

inicos, possvel haver um movimento resultante de ons carregados, o

que produz uma corrente; esse fenmeno denominado conduo inica.
3. Estruturas da Banda de Energia nos Slidos
Para

definirmos

as

bandas

de

energia

necessrio,

primeiramente, relembramos alguns conceitos da distribuio eletrnica

dos tomos. Cada eltron ocupa uma posio dentro do tomo que
est ligada ao seu estado energtico. A caracterizao de cada eltron
inclui, basicamente, a sua camada, a subcamada, o estado dentro de
cada subcamada e o seu spin. Em geral, os eltrons tendem a estar
sempre no estado de menor energia possvel dentro do tomo e, se h
dois tomos dentro do mesmo estado, esses tm que ter spins opostos.
Agora, suponhamos um arranjo de tomos, de um determinado
metal. Pegando o sdio como exemplo, os subnveis de menos energia
permanecero, praticamente, inalterados. Porm a camada mais externa
de eltrons (no caso, o nvel 3s) influenciada fortemente pelo conjunto
de tomos existente, principalmente devido ao fato de, nos metais, os
eltrons mais externos estarem livres (formando uma nuvem
eletrnica) na ligao metlica.
Essa influencia que cada eltron de valncia sofre faz surgir
vrios estados energticos na camada mais externa, formando uma
banda de energia extremamente estreita, que corresponde camada de
valncia dos tomos de sdio. Vale ressaltar que essa banda de energia
tida como diversos estados discretos (ou seja, descontnuos) de
energia, porm com uma separao muito pequena de uma para a
outra.

Fig. 1 Nvel de energia das bandas e ampliao dos diversos estados energticos.

4. Conduo em Termos de Bandas e Modelos de Ligao Atmica

O estudo dessas bandas de energia (que influenciam diretamente
nas propriedades eltricas do material) feito, em geral, temperatura
de zero absoluto (0 K). A essa temperatura, a energia do estado
preenchido mais alto denominada energia (ou nvel) de Fermi,
simbolizado por Ef. Abaixo, tem-se uma figura representando as bandas
de energia possveis para os slidos a 0 K.

A partir da energia de Fermi podemos definir o conceito de

eltrons livres, que sero os eltrons utilizados durante o processo de
conduo do material. Porm, somente os eltrons que podem ser
acelerados por um campo eltrico (ou seja, os que possuem energia
7

maior que a Ef) so denominados de eltrons livres. Assim os eltrons s

precisam atingir o nvel energtico de um dos estados de energia vazios
acima da energia de Fermi.
Nos metais, a energia necessria para promover um eltron para
o estado vazio de energia mais prximo ao E f muito pequena gerando,
assim, um grande nmero de eltrons livres. Logo, pode-se concluir que,
com uma elevada quantidade de eltrons livres, os metais possuem uma
elevada condutividade.
J nos semicondutores e isolantes, a condutividade pode ser
influenciada por trs fatores: espaamento entre as bandas (de valncia
e de conduo), temperatura e modelo de ligao atmica. Nesses
materiais, os eltrons tm que ser levado da banda de valncia
preenchida at a vazia. Para isso necessrio que seja fornecido um
valor energtico ao eltron de, aproximadamente, o valor da energia do
espaamento entre as bandas (denominado E e ou Eg). Assim, o valor
energtico necessrio para que um eltron seja levado para a banda
vazia bastante elevado, ocasionando uma baixa condutividade.
Analisando a temperatura temos que, com o aumento da
temperatura h um aumento energtico disponvel para os eltrons,
ocasionando em uma maior quantidade de eltrons podendo chegar a
banda de conduo (ou vazia). Quanto ao tipo de ligao, os
semicondutores tm como caracterstica possuir uma ligao do tipo
covalente, onde os eltrons esto parcialmente presos aos tomos,
tendo uma relativa mobilidade. J nos isolantes que possuem ligao
inica ou fortemente covalente, os eltrons esto praticamente presos
ao material, no estando livres. Assim, os eltrons se movem mais
facilmente nos semicondutores que nos isolantes.

5. Mobilidade Eletrnica
Os eltrons livres de um material, ao serem submetidos a um
campo eltrico, so acelerados e geram uma corrente. Porm, o
movimento desses eltrons livres influenciado por diversos fatores que
servem como foras de atrito. Essas foras aparecem devido ao
espalhamento dos eltrons e so ocasionadas pelas imperfeies do
retculo (tomos de impurezas, lacunas, discordncias).
Mas mesmo com essa fora contrria ao movimento dos eltrons
livres, esses ainda se movem na direo da acelerao gerada pelo
campo (no que podemos chamas de deslocamento lquido). A descrio
desse espalhamento (que funciona como uma medida da resistncia do
material passagem de corrente eltrica) pode ser feito atravs da
velocidade de arraste ( a ) como sendo:
a=e E
onde

o valor da mobilidade eletrnica. J a condutividade ( )

do material dada por:

=n e e
onde

o nmero de eltrons livres por unidade de volume e

indica o valor da carga eltrica elementar.

9

6. Resistividade Eltrica dos Metais

A resistividade definida como sendo o inverso da condutividade,
como j foi dito anteriormente. Logo, adequado o estudo da conduo
eltrica do ponto de vista da resistividade do material. Como j foi
discutido

anteriormente,

espalhamento

dos

as

eltrons

imperfeies
livres,

onde

cristalinas
as

geram

imperfeies

o
so

influenciadas pela temperatura, composio e grau de deformao a frio

da amostra. Atravs de experimentos descobriu-se que a resistividade
de um material pode ser dada a partir da soma das resistividades das
vibraes

trmicas,

das

impurezas

da

deformao

plstica

individualmente. Podemos descrever esse fato atravs da regra de

Matthiessen:
total= t + i + d
onde

t ,

representam, respectivamente, a resistividade

trmica, das impurezas e da deformao.

A influncia da temperatura na resistividade usada com bastante
frequncia j que foi descoberta experimentalmente a dependncia
linear da resistividade com o valor da temperatura como sendo:
t =rt [ 1+ ( T T rt ) ]
onde

rt

a resistividade do material temperatura ambiente,

coeficiente de temperatura da resistividade (caracterstico do material),

T

a temperatura a qual se quer calcular a resistividade e

T rt

valor da temperatura ambiente. Pode-se justificar esse aumento da

resistividade devido ao fato de aumentar as vibraes trmicas do
material.
A influencia das impurezas em um material analisada a partir de
uma equao dependente apenas da concentrao da impureza ( c i )
e dada por
i= A c i ( 1c i )

10

e A uma constante que independe da concentrao de impureza.

Dessa equao podemos perceber que a resistividade possui um valor
mximo para um determinado valor de concentrao de impureza, nunca
extrapolando

esse

valor, independente

da

concentrao.

deformao plstica no h um clculo especfico para sua influncia na

resistividade sabendo-se, apenas, que este fator ir aumentar o valor da
resistividade do material.
7. Caractersticas Eltricas de Ligas Comerciais
Algumas ligas apresentam caractersticas eltricas especficas,
adequando-se a determinadas condies de uso. Por exemplo, em
circuitos eltricos, com o intuito de diminuir dissipao de energia, so
utilizados materiais que possuem uma alta condutividade eltrica. As
ligas fabricadas a partir do cobre so as mais utilizadas em diversas
aplicaes eltricas. O alumnio tambm pode ser usado para a
conduo eltrica, no entanto, sua condutividade aproximadamente
metade da do cobre. A prata possui condutividade bem mais elevada
que os metais anteriormente mencionados. Porm, por ser um metal
nobre, o custo para a sua aplicao muito alto.
Para determinados propsitos, necessrio

manter

as

propriedades de alta condutividade ao mesmo tempo em que a

resistncia mecnica aumentada. Tal resistncia pode ser aumentada
a partir de uma deformao plstica frio ou pela formao de soluo
slida. Ambas as tcnicas acarretam em uma perda de condutividade.
Dessa maneira, um equilbrio entre as duas propriedades, condutividade
eltrica e resistncia mecnica, deve ser encontrado dependendo da
aplicao.
Outra

aplicao

de

ligas

comerciais

tem

relao

com

componentes de aquecimento. Nesse caso, materiais que possuem

elevada resistividade devem ser empregados. Isso porque quanto maior
a resistividade, maior ser a energia dissipada em forma de calor nesse
componente. Alm disso, propriedades como resistncia oxidao e
elevados pontos de fuso so requeridas.
8. Semiconduo Intrnseca
11

Os semicondutores possuem caractersticas intermedirias, em

relao condutividade eltrica, em comparao aos condutores e aos
isolantes. Eles so classificados, basicamente, em dois grupos: os
semicondutores intrnsecos e os extrnsecos. A diferenciao simples:
nos intrnsecos, as caractersticas de semicondutividade definida pela
configurao eletrnica do metal puro. J no outro subgrupo, o dos
condutores extrnsecos, sua semicondutividade estabelecida de
acordo com o nmero de impurezas presentes no material.
Os semicondutores apresentam uma configurao eletrnica
peculiar. Existe a camada de valncia dos tomos, camada mais externa
que possui valores de energia elevados. O eltron presente nesse
camada necessita ser excitado para se tornar um eltron livre. No
entanto, entre a camada de valncia e a zona de conduo, existe uma
zona proibida que tais eltrons devem ultrapassar. A dimenso dessa
zona bem inferior nos semicondutores do que nos materiais isolantes.
O germnio (Ge) e o silcio so os materiais semicondutores
tpicos, ambos possuem ligaes qumicas covalentes e pertencem ao
grupo IV A da tabela peridica. Outros materiais compostos tambm
possuem caractersticas de semicondutividade, tais como: arsenato de
glio (GaAs), antimoneto de ndio (InSb), sulfeto de cdmio (CdS) e o
telureto de zinco (ZnTe).
A tabela a seguir apresenta algumas caractersticas de alguns
materiais semicondutores:
Material

Si
Ge
GaP
GaAs
InSb
CdS
Zn Te

Espaament

Condutividad

Mobilidade

Mobilidade

o entre

e Eltrica [1/

do Eltron

do Buraco

Bandas (eV)
1,11
0,67
2,25
1,42
0,17
2,40
2,26

(-m)]
0,0004
2,2
0,001
20000
-

(m/V-s)
0,14
0,38
0,05
0,85
7,7
0,03
0,03

(m/V-s)
0,05
0,18
0,002
0,45
0,07
0,01

Tabela Energias dos Espaamentos entre Bandas, Mobilidade dos Eltrons e dos Buracos, e
Condutividades Eltricas Intrnsecas e Extrnsecas Temperatura Ambiente para Materiais
Semicondutores

12

Analisando-se a tabela, percebe-se que a condutividade eltrica

do germnio (Ge) consideravelmente superior a do silcio. Esse fato
est relacionado com as dimenses dos espaamentos entre bandas de
energia e outras propriedades como a mobilidade do eltron e do
buraco.
O conceito desse termo especfico, buraco, apresenta bastante
importncia na teoria dos semicondutores. Nesse tipo de material,
quando um eltron ,de alguma forma, excitado para uma banda de
energia superior, acaba sendo criada uma espcie de lacuna no lugar
onde tal eltron estava anteriormente.
Na presena de um campo eltrico, os eltrons de maior nvel de
energia tendem a ser acelerados no sentido oposto ao do campo. Se
considerarmos

buraco

como

sendo

um

regio

carregado

positivamente, pode-se considerar que o buraco se move no mesmo

sentido do campo eltrico.
Tem-se uma representao desse processo abaixo:

Figura 1. Modelo de configurao eletrnica para a conduo

eltrica no silcio intrnseco.

Portanto, existem dois portadores de cargas, os eltrons e os

buracos. Dessa forma, pode-se apresentar uma expresso que determine a
condutividade eltrica em semicondutores, levando-se em considerao
ambos os portadores:

13

 n. e . e p. e . p
Nesse caso, n e p so os nmeros de eltrons e buracos,
respectivamente. E a letra grega representa a mobilidade desses
portadores.
No caso especfico dos semicondutores intrnsecos, todo eltron que
excitado e se move na direo aposta ao do campo eltrico forma um
buraco, assim, n=p. Rearranjando-se a expresso anterior, obtm-se:

n. e .( e p ) p. e .( e p )

9. Semiconduo Extrnseca
(Digite (cole) seu texto aqui)
10. A Variao da Condutividade e da Concentrao de Portadores com
a Temperatura
(Digite (cole) seu texto aqui)
11. O Efeito Hall
(Digite (cole) seu texto aqui)
12. Dispositivos Semicondutores
(Digite (cole) seu texto aqui)
13. Conduo nos Materiais Inicos
(Digite (cole) seu texto aqui)
14. Propriedades Eltricas dos Polmeros

14

(Digite (cole) seu texto aqui)

15. Capacitncia
(Digite (cole) seu texto aqui)
16. Vetores de Campo e Polarizao
(Digite (cole) seu texto aqui)
17. Tipos de Polarizao
(Digite (cole) seu texto aqui)
18. Dependncia da Constante Dieltrica em Relao Frequncia
(Digite (cole) seu texto aqui)
19. Materiais Dieltricos
Os materiais dieltricos so materiais eletricamente isolantes, ou
seja, so materiais com baixa condutividade, nenhuma carga pode se
mover livremente. Conforme a tabela a seguir percebe-se uma diferena
de condutividade de cerca de 20 ordens de grandeza entre os materiais
condutores e isolantes, isso o resultado dos espaamentos entre as
bandas de energia maiores que 2 eV.

15

Tabela 1. Condutividades eltricas de alguns materiais em temperatura ambiente.

Esses

materiais

com

baixa

condutividade

so

aplicados

intensamente na indstria eletrnica. Uma variedade de materiais

cermicos e de polmeros utilizada em isolantes e/ou em capacitores.
O uso industrial dominante das cermicas eletrnicas inclui suas
aplicaes

baseadas

no

comportamento

magntico

intimamente

associado.
Muitos dos materiais cermicos, incluindo o vidro, a porcelana, a
esteatita e a mica, possuem constantes dieltricas dentro da faixa de 6 a
10. Pode-se observar na tabela seguinte.

16

Tabela 2. Constantes e resistncias dieltricas para alguns materiais dieltricos

Esses materiais tambm se caracterizam por exibirem um elevado

grau de estabilidade dimensional e de resistncia mecnica. Dentre suas
aplicaes tpicas incluem-se o isolamento eltrico e de linhas de
energia, bases de interruptores e bocais de lmpadas. A titnia (TiO 2) e
as cermicas base de titanato, tais como o titanato de brio (BaTiO 3),
podem ser fabricadas com constantes dieltricas extremamente
elevadas, o que as torna especialmente teis para algumas aplicaes
em capacitores.
Para os isolantes a densidade de eltrons extremamente
pequena, devido ao grande espaamento entre as bandas. Em muitos
casos, o pequeno grau de condutividade nos isolantes no o resultado
da promoo trmica dos eltrons atravs da separao entre as
bandas. Em vez disso, a pequena condutividade pode ser devida a
eltrons associados a impurezas no material. Ela tambm pode resultar
da conduo inica.

17

Figura 2. Um capacitor de placas paralelas envolve um isolante, ou dieltrico,

entre dois eletrodos metlicos. O acmulo de uma densidade de carga na
superfcie do capacitor est relacionado constante dieltrica do material.

A Figura anterior mostra o acmulo de cargas em uma aplicao

tpica usando um isolante, ou dieltrico, um capacitor de placas
paralelas; a carga lquida de um capacitor sempre nula, pois, para
cada carga positiva em uma placa existe uma carga negativa na placa
oposta, portanto, o capacitor acumula energia e no carga eltrica. Na
escala atmica, o acmulo de cargas corresponde ao alinhamento dos
dipolos eltricos no interior do dieltrico. Esse conceito explorado com
detalhes em conjunto com a discusso sobre os materiais ferroeltricos
e piezoeltricos. Uma densidade de carga, D (em C/m), produzida e
diretamente proporcional intensidade do campo eltrico, E (em V/m),
D= E
Onde a constante de proporcionalidade,

, chamada de

permissividade eltrica do dieltrico e possui unidades de C/(V.m);

permissividade eltrica a constante de proporcionalidade entre o
deslocamento dieltrico D e o campo eltrico E. Para determinado
dieltrico, existe uma diferena de potencial-limite, chamada de rigidez
dieltrica, em que ocorre um fluxo (ou rompimento) de corrente
aprecivel e o dieltrico falha.

18

20. Resistncia Dieltrica

Quando so aplicados campos eltricos muito altos atravs de
materiais

dieltricos,

grandes

nmeros

de

eltrons

podem

repentinamente ser excitados para energias dentro da banda de

conduo. Como resultados, a corrente atravs do dieltrico devido ao
movimento desses eltrons aumenta drasticamente; algumas vezes,
uma fuso, queima ou vaporizao localizada produz uma degradao
irreversvel, e talvez at mesmo a falha do material. Esse fenmeno
conhecido por ruptura do dieltrico, algumas vezes, uma fuso, queima
ou vaporizao localizada produz uma degradao irreversvel, e talvez
at mesmo a falha do material. Esse fenmeno conhecido por ruptura
do dieltrico, algumas vezes chamada de resistncia de ruptura,
representa a magnitude de um campo eltrico que necessrio para
produzir uma ruptura, portanto, na ruptura do dieltrico a magnitude de
um campo eltrico necessria para provocar a passagem de uma
corrente significativa atravs de um material dieltrico.
21. Ferroeletricidade
O material ferroeltrico caracterizado por ser um dieltrico que
pode exibir polarizao na ausncia de um campo eltrico.

Esses

materiais so anlogos aos materiais ferromagnticos. Nos materiais

ferroeltricos existem dipolos eltricos cuja origem explicada para o
titanato de brio, um dos materiais ferroeltricos mais comuns. Para o
BaTiO3 a estrutura cbica encontrada acima dos 120C, esse
composto sob o resfriamento logo abaixo de 120C sofre uma
transformao de fase para uma modificao tetragonal. A temperatura
de transformao (120C) chamada de temperatura crtica. O titanato
de btio considerado ferroeltrico abaixo de Tc. A estrutura tetragonal
em temperatura ambiente do btio assimtrica. Como resultado, o
centro global da carga positiva da distribuio de ctions dentro da
clula unitria separado do centro global da carga negativa da
distribuio de nions. Essa estrutura equivalente ao dipolo eltrico
permanente na clula unitria tetragonal do BaTiO 3. Ao contrrio de um
material cbico, a estrutura de dipolo da clula unitria tetragonal
19

permite uma grande polarizao do material em resposta a um campo

eltrico aplicado.

Figura 3. (a) Vista frontal da estrutura cbica do BaTiO3. (b) Abaixo de 120C,
ocorre uma mudana tetragonal na estrutura. O resultado lquido um
deslocamento para cima dos ctions e um deslocamento para baixo dos nions.

O material ferroeltrico pode ter polarizao nula na ausncia de

campo aplicado devido a uma orientao aleatria de domnios
microscpicos, regies onde o eixo c de clulas unitrias adjacentes
possuem uma direo comum. Sob um campo aplicado, as orientaes
de dipolos da clula unitria aproximadamente paralelas direo

do

campo aplicado so favorecidas. Nesse caso, domnios com tais

orientaes crescem custa de outros, menos favoravelmente
orientados. O mecanismo especfico de movimento das paredes dos
domnios simplesmente o pequeno deslocamento das posies dos
ons dentro das clulas unitrias, resultando na mudana de orientao
lquida do eixo tetragonal c. Esse movimento das paredes dos domnios
resulta em uma polarizao espontnea. Por outro lado, o material com
clula unitria simtrica paraeltrico e apenas uma pequena
polarizao possvel, uma vez que o campo eltrico aplicado produz
um pequeno dipolo induzido.

20

Figura 4. Um material paraeltrico exibe apenas um modesto nvel de polarizao

com campos aplicados. Em contraste, um material ferroeltrico exibe polarizao
espontnea onde domnios de clulas unitrias orientadas de modo semelhante
crescem sob campos crescentes de orientao semelhante.

Quando se aplica um campo eltrico alternado ocorre o ciclo de

histerese, ou seja, uma corrente eltrica alternada aplicada e assim o
campo eltrico repetidamente variado. Como se pode ver no grfico a
seguir.

21

Figura 5. Uma linha tracejada indica a polarizao espontnea inicial. A

polarizao de saturao (Ps) o resultado do crescimento mximo dos
domnios (extrapolado at o campo nulo). Sob a remoo do campo, alguma
polarizao remanescente (Pr) permanece. Um campo coercivo (Ec) exigido
para alcanar a polarizao nula (volumes iguais de domnios opostos).

Diversos parmetros-chave quantificam o ciclo de histerese. A

polarizao de saturao,

Ps, a polarizao ocasionada pelo

crescimento mximo dos domnios. Ps extrapolado para o campo nulo

(E=0) para corrigir a polarizao induzida no devida reorientao dos
domnios. A polarizao remanescente, Pr, a que permanece aps a
remoo do campo real. A reduo de E at zero no leva a estrutura de
domnios de volta a volumes iguais de polarizaes opostas.
necessrio reverter o campo para um nvel Ec (o campo coercivo) para
conseguir esse resultado. o ciclo de histerese caracterstico que d
nome ferroeletricidade.

22

22. Piezoeletricidade
A piezoeletricidade uma propriedade no usual exibida por
poucos materiais cermicos, ou seja, a eletricidade pela presso: a
polarizao induzida e um campo eltrico estabelecido atravs de
uma amostra pela aplicao de foras externas. A reverso do sinal de
uma fora externa (isto , de trao para compresso) inverte a direo
do campo. Na figura a seguir possvel ver o efeito piezoeltrico.

Figura 6. (a) Dipolos no interior de um material piezoeltrico. (b) Quando o

material submetido a uma tenso de compresso, gerada uma tenso.

Os materiais piezoeltricos so utilizados em transdutores,

dispositivos que convertem energia eltrica em deformaes mecnicas,
ou vice-versa. Dentre as aplicaes dos materiais piezoeltricos
incluem-se as agulhas de fongrafos, os microfones, os geradores
ultrassnicos, os medidores de deformao e os detectores por sonar.
Os materiais piezoeltricos incluem os tiatanatos de brio e
chumbo, o zinconato de chumbo (PbZrO 3), o diidrognio fosfato de
amnio (NH4H2PO4) e o quartzo. Essa propriedade caracterstica dos
materiais que possuem estruturas cristalinas complicadas com um baixo
grau de simetria. O comportamento piezoeltrico de uma amostra
policristalina pode ser melhoradopelo aquecimento acima de sua

23

temperatura Curie e em seguida pelo resfriamento temperatura

ambiente em um campo eltrico forte.
23. Concluso
Com

base

no

que

foi

abordado,

conclui-se

que

duas

caractersticas importantes de um material so sua condutividade e sua

resistividade eltrica. Assim, em relao a essas caractersticas um
material slido pode ser classificado como um dieltrico, semicondutor
ou um metal.
Uma corrente eltrica o resultado do movimento das cargas
eltricas, as quais so aplicadas a um campo eltrico a fim de serem
aceleradas. O nmero dessas cargas (eltrons lIvres) depende da
estrutura da de energia eletrnica do material. Logo, existe um tipo
distinto de estrutura de banda para os metais, para os semicondutores e
para os isolantes (dieltricos).
Dentre as propriedades evidenciadas para os materiais metlicos,
destaca-se que a resistividade eltrica aumenta com a temperatura, o
teor de impurezas e a deformao plstica.
Os condutores podem ser classificados como intrnsecos ou
extrnsecos. Sendo que os ltimos podem ser do tipo n ou p. A
condutividade eltrica de materiais semicondutores sensvel ao tipo e
teor de impurezas, bem como temperatura.
Existe uma variedade de dispositivos semicondutores que
emprega a caracterstica eltrica nica exibida por esses materiais de
executar funes eletrnicas especficas. Entre esses dispositivos
destacam-se a juno retificadora p-n e os transistores de juno e o
MOSFET. Os transistores so usados para a amplificao de sinais
eltricos, bem como para dispositivos comutadores em circuitos de
computadores.
J os materiais dieltricos so isolantes eltricos, no entanto so
suscetveis polarizao na presena de um campo eltrico. Esse
fenmeno de polarizao na presena de um campo eltrico
empregado em capacitores.

24

Em

suma,

dois

outros

fenmenos

foram

discutidos:

ferroeletricidade e a piezoeletricidade. Os materiais ferroeltricos so

aqueles que podem exibir polarizao espontaneamente, na ausncia de
qualquer campo eltrico externo. A piezoeletricidade o fenmeno
segundo o qual a polarizao induzida em um material pela imposio
de foras externas.
Logo, as propriedades eltricas so de extrema importncia para
a alta empregabilidade na eletrnica e em outros meios, desenvolvendo
e proporcionando materiais com caractersticas eltricas bem definidas.
24. Referncias Bibliogrficas
- JR., William D. Callister. Cincia e Engenharia de Materiais:
Uma Introduo, 5 edio. Rio de Janeiro: LTC, 2002.
- Shackelford, James F. Cincia dos Materiais, 6 edio. So
Paulo: Pearson Prentice Hall, 2008.
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